JP2014007430A - ボンディングキャピラリー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ボンディング装置に機械的に固定される第一円筒部と、前記第一円筒部のボンディングを行う側に設けられた円錐部と、前記円錐部の前記ボンディングを行う側に設けられ、既に配線されている隣の金属細線との干渉を抑制する軸方向長さを有するボトルネック部と、前記円錐部と前記ボトルネック部との間に設けられ、前記円錐部の前記ボンディングを行う側の端部の直径寸法よりは小さく、前記ボトルネック部の前記ボンディングを行う側とは反対側の端部の直径寸法よりは大きい直径寸法を有した減衰部と、を備えたことを特徴とするボンディングキャピラリーが提供される。
【選択図】図1
Description
このような場合、接合時の応力でアルミニウム電極や半導体素子そのものに機械的な損傷を与えてしまう恐れがあった。
近年は金属細線の材質として金よりも低コストである銅を用いる試みが広がっており、銅は金に対して硬いため、高速で接合しようとボンディング荷重や超音波のパワーを増すと、一層アルミニウム電極や半導体素子への機械的な損傷を与え易くなるという問題がある。
この場合も銅線を用いると、銅線先端の一定のつぶれ形状を得るために特許文献1でいう制限範囲を超えてボンド荷重を強くせざるを得ず、アルミニウム電極や半導体素子への機械的な損傷を抑えるためには超音波のパワーをボンド荷重に合わせて大幅に下げてやる必要があった。
しかし、市場ではすでに金線に最適化されたボンディング装置が多数導入済みであり、銅線のワイヤーボンディングにも金線に最適化された既設のボンディング装置を用いるのが通常であって、金線に用いられていた従来のボンディングキャピラリーと銅線の組み合わせでは一定のつぶれ形状を得るために強く設定したボンド荷重のもとでは、超音波発振器の電力調整だけで最適な超音波のパワーを安定発振範囲で設定することが困難で、結果として必要以上の超音波パワーがアルミニウム電極や半導体素子へ伝達して機械的な損傷を与えるという問題がある。
この特許文献2に開示がされたボンディングキャピラリーにおいては、ボトルネック高さを過度に高くするとせん断破壊してしまうため、2段ハイボトルネック型にしてワイヤ接触を回避するための高さを確保するようにしている。そして、更に第2ボトルネック部とストレート部に段差を設けて超音波伝達の倍加効果を狙うことで、従来に比べ低いボンド荷重および低い超音波パワーであってもボンディングキャピラリー先端部での振幅を増加させることができるので、接合部分の引張強度およびせん断強度を増大させることができる。
しかしながらこの特許文献2に開示された技術の場合、ボンディングキャピラリー先端部の振幅増加によって接合部分のせん断強度が増加するとしても、それに応じてボンディングキャピラリー先端部からアルミニウム電極や半導体素子に作用する局所的な垂直方向応力も増加し、結果的にアルミニウム電極や半導体素子に機械的損傷を与える可能性も増加してしまうという問題がある。特に、銅線を用いたワイヤーボンディングにおいては、銅が金よりも硬いこと及びボンド荷重条件が異なることからこの傾向は顕著なものとなる。
このボンディングキャピラリーには減衰部が設けられているのでを、ボトルネック部の過度な傾斜を抑制することができる。そのため、アルミニウム電極や半導体素子への機械的な損傷のないボンディングが可能となる。
この場合、金線に最適化された既存のボンディング装置で銅線のワイヤーボンディングを行う場合であっても、過度な超音波パワーの伝達によるアルミニウム電極や半導体素子の損傷を抑制することができる。
このボンディングキャピラリーによれば、ボンディングキャピラリーの先端側において過度な変形が発生することをより抑制することができる。すなわち、ボトルネック部の過度な傾斜をより抑制することができる。
このボンディングキャピラリーによれば、アルミニウム電極や半導体素子への過度で局部的な垂直方向応力の発生をより抑制することができる。また、この様な直径寸法を有する減衰部とすることで、ボトルネック部の過度な傾斜をより抑制することができる。
このボンディングキャピラリーによれば、アルミニウム電極や半導体素子への過度で局部的な垂直方向応力の発生をより抑制することができる。また、この様な長さ寸法を有する減衰部とすることで、ボトルネック部の過度な傾斜をより抑制することができる。
また、第5の発明は、第1〜第4のいずれか1つの発明において、前記ボトルネック部の軸方向長さは、既に配線されている隣の金属細線の高さ寸法よりも長いことを特徴とするボンディングキャピラリーである。
また、第6の発明は、第1〜第5のいずれか1つの発明において、前記ボトルネック部の軸方向長さは、0.1mm以上、0.4mm以下であることを特徴とするボンディングキャピラリーである。
また、第7の発明は、第1〜第5のいずれか1つの発明において、前記ボトルネック部の軸方向長さは、0.15mm以上であることを特徴とするボンディングキャピラリーである。
さらに、応力解析および実機評価を行うことで、アルミニウム電極や半導体素子への機械的な損傷を抑制するのに適したボンディングキャピラリーの先端部分の構成に関する知見を得た。
また、ボンディングキャピラリー1の内部には、金属細線を挿通させるための孔が軸方向に貫通するようにして設けられている。
第一円筒部23は、ボンディング装置に機械的に固定される。そのため、第一円筒部23は、ボンディング装置に機械的に固定することができるような直径寸法を有している。
円錐部22は、第一円筒部23のボンディングを行う側(ボンディングキャピラリー1の先端側)に設けられている。また、円錐部22は、先端部24側になるに従い直径寸法が小さくなる(断面積が小さくなる)ような円錐台形状を呈し、第一円筒部23とつながる側の端部の直径寸法が第一円筒部23の直径寸法と略同一となっている。
減衰部25は、円錐部22とボトルネック部21との間に設けられている。また、減衰部25は、円錐部22のボンディングを行う側の端部の直径寸法よりは小さく、ボトルネック部21のボンディングを行う側とは反対側の端部の直径寸法よりは大きい直径寸法を有している。すなわち、減衰部25の直径寸法は、円錐部22の先端部24側の直径寸法よりは小さく、ボトルネック部21の先端部24側とは反対側の端部の直径寸法よりは大きくなっている。 減衰部25は、ボトルネック部21の剛性よりは高く、第一円筒部23の剛性よりは低い剛性を有しているものとすることができる。
ボトルネック部21は、円錐部22のボンディングを行う側に設けられている。また、ボトルネック部21は、既に配線されている隣の金属細線を避けて所定の接合位置にワイヤーボンディングを行うことができるような直径寸法を有している。なお、ボトルネック部21の先端面を先端部24としている。
すなわち、ボトルネック部21の直径寸法を小さくすれば、接合位置の間隔が狭い場合(高密度なワイヤーボンディングを行う場合)であっても、既に配線されている隣の金属細線とボトルネック部21とが干渉することを抑制することができる。
なお、図2は、図1におけるA部を拡大したものである。
すなわち、減衰部25を設けることで、アルミニウム電極や半導体素子に過度で局部的な垂直方向応力が発生することを抑制することができる。なお、過度で局部的な垂直方向応力の発生に関する詳細は後述する。
すなわち、減衰部25の軸方向長さを減衰部長さ26とし、直径寸法を減衰部径27としている。
すなわち、前述したように、減衰部径27(減衰部25の直径寸法)は、円錐部22の先端部24側の直径寸法よりは小さく、ボトルネック部21の先端部24側とは反対側の端部の直径寸法よりは大きくなっている。
すなわち、減衰部25の外観の形状として、直径寸法が減衰部径27である円柱形状を例示したがこれに限定されるわけではない。例えば、円錐部22側からボトルネック部21側になるに従い直径寸法が小さくなる(断面積が小さくなる)円錐台形状とすることもできる。
本発明者らの得た知見によれば、ボンディングキャピラリーの先端部分の構成によってワイヤーボンディングプロセス中におけるボンディングキャピラリーの振幅挙動が異なるものとなる。
図3は、ボンディングキャピラリーの振動挙動を例示するための解析図である。なお、図3(a)は後述する比較例1に係るボンディングキャピラリーの場合(図7、図8を参照)、図3(b)は本発明の実施形態に係るボンディングキャピラリーの場合である。すなわち、図3(a)は特許文献2に開示されたボンディングキャピラリーと同様に減衰部25を設けていないボンディングキャピラリーの場合、図3(b)は後述する実施例3に係るボンディングキャピラリーの場合である。
また、CAE(Computer Aided Engineering)解析によりボンディングキャピラリーの振幅挙動を解析するものとした。なお、加振方向はボンディングキャピラリーの軸方向に垂直な方向とし、振幅を1μm、周波数を120kHzとした。
これに対し、図3(b)から分かるように、本発明の実施形態に係るボンディングキャピラリーの場合にはボンディングキャピラリーの先端側における変形を抑制することができる。すなわち、ボトルネック部の傾斜を抑制することができる。
そのため、ボンディングキャピラリーの先端側における変形が大きくなると、電極や電極の下層に設けられている半導体素子に機械的な損傷を与えるおそれがある。特に、1st側の電極がアルミニウム電極の場合には、ボンディングキャピラリーの先端側における変形の影響が顕著となる。さらに、金属細線が銅線の場合には金線の場合と比べて硬度が高くなるため、ボンディングキャピラリーの先端側における変形の影響がさらに顕著となる。
図4は、接合部分に発生する局所的な垂直方向応力について例示をするための解析図である。
なお、図4は、金属細線の端部に形成されているボールを介して接合する場合に発生する局所的な垂直方向応力をCAE解析により解析したものである。
図4に示すように、ボンディングキャピラリーの先端側における変形が大きくなり、ボトルネック部21が大きく傾くと接合部分の周縁(ボールの周縁)に局所的に大きな垂直方向応力が発生する。この場合、図4中の右側においては圧縮応力が発生し、図4中の左側においては引張り応力が発生する。また、ボンディングキャピラリーは図4中の左右方向に可振されるので、圧縮応力と引張り応力とが交互に発生することになる。
図5は、アルミスプラッシュと半導体素子の損傷とを例示する写真である。
なお、図5(a)は、接合部分の走査型電子顕微鏡(SEM;Scanning Electron Microscope)写真である。図5(b)はアルミニウム電極の下層に設けられた半導体素子の表面の走査型電子顕微鏡写真である。
図5(a)に示すようなアルミスプラッシュが発生すると、隣接する電極と短絡するおそれがある。また、アルミニウム電極は、その下層に設けられた半導体素子を保護する機能をも有しているため半導体素子の保護作用が低減するおそれもある。
また、接合部分の周縁(ボールの周縁)に局所的に大きな垂直方向応力が発生すると、図5(b)に示すような損傷が半導体素子の表面に発生するおそれもある。
図6は、接合部分に発生する垂直方向応力を例示するためのグラフ図である。
なお、図6の縦軸は垂直方向応力を表し、横軸は接合部分における位置を表している。この場合、横軸の0(ゼロ)は接合部分の中心位置(押し付けられたボール部分の中心位置)である。
また、図6中のBは後述する比較例1に係るボンディングキャピラリーの場合、図6中のCは本発明の実施形態に係るボンディングキャピラリーの場合である。すなわち、図6中のBは特許文献2に開示されたボンディングキャピラリーと同様に減衰部25を設けていないボンディングキャピラリーの場合、図6中のCは後述する実施例3に係るボンディングキャピラリーの場合である。
図6から分かるように、本発明の実施形態に係るボンディングキャピラリーによれば、接合部分の周縁(ボールの周縁)に発生する垂直方向応力を大幅に低減させることができる。また、接合部分の全域において発生する垂直方向応力をも低減させることができる。
(実施例)
表1は、本発明の実施形態に係るボンディングキャピラリーの実施例と比較例との比較をまとめたものである。
比較例1は、特許文献2に開示されたボンディングキャピラリーと同様に減衰部25を備えていないボンディングキャピラリーの場合である。
図7は、比較例1に係るボンディングキャピラリーを示す模式図である。
図8は、比較例1に係るボンディングキャピラリーの先端形状を示す模式拡大図である。
なお、図8は、図7におけるD部を拡大したものである。
図7に示すように、比較例1に係るボンディングキャピラリーは、第一円筒部13、円錐部12、ボトルネック部11を備えている。また、ボトルネック部11の先端面が先端部14となっている。すなわち、比較例1に係るボンディングキャピラリーには減衰部が設けられていない。
半導体素子表面の損傷の発生やアルミスプラッシュの増大は、アルミニウム電極や半導体素子に作用する局所的な垂直方向応力が過大なものとなったからである。
そのため、実施例と比較するために、比較例1において垂直方向に発生する応力の最大値をCAE解析により解析し、この解析値を「100%」(基準値)とすることにした。
比較例2は、特許文献2に開示されたボンディングキャピラリーと同等のボンディングキャピラリーの場合である。すなわち、比較例2も減衰部25を備えていないボンディングキャピラリーの場合である。
図9は、比較例2に係るボンディングキャピラリーを示す模式図である。
図10は、比較例2に係るボンディングキャピラリーの先端形状を示す模式拡大図である。
なお、図10は、図9におけるE部を拡大したものである。
図9に示すように、比較例2に係るボンディングキャピラリーは、第一円筒部13、円錐部12a、ボトルネック部11を備えている。また、ボトルネック部11の先端面が先端部14となっている。すなわち、比較例2に係るボンディングキャピラリーには減衰部が設けられていない。なお、第一円筒部13と円錐部12aとの間には段差部103’が設けられている。
表1に示すように、比較例2に係るボンディングキャピラリーについて応力解析をすると、垂直方向応力の解析値は比較例1の153%となりかえって垂直方向応力が増大することが判明した。したがって、半導体素子表面に損傷を発生させる可能性が高い。
図11に示す本発明の一実施形状において、先端部24の直径寸法を0.075mm、ボトルネック部21の長さを0.150mmとし、図2に示す減衰部長さ26を0.100mm、減衰部径27を0.168mmとした時の垂直方向の応力最大値は71.7%であり、アルミニウム電極や半導体素子への機械的な損傷につながる垂直方向応力を低減できていることがわかる。またボンディング評価においてボールせん断強度は18.91gfあり、アルミスプラッシュ量は比較例1よりも小さすることができ、半導体素子表面における損傷の発生も確認されなかった。さらに、アルミスプラッシュ量、ボールせん断強度ともに数値バラツキが小さくなり、従来と比べて安定したワイヤーボンディングが可能となっている。
実施例1は、図1、図2に示したボンディングキャピラリー1の減衰部長さ26、減衰部径27、先端部24の直径寸法、ボトルネック部21の長さを表1の実施例1に示すものとした場合である。
図11に示すものの場合には、減衰部25aの外観は円錐台形状を呈している。この様に減衰部25aの外観が円錐台形状を呈している場合には、減衰部径はボトルネック部21側の端面の直径寸法(最小直径寸法)とすることにする。なお、減衰部25aの場合は、中心軸と稜線とがなす角度を10°(両角では20°)としている。
表1に示すように、実施例1によれば、垂直方向応力の解析値を比較例1の71.7%とすることができる。そして、比較例1の場合と比べてアルミスプラッシュ量を抑制することができる。この場合、半導体素子表面における損傷の発生も確認されなかった。
また、ボールせん断強度も18.91gfとすることができ、良好なボールせん断強度を得ることができる。
図12に示す本発明の一実施形状において、先端部24の径を0.075mm、ボトルネック部21の長さを0.150mmとし、図2に示す減衰部長さ26を0.100mm、減衰部径27を0.252mmとした時のアルミニウム電極における垂直方向の応力最大値は71.8%であった。またボンディング評価においてボールせん断は18.89gfあり、アルミスプラッシュ量は従来の比較例よりも小さすることができ、アルミニウム電極損傷の発生も確認されなかった。本実施例においてもアルミスプラッシュ量、ボールせん断強度ともに数値バラツキが小さくなり、従来と比べて安定したワイヤーボンディングが可能となっている。
実施例7は、図1、図2に示したボンディングキャピラリー1の減衰部長さ26、減衰部径27、先端部24の直径寸法、ボトルネック部21の長さを表1の実施例7に示すものとした場合である。
図12に示すものの場合には、減衰部25bの外観は円錐台形状を呈している。そのため、表1に示した減衰部径はボトルネック部21側の端面の直径寸法(最小直径寸法)である。なお、減衰部25bの場合も、中心軸と稜線とがなす角度を10°(両角では20°)としている。
表1に示すように、実施例7によれば、垂直方向応力の解析値を比較例1の71.8%とすることができる。そして、比較例1の場合と比べてアルミスプラッシュ量を抑制することができる。この場合、半導体素子表面における損傷の発生も確認されなかった。
また、ボールせん断強度も18.89gfとすることができ、良好なボールせん断強度を得ることができる。
この場合、実施例2、3、5〜8の減衰部の外観は円錐台形状を呈している。そのため、表1に示した減衰部径はボトルネック部21側の端面の直径寸法(最小直径寸法)である。なお、これらの減衰部の場合も、中心軸と稜線とがなす角度を10°(両角では20°)としている。
これに対して、実施例4の減衰部の外観は円柱形状を呈している。
図13は、実施例4に係るボンディングキャピラリーの先端形状を示す模式拡大図である。
この様に減衰部25cの外観が円柱形状を呈している場合には、表1に示した減衰部径は減衰部25cの直径寸法となる。
以上に説明したように、減衰部の直径寸法は、φ0.3mm以下とすることが好ましい。
また、減衰部の長さは、0.1mm以上、0.5mm以下とすることが好ましい。
図15は、アルミプラッシュ量の測定データを例示するための図である。なお、図14は、図15に例示をしたデータに基づいたグラフ図である。また、「Ave」は平均値、「Max」は最大値、「Min」は最小値、「σ」偏差を表している。
図16は、ボールせん断強度を例示するためのグラフ図である。
図17は、ボールせん断強度の測定データを例示するための図である。なお、図16は、図17に例示をしたデータに基づいたグラフ図である。また、「Ave」は平均値、「Max」は最大値、「Min」は最小値、「σ」偏差を表している。
図14、図15に示すように、実施例1、実施例7によれば、比較例1の場合と比べてアルミスプラッシュ量を少なくすることができるとともに、アルミスプラッシュ量のバラツキ(偏差)を小さくすることができる。
また、図16、図17に示すように、実施例1、実施例7によれば、比較例1の場合と比べてボールせん断強度をほぼ同等とすることができるとともに、ボールせん断強度のバラツキ(偏差)を小さくすることができる。
すなわち、このことは比較例1の場合と比べて安定したワイヤーボンディングが可能となることを意味する。
12・・・・・・・・・円錐部
12a・・・・・・・・円錐部
13・・・・・・・・・第一円筒部
14・・・・・・・・・先端部
21・・・・・・・・・ボトルネック部
22・・・・・・・・・円錐部
23・・・・・・・・・第一円筒部
24・・・・・・・・・先端部
25・・・・・・・・・減衰部
25a〜25c・・・・減衰部
26・・・・・・・・・減衰部長さ
27・・・・・・・・・減衰部径
Claims (7)
- ボンディング装置に機械的に固定される第一円筒部と、
前記第一円筒部のボンディングを行う側に設けられた円錐部と、
前記円錐部の前記ボンディングを行う側に設けられ、既に配線されている隣の金属細線との干渉を抑制する軸方向長さを有するボトルネック部と、
前記円錐部と前記ボトルネック部との間に設けられ、前記円錐部の前記ボンディングを行う側の端部の直径寸法よりは小さく、前記ボトルネック部の前記ボンディングを行う側とは反対側の端部の直径寸法よりは大きい直径寸法を有した減衰部と、
を備えたことを特徴とするボンディングキャピラリー。 - 前記第一円筒部と、前記減衰部と、前記ボトルネック部と、は、同一の材料から形成され、
前記減衰部は、前記ボトルネック部の剛性よりは高く、前記第一円筒部の剛性よりは低い剛性を有したことを特徴とする請求項1記載のボンディングキャピラリー。 - 前記減衰部の直径寸法は、φ0.3mm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のボンディングキャピラリー。
- 前記減衰部の軸方向長さは、0.1mm以上、0.5mm以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のボンディングキャピラリー。
- 前記ボトルネック部の軸方向長さは、既に配線されている隣の金属細線の高さ寸法よりも長いことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載のボンディングキャピラリー。
- 前記ボトルネック部の軸方向長さは、0.1mm以上、0.4mm以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のボンディングキャピラリー。
- 前記ボトルネック部の軸方向長さは、0.15mm以上であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のボンディングキャピラリー。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63239959A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング用キヤピラリ |
JPH0799202A (ja) * | 1993-04-30 | 1995-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ワイヤボンディング装置用のキャピラリー及びそのキャピラリーを用いた電気的接続バンプの形成方法 |
JP2004525511A (ja) * | 2001-02-28 | 2004-08-19 | クリック・アンド・ソッファ・インベストメンツ・インコーポレイテッド | 制御される減衰キャピラリ |
JP2007150225A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Ri Seikyu | ワイヤボンディング装置用キャピラリ |
US20070235495A1 (en) * | 2006-04-10 | 2007-10-11 | Jaime Castaneda | Wire bonding capillary tool having multiple outer steps |
JP2011097042A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Toto Ltd | ボンディングキャピラリー |
-
2013
- 2013-10-17 JP JP2013216806A patent/JP2014007430A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63239959A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイング用キヤピラリ |
JPH0799202A (ja) * | 1993-04-30 | 1995-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ワイヤボンディング装置用のキャピラリー及びそのキャピラリーを用いた電気的接続バンプの形成方法 |
JP2004525511A (ja) * | 2001-02-28 | 2004-08-19 | クリック・アンド・ソッファ・インベストメンツ・インコーポレイテッド | 制御される減衰キャピラリ |
JP2007150225A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Ri Seikyu | ワイヤボンディング装置用キャピラリ |
US20070235495A1 (en) * | 2006-04-10 | 2007-10-11 | Jaime Castaneda | Wire bonding capillary tool having multiple outer steps |
JP2011097042A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Toto Ltd | ボンディングキャピラリー |
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