JP2016001752A - フリップチップ実装構造、フリップチップ実装方法及びフリップチップ実装構造の使用方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高温環境下にさらされても劣化せず、高い接続/接合信頼性を有するフリップチップ実装構造を提供する。【解決手段】Al電極22を有するICチップ21とAu電極43を有する基板41とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造において、ICチップ21のAl電極22上にAlもしくはAl合金よりなるバンプ52を形成し、そのバンプ52を介してICチップ21のAl電極22と基板41のAu電極43とを接合する。フリップチップ実装構造は200℃以上の高温環境下において利用される。【選択図】図2
Description
この発明はICチップのフリップチップ実装構造、フリップチップ実装方法及びフリップチップ実装構造の使用方法に関する。
ICチップのフリップチップ実装は一般にICチップの電極上にバンプを形成し、そのバンプを相手方基板(実装基板)の電極と直接接合することによって行われる。バンプの形成には金属ワイヤの先端を溶融させてボールを形成し、そのボールを熱圧着等によりICチップの電極上に固着させるボールボンディングが一般に採用されている。
図3A〜Cはこのようなボールボンディングによるバンプの形成方法を示したものであり、図3Aは金属ワイヤ11の先端が溶融されて形成されたボール12がICチップ21の電極22に熱圧着されて固着された状態を示す。ボール12はボールボンド用キャピラリ31により荷重が加えられ、熱圧着されて図3Aに示したように変形する。
金属ワイヤ11は図3Bに示したようにカットされ、これにより金属ワイヤ11の余分な部分が切断除去されて、ICチップ21の電極22上に図3Cに示したようにバンプ12’が形成される。
図4A〜Cは上記のようにしてバンプ12’が形成されたICチップ21が基板41上にフリップチップ実装される様子を示したものであり、ICチップ21は図4Aに示したようにフリップチップボンド用ツール32に取り付け保持される。
ICチップ21がフリップチップ実装される基板41の電極42はCuよりなり、この例ではこのCu電極42上にAuめっきが施されてAu電極43が形成されている。
図4Bはフリップチップボンド用ツール32が移動・下降し、バンプ12’が基板41のAu電極43と位置合わせされて接触した状態を示したものであり、この状態で例えば加熱・加圧することでバンプ12’とAu電極43とが接合される。そして、フリップチップボンド用ツール32を取り外すことによりフリップチップ実装が完了し、図4Cに示したようなフリップチップ実装構造が完成する。なお、バンプ12’とAu電極43の接合には熱圧着に限らず、荷重を加えた状態で超音波振動を付与する超音波接合も採用される。
上述したようなフリップチップ実装構造において、ICチップ21の電極22は一般にAl電極とされ、ボール12を形成する金属ワイヤ11にはボールボンディングを良好に行えるAuワイヤが一般に用いられている(例えば、特許文献1参照)。
上述したように、従来のICチップのフリップチップ実装構造ではICチップのAl電極上にAuバンプが形成され、AlとAuの接合構造をもつものとなる。
しかるに、このようなAlとAuの接合構造を有するフリップチップ実装部品が高温環境下にさらされると、AlとAuの相互拡散が促進され、これによりAuに対して絶対量の少ないAlが全てAuに拡散してしまい、Al電極にボイドが発生するといった事態が生じる。そして、このようなボイドの発生はAl電極とAuバンプの接続/接合不良を誘発し、接続/接合信頼性を大きく損うことになる。
この発明の目的はこの問題に鑑み、高温環境下でも高い接続/接合信頼性を得ることができるフリップチップ実装構造、フリップチップ実装方法及びフリップチップ実装構造の使用方法を提供することにある。
この発明によれば、Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造において、ICチップのAl電極と基板のAu電極とが、ICチップのAl電極上にウェッジボンディングにより形成されたAlもしくはAl合金よりなる厚さが5〜50μmのバンプのみを介して接合されており、フリップチップ実装構造は200℃以上の高温環境下において利用される。
この発明によれば、Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装方法は、ICチップのAl電極上にAlもしくはAl合金よりなるワイヤをウェッジボンド用キャピラリで超音波振動を付与してウェッジボンディングする工程と、ウェッジボンディングされたワイヤの余分な部分を切断除去して厚さが5〜50μmのバンプを形成する工程と、バンプが形成されたICチップのAl電極と基板のAu電極とを位置合わせして接触させた状態で加圧し、超音波振動を付与することで、ICチップのAl電極と基板のAu電極とをバンプのみを介して接合する工程とを有する。フリップチップ実装方法により得られるフリップチップ実装構造は200℃以上の高温環境下において利用される。
この発明によれば、Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造の使用方法は、フリップチップ実装構造において、ICチップのAl電極と基板のAu電極とが、ICチップのAl電極上にウェッジボンディングにより形成されたAlもしくはAl合金よりなる厚さが5〜50μmのバンプのみを介して接合されており、フリップチップ実装構造を200℃以上の高温環境下において使用する。
この発明によれば、Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造において、ICチップのAl電極と基板のAu電極とが、ICチップのAl電極上にウェッジボンディングにより形成されたAlもしくはAl合金よりなる厚さが5〜50μmのバンプのみを介して接合されており、Au電極はCu電極上にAuめっきが施されたものである。
この発明によれば、Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装方法は、ICチップのAl電極上にAlもしくはAl合金よりなるワイヤをウェッジボンド用キャピラリで超音波振動を付与してウェッジボンディングする工程と、ウェッジボンディングされたワイヤの余分な部分を切断除去して厚さが5〜50μmのバンプを形成する工程と、バンプが形成されたICチップのAl電極と基板のAu電極とを位置合わせして接触させた状態で加圧し、超音波振動を付与することで、ICチップのAl電極と基板のAu電極とをバンプのみを介して接合する工程とを有する。Au電極はCu電極上にAuめっきが施されたものである。
この発明によれば、Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造の使用方法は、フリップチップ実装構造において、ICチップのAl電極と基板のAu電極とが、ICチップのAl電極上にウェッジボンディングにより形成されたAlもしくはAl合金よりなる厚さが5〜50μmのバンプのみを介して接合されており、フリップチップ実装構造を200℃以上の高温環境下において使用する。
この発明によれば、Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造において、ICチップのAl電極と基板のAu電極とが、ICチップのAl電極上にウェッジボンディングにより形成されたAlもしくはAl合金よりなる厚さが5〜50μmのバンプのみを介して接合されており、Au電極はCu電極上にAuめっきが施されたものである。
この発明によれば、Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装方法は、ICチップのAl電極上にAlもしくはAl合金よりなるワイヤをウェッジボンド用キャピラリで超音波振動を付与してウェッジボンディングする工程と、ウェッジボンディングされたワイヤの余分な部分を切断除去して厚さが5〜50μmのバンプを形成する工程と、バンプが形成されたICチップのAl電極と基板のAu電極とを位置合わせして接触させた状態で加圧し、超音波振動を付与することで、ICチップのAl電極と基板のAu電極とをバンプのみを介して接合する工程とを有する。Au電極はCu電極上にAuめっきが施されたものである。
この発明によれば、AlとAuの接合構造を有するフリップチップ実装において、Alの絶対量を増やすことができる。よって、Auに対するAlの一方的な拡散は発生せず、従来のようなICチップのAl電極におけるボイドの発生を抑制することができる。これにより、高温環境下においても高い接続/接合信頼性を得ることができ、言い換えれば高温環境下に長時間さらされても振動や衝撃に対する耐性が劣化しない優れたフリップチップ実装構造を得ることができる。
この発明の実施形態を図面を参照して実施例により説明する。
この例ではICチップのAl電極上に形成するバンプをAlバンプとする。Alバンプの形成にはAuバンプの形成に用いるボールボンデイングは適さず、ウェッジボンディングを用いる。なお、Alバンプの形成にボールボンディングが適さない理由は次の2点である。第一に、AlはAuに比べて硬いのでボールボンディングによってバンプを形成した場合、バンプの先端の高さが不揃いになりやすい。第二に、Alは熱酸化しやすいので加熱溶融によってボールを形成するボールボンディングではAlが酸化してしまう。これらは何れも大きな不具合の原因となる。
図1A〜CはウェッジボンディングによるAlバンプの形成方法を示したものであり、図1AはAlワイヤ51の先端がICチップ21のAl電極22上に位置決めされた状態を示す。図中、33はウェッジボンド用キャピラリを示す。ウェッジボンド用キャピラリ33でAlワイヤ51に荷重を加え、かつ超音波振動を付与することでAlワイヤ51がAl電極22に固着される。
Alワイヤ51は図1Bに示したようにカットされ、これによりAlワイヤ51の余分な部分が切断除去されて、Al電極22上に図1Cに示したようにAlバンプ52が形成される。
図2A〜CはAlバンプ52が形成されたICチップ21の基板41上へのフリップチップ実装方法を示したものであり、ICチップ21は図2Aに示したようにフリップチップボンド用ツール32に取り付けられてフリップチップ実装が行われる。
図2Bはフリップチップ用ツール32が移動・下降し、Alバンプ52が基板41のAu電極43と位置合わせされて接触した状態を示したものであり、この状態でフリップチップ用ツール32により荷重を加え、かつ超音波振動を付与することでAlバンプ52とAu電極43とが接合される。図2Cはフリップチップ用ツール32が取り外され、フリップチップ実装が完了した状態を示したものである。
このようにこの例ではICチップ21のAl電極22上にAlバンプ52を形成し、このAlバンプ52を介してICチップ21のAl電極22と基板41のAu電極43とを接合するため、AlとAuの接合構造を有するフリップチップ実装において、Alの絶対量を大幅に増やすことが可能となる。
従って、この例によれば、Auに対してAlが一方的に拡散するといったことはなくなり、従来のようなAl電極22におけるボイドの発生を抑制することができる。これにより、高温環境下においても高い接続/接合信頼性を実現することができる。具体的に言えば、2百数十℃の高温環境下に数千時間さらされても、振動・衝撃に対する耐性が劣化することなく、維持されるだけの接合強度を実現することができ、その点でこのような高温環境下での使用が想定されるICチップ21のフリップチップ実装が可能となり、基板(実装基板)41の小型化に貢献できる。
Alバンプ52の大きさの一例を示せば、電極面方向の寸法は100μm程度以下であり、厚さは5〜50μm程度である。
上述した例においてはAlワイヤ51を用い、Alバンプ52を形成しているが、ワイヤはAlに限らず、Al合金よりなるものでもよく、つまりAlバンプ52はAl合金バンプであってもよい。
また、ウェッジボンド用キャピラリ33は適切にウェッジボンディングが行えるツールならば、いかなる形態のツールであってもよい。なお、図1BにおけるAlワイヤ51のカットは例えばクランプ(図示せず)でAlワイヤ51を把持して引っ張ることで行うことができる。
Claims (6)
- Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造であって、
前記ICチップのAl電極と前記基板のAu電極とが、前記ICチップのAl電極上にウェッジボンディングにより形成されたAlもしくはAl合金よりなる厚さが5〜50μmのバンプのみを介して接合されており、
当該フリップチップ実装構造は200℃以上の高温環境下において利用されることを特徴とするフリップチップ実装構造。 - Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装方法であって、
前記ICチップのAl電極上にAlもしくはAl合金よりなるワイヤをウェッジボンド用キャピラリで超音波振動を付与してウェッジボンディングする工程と、
前記ウェッジボンディングされたワイヤの余分な部分を切断除去して厚さが5〜50μmのバンプを形成する工程と、
前記バンプが形成されたICチップのAl電極と前記基板のAu電極とを位置合わせして接触させた状態で加圧し、超音波振動を付与することで、前記ICチップのAl電極と前記基板のAu電極とを前記バンプのみを介して接合する工程とを有し、
当該フリップチップ実装方法により得られるフリップチップ実装構造は200℃以上の高温環境下において利用されることを特徴とするフリップチップ実装方法。 - Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造の使用方法であって、
前記フリップチップ実装構造において、前記ICチップのAl電極と前記基板のAu電極とが、前記ICチップのAl電極上にウェッジボンディングにより形成されたAlもしくはAl合金よりなる厚さが5〜50μmのバンプのみを介して接合されており、
前記フリップチップ実装構造を200℃以上の高温環境下において使用することを特徴とするフリップチップ実装構造の使用方法。 - 請求項3記載のフリップチップ実装構造の使用方法であって、前記Au電極はCu電極上にAuめっきが施されたものであることを特徴とするフリップチップ実装構造の使用方法。
- Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装構造であって、
前記ICチップのAl電極と前記基板のAu電極とが、前記ICチップのAl電極上にウェッジボンディングにより形成されたAlもしくはAl合金よりなる厚さが5〜50μmのバンプのみを介して接合されており、
前記Au電極はCu電極上にAuめっきが施されたものであることを特徴とするフリップチップ実装構造。 - Al電極を有するICチップとAu電極を有する基板とをワイヤレスに接続するフリップチップ実装方法であって、
前記ICチップのAl電極上にAlもしくはAl合金よりなるワイヤをウェッジボンド用キャピラリで超音波振動を付与してウェッジボンディングする工程と、
前記ウェッジボンディングされたワイヤの余分な部分を切断除去して厚さが5〜50μmのバンプを形成する工程と、
前記バンプが形成されたICチップのAl電極と前記基板のAu電極とを位置合わせして接触させた状態で加圧し、超音波振動を付与することで、前記ICチップのAl電極と前記基板のAu電極とを前記バンプのみを介して接合する工程とを有し、
前記Au電極はCu電極上にAuめっきが施されたものであることを特徴とするフリップチップ実装方法。
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