KR20190068420A

KR20190068420A - 점착성 기재 및 점착성 기재의 제조방법

Info

Publication number: KR20190068420A
Application number: KR1020180142405A
Authority: KR
Inventors: 히로유키 이구치; 토시오 시오바라; 츠토무 카시와기
Original assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2017-12-08
Filing date: 2018-11-19
Publication date: 2019-06-18
Also published as: TWI791644B; TW201925393A; KR102593231B1; JP6842404B2; JP2019104785A

Abstract

본 발명은, 지지기재와, 이 지지기재에 마련된 점착층을 갖는 점착성 기재로서, 상기 지지기재는, 편면 또는 양면에 2개 이상의 볼록부를 갖는 요철패턴을 가지고, 상기 점착층은, 적어도, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 상기 볼록부의 상면에 마련되고, 상기 볼록부의 상면의 상기 점착층 표면이 곡면을 갖는 것을 특징으로 하는 점착성 기재이다. 이에 따라, 대량의 미세한 칩을 단시간에 다이본드하는 것이 가능한 점착성 기재 및 점착성 기재의 제조방법을 제공한다.

Description

점착성 기재 및 점착성 기재의 제조방법{ADHESIVE SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING ADHESIVE SUBSTRATE}

본 발명은, 점착성 기재 및 점착성 기재의 제조방법에 관한 것이다.

최근, 시계나 휴대전화 등의 휴대기기를 중심으로, 전자기기의 소형경량화가 진행되고 있다. 이에 수반하여, 이들 전자기기에 내장되는 반도체칩에 관해서도 소형화가 한층 진행되고 있다.

반도체칩의 전극에 리드선을 연결하는 방법으로서, 종래로부터 와이어본딩이 알려져 있으나, 와이어가 차지하는 공간이 크기 때문에, 반도체칩의 소형화에는 부적합하다.

이에, 전극이 있는 상면을 반전하여 직접 전극기판과 접속하는 플립칩본딩이 행해지고 있다(특허문헌 1, 2). 이 방법에서는 와이어가 없는 만큼, 소형화가 가능해진다. 그러나 종래의 방법에서는 칩을 하나하나 픽업하므로, 마이크로LED 등 매우 작은 칩을 대량으로 다이본드할 때는 상당히 시간이 걸린다.

특허문헌 3에 기재되어 있는 전사용의 부재에서는, 요철패턴의 볼록부에 점착층이 평면에 부착되어 있는데, 이러한 전사용의 부재는, 칩과 접촉시켰을 때에, 평면점착층과 칩이 접해 있는 면적이 크므로, 칩을 픽업하여 다른 점착성 기판에 배치할 때, 모든 칩이 확실히 다른 점착성 기판으로 이행하는 것이 곤란하였다. 또한, 평면점착층과 칩이 접해 있는 면적이 크기 때문에, 칩의 픽업속도와 다른 점착성 기판에 전사하는 속도가 상이한 등, 공정이 번잡해진다.

일본특허공개 2016-001752호 공보 국제공개 WO2014/098174호 공보 국제공개 WO2016/012409호 공보

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 대량의 미세한 칩을 단시간에 다이본드하는 것이 가능한 점착성 기재 및 점착성 기재의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 따르면, 지지기재와, 이 지지기재에 마련된 점착층을 갖는 점착성 기재로서, 상기 지지기재는, 편면 또는 양면에 2개 이상의 볼록부를 갖는 요철패턴을 갖고, 상기 점착층은, 적어도, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 상기 볼록부의 상면에 마련되고, 상기 볼록부의 상면의 상기 점착층 표면이 곡면을 갖는 것을 특징으로 하는 점착성 기재를 제공한다.

본 발명의 점착성 기재에 따르면, 미세한 칩을 대량으로 단시간에 다이본드하는 것이 가능해진다.

또한 이 경우, 상기 점착층은, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 상기 볼록부의 상면에만 마련된 것으로 하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 점착층은, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 오목부에도 마련된 것이며, 또한, 상기 요철패턴의 오목부에 마련된 상기 점착층의 표면높이가, 상기 볼록부의 상면에 마련된 상기 점착층의 표면높이보다 낮은 위치가 되도록 마련된 것으로 하는 것이 바람직하다.

본 발명의 점착성 기재로는, 이들의 구체적 태양을 들 수 있다. 이러한 점착성 기재이면, 미세한 칩을 대량으로 선택적으로 픽업할 수 있고, 단시간에 대량의 칩을 다이본드할 수 있다.

또한 이 경우, 상기 지지기재의 상기 볼록부의 상면에 마련된 상기 점착층의 표면만이, 곡면을 갖는 것으로 하는 것이 바람직하다.

이러한 점착성 기재이면, 보다 확실히, 미세한 칩을 대량으로 선택적으로 픽업할 수 있고, 단시간에 대량의 칩을 다이본드할 수 있는 것이 된다.

또한, 상기 지지기재의 상기 볼록부의 상면에 마련된 상기 점착층의 표면높이와, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 오목부의 표면높이의 차가 최장 1μm~100μm인 것이 바람직하다.

또한, 상기 지지기재의 상기 볼록부의 상면에 마련된 점착층의 표면높이와, 상기 지지기재의 상기 오목부에 마련된 점착층의 표면높이의 차가 최장 1μm~100μm인 것이 바람직하다.

이러한 지지기재의 볼록부의 상면에 마련된 점착층의 표면과, 지지기재의 오목부의 표면 또는 오목부에 마련된 점착층의 표면의 거리이면, 보다 확실히, 미세한 칩을 대량으로 선택적으로 픽업할 수 있고, 단시간에 대량의 칩을 다이본드할 수 있는 것이 된다.

또한, 상기 점착층의 최대두께가 0.01μm~100μm인 것이 바람직하다.

이러한 최대두께(높이)를 갖는 점착층이면, 점착성 기재를 칩에 압착했을 때에, 변형량이 작아도 되므로 바람직하다.

또한, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 인접하는 상기 볼록부의 간격이 1μm~100μm인 것이 바람직하다.

또한, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 상기 볼록부의 폭이 1μm~100μm인 것이 바람직하다.

이러한 지지기재의 인접하는 볼록부의 간격이나 볼록부의 폭이면, 확실히, 미세한 칩을 픽업할 수 있으므로 바람직하다.

또한, 상기 점착층의 점착력이, JIS Z 0237:2009에 준거한, 23℃, 떼어냄(引きはがし)각도 180°, 및 박리속도 300mm/min.의 조건에서의 박리시의 점착력이, 0.05~50(N/25mm폭)인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서의 점착층의 점착력이 이 범위이면, 마이크로칩을 픽업하기에 충분한 점착성을 가지므로 바람직하다.

또한, 상기 점착성 기재가, 마이크로LED 전사용인 것이 바람직하다.

본 발명의 점착성 기재는, 미세한 칩을 대량으로 선택적으로 픽업할 수 있고, 단시간에 대량의 칩을 다이본드하는 것이 가능하므로, 마이크로LED 전사용으로서 유용하다.

또한, 본 발명에서는, 상기 점착성 기재의 제조방법으로서, 정전기력으로 노즐로부터 점착제를 도포함으로써, 상기 지지기재의, 적어도 상기 볼록부의 상면에, 표면에 곡면을 갖는 점착층을 형성하는 것을 특징으로 하는 점착성 기재의 제조방법을 제공한다.

이와 같이 정전기력으로 점착제를 도포함으로써, 지지기재의 볼록부의 상면에, 표면에 곡면을 갖는 점착층이 마련된 본 발명의 점착성 기재를 단시간에 제조할 수 있다.

본 발명의 점착성 기재는, 지지기재의 표면에 요철패턴이 배열되어 있고, 적어도, 지지기재의 요철패턴의 볼록부의 상면에 점착층이 마련되고, 이 볼록부의 상면의 점착층 표면이 곡면을 갖는 것임으로써, 미세한 칩을 대량으로 선택적으로 픽업할 수 있고, 단시간에 대량의 칩을 다이본드할 수 있다. 이 때문에, 칩트랜스퍼용 기재로서 유용하다.

도 1은 본 발명의 점착성 기재의 일실시형태를 나타내는 개략단면도(A), 본 발명의 점착성 기재의 다른 일실시형태를 나타내는 개략단면도(B)이다.
도 2는 리소그래피에 의한 요철패턴을 갖는 지지기재의 제작공정을 설명하는 플로우도이다.
도 3은 볼록부의 폭 10μm, 높이 10μm, 간격 10μm인 지지기재의 사진이다.
도 4는 도 3의 지지기재에 점착층을 형성한, 실시예 1의 점착성 기재의 사진이다.
도 5는 볼록부의 폭 5μm, 높이 10μm, 간격 5μm인 지지기재의 사진이다.
도 6은 도 5의 지지기재에 점착층을 형성한, 실시예 2의 점착성 기재의 사진이다.
도 7은 볼록부의 폭 30μm, 높이 50μm, 간격 30μm인 지지기재의 사진이다.
도 8은 도 7의 지지기재에 점착층을 형성한, 실시예 3의 점착성 기재의 사진이다.
도 9는 비교예 1의 점착성 기재의 개략단면도이다.
도 10은 비교예 2의 점착성 기재의 개략단면도이다.
도 11은 비교예 3의 점착성 기재의 개략단면도이다.
도 12는 실시예 및 비교예의 점착시험에 있어서, 적, 녹, 청의 마이크로LED를 선택적으로 픽앤드플레이스하는 공정의 이미지도이다.

본 발명자는, 상기 목적을 달성하기 위해 예의검토를 행한 결과, 지지기재와, 이 지지기재에 마련된 점착층을 갖는 점착성 기재로서, 상기 지지기재는, 편면 또는 양면에 2개 이상의 볼록부를 갖는 요철패턴을 갖고, 상기 점착층은, 적어도, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 상기 볼록부의 상면에 마련되고, 상기 볼록부의 상면의 상기 점착층 표면이 곡면을 갖는 것인 점착성 기재이면, 미세한 칩을 대량으로 선택적으로 픽업할 수 있고, 기판의 회로전극에 프레스함으로써, 단시간에 대량의 칩을 전기적으로 접속할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 이하, 본 발명의 점착성 기재, 및 점착성 기재의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.

즉, 본 발명은, 지지기재와, 이 지지기재에 마련된 점착층을 갖는 점착성 기재로서, 상기 지지기재는, 편면 또는 양면에 2개 이상의 볼록부를 갖는 요철패턴을 갖고, 상기 점착층은, 적어도, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 상기 볼록부의 상면에 마련되고, 상기 볼록부의 상면의 상기 점착층 표면이 곡면을 갖는 것을 특징으로 하는 점착성 기재를 제공한다.

이러한 본 발명의 점착성 기재의 구체적 태양으로는, 도 1(A)에 나타낸 바와 같은, 편면 또는 양면에 2개 이상의 볼록부를 갖는 요철패턴을 갖는 지지기재(1)의 볼록부의 상면(1')에만 점착층(2a)이 마련되고, 이 볼록부의 상면(1')의 점착층(2a)의 표면이 곡면을 갖는 점착성 기재(100A)를 들 수 있다. 또한, 다른 태양으로는, 도 1(B)에 나타낸 바와 같은, 지지기재(1)의 볼록부의 상면(1')에 점착층(2a)이 마련되고, 점착층(2a) 이외에, 지지기재(1)의 요철패턴의 오목부에도 점착층(2b)이 마련된 것이며, 또한, 요철패턴의 오목부에 마련된 점착층(2b)의 표면높이가, 볼록부의 상면(1')에 마련된 점착층(2a)의 표면높이보다 낮은 위치가 되도록 마련된 점착성 기재(100B)를 들 수 있다. 이하, 본 발명에 있어서의 지지기재, 점착층에 대하여 상세히 서술한다.

[지지기재]

본 발명에 사용되는 지지기재(1)로는, 편면 또는 양면에 2개 이상의 볼록부를 갖는 요철패턴, 특히, 규칙적인 요철패턴을 갖고 있는 것이면, 특별히 제한은 없다. 이러한 지지기재(1)는, 예를 들어, 유리, 세라믹스기판, 실리콘웨이퍼, 유리에폭시적층기판, 폴리이미드적층기판, 종이페놀기판, 실리콘수지기판, 불소수지기판, 폴리에스테르기판 등을 이용하여 제작할 수 있다.

요철패턴을 마련하는 방법은 특별히 제한은 없으나, 예를 들어, 포토리소그래피에 의해 피가공체에 직접 요철패턴을 형성한 것을 지지기재(1)로 할 수 있다.

포토리소그래피에 의해 요철패턴을 갖는 지지기재(1)를 제작하는 방법은, 종래 공지의 방법에 따르면 되고, 도 2에 나타낸 바와 같이, 피가공체(3)에 포토레지스트(4)를 도포하고, 이어서 노광, 이어서 현상, 이어서 에칭, 그 후 남은 레지스트를 세정함으로써, 요철패턴을 갖는 지지기재(1)를 얻을 수 있다.

더 나아가, 이러한 방법으로 제작한 요철패턴에 본뜨기(型取り)재료를 눌러 본뜨기하고, 그 형틀에 열경화성 수지, 열가소성 수지 등을 흘려넣어, 요철패턴을 갖는 지지기재(1)로 해도 된다.

또한, 본 발명에 있어서의 요철패턴을 갖는 지지기재(1)는, 다른 기판의 위에 점착제를 도포하고, 그 위에 배치해도 된다. 이 경우의 점착제는, 본 발명에 있어서 지지기재(1)의 볼록부의 상면에 마련하는 점착층을 형성하기 위한 점착제와 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다. 다른 기판으로는, 상기 지지기재의 제작에 이용되는 기판과 동일한 기판을 들 수 있다.

지지기재(1)의 요철패턴의 크기, 간격으로는 특별히 제한은 없고, 픽업하고자 하는 칩사이즈에 맞추어 적당히 선택할 수 있는데, 미세한 칩을 픽업하기 위해서는, 도 1에 나타내는 볼록부의 폭(101)은 1μm~100μm로 할 수 있고, 바람직하게는 1μm~20μm, 보다 바람직하게는 1μm~10μm이다.

나아가 폭(101)에 맞추어, 높이(103a, 103b)가 1μm~100μm, 바람직하게는 1μm~20μm, 보다 바람직하게는 1μm~10μm이면 된다. 여기서 말하는 높이(103a)란, 도 1(A)에 나타낸 바와 같이, 지지기재의 볼록부의 상면에 마련된 점착층(2a)의 표면높이와, 지지기재의 오목부의 표면높이의 차의 최장거리이며, 또한, 높이(103b)란, 도 1(B)에 나타낸 바와 같이, 지지기재의 볼록부의 상면에 마련된 점착층의 표면높이와, 지지기재의 오목부에 마련된 점착층의 표면높이의 차의 최장거리이다.

또한, 인접하는 볼록부의 간격(102)으로는 1μm~100μm, 바람직하게는 1μm~50μm, 보다 바람직하게는 1μm~20μm이면 된다. 한편, 본 발명에 있어서 볼록부의 폭, 높이, 간격이란 주사형 전자현미경에 의해 측정된 값을 가리킨다.

[점착층]

본 발명의 점착성 기재(100A, 100B)는, 적어도, 지지기재(1)의 요철패턴의 볼록부의 상면(1')에 점착층(2a)이 마련되고, 이 점착층(2a) 표면이 곡면을 갖는 것을 특징으로 한다. 이러한 형상의 점착층(2a)을 갖는 점착성 기재이면, 마이크로칩 픽업시의 압착압력을 분산시켜 칩에 가해지는 압력을 저감할 수 있고, 또한 밀착면적의 저감에 의해 저응력으로 박리할 수 있다. 이 때문에, 미세한 칩을 대량으로 단시간에 다이본드하는 것이 가능해진다. 또한, 본 발명에 있어서의 점착층은, 지지기재(1)의 요철패턴의 오목부에도 형성될 수도 있는데, 지지기재의 볼록부 상면의 점착층(2a)의 표면만이 곡면을 갖는 것이 바람직하다.

점착층의 점착력으로는 특별히 제한은 없으나, 180도 박리강도가 0.05~50(N/25mm폭)이 바람직하고, 0.1~40(N/25mm폭)이 보다 바람직하고, 0.15~30(N/25mm폭)이 더욱 바람직하다. 이 범위이면 마이크로칩을 픽업하기에 충분한 점착성을 갖는다.

한편, 본 발명에 있어서의 점착력이란, JIS Z 0237:2009 기재의 방법으로 측정한, 온도: 23℃, 박리속도: 300mm/min, 떼어냄각도: 180°의 조건으로 박리했을 때의 박리강도를 가리킨다.

점착층의 최대두께(높이)로는 특별히 제한은 없으나, 칩트랜스퍼용 기재를 칩에 압착했을 때에, 변형량이 적은 편이 좋고, 0.01μm~100μm, 바람직하게는 0.01μm~50μm, 보다 바람직하게는 0.05μm~30μm가 좋다.

본 발명에 있어서의 점착층을 형성하는 점착제로는, 특별히 제한은 없고, 도포후에 경화하는 것, 예를 들어 아크릴점착제, 실리콘점착제, 우레탄점착제, 라텍스점착제, 에폭시점착제 등을 들 수 있다.

점착층의 형성방법은 특별히 제한은 없으나, 지지기재의 볼록부의 상면의 점착층 표면이 곡면을 갖는 것이 될 필요가 있다. 특히, 도 1(A)와 같이, 지지기재(1)의 볼록부의 상면에만 표면이 곡면을 갖는 점착층(2a)을 형성하는 것이 바람직하다. 또는, 도 1(B)와 같이, 지지기재(1)의 볼록부의 상면(1')에 표면이 곡면을 갖는 점착층(2a)을, 지지기재(1)의 요철패턴의 오목부에도 점착층(2b)을, 요철패턴의 오목부에 마련된 점착층(2b)의 표면높이가, 볼록부의 상면에 마련된 점착층(2a)의 표면높이보다 낮은 위치가 되도록 형성하는 것이 바람직하다.

이 때문에, 스핀코터나 통상의 가압스프레이로 접착제를 도포하는 것만으로는, 지지기재의 볼록부에 도포된 점착제가 흘러, 볼록부 상면에 점착층이 형성되지 않거나, 또는 오목부의 점착층의 높이와 볼록부의 점착층의 높이가 동일해져, 미세한 플립칩을 선택적으로 픽업할 수 없게 된다.

지지기재(1)의 볼록부의 상면(1')에만 표면이 곡면을 갖는 점착층(2a)을 형성하거나(도 1(A)), 또는, 지지기재(1)의 요철패턴의 오목부에도 점착층(2b)이 형성되어 있고, 요철패턴의 오목부에 마련된 점착층(2b)의 표면높이가, 볼록부의 상면에 마련된 표면이 곡면을 갖는 점착층(2a)의 표면높이보다 낮은 위치가 되도록 형성하기(도 1(B)) 위한 구체적 방법으로는, 예를 들어 미세한 노즐을 이용하여 볼록부의 위로부터 점착제를 도포하거나, 또는 정전도포(일렉트로스프레이) 등을 들 수 있다.

특히, 정전도포는, 양 또는 음으로 대전된 점착제가, 정전기의 인력에 의해 기재에 도포되므로, 노즐과 기재의 거리가 가까운 개소에 많이 도포되고, 미세하게 제어하지 않아도 단시간에, 지지기재(1)의 볼록부의 상면(1')에만 표면이 곡면을 갖는 점착층(2a)을 형성하도록, 또는, 요철패턴의 오목부에 마련된 점착층(2b)의 표면높이가, 볼록부의 상면에 마련된 표면이 곡면을 갖는 점착층(2a)의 표면높이보다 낮은 위치가 되는 점착층(2a, 2b)을 형성하도록, 점착제를 도포하는 것이 가능하므로 바람직하다.

노즐의 형상으로는, 특별히 제한은 없으나, 분산액에 균일하게 전압을 인가하기 위해 원형상이 바람직하다. 노즐의 직경으로는, 특별히 제한은 없고, 패턴의 폭, 간격에 맞추어 적당히 선택할 수 있는데, 예를 들어 폭 10μm, 높이 10μm, 간격 10μm의 볼록패턴에 점착층을 형성하기 위해서는, 5μm~500μm, 바람직하게는 10μm~300μm, 보다 바람직하게는 20μm~100μm가 좋다.

이 범위이면, 지지기재(1)의 볼록부의 상면에만 표면이 곡면을 갖는 점착층(2a)이 형성되거나, 또는, 지지기재(1)의 오목부에 마련된 점착층(2b)의 표면높이가, 볼록부의 상면에 마련된 표면이 곡면을 갖는 점착층(2a)의 표면높이보다 낮은 위치가 되도록 점착층(2a, 2b)이 형성되도록, 점착제를 도포하는 것이 가능하다.

인가하는 전압은, 특별히 제한은 없으나, 예를 들어 1,000V~10,000V, 바람직하게는 1,000V~8,000V, 보다 바람직하게는 1,000V~5,000V이다. 또한 노즐의 선단부와 지지기재의 거리는 예를 들어 10μm~3,000μm, 바람직하게는 10μm~2,000μm이다.

점착층의 경화방법은, 수지의 종류에 따라 상이하나, 특별히 한정은 없고, 예를 들어 열경화, 광경화, 습기경화 등을 들 수 있다.

본 발명에 있어서의 점착성 기재는, 미세한 칩을 대량으로 선택적으로 픽업할 수 있고, 단시간에 대량의 칩을 다이본드하는 것이 가능하므로, 마이크로LED 전사용으로서, 본딩헤드에 호적하게 이용된다.

[실시예]

이하, 실시예, 비교예를 나타내고, 본 발명을 보다 상세히 설명하나, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.

(실시예 1)

산화막이 형성된 실리콘웨이퍼(피가공체(3))에, 포토레지스트막(4)을 형성하고, 공지의 포토리소그래피법을 이용하여 볼록부의 폭 10μm, 높이 10μm, 간격 10μm의 요철패턴을 형성하고, 요철패턴을 갖는 지지기재를 제작하였다(도 2, 도 3). 이어서, 메틸에틸케톤(MEK)을 이용하여, 부가경화형 실리콘점착제 KR-3700(신에츠화학공업(주)사제, 점착력: 8.7N/25mm)을 고형분농도 1.25질량%로 희석하고, 상기 점착제를 정전분무/도포실험기(아픽야마다(주)사제)를 이용하여 상기 요철패턴의 볼록부 상면에 도포하고, 곡면을 갖는 점착층을 볼록부에만 갖는 점착성 기재를 제조하였다(도 4).

(실시예 2)

실시예 1과 동일한 방법으로, 산화막이 형성된 실리콘웨이퍼(피가공체(3))에, 볼록부의 폭 5μm, 높이 10μm, 간격 5μm의 요철패턴을 형성하고, 요철패턴을 갖는 지지기재를 제작하였다(도 5). 이어서, 메틸에틸케톤(MEK)을 이용하여, 부가경화형 실리콘점착제 X-40-3270-1(신에츠화학공업(주)사제, 점착력: 0.15N/25mm)을 고형분농도 1.25질량%로 희석하고, 상기 점착제를 정전분무/도포실험기(아픽야마다(주)사제)를 이용하여 상기 요철패턴의 볼록부 상면에 도포하고, 곡면을 갖는 점착층을 볼록부에만 갖는 점착성 기재를 제조하였다(도 6).

(실시예 3)

실시예 1과 동일한 방법으로, 산화막이 형성된 실리콘웨이퍼(피가공체(3))에, 볼록부의 폭 30μm, 높이 50μm, 간격 30μm의 요철패턴을 형성하여 형을 제작하였다. 그 형에 부가경화형 디메틸실리콘수지를 유입하고, 150℃×4시간 가열하여 경화시켜, 떼어냄으로써 요철패턴이 실리콘웨이퍼의 반대가 된 실리콘수지형을 제작하였다. 제작한 형에 부가경화형 메틸페닐실리콘수지를 유입하고, 150℃×4시간 가열하여 경화시켜, 떼어냄으로써 요철패턴을 갖는 실리콘수지제 지지기재를 제작하였다(도 7). 이어서 점착층으로서, 메틸에틸케톤(MEK)을 이용하여, 아크릴수지계 점착제 올리바인(オリバイン) BPW6570(도요켐(주)사제, 점착력: 25.6N/25mm)을 고형분농도 10질량%로 희석하고, 상기 점착제를 정전분무/도포실험기(아픽야마다(주)사제)를 이용하여 상기 요철패턴의 볼록부 상면에 도포하고, 곡면을 갖는 점착층을 볼록부에만 갖는 점착성 기재를 제조하였다(도 8).

(비교예 1)

실시예 1과 동일한 방법으로, 산화막이 형성된 실리콘웨이퍼(피가공체(3))에, 볼록부의 폭 10μm, 높이 10μm, 간격 10μm의 요철패턴을 형성하고, 요철패턴을 갖는 지지기재를 제작하였다. 이어서 점착층으로서, 메틸에틸케톤(MEK)을 이용하여, 부가경화형 실리콘점착제 KR-3700(신에츠화학공업(주)사제, 점착력: 8.7N/25mm)을 고형분농도 1.25질량%로 희석하고, 상기 점착제를 스핀코터(주식회사액티브사제)를 이용하여 상기 요철패턴에 도포하여, 도 9에 나타낸 바와 같은, 지지기재(10)의 오목부에만 점착층(20)을 갖고, 볼록부에 점착층을 갖지 않는 점착성 기재를 제작하였다.

(비교예 2)

볼록부의 폭 10μm, 높이 10μm, 간격 10μm로 변경한 것 이외는, 실시예 3과 동일한 방법으로 요철패턴을 갖는 실리콘수지제 지지기재를 제작하였다. 이어서 점착층으로서, 메틸에틸케톤(MEK)을 이용하여, 부가경화형 실리콘점착제 KR-3700(신에츠화학공업(주)사제, 점착력: 8.7N/25mm)을 고형분농도 1.25질량%로 희석하고, 상기 점착제를 핸드스프레이건을 이용하여 상기 요철패턴에 도포하여, 도 10에 나타낸 바와 같은, 지지기재(10)의 오목부가 점착층(20)으로 메워지고, 요철패턴을 갖지 않는, 즉, 볼록부의 상면 및 오목부에 형성된 점착층(20)의 표면이 평탄한 점착성 기재를 제작하였다.

(비교예 3)

볼록부의 폭 20μm, 높이 50μm, 간격 20μm로 변경한 것 이외는, 실시예 3과 동일한 방법으로 요철패턴을 갖는 실리콘수지제 지지기재를 제작하였다. 이어서 점착층으로서, 부가경화형 실리콘점착제 KR-3700(신에츠화학공업(주)사제, 점착력: 8.7N/25mm)을 스크린인쇄하고, 도 11에 나타낸 바와 같은, 지지기재(10)의 볼록부에 직사각형의 점착층(20)을 갖는 점착성 기재를 제작하였다.

[점착시험]

실시예 1~3, 비교예 1~3에서 얻어진 점착성 기재를 이용하여, 도 12와 같이 병렬된 적, 녹, 청의 마이크로LED를 선택적으로 픽앤드플레이스로 전사하였다. 선택적으로 전사한 것을 ○, 전사하지 못한 것을 ×로 하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.

[표 1]

표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 점착성 기재(실시예 1~3)를 이용하면, 한번에 많은 마이크로LED를 선택적으로 픽앤드플레이스할 수 있으므로, 마이크로LED의 전사용으로서 호적하게 이용할 수 있다.

한편, 비교예 1에서는, 실시예와 같이 지지기재의 볼록부에 점착층을 갖고 있지 않았으므로, LED를 픽업할 수 없었다. 또한, 비교예 2에서는, 오목부와 볼록부의 모두에 점착층을 갖고 있었으므로, 선택적으로 LED를 픽업하지 못하였다. 또한, 픽업한 LED도 전사할 수 없었다. 비교예 3에서는 선택적으로 LED를 픽업할 수 있었으나, 칩과 점착층의 밀착면적이 크므로, 다른 점착성 기판에 전사할 수 없었다.

한편, 본 발명은, 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 동일한 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 함유된다.

1, 10... 지지기재
1' ...지지기재의 볼록부의 상면
2a, 2b, 20... 점착층
3... 피가공체
4... 포토레지스트
100A, 100B... 점착성 기재
101... 볼록부의 폭
102... 인접하는 볼록부의 간격
103a, 103b... 높이

Claims

지지기재와, 이 지지기재에 마련된 점착층을 갖는 점착성 기재로서,
상기 지지기재는, 편면 또는 양면에 2개 이상의 볼록부를 갖는 요철패턴을 갖고,
상기 점착층은, 적어도, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 상기 볼록부의 상면에 마련되고, 상기 볼록부의 상면의 상기 점착층 표면이 곡면을 갖는 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제1항에 있어서,
상기 점착층은, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 상기 볼록부의 상면에만 마련된 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제1항에 있어서,
상기 점착층은, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 오목부에도 마련된 것이며, 또한, 상기 요철패턴의 오목부에 마련된 상기 점착층의 표면높이가, 상기 볼록부의 상면에 마련된 상기 점착층의 표면높이보다 낮은 위치가 되도록 마련된 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제3항에 있어서,
상기 지지기재의 상기 볼록부의 상면에 마련된 상기 점착층의 표면만이, 곡면을 갖는 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제2항에 있어서,
상기 지지기재의 상기 볼록부의 상면에 마련된 상기 점착층의 표면높이와, 상기 지지기재의 상기 요철패턴의 오목부의 표면높이의 차가 최장 1μm~100μm인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제3항에 있어서,
상기 지지기재의 상기 볼록부의 상면에 마련된 상기 점착층의 표면높이와, 상기 지지기재의 상기 오목부에 마련된 점착층의 표면높이의 차가 최장 1μm~100μm인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제4항에 있어서,
상기 지지기재의 상기 볼록부의 상면에 마련된 상기 점착층의 표면높이와, 상기 지지기재의 상기 오목부에 마련된 점착층의 표면높이의 차가 최장 1μm~100μm인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제1항에 있어서,
상기 점착층의 최대두께가 0.01μm~100μm인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제2항에 있어서,
상기 점착층의 최대두께가 0.01μm~100μm인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제1항에 있어서,
상기 지지기재의 상기 요철패턴의 인접하는 상기 볼록부의 간격이 1μm~100μm인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제2항에 있어서,
상기 지지기재의 상기 요철패턴의 인접하는 상기 볼록부의 간격이 1μm~100μm인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제1항에 있어서,
상기 지지기재의 상기 요철패턴의 상기 볼록부의 폭이 1μm~100μm인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제2항에 있어서,
상기 지지기재의 상기 요철패턴의 상기 볼록부의 폭이 1μm~100μm인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제1항에 있어서,
상기 점착층의 점착력이, JIS Z 0237:2009에 준거한, 23℃, 떼어냄각도 180°, 및 박리속도 300mm/min.의 조건에서의 박리시의 점착력이, 0.05~50(N/25mm폭)인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제2항에 있어서,
상기 점착층의 점착력이, JIS Z 0237:2009에 준거한, 23℃, 떼어냄각도 180°, 및 박리속도 300mm/min.의 조건에서의 박리시의 점착력이, 0.05~50(N/25mm폭)인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제1항에 있어서,
상기 점착성 기재가, 마이크로LED 전사용인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제2항에 있어서,
상기 점착성 기재가, 마이크로LED 전사용인 것을 특징으로 하는 점착성 기재.
제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 점착성 기재의 제조방법으로서,
정전기력으로 노즐로부터 점착제를 도포함으로써, 상기 지지기재의, 적어도 상기 볼록부의 상면에, 표면에 곡면을 갖는 점착층을 형성하는 것을 특징으로 하는 점착성 기재의 제조방법.