TWI791644B - 黏著性基材的製造方法 - Google Patents

黏著性基材的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI791644B
TWI791644B TW107136894A TW107136894A TWI791644B TW I791644 B TWI791644 B TW I791644B TW 107136894 A TW107136894 A TW 107136894A TW 107136894 A TW107136894 A TW 107136894A TW I791644 B TWI791644 B TW I791644B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive
adhesive layer
concave
substrate
aforementioned
Prior art date
Application number
TW107136894A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201925393A (zh
Inventor
井口洋之
鹽原利夫
柏木努
Original Assignee
日商信越化學工業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商信越化學工業股份有限公司 filed Critical 日商信越化學工業股份有限公司
Publication of TW201925393A publication Critical patent/TW201925393A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI791644B publication Critical patent/TWI791644B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/204—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive coating being discontinuous
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/206—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer comprising non-adhesive protrusions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

本發明是一種黏著性基材，其具有支撐基材及黏著層，該黏著層設置於該支撐基材上，該黏著性基材的特徵在於：前述支撐基材在單面或雙面具有凹凸圖案，該凹凸圖案具有2個以上的凸部；並且，前述黏著層至少設置於前述支撐基材的前述凹凸圖案的前述凸部的頂面上，且前述凸部的頂面的前述黏著層表面具有曲面。藉此，提供一種黏著性基材及黏著性基材的製造方法，該黏著性基材能夠在短時間內對大量的微細的晶片進行晶粒接合。

Description

黏著性基材的製造方法
本發明有關一種黏著性基材及黏著性基材的製造方法。
近年來，以手錶和行動電話等可攜式機器為中心，電子機器的小型輕量化正在進展。伴隨此情形，關於內置於這些電子機器中的半導體晶片，其小型化亦進一步進展。
作為將導線連接於半導體晶片的電極的方法，過去以來已知打線接合，但是焊線所占的空間大，因此不適合於半導體晶片的小型化。
因此，實行了一種倒裝晶片接合，是將具有電極的頂面翻轉，並直接與電極基板連接(專利文獻1、2)。此方法由於沒有焊線，因此能夠小型化。然而，以往的方法是將晶片一個一個拾取，因而當對微型發光二極體(micro LED)等非常小的晶片大量地進行晶粒接合(die bonding)時，會非常地耗費時間。
專利文獻3中所記載的轉移用構件中，黏著層是以平面的方式附著於凹凸圖案的凸部，但是當使這種轉移用構件與晶片接觸時，平面黏著層與晶片接觸的面積較大，因此當拾取晶片並配置於另一黏著性基板時，難以使全部晶片整齊地轉移至另一黏著性基板。又，由於平面黏著層與晶片接觸的面積較大，因此晶片的拾取速度與轉移至另一黏著性基板的速度不同等，以致步驟變得繁雜。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2016-001752號公報 專利文獻2：國際公開WO2014/098174號公報 專利文獻3：國際公開WO2016/012409號公報
[發明所欲解決的問題] 本發明是有鑑於上述情事而完成，其目的在於提供一種黏著性基材及黏著性基材的製造方法，該黏著性基材能夠在短時間內對大量的微細的晶片進行晶粒接合。 [解決問題的技術手段]
為了解決上述問題，根據本發明，提供一種黏著性基材，其具有支撐基材及黏著層，該黏著層設置於該支撐基材上，該黏著性基材的特徵在於：前述支撐基材在單面或雙面具有凹凸圖案，該凹凸圖案具有2個以上的凸部；並且，前述黏著層至少設置於前述支撐基材的前述凹凸圖案的前述凸部的頂面上，且前述凸部的頂面的前述黏著層表面具有曲面。
根據本發明的黏著性基材，能夠在短時間內對微細的晶片大量地進行晶粒接合。
又，此時，前述黏著層，較佳是設為僅設置於前述支撐基材的前述凹凸圖案的前述凸部的頂面上。
又，前述黏著層，較佳是設為：亦設置於前述支撐基材的前述凹凸圖案的凹部上，並且，以下述方式設置：設置於前述凹凸圖案的凹部上的前述黏著層的表面高度，成為比設置於前述凸部的頂面上的前述黏著層的表面高度更低的位置。
作為本發明的黏著性基材，可列舉這些具體的態樣。若是這種黏著性基材，則能夠大量地且選擇性地拾取微細的晶片，且能夠在短時間內對大量的晶片進行晶粒接合。
又，此時，較佳是只有設置於前述支撐基材的前述凸部的頂面上的前述黏著層的表面具有曲面。
若是這種黏著性基材，則能夠更確實地、大量地且選擇性地拾取微細的晶片，且能夠在短時間內對大量的晶片進行晶粒接合。
又，較佳是設置於前述支撐基材的前述凸部的頂面上的前述黏著層的表面高度與前述支撐基材的前述凹凸圖案的凹部的表面高度之差異最大為1μm～100μm。
又，較佳是設置於前述支撐基材的前述凸部的頂面上的黏著層的表面高度與設置於前述支撐基材的前述凹部上的黏著層的表面高度之差異最大為1μm～100μm。
若是這樣的設置於支撐基材的凸部的頂面上的黏著層的表面與支撐基材的凹部的表面的距離、或設置於支撐基材的凸部的頂面上的黏著層的表面與設置於支撐基材的凹部上的黏著層的表面的距離，則能夠更確實地、大量地且選擇性地拾取微細的晶片，且能夠在短時間內對大量的晶片進行晶粒接合。
又，較佳是前述黏著層的最大厚度為0.01μm～100μm。
若是具有這樣的最大厚度(高度)的黏著層，則當將黏著性基材按壓於晶片上時，變形量可較小，因此較佳。
又，較佳是前述支撐基材的前述凹凸圖案的相鄰的前述凸部的間隔為1μm～100μm。
又，較佳是前述支撐基材的前述凹凸圖案的前述凸部的寬度為1μm～100μm。
若是這樣的支撐基材的相鄰的凸部的間隔或凸部的寬度，則能夠確實地拾取微細的晶片，因此較佳。
又，較佳是：前述黏著層的黏著力是依據日本工業標準(JIS) Z 0237：2009的在23℃、剝除角度為180°及剝離速度為300mm/min的條件下的剝離時的黏著力，該黏著力為0.05～50(N/25mm寬)。
若本發明的黏著層的黏著力在此範圍內，則具有足以拾取微型晶片的黏著性，因此較佳。
又，較佳是前述黏著性基材為微型LED轉移用。
本發明的黏著性基材，能夠大量地且選擇性地拾取微細的晶片，且能夠在短時間內對大量的晶片進行晶粒接合，因此作為微型LED轉移用是有用的。
又，本發明提供一種黏著性基材的製造方法，是製造前述黏著性基材的方法，其特徵在於：藉由利用靜電力來從噴嘴塗佈黏著劑，來在前述支撐基材的至少前述凸部的頂面上形成黏著層，該黏著層在表面具有曲面。
藉由以這樣的方式利用靜電力來塗佈黏著劑，能夠在短時間內製造本發明的黏著性基材，該黏著性基材於支撐基材的凸部的頂面上設置有黏著層，該黏著層在表面具有曲面。 [發明的功效]
本發明的黏著性基材，在支撐基材的表面排列有凹凸圖案，至少於支撐基材的凹凸圖案的凸部的頂面上設置有黏著層，且此凸部的頂面的黏著層表面具有曲面，藉此能夠大量地且選擇性地拾取微細的晶片，且能夠在短時間內對大量的晶片進行晶粒接合。因此，作為晶片轉移(chip transfer)用基材是有用的。
本發明人為了達成上述目的而專心進行研究，結果發現一種黏著性基材，其具有支撐基材及黏著層，該黏著層設置於該支撐基材上，其中，前述支撐基材在單面或雙面具有凹凸圖案，該凹凸圖案具有2個以上的凸部，並且，前述黏著層至少設置於前述支撐基材的前述凹凸圖案的前述凸部的頂面上，且前述凸部的頂面的前述黏著層表面具有曲面，若是該黏著性基材，則能夠大量地且選擇性地拾取微細的晶片，且能夠藉由壓製於基板的電路電極上，來在短時間內對大量的晶片進行電性連接，從而完成本發明。以下，詳細地說明本發明的黏著性基材及黏著性基材的製造方法。
亦即，本發明提供一種黏著性基材，其具有支撐基材及黏著層，該黏著層設置於該支撐基材上，該黏著性基材的特徵在於：前述支撐基材在單面或雙面具有凹凸圖案，該凹凸圖案具有2個以上的凸部；並且，前述黏著層至少設置於前述支撐基材的前述凹凸圖案的前述凸部的頂面上，且前述凸部的頂面的前述黏著層表面具有曲面。
作為這樣的本發明的黏著性基材的具體態樣，可列舉如第1圖(A)所示的黏著性基材100A，其僅於支撐基材1的凸部的頂面1’上設置有黏著層2a，該支撐基材1在單面或雙面具有凹凸圖案，該凹凸圖案具有2個以上的凸部，並且，此凸部的頂面1’的黏著層2a的表面具有曲面。又，作為另一態樣，可列舉如第1圖(B)所示的黏著性基材100B，其於支撐基材1的凸部的頂面1’上設置有黏著層2a，且除了黏著層2a以外，亦於支撐基材1的凹凸圖案的凹部上設置有黏著層2b，並且，以下述方式設置：設置於凹凸圖案的凹部上的黏著層2b的表面高度，成為比設置於凸部的頂面1’上的黏著層2a的表面高度更低的位置。以下，詳述本發明中的支撐基材、黏著層。
[支撐基材] 作為本發明中所使用的支撐基材1，只要在單面或雙面具有凹凸圖案，該凹凸圖案具有2個以上的凸部，尤其只要在單面或雙面具有規則的凹凸圖案，並無特別限制。這樣的支撐基材1，能夠使用例如玻璃、陶瓷基板、矽晶圓、玻璃環氧積層基板、聚醯亞胺積層基板、紙酚基板、矽氧樹脂基板、氟樹脂基板、聚酯基板等來製作。
凹凸圖案的設置方式，並無特別限制，例如能夠將藉由光刻(微影技術)來在被加工物上直接形成凹凸圖案而得的支撐基材設為支撐基材1。
藉由光刻來製作具有凹凸圖案之支撐基材1的方法，只要依照以往公知的方法即可，能夠藉由下述方式獲得具有凹凸圖案之支撐基材1：如第2圖所示，在被加工物3上塗佈光阻劑4，繼而進行曝光，繼而進行顯影，繼而進行蝕刻，然後清洗剩餘的阻劑。
進一步，可將造模材料壓抵在藉由這樣的方法所製作的凹凸圖案上來進行造模，然後將熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等流入該模具中，來作成具有凹凸圖案之支撐基材1。
又，本發明中的具有凹凸圖案之支撐基材1，可將黏著劑塗佈在其他基板上，並配置於其上。此時的黏著劑，可與本發明中的用以形成黏著層的黏著劑相同，亦可不同，該黏著層被設置於支撐基材1的凸部的頂面上。作為其他基板，可列舉與用於製作上述支撐基材的基板相同的基板。
作為支撐基材1的凹凸圖案的大小、間隔，並無特別限制，能夠配合所要拾取的晶片尺寸來適當選擇，為了拾取微細的晶片，第1圖所示的凸部的寬度101，能夠設為1μm～100μm，較佳是1μm～20μm，更佳是1μm～10μm。
進一步配合寬度101，高度103a、103b可以是1μm～100μm，較佳是1μm～20μm，更佳是1μm～10μm。此處所稱的高度103a，是指如第1圖(A)所示，設置於支撐基材的凸部的頂面上的黏著層2a的表面高度與支撐基材的凹部的表面高度之差異的最長距離，並且，高度103b，是指如第1圖(B)所示，設置於支撐基材的凸部的頂面上的黏著層的表面高度與設置於支撐基材的凹部上的黏著層的表面高度之差異的最長距離。
又，作為相鄰的凸部的間隔102，可以是1μm～100μm，較佳是1μm～50μm，更佳是1μm～20μm。再者，在本發明中，凸部的寬度、高度、間隔，是指藉由掃描式電子顯微鏡所測得的值。
[黏著層] 本發明的黏著性基材100A、100B，其特徵在於：至少於支撐基材1的凹凸圖案的凸部的頂面1’上設置有黏著層2a，且此黏著層2a的表面具有曲面。若是具有這種形狀的黏著層2a之黏著性基材，則能夠使拾取微型晶片時的按壓的壓力分散，從而減少對晶片施加的壓力，並且能夠藉由減少密合面積來以低應力進行剝離。因此，變得能夠在短時間內對微細的晶片大量地進行晶粒接合。又，本發明中的黏著層，可亦形成於支撐基材1的凹凸圖案的凹部上，較佳是僅支撐基材的凸部頂面上的黏著層2a的表面具有曲面。
作為黏著層的黏著力，並無特別限制，較佳是180度剝離強度為0.05～50(N/25mm寬)，更佳是0.1～40(N/25mm寬)，進一步更佳是0.15～30(N/25mm寬)。若在此範圍內，則具有足以拾取微型晶片的黏著性。
再者，本發明中的黏著力，是指藉由日本工業標準(JIS) Z 0237：2009記載的方法所測得的在溫度為23℃、剝離速度為300mm/min、剝除角度為180°的條件下的剝離時的剝離強度。
作為黏著層的最大厚度(高度)，並無特別限制，當將晶片轉移用基材按壓於晶片上時，以變形量小為佳，因而以0.01μm～100μm為佳，較佳是0.01μm～50μm，更佳是0.05μm～30μm。
作為本發明中的用以形成黏著層的黏著劑，並無特別限制，可列舉塗佈後能夠硬化的黏著劑，例如：丙烯酸系黏著劑、矽氧黏著劑、胺酯黏著劑、乳膠黏著劑、環氧黏著劑等。
黏著層的形成方法，並無特別限制，但是需要使支撐基材的凸部的頂面的黏著層表面具有曲面。尤其，較佳是：如第1圖(A)所示，僅在支撐基材1的凸部的頂面上形成表面具有曲面之黏著層2a。或者，較佳是：如第1圖(B)所示，以設置於凹凸圖案的凹部上的黏著層2b的表面高度成為比設置於凸部的頂面上的黏著層2a的表面高度更低的位置的方式，來在支撐基材1的凸部的頂面1’上形成表面具有曲面之黏著層2a，亦在支撐基材1的凹凸圖案的凹部上形成黏著層2b。
因此，僅利用旋轉塗佈機或通常的加壓噴霧來塗佈黏合劑的話，則塗佈在支撐基材的凸部上的黏著劑會流動，從而無法在凸部頂面形成黏著層，或者凹部的黏著層的高度與凸部的黏著層的高度變相同，從而變得無法選擇性地拾取微細的倒裝晶片。
作為用以僅在支撐基材1的凸部的頂面1’上形成表面具有曲面之黏著層2a(第1圖(A))、或者亦在支撐基材1的凹凸圖案的凹部上形成有黏著層2b且以設置於凹凸圖案的凹部上的黏著層2b的表面高度成為比設置於凸部的頂面上的表面具有曲面之黏著層2a的表面高度更低的位置的方式形成的具體方法(第1圖(B))，可列舉例如使用微細的噴嘴來從凸部的上方塗佈黏著劑、或靜電塗佈(電噴灑(electrospray))等。
尤其，靜電塗佈，是藉由靜電的引力來將帶正電或負電的黏著劑塗佈在基材上，因此能夠大量塗佈在基材的與噴嘴距離較近的地方，即便不精細地控制，亦能在短時間內以下述方式來塗佈黏著劑，因此較佳：僅在支撐基材1的凸部的頂面1’上形成表面具有曲面之黏著層2a、或者形成黏著層2a、2b且使設置於凹凸圖案的凹部上的黏著層2b的表面高度成為比設置於凸部的頂面上的表面具有曲面之黏著層2a的表面高度更低的位置。
作為噴嘴的形狀，並無特別限制，為了對分散液均勻地施加電壓，較理想是圓形。作為噴嘴的直徑，並無特別限制，能夠配合圖案的寬度、間隔來適當選擇，例如，為了在寬度為10μm、高度為10μm、間隔為10μm的凸圖案上形成黏著層，以5μm～500μm為佳，較佳是10μm～300μm，更佳是20μm～100μm。
若在此範圍內，則能夠以下述方式來塗佈黏著劑：僅在支撐基材1的凸部的頂面上形成表面具有曲面之黏著層2a、或者形成黏著層2a、2b且使設置於支撐基材1的凹部上的黏著層2b的表面高度成為比設置於凸部的頂面上的表面具有曲面之黏著層2a的表面高度更低的位置。
施加的電壓，並無特別限制，例如是1000V～10000V，較佳是1000V～8000V，更佳是1000V～5000V。又，噴嘴的前端部與支撐基材的距離，例如是10μm～3000μm，較佳是10μm～2000μm。
黏著層的硬化方法，是隨著樹脂的種類而不同，並無特別限定，可列舉例如：熱硬化、光硬化、濕氣硬化等。
本發明中的黏著性基材，能夠大量地且選擇性地拾取微細的晶片，且能夠在短時間內對大量的晶片進行晶粒接合，因此能夠作為微型LED轉移用而適合用於接合頭(bonding head)。 [實施例]
以下，示出實施例、比較例，來更詳細地說明本發明，但本發明不限於下述實施例。
(實施例1) 在形成有氧化膜之矽晶圓(被加工物3)上形成光阻劑膜4，並使用公知的光刻法來形成凸部的寬度為10μm、高度為10μm、間隔為10μm的凹凸圖案，而製作具有凹凸圖案之支撐基材(第2圖、第3圖)。繼而，使用甲基乙基酮(MEK)，來將加成硬化型矽氧黏著劑KR-3700(信越化學工業股份有限公司製造，黏著力：8.7N/25mm)稀釋成固體成分濃度為1.25質量%，然後使用靜電噴霧/塗佈實驗機(APIC YAMADA股份有限公司製造)來將前述黏著劑塗佈在前述凹凸圖案的凸部頂面上，而製造僅在凸部上具有黏著層之黏著性基材，該黏著層具有曲面(第4圖)。
(實施例2) 以與實施例1相同的方法，在形成有氧化膜之矽晶圓(被加工物3)上形成凸部的寬度為5μm、高度為10μm、間隔為5μm的凹凸圖案，而製作具有凹凸圖案之支撐基材(第5圖)。繼而，使用甲基乙基酮(MEK)，來將加成硬化型矽氧黏著劑X-40-3270-1(信越化學工業股份有限公司製造，黏著力：0.15N/25mm)稀釋成固體成分濃度為1.25質量%，然後使用靜電噴霧/塗佈實驗機(APIC YAMADA股份有限公司製造)來將前述黏著劑塗佈在前述凹凸圖案的凸部頂面上，而製造僅在凸部上具有黏著層之黏著性基材，該黏著層具有曲面(第6圖)。
(實施例3) 以與實施例1相同的方法，在形成有氧化膜之矽晶圓(被加工物3)上形成凸部的寬度為30μm、高度為50μm、間隔為30μm的凹凸圖案，而製作模具。將加成硬化型二甲基矽氧樹脂流入該模具中，並以150℃加熱4小時來使其硬化，然後將其剝除，藉此製作矽氧樹脂模具，該矽氧樹脂模具的凹凸圖案與矽晶圓相反。將加成硬化型甲基苯基矽氧樹脂流入所製作的模具中，並以150℃加熱4小時來使其硬化，然後將其剝除，藉此製作具有凹凸圖案之矽氧樹脂製支撐基材(第7圖)。繼而，作為黏著層，使用甲基乙基酮(MEK)，來將丙烯酸系樹脂系黏著劑ORIBAIN BPW6570(東洋科美股份有限公司製造，黏著力：25.6N/25mm)稀釋成固體成分濃度為10質量%，然後使用靜電噴霧/塗佈實驗機(APIC YAMADA股份有限公司製造)來將前述黏著劑塗佈在前述凹凸圖案的凸部頂面上，而製造僅在凸部上具有黏著層之黏著性基材，該黏著層具有曲面(第8圖)。
(比較例1) 以與實施例1相同的方法，在形成有氧化膜之矽晶圓(被加工物3)上形成凸部的寬度為10μm、高度為10μm、間隔為10μm的凹凸圖案，而製作具有凹凸圖案之支撐基材。繼而，作為黏著層，使用甲基乙基酮(MEK)，來將加成硬化型矽氧黏著劑KR-3700(信越化學工業股份有限公司製造，黏著力：8.7N/25mm)稀釋成固體成分濃度為1.25質量%，然後使用旋轉塗佈機(ACTIVE股份有限公司製造)來將前述黏著劑塗佈在前述凹凸圖案上，而製造如第9圖所示的黏著性基材，該黏著性基材僅在支撐基材10的凹部上具有黏著層20，且在凸部上不具有黏著層。
(比較例2) 除了變更成凸部的寬度為10μm、高度為10μm、間隔為10μm以外，其餘以與實施例3相同的方法，來製作具有凹凸圖案之矽氧樹脂製支撐基材。繼而，作為黏著層，使用甲基乙基酮(MEK)，來將加成硬化型矽氧黏著劑KR-3700(信越化學工業股份有限公司製造，黏著力：8.7N/25mm)稀釋成固體成分濃度為1.25質量%，然後使用手握式噴槍(hand spray gun)來將前述黏著劑塗佈在前述凹凸圖案上，而製造如第10圖所示的黏著性基材，該黏著性基材的支撐基材10的凹部被黏著層20填埋而不具有凹凸圖案，亦即形成於凸部的頂面和凹部上的黏著劑層20的表面是平坦的。
(比較例3) 除了變更成凸部的寬度為20μm、高度為50μm、間隔為20μm以外，其餘以與實施例3相同的方法，來製作具有凹凸圖案之矽氧樹脂製支撐基材。繼而，作為黏著層，網版印刷加成硬化型矽氧黏著劑KR-3700(信越化學工業股份有限公司製造，黏著力：8.7N/25mm)，而製造如第11圖所示的黏著性基材，該黏著性基材在支撐基材10的凸部上具有矩形的黏著層20。
[黏著試驗] 使用實施例1～3、比較例1～3中獲得的黏著性基材，並藉由取放來將以第12圖的方式排列的紅色、綠色、藍色微型LED選擇性地轉移。將選擇性地轉移後的例子設為○，將無法轉移的例子設為╳。結果如表1所示。
[表1]
Figure 107136894-A0304-0001
如表1所示，若使用本發明的黏著性基材(實施例1～3)，則能夠一次地選擇性地取放大量的微型LED，因此能夠適合用來作為微型LED的轉移用。
另一方面，比較例1，並未如實施例所示地在支撐基材的凸部上具有黏著層，因此無法拾取LED。又，比較例2，在全部的凹部與凸部上具有黏著層，因此無法選擇性地拾取LED。又，所拾取的LED亦無法轉移。比較例3，雖然能夠選擇性地拾取LED，但是晶片與黏著層的密合面積較大，因此無法轉移至另一黏著性基板。
再者，本發明不限定於上述實施形態。上述實施形態為例示，任何與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想具有實質上相同的構成且發揮相同功效者，皆包含在本發明的技術範圍內。
1、10‧‧‧支撐基材1’‧‧‧支撐基材的凸部的頂面2a、2b、20‧‧‧黏著層3‧‧‧被加工物4‧‧‧光阻劑100A、100B‧‧‧黏著性基材101‧‧‧凸部的寬度102‧‧‧相鄰的凸部的間隔103a、103b‧‧‧高度
第1圖(A)是表示本發明的黏著性基材的一實施形態的概略剖面圖，第1圖(B)是表示本發明的黏著性基材的另一實施形態的概略剖面圖。 第2圖是說明具有凹凸圖案之支撐基材的製作步驟的流程圖，該製作步驟是藉由光刻來實行。 第3圖是凸部的寬度為10μm、高度為10μm、間隔為10μm的支撐基材的照片。 第4圖是在第3圖的支撐基材上形成黏著層而得的實施例1的黏著性基材的照片。 第5圖是凸部的寬度為5μm、高度為10μm、間隔為5μm的支撐基材的照片。 第6圖是在第5圖的支撐基材上形成黏著層而得的實施例2的黏著性基材的照片。 第7圖是凸部的寬度為30μm、高度為50μm、間隔為30μm的支撐基材的照片。 第8圖是在第7圖的支撐基材上形成黏著層而得的實施例3的黏著性基材的照片。 第9圖是比較例1的黏著性基材的概略剖面圖。 第10圖是比較例2的黏著性基材的概略剖面圖。 第11圖是比較例3的黏著性基材的概略剖面圖。 第12圖是在實施例和比較例的黏著試驗中選擇性地取放(pick and place)紅色、綠色、藍色微型LED的步驟的想像圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
1:支撐基材
1’:支撐基材的凸部的頂面
2a、2b:黏著層
100A、100B:黏著性基材
101:凸部的寬度
102:相鄰的凸部的間隔
103b‧‧‧高度

Claims (17)

  1. 一種黏著性基材的製造方法，其具有支撐基材及黏著層，該黏著層設置於該支撐基材上，該製造方法的特徵在於：前述支撐基材在單面或雙面具有凹凸圖案，該凹凸圖案具有2個以上的凸部；前述黏著層至少設置於前述支撐基材的前述凹凸圖案的前述凸部的頂面上，且前述凸部的頂面的前述黏著層表面具有曲面；該製造方法藉由利用靜電力來從噴嘴塗佈黏著劑，來在前述支撐基材的至少前述凸部的頂面上形成黏著層，該黏著層在表面具有曲面。
  2. 如請求項1所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述黏著層僅設置於前述支撐基材的前述凹凸圖案的前述凸部的頂面上。
  3. 如請求項1所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述黏著層亦設置於前述支撐基材的前述凹凸圖案的凹部上，並且，以下述方式設置：設置於前述凹凸圖案的凹部上的前述黏著層的表面高度，成為比設置於前述凸部的頂面上的前述黏著層的表面高度更低的位置。
  4. 如請求項3所述之黏著性基材的製造方法，其中，只有設置於前述支撐基材的前述凸部的頂面上的前 述黏著層的表面具有曲面。
  5. 如請求項2所述之黏著性基材的製造方法，其中，設置於前述支撐基材的前述凸部的頂面上的前述黏著層的表面高度與前述支撐基材的前述凹凸圖案的凹部的表面高度之差異最大為1μm~100μm。
  6. 如請求項3所述之黏著性基材的製造方法，其中，設置於前述支撐基材的前述凸部的頂面上的前述黏著層的表面高度與設置於前述支撐基材的前述凹部上的黏著層的表面高度之差異最大為1μm~100μm。
  7. 如請求項4所述之黏著性基材的製造方法，其中，設置於前述支撐基材的前述凸部的頂面上的前述黏著層的表面高度與設置於前述支撐基材的前述凹部上的黏著層的表面高度之差異最大為1μm~100μm。
  8. 如請求項1所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述黏著層的最大厚度為0.01μm~100μm。
  9. 如請求項2所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述黏著層的最大厚度為0.01μm~100μm。
  10. 如請求項1所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述支撐基材的前述凹凸圖案的相鄰的前述凸部的間隔為1μm~100μm。
  11. 如請求項2所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述支撐基材的前述凹凸圖案的相鄰的前述凸部的 間隔為1μm~100μm。
  12. 如請求項1所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述支撐基材的前述凹凸圖案的前述凸部的寬度為1μm~100μm。
  13. 如請求項2所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述支撐基材的前述凹凸圖案的前述凸部的寬度為1μm~100μm。
  14. 如請求項1所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述黏著層的黏著力是依據日本工業標準Z 0237：2009的在23℃、剝除角度為180°及剝離速度為300mm/min的條件下的剝離時的黏著力，該黏著力為0.05~50N/25mm寬。
  15. 如請求項2所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述黏著層的黏著力是依據日本工業標準Z 0237：2009的在23℃、剝除角度為180°及剝離速度為300mm/min的條件下的剝離時的黏著力，該黏著力為0.05~50N/25mm寬。
  16. 如請求項1所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述黏著性基材為微型LED轉移用。
  17. 如請求項2所述之黏著性基材的製造方法，其中，前述黏著性基材為微型LED轉移用。
TW107136894A 2017-12-08 2018-10-19 黏著性基材的製造方法 TWI791644B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017236434A JP6842404B2 (ja) 2017-12-08 2017-12-08 粘着性基材の製造方法
JP2017-236434 2017-12-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201925393A TW201925393A (zh) 2019-07-01
TWI791644B true TWI791644B (zh) 2023-02-11

Family

ID=67061806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107136894A TWI791644B (zh) 2017-12-08 2018-10-19 黏著性基材的製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6842404B2 (zh)
KR (1) KR102593231B1 (zh)
TW (1) TWI791644B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111048502A (zh) * 2019-12-27 2020-04-21 上海天马微电子有限公司 显示面板、其制作方法及显示装置
JP7429173B2 (ja) 2020-09-08 2024-02-07 信越ポリマー株式会社 粘着性保持治具の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009054628A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板保持具
JP2017175087A (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 株式会社写真化学 デバイスチップを用いた電子デバイスの製造方法およびその製造装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8794501B2 (en) * 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
JP2013206961A (ja) * 2012-03-27 2013-10-07 Lintec Corp 粘着フィルム
JP5701465B2 (ja) 2012-12-21 2015-04-15 株式会社新川 フリップチップボンダ及びボンディングステージの平坦度並びに変形量補正方法
US9550353B2 (en) 2014-07-20 2017-01-24 X-Celeprint Limited Apparatus and methods for micro-transfer-printing
JP2016001752A (ja) 2015-08-25 2016-01-07 日本航空電子工業株式会社 フリップチップ実装構造、フリップチップ実装方法及びフリップチップ実装構造の使用方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009054628A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Shin Etsu Polymer Co Ltd 基板保持具
JP2017175087A (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 株式会社写真化学 デバイスチップを用いた電子デバイスの製造方法およびその製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201925393A (zh) 2019-07-01
KR102593231B1 (ko) 2023-10-25
KR20190068420A (ko) 2019-06-18
JP6842404B2 (ja) 2021-03-17
JP2019104785A (ja) 2019-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI539508B (zh) 半導體裝置之製造方法及電子裝置之製造方法
TWI581355B (zh) 轉置微元件的方法
JP6983123B2 (ja) 粘着性基材、粘着性基材を有する転写装置及び粘着性基材の製造方法
US7919229B2 (en) Phosphor coating process for light emitting diode
JP5036614B2 (ja) 基板用ステージ
TWI791644B (zh) 黏著性基材的製造方法
CN105742198B (zh) 管芯接合器及其使用方法
JP2006190975A (ja) ウェハレベルパッケージの封止材充填構造、及びその方法
JP2005322815A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR20180127045A (ko) 전사 부재를 이용한 전자 소자의 적층 구조 및 상기 전자 소자의 제조 방법
KR100723532B1 (ko) 도전성 범프 형성용 몰드, 그 몰드 제조방법, 및 그몰드를 이용한 웨이퍼에 범프 형성방법
CN112802789B (zh) 一种微元件的转移方法
CN111276440A (zh) 微型器件转移头及其制造方法、微型器件的转移方法
CN107195658A (zh) 柔性基板及其制作方法
JP2008270821A (ja) リリース層を有するスタック構造体とその同じものを形成するための方法
JP2011060892A (ja) 電子装置、電子装置の製造方法
KR102334577B1 (ko) 소자 전사방법 및 이를 이용한 전자패널 제조방법
TWI734235B (zh) 電性貼附結構及其形成方法
TW201235991A (en) Display apparatus
TWI695416B (zh) 用於轉移微型元件的方法
KR102615699B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 보유 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5795272B2 (ja) セラミックス素子の製造方法
JP4386522B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI401777B (zh) 具開口之基板之晶粒堆疊封裝結構及其封裝方法
WO2024085024A1 (ja) リフト方法及び受け取り基板