JP2013540092A - ヒータ、およびヒータのための関連方法 - Google Patents

ヒータ、およびヒータのための関連方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、概して、ヒータ、および当該ヒータの使用方法に関する。ある実施形態では、ヒータは、円筒状の加熱空洞を有する圧力シェルと、円筒状の加熱空洞内に配置された環状の加熱シールドと、環状の加熱シールドの内部容積内に配置された少なくとも1つの発熱体とを含む。他の実施の形態では、トリクロロシランを調製する方法は、ヒータ内に四塩化ケイ素を含む反応剤ストリームを導入するステップと、反応剤ストリームを加熱するために発熱体に電流を流すステップと、反応器内に加熱された反応剤ストリームを導入するステップとを含む。

Description

関連出願の相互参照
本特許出願は、2010年9月27日に出願された米国仮特許出願番号第61/386,853号および米国仮特許出願番号第61/386,858号の利益を主張するものであり、その開示全体が、引用によりこの明細書中に援用される。
発明の分野
本発明はヒータ、システムおよび加熱方法に関し、より特定的には、塩化水素処理(hydrochlorination)または水素化(hydrogenation)ヒータ、およびトリクロロシラン(trichlorosilane)を製造するためのシステムならびにプロセスにおけるストリーム(stream)の加熱方法に関する。
発明の背景
トリクロロシランは次の反応スキームに従って四塩化ケイ素を水素化することによって製造され得る。
Si + 2H + 3SiCl→ 4HSiCl (1)
反応スキーム(1)は、典型的には約250psigから500psigの間の高圧下、かつ約500℃から約550℃の範囲の反応温度下において行なわれる。
また、トリクロロシランは、次の反応スキームに従ってケイ素を塩化水素処理することによって製造され得る。
3HCl + Si → HSiCl + H (2)
反応スキーム(2)は、典型的には約50psigの低圧下、かつ約300℃から約350℃の範囲の反応温度下で行なわれる。
発明の概要
本発明は、ヒータ、システム、および、たとえばトリクロロシランを製造するための1つ以上の反応剤ストリームの加熱方法に関する。
本発明の1つ以上の局面は、ヒータに向けられている。ヒータは、円筒状の加熱空洞を有する圧力シェルと、円筒状の加熱空洞内に配置された環状の加熱シールドと、環状の加熱シールドの内部容積内に配置された少なくとも1つの発熱体とを備える。本発明の1つ以上の局面に関連するいくつかの構成では、少なくとも1つの発熱体は、環状の加熱構造体を備え得る。ヒータは、環状の加熱構造体の内部領域内に配置された円筒状のスペーサをさらに備え得る。環状の加熱構造体は、蛇行構造を有するように構成されていてもよい。本発明の1つ以上のさらに他の局面に関連するさらに他の構成では、少なくとも1つの発熱体は、カーボン/カーボン複合材を備え得る。さらに他の構成では、少なくとも1つの発熱体は、ロッド形状の構造体を有するように構成され得る。本発明の1つ以上のさらに他の局面は、少なくとも1つの発熱体がグラファイトを備える構成を含み得る。したがって、本発明の1つ以上の局面は、少なくとも1つの発熱体がカーボン/カーボン複合材、グラファイト、およびニクロムのいずれか1つを備える構成を含み得る。少なくとも1つの発熱体は、炭化ケイ素コーティングを備え得る。本発明の1つ以上のさらに他の局面は、環状の加熱シールドは、加熱空洞の内部表面からずれて配置され、それによって、内部表面に隣接する環状の冷却ゾーンを少なくとも部分的に規定している。ヒータは、反応剤源に円筒状の加熱空洞を流体接続(fluidly connecting)する流入口と、反応器に円筒状の加熱空洞を流体接続する出口とを備え得る。場合によっては、反応器は流動層反応器である。本発明のいくつかの構成に従うと、反応剤源は、四塩化ケイ素および水素のうち少なくとも1つを備える。
本発明の1つ以上の局面は、トリクロロシランを調製する方法に向けられ得る。方法は、加熱チャンバを囲う圧力シェル、加熱チャンバ内に配置された加熱シールド、および加熱シールドの内部容積内に配置された発熱体を有するヒータ内に、四塩化ケイ素を含む反応剤ストリームを導入するステップと、反応剤ストリームの目標温度まで反応剤ストリームを加熱するために発熱体に電流を流すステップと、四塩化ケイ素の少なくとも一部をトリクロロシランに変換する反応条件を有する反応器内に加熱された反応剤ストリームを導入するステップとを備え得る。反応剤ストリームの目標温度は、典型的には約500℃〜約625℃の範囲内である。当該方法は、反応器にケイ素を導入することをさらに備え得る。本発明の1つ以上の局面に関連するいくつかの例において、発熱体の表面は、反応剤ストリームによって湿らされている。ヒータ内に反応剤ストリームを導入するステップは、加熱シールドの中央容積によって少なくとも部分的に規定されている環状の加熱ゾーンを通るよう、反応剤ストリームの第1の部分を方向付けるステップ、および、加熱シールドの表面と加熱チャンバの表面との間で少なくとも部分的に規定されている環状の冷却ゾーンを通るよう、反応剤ストリームの第2の部分を方向付けるステップのうち1つ以上を含み得る。本発明の1つ以上の局面に従うと、当該方法は、加熱された反応剤ストリームの温度を監視するステップと、発熱体に流された電流の電圧値および電流値の少なくとも一方を調整するステップとを備え得る。
本発明の1つ以上の局面は、トリクロロシランの製造を促進する方法に向けられ得る。方法は、四塩化ケイ素源および水素源の少なくとも1つにヒータにおける反応剤流入口に接続するステップを備え、ヒータは、加熱チャンバを囲む圧力シェルと加熱チャンバ内に配置された加熱シールドと加熱シールドの内部容積内に配置された少なくとも1つの発熱体とを有し、塩化水素処理反応剤または水素化反応剤の流入口にヒータの反応剤流出口を接続するステップを備え得る。当該方法は、少なくとも1つの電力源に少なくとも1つの発熱体を接続するステップをさらに備える。本発明のいくつかの構成に従うと、当該方法は、ヒータ内に、四塩化ケイ素および水素の少なくとも1つを導入するステップと、少なくとも1つの発熱体によって電気回路を設けるステップのうち1つ以上を含み得る。
添付の図面は、縮尺通りではない。図面では、さまざまな図において示されている同一またはほぼ同一の構成部品の各々は、同じ数字によって表わされている。わかりやすくするために、必ずしもすべての構成部品が各図において参照番号が付けられているわけではない。
本発明の1つ以上の方法が実施され得る、ヒータの側面図を示す概略図である。 本発明の1つ以上の実施形態が実施され得る、図1のヒータの2−2の線に沿った断面を示す概略図である。 本発明の1つ以上の局面に従って利用され得る蛇行構造体を有する発熱体の斜視図を示す概略図である。 本発明の1つ以上の実施形態に従って利用され得るカーボン/カーボン複合材を備える蛇行発熱体の写真の図である。 本発明の1つ以上の実施形態に従う電気コネクタポートを介したヒータの断面を示す概略図である。
詳細な説明
本発明の1つ以上の局面は、加熱システムまたは加熱装置またはヒータ、および化学処理のための使用方法ならびに化学処理のための加熱操作を促進する方法に関連し得る。本発明のさらに他の局面は、加熱対象のプロセス流体によって湿らされた少なくとも1つの発熱体を有するヒータに関連し得る。本発明のさらに他の局面は、加圧された加熱チャンバを有するヒータに関連し得る。当該加熱チャンバは加熱対象のプロセス流体によって湿らされた表面を有する構成を含む。本発明の他の局面は、耐食性の湿った表面を有するヒータに関連し得る。本発明のさらに他の局面は、ヒータの圧力エンベロープ内に含まれる発熱体または発熱部品を有するヒータに関連し得る。本発明の1つ以上の特定の局面に従うと、ヒータは、1つ以上の加熱ゾーンまたは加熱領域、および好ましくは1つ以上の障壁、バッファ、または冷却ゾーンもしくは冷却領域で加熱対象のプロセス流体または反応剤ストリームを囲む圧力膜または圧力シェルを有する容器を備え得る。
本発明の1つ以上の実施形態は、圧力膜または圧力容器として機能し得るシェルを有するヒータなどの容器に向けられ得る。シェルは、その中で規定されている1つ以上の加熱空洞を有し得る。ヒータは、典型的には少なくとも1つの発熱体をさらに備え、当該発熱体は、典型的には1つ以上の加熱空洞内に配置される。本発明のさらに他の局面に従うヒータのさらに他の重要な構成は、1つ以上の加熱シールドを利用することを含み得る。本発明の1つ以上の局面に従うさらに他の構成は、1つ以上の加熱空洞内にある発熱体の内部領域内に配置された1つ以上の円筒状のスペーサ構造体を有するヒータを含み得る。ヒータは、典型的には1つ以上の反応剤および1つ以上の反応剤源に流体接続されるまたは流体接続可能である。
図1および図2に示される限定されない構成において、ヒータ100は、シェル110で規定される加熱空洞115を含むシェル110を備える。図に示され記載されているように、加熱空洞115は円柱構造を有する。しかしながら、他の幾何学的な構造が本発明の1つ以上の実施形態の変形例において利用されるであろう。ヒータ100は、空洞115内に配置された少なくとも1つの加熱シールド120をさらに備え得る。好ましい構造において図示されるように、加熱シールド120は、環状、および円筒状の構造を有し、空洞115内に実質的に同心円状に配置される。したがって、加熱シールド120は、内部容積125を備える、または少なくとも部分的に内部容積125を規定している。
ヒータ100は、典型的にはシールド120の内部容積135内に配置される1つ以上の発熱体130をさらに備える。また、図に示すように、発熱体は内部領域135を有する環状構造体として構成されている。
ヒータ100は、環状の発熱体130の内部領域135内に配置された1つ以上のスペーサ140をさらに備える。さらに、ヒータ100は、1つ以上の流入口ポート150と1つ以上の流出口ポート160とを備える。ヒータ100は、典型的には1つ以上の電気コネクタポート170をさらに備える。特定の用途に従うと、ヒータ100の1つ以上の流入口ポート150は、1つ以上の反応剤源(図示しない)などの1つ以上の上流の単位操作(unit operation)に流体接続される、または流体接続可能である。そして、1つ以上の流出口ポート160は、1つ以上の下流の単位操作(図示しない)に流体接続される、または流体接続可能である。下流の単位操作の例としては、蒸留塔、熱交換器、および、流動層反応器などの反応器を含むがこれに限定されない。
ヒータ100の構成部品の他の構成は、空洞115内に配置された1つ以上のロッド状に加工された発熱体を利用することを含み得る。たとえば、複数の平行なロッド(図示しない)は、空洞115内に長手方向に配置され得る。
図3および図4は、本発明の1つ以上の局面に従って利用され得る発熱体130の実施形態を例示的に示すものである。図に示すように、発熱体130は、それぞれの端部で、第2のセグメント138に接続されている複数の第1のセグメント136を有する、環状かつ蛇行状の、または波形状の構造体として構成され得る。第1のセグメント136の各々と第2のセグメント138の各々とは線状の構成部品を構成し、各々の線状のセグメント136の各端部は、線状のセグメント138の端部に接続されている。また、記載された実施形態において図で示されるように、線状のセグメント136の各々は互いに平行であり、線状セグメント138の各々は互いに平行である。発熱体130の任意のセグメントにおいて他の構成も考えられる。たとえば、発熱体130は、円環状の構造体を規定する曲線のセグメントを備え得る。利用され得るさらに他の有利な特徴は、1つ以上の補強または強固締め具139を含む。締め具139の各々は環状の発熱体130に対して長手方向に沿って配置され得、さらに、環状の発熱体130の伸張、圧縮、座屈(buckling)、もしくは曲げを防止または少なくとも抑制するために1つ以上のピン(pin)によって固定される。1つ以上のさらに他の補強または強固締め具は、環状の発熱体130の内部または外部表面に沿って放射状に配置され、ねじれ剛性を環状の発熱体に与えるために1つ以上のピンによって固定され得る。
ヒータは、典型的には少なくとも1つの発熱体と1つ以上の電源との間を電気的に接続させる複数のチャック(chuck)を備える。たとえば、図5に示すように、チャック180は、1つ以上のボルトによって発熱体130の末端部に接続され、また、電気コネクタポート170内に配置されたコンダクタ185に接続され、発熱体130に電流を与えるように構成され1つ以上の電源に接続され得る。したがって、チャック180は、電源と発熱体との間のインターフェイスをコネクタによって提供する。本発明のいくつかの実施形態では、1つ以上の電源は、特定の目標値を達成するために制御され得る電位もしくは電圧値、または電流値、またはその両方の値を電流に設定するように構成されている。たとえば、発熱体を通過する電気エネルギーの電位、電流値、またはその両方は、発熱体によって作り出された目標の熱エネルギーを実現するように制御され得る。他の場合では、電源は、ヒータによって加熱される流体の目標温度に到達するように制御され得る。電気エネルギーの制御は、従来技術に従って実現され得る。
たとえば、トリクロロシランを製造するための例示的な用途では、ヒータ100は、1つ以上の反応剤源に流体接続され得る。そのような構成の変形例は、1つ以上の並列のヒータを利用することを含み、各々のヒータは、四塩化ケイ素、水素、またはそれらの混合物の1つ以上の源に関するそれぞれの流入口ポートに流体接続され得る。1つ以上の反応剤は、流入ストリームとして流入口150を通ってヒータの中に導入され得る。ヒータ100内では、流入ストリームは、加熱チャンバ115内に複数の流路を有し得る。本発明の1つ以上の局面に従うと、流入口ストリームは、発熱体130の加熱表面の少なくとも一部、典型的にはすべて、を含む第1の領域内に流れ込む第1の、または被加熱ストリームを備える。図2に例示的に示されるように、第1の、または加熱領域は、少なくとも部分的に加熱シールド120によって規定され、かつ典型的には加熱シールド120内に存在し、そしてスペーサ140がある場合にはそのスペーサ140内に存在する環状の容積Hになり得る。したがって、このような場合、加熱領域は、内部容積125の一部である環状の容積Hになり得る。流入ストリームは、1つ以上の第2の、または障壁ストリームを備え、そのような1つ以上のストリームは、典型的にはシェル110の内部表面とシールド120との間で少なくとも部分的に規定される環状の容積Cである障壁領域の中に流れ込む。本発明の1つ以上の有利な局面に従うと、第1のストリームまたは発熱体130による加熱対象のストリームは、発熱体130の表面を湿らせ得る、または当該表面に接触し得る。空洞115内の流体が加圧される実施形態では、湿らされた発熱体130の表面は、加圧された第1のストリームにさらされている。本発明のさらに他の実施形態に従うと、第1のストリームおよび第2のストリームは、流出または加熱ストリームを形成するために結合され得て、流出口ポート160を通じて下流の単位操作に運ばれる。本発明の1つ以上の実施形態では、加熱された第1のストリームは、典型的には、第2のストリームと混合した後、加熱ストリームの目標温度を有する流出ストリームを与えるために十分な内部エネルギーにより仮の目標温度に加熱される。第2のストリームは、より低い温度であることが想定されるため、仮の目標温度は、ストリームの目標温度よりも高いとされている。トリクロロシランを促進するために向けられた実施形態では、たとえば、流出ストリームが、約500℃から約625℃までの範囲で反応剤ストリームの目標温度になるように、第1のストリームが仮のストリームの目標温度に達するように加熱される。しかし、反応剤ストリームの目標温度は、たとえば、反応剤ストリームの組成、反応剤ストリームの反応剤成分の相対的な量、および、もしあるとすれば、ヒータ100からのストリームの混合対象の他の反応剤ストリームの温度を含むいくつかの要因に応じて、約500℃から約600℃の範囲であってもよいし、約525℃から約575℃の範囲であってもよいし、約500℃から約550℃の範囲であってもよい。
本発明のいくつかの特定の有利な特徴は、ヒータが圧力シェル110内に入れられる内部構成部品を有するということである。圧力シェル110は、圧力エンベロープから加圧された流体ストリームを漏らすことなく、そのような任意の構成部品の不具合を許容する。本発明のさらに他の有利な局面では、従来技術の浸水タイプのヒータに対して、本発明のヒータは電流を流すことができ、加熱対象の流体によって湿らされる発熱体を利用できる。本発明のさらに他の有利な局面では、ヒータは、電気的に励起された発熱体の湿った表面から加熱対象の流体に伝達される対流熱を利用できる。本発明のさらに他の局面では、熱エネルギーは、大部分は発熱体の表面から加熱対象の流体に対流的に伝達される。本発明の他の局面では、熱は電気的に励起された発熱体の表面から伝導的に伝達されない。
反応剤の目標温度を促進するために利用され得るコントローラシステムは、フィードバックアルゴリズム、フィードフォワードアルゴリズム、またはそれらの両方のアルゴリズムを採用する1つ以上のコントローラを利用することを含み得る。たとえば、コントローラシステムは、1つ以上のセンサから1つ以上の入力信号を受信し、動作パラメータを調整する1つ以上の出力信号を生成するマイクロプロセッサを含み得る。動作パラメータは、発熱体に流れる電気エネルギーの電位もしくは電流、またはその両方である。1つ以上のセンサは、たとえば、温度センサおよび流量センサであり、それらの任意のセンサは、流入口150の上流または流出口160の下流に配置され得る。
ヒータのさまざまな構成部品の構成材料は、ヒータの動作条件で流体腐食耐性を有するスチールのような金属であり得る。たとえば、圧力シェル110、シールド120、およびスペーサ140は、INCOLOYおよびINCONELスチールと同じグレードを有するものなどのステンレススチール、高ニッケルスチールを含み得る。
ここでは、本発明のいくつかの具体的な構成および実施形態を説明してきたが、上述した記載は、例としてのみによって示され、単に例示的なものであって限定的なものではないということは当業者にとっては明らかであろう。多くの変形および他の実施形態は、一般的な当業者の範囲内であり、発明の範囲内に属すると考えられる。特に、ここで示された多くの例は、方法の動作またはシステムの要素の特定の組合せを含むが、それらの動作およびそれらの要素は、同じ目的を達成するための他の方法においても組合わせられてもよいということが理解されるであろう。
当業者は、ここで記載されたパラメータおよび構成が例示的なものであり、実際のパラメータおよび/または構成は、本発明のシステムおよび技術が利用される特定の応用例に依存するということを理解するであろう。また、当業者は、本発明の特定の実施形態に対する均等物を所定の実験を利用するだけで認識し、または確認することができるであろう。したがって、ここで記載された実施形態は、単なる例によって示されるものであって、添付された特許請求の範囲およびそれの均等物の範囲内において、本発明が特に記載されたもの以外のものにおいて実施され得るということが理解されるであろう。
さらに、本発明は、ここで記載された特徴、システム、サブシステム、または技術の各々、およびここで記載された2以上の特徴、複数のシステム、複数のサブシステム、または複数の技術の組合せ、および2以上の特徴、複数のシステム、複数のサブシステム、および/または複数の方法の組合せ、に向けられている。そのような複数の特徴、複数のシステム、複数のサブシステム、および複数の技術が互いに矛盾しない場合には、本発明は、特許請求の範囲において具現化されるような発明の範囲に含まれると考えられる。さらに、一実施例においてのみ記載された動作、要素、および特徴は、他の実施形態における同様の役割から排除されることを意図していない。
本明細書で用いられている「複数の(plurality)」の用語は、2つ以上の事項または要素に言及している。明細書中なのか特許請求の範囲などの中なのかに関わらず、「備えること(comprising)」、「含むこと(including)」、「持つこと(carrying)」、「有すること(having)」、「含むこと(containing)」、および「含むこと(involving)」との用語は、「含むが限定されない」ことを意味するオープンエンドの用語である。したがって、そのような用語の使用は、今後列挙される事項、その均等物、および追加事項を包含することを意味する。従来の語句である「からなる(consisting of)」および「本質的に、からなる(consisting essentially of)」のみが、特許請求の範囲に対して、それぞれクローズまたはセミクローズな従来語句である。請求項のある要素を修飾するために、特許請求の範囲における「第1の」、「第2の」、「第3の」などの順序を示す用語の使用は、それ自体が任意の優先度、優位性、特許請求の範囲のある要素と別の要素との順序、または方法の動作が行なわれる時間的な順序を示すものではなく、単に特許請求の範囲の要素を区別するために、特許請求の範囲におけるある名称の要素と、特許請求の範囲における同じ名称の(しかし、順序の用語を使用するために)別の要素とを区別するラベルとして使用されるものである。

Claims (21)

  1. 円筒状の加熱空洞を有する圧力シェルと、
    前記円筒状の加熱空洞内に配置された環状の加熱シールドと、
    前記環状の加熱シールドの内部容積内に配置された少なくとも1つの発熱体とを備える、ヒータ。
  2. 反応剤源に前記円筒状の加熱空洞を流体接続する流入口と、
    反応器に前記円筒状の加熱空洞を流体接続する流出口とをさらに備える、請求項1に記載のヒータ。
  3. 前記反応器は流動層反応器である、請求項2に記載のヒータ。
  4. 前記反応剤源は、四塩化ケイ素および水素のうち少なくとも1つを備える、請求項3に記載のヒータ。
  5. 前記少なくとも1つの発熱体は、環状の加熱構造体を備え、
    前記ヒータは、前記環状の加熱構造体の内部領域内に配置された円筒状のスペーサをさらに備える、請求項1に記載のヒータ。
  6. 前記少なくとも1つの発熱体は、蛇行構造を有する、請求項1に記載のヒータ。
  7. 前記少なくとも1つの発熱体は、カーボン/カーボン複合材を備える、請求項6に記載のヒータ。
  8. 前記少なくとも1つの発熱体は、ロッド形状の構造体を有する、請求項1に記載のヒータ。
  9. 前記少なくとも1つの発熱体は、グラファイトを備える、請求項8に記載のヒータ。
  10. 前記少なくとも1つの発熱体は、カーボン/カーボン複合材、グラファイト、およびニクロムのいずれか1つを備える、請求項1に記載のヒータ。
  11. 前記環状の加熱シールドは、前記圧力シェルの内部表面からずれて配置されており、それによって、前記内部表面に隣接する環状の冷却ゾーンを少なくとも部分的に規定する、請求項1に記載のヒータ。
  12. 前記少なくとも1つの発熱体は、炭化ケイ素コーティングを備える、請求項1に記載のヒータ。
  13. トリクロロシランを調製する方法であって、
    加熱チャンバを囲む圧力シェルと、前記加熱チャンバ内に配置された加熱シールドと、前記加熱シールドの内部容積内に配置された発熱体とを有するヒータ内に、四塩化ケイ素を含む反応剤ストリームを導入するステップと、
    目標の反応剤ストリーム温度まで前記反応剤ストリームを加熱するために前記発熱体に電流を流すステップと、
    前記四塩化ケイ素の少なくとも一部をトリクロロシランに変換する反応条件を有する反応器内に前記加熱された反応剤ストリームを導入するステップとを備える、方法。
  14. 前記目標の反応剤ストリーム温度は、約500℃から約625℃の範囲内である、請求項13に記載の方法。
  15. 前記反応器内にシリコンを導入するステップをさらに備える、請求項13に記載の方法。
  16. 前記発熱体の表面は、前記反応剤ストリームによって湿らされている、請求項13に記載の方法。
  17. 前記ヒータ内に前記反応剤ストリームを導入するステップは、
    前記加熱シールドの中央容積によって少なくとも部分的に規定されている環状の加熱ゾーンを通るよう前記反応剤ストリームの第1の部分を方向付けるステップと、
    前記加熱シールドの表面と前記加熱チャンバの表面との間で少なくとも部分的に規定されている環状の冷却ゾーンを通るよう前記反応剤ストリームの第2の部分を方向付けるステップとを備える、請求項13に記載の方法。
  18. 前記加熱された反応剤ストリームの温度を監視するステップと、
    前記発熱体に流された電流の電圧および電流の少なくとも一方を調整するステップとをさらに備える、請求項17に記載の方法。
  19. トリクロロシランの製造を促進する方法であって、
    四塩化ケイ素源および水素源の少なくとも1つにヒータの反応剤流入口を接続するステップを備え、
    前記ヒータは、加熱チャンバを囲む圧力シェルと、前記加熱チャンバ内に配置された加熱シールドと、加熱シールドの内部容積内に配置された少なくとも1つの発熱体とを有し、
    塩化水素処理反応器または水素化反応器の流入口に前記ヒータの反応剤流出口を接続するステップをさらに備える、方法。
  20. 少なくとも1つの電力源に前記少なくとも1つの発熱体を接続するステップをさらに備える、請求項19に記載の方法。
  21. 前記ヒータ内に、四塩化ケイ素および水素の少なくとも1つを導入するステップと、
    前記少なくとも1つの発熱体によって電気回路を設けるステップとをさらに備える、請求項19に記載の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017521824A (ja) * 2014-06-13 2017-08-03 モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク ワンコート封入グラファイトヒーター及びプロセス

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY163880A (en) 2010-09-27 2017-11-15 Gtat Corp Heater and related methods therefor
CN103987453B (zh) 2011-06-21 2017-04-12 Gtat公司 用于将四氯化硅转换成三氯硅烷的装置及方法
DE102012218741A1 (de) * 2012-10-15 2014-04-17 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Hydrierung von Siliciumtetrachlorid in Trichlorsilan
US9220302B2 (en) 2013-03-15 2015-12-29 R.J. Reynolds Tobacco Company Cartridge for an aerosol delivery device and method for assembling a cartridge for a smoking article
US9491974B2 (en) * 2013-03-15 2016-11-15 Rai Strategic Holdings, Inc. Heating elements formed from a sheet of a material and inputs and methods for the production of atomizers
KR20220095253A (ko) * 2013-03-15 2022-07-06 레이 스트라티직 홀딩스, 인크. 재료 시트로 형성된 가열 요소, 복수의 애토마이저를 제조하기 위한 인풋 시트 및 방법, 에어로졸 송달 장치용 카트리지 및 흡연 물품용 카트리지를 조립하는 방법
US20160174302A1 (en) * 2013-07-15 2016-06-16 Momentive Performance Materials Inc. Coated graphite heater configuration
CN110003962B (zh) * 2019-05-06 2021-04-30 沈阳航空航天大学 一种轴向固定床甲烷化反应器
KR102591111B1 (ko) * 2023-03-09 2023-10-19 주식회사 허밍코퍼레이션 슈가 페이스트용 워머기

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62123011A (ja) * 1985-11-25 1987-06-04 Koujiyundo Silicon Kk トリクロルシランの製造方法およびその装置
JPH07232910A (ja) * 1994-01-28 1995-09-05 Hemlock Semiconductor Corp テトラクロロシランの水素添加法
JPH10212181A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Toyo Tanso Kk アンモニア雰囲気炉用炭素複合材料
JPH11273835A (ja) * 1998-01-26 1999-10-08 Toyo Tanso Kk カーボンヒータ
US20040047793A1 (en) * 2000-12-14 2004-03-11 Leslaw Mleczko Method for producing trichlorosilane

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB756327A (en) 1952-10-14 1956-09-05 Lorraine Carbone Improvements in or relating to heat exchangers
US3933985A (en) * 1971-09-24 1976-01-20 Motorola, Inc. Process for production of polycrystalline silicon
BE795913A (fr) * 1972-02-26 1973-06-18 Degussa Procede de preparation de chlorosilanes
US4097555A (en) * 1976-05-11 1978-06-27 Monsanto Company Transparent polymeric polyblend
DE3024320A1 (de) * 1980-06-27 1982-04-01 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Vorrichtung zur hochtemperaturbehandlung von gasen
US4526769A (en) * 1983-07-18 1985-07-02 Motorola, Inc. Trichlorosilane production process
DE4022707C2 (de) 1989-07-18 2002-01-31 Hemlock Semiconductor Corp Isolierungssystem für einen Chlorsilan- und Wasserstoff-Reaktor
US5906799A (en) 1992-06-01 1999-05-25 Hemlock Semiconductor Corporation Chlorosilane and hydrogen reactor
US20040173597A1 (en) 2003-03-03 2004-09-09 Manoj Agrawal Apparatus for contacting gases at high temperature
DE102005046703A1 (de) 2005-09-29 2007-04-05 Wacker Chemie Ag Verfahren und Vorrichtung zur Hydrierung von Chlorsilanen
DE102006050329B3 (de) 2006-10-25 2007-12-13 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan
JP5428146B2 (ja) * 2006-10-31 2014-02-26 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシラン製造装置
JP5205910B2 (ja) * 2006-10-31 2013-06-05 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシラン製造装置
JP5601438B2 (ja) 2006-11-07 2014-10-08 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシラン製造装置
CN101143723B (zh) * 2007-08-08 2010-09-01 徐州东南多晶硅材料研发有限公司 制备三氯氢硅和多晶硅的改进方法和装置
US8178051B2 (en) * 2008-11-05 2012-05-15 Stephen Michael Lord Apparatus and process for hydrogenation of a silicon tetrahalide and silicon to the trihalosilane
JP5539967B2 (ja) * 2009-03-30 2014-07-02 電気化学工業株式会社 反応炉
JP5511794B2 (ja) 2009-04-01 2014-06-04 電気化学工業株式会社 気相反応装置
CN101759189B (zh) * 2009-09-30 2012-03-07 江苏中能硅业科技发展有限公司 三氯氢硅的制造方法
MY163880A (en) 2010-09-27 2017-11-15 Gtat Corp Heater and related methods therefor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62123011A (ja) * 1985-11-25 1987-06-04 Koujiyundo Silicon Kk トリクロルシランの製造方法およびその装置
JPH07232910A (ja) * 1994-01-28 1995-09-05 Hemlock Semiconductor Corp テトラクロロシランの水素添加法
JPH10212181A (ja) * 1997-01-30 1998-08-11 Toyo Tanso Kk アンモニア雰囲気炉用炭素複合材料
JPH11273835A (ja) * 1998-01-26 1999-10-08 Toyo Tanso Kk カーボンヒータ
US20040047793A1 (en) * 2000-12-14 2004-03-11 Leslaw Mleczko Method for producing trichlorosilane

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017521824A (ja) * 2014-06-13 2017-08-03 モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク ワンコート封入グラファイトヒーター及びプロセス

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Publication number Publication date
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