JP2013535395A - 炭化珪素及びその製造方法 - Google Patents
炭化珪素及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013535395A JP2013535395A JP2013521703A JP2013521703A JP2013535395A JP 2013535395 A JP2013535395 A JP 2013535395A JP 2013521703 A JP2013521703 A JP 2013521703A JP 2013521703 A JP2013521703 A JP 2013521703A JP 2013535395 A JP2013535395 A JP 2013535395A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- source
- producing silicon
- carbide according
- carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
- C01B32/914—Carbides of single elements
- C01B32/956—Silicon carbide
- C01B32/963—Preparation from compounds containing silicon
- C01B32/97—Preparation from SiO or SiO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
- C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/422—Carbon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
- C04B2235/422—Carbon
- C04B2235/424—Carbon black
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/48—Organic compounds becoming part of a ceramic after heat treatment, e.g. carbonising phenol resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本発明に従う炭化珪素の製造方法は、乾式珪素源、固体炭素源、及びバインダーを混合する原料混合ステップ、及び混合された原料を加熱して炭化珪素を形成する加熱ステップを含む。
【選択図】図1
【選択図】図1
Description
本発明は、炭化珪素及びその製造方法に関するものである。
炭化珪素(silicon carbide;SiC)は、物理、化学的に安定し、耐熱性と熱伝導性に優れて、高温安定性、高温強度、及び耐摩耗性に優れる。これによって、炭化珪素は、高温材料、高温半導体、耐摩耗性材料、自動車部品などの製造に広く使われる。
このような炭化珪素は、珪素源と炭素源などの原料を混合した後に加熱する方法により製造できる。この際、1回の炭化珪素の製造工程で多量の炭化珪素が収得できるように生産性を高めることが求められる。
本発明の目的は、生産性を向上させることができる炭化珪素の製造方法及びこれにより製造された炭化水素を提供することにある。
一実施形態に従う炭化珪素の製造方法は、乾式珪素源、固体炭素源、及びバインダーを混合する原料混合ステップ、及び混合された原料を加熱して炭化珪素を形成する加熱ステップを含む。
一実施形態に従う炭化珪素の製造方法は、乾式珪素源、固体炭素源、及び水、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノール、またはアセトンを含む溶媒を混合する原料混合ステップ、及び混合された原料を加熱して炭化珪素を形成する加熱ステップを含む。
実施形態に従う炭化珪素は、前述した炭化珪素の製造方法により製造される。
本発明に従う炭化珪素の製造方法によれば、バインダー、または水、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノール、またはアセトンを含む溶媒を用いて固体炭素源と乾式珪素源とを凝集させることによって、高温反応炉に投入される混合された原料の量を増加することができる。これによって、1回の炭化珪素の製造方法により得ることができる炭化珪素の量を増加させることができ、結果的に生産性を向上させることができる。
また、別途の炭化(carbonization)工程が要求されないので、工程を単純化することができる。
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。ここに、図1を参照して第1実施形態及び第2実施形態に従う炭化珪素の製造方法を説明する。図1は、本発明の第1実施形態及び第2実施形態に従う炭化珪素の製造方法のフローチャートである。
図1を参照すると、第1実施形態及び第2実施形態に従う炭化珪素の製造方法は、原料混合ステップ(ST10)及び加熱ステップ(ST20)を含む。
第1実施形態に従うステップをより詳細に説明すれば、次の通りである。
原料混合ステップ(ST10)では、乾式珪素源(Si source)、固体炭素源(C source)、及びバインダーを用意してこれを混合する。この際、バインダーを溶媒に溶解した後、乾式珪素源及び固体炭素源を添加して原料を混合することができる。
乾式珪素源は珪素を提供できる多様な物質を含むことができる。一例に、乾式珪素源はシリカ(silica)を含むことができる。このような珪素源には、シリカ粉末、シリカゾル(sol)、シリカゲル(gel)、石英粉末などを使用することができる。
固体炭素源は炭素を提供できる多様な物質を含むことができる。固体炭素源には、黒鉛(graphite)、カーボンブラック(carbon black)、カーボンナノチューブ(carbon nano tube;CNT)、フラーレン(fullerene;C60)などが挙げられる。
バインダーは固体炭素源と乾式珪素源とを凝集できる多様な物質を含むことができる。このようなバインダーはオリゴマーまたはポリマーを含むことができる。オリゴマーは炭素系オリゴマーでありうる。オリゴマーまたはポリマーは、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリビニールアルコール系樹脂、ポリグリコール樹脂、エポキシ系樹脂などを含むことができる。
乾式珪素源に含まれた珪素に対する固体炭素源に含まれた炭素のモル(mole)比(以下、「珪素に対する炭素のモル比」)は1.5乃至3でありうる。珪素に対する炭素のモル比が3を超過する場合には炭素の量が多くて反応せずに残留する残留炭素の量が多くなって回収率が低下することがある。そして、珪素に対する炭素のモル比が1.5未満の場合には珪素の量が多くて反応せずに残留する残留珪素の量が多くなって回収率が低下することがある。即ち、珪素に対する炭素のモル比は回収率を考慮して決まったものである。
乾式珪素源が加熱ステップ(ST20)の高温で気体状態に揮発することを考慮すれば、珪素に対する炭素のモル比を2乃至2.8にすることができる。
バインダーは固体炭素源と乾式珪素源とを凝集して混合された原料の体積を減少させる役割をする。このようなバインダーは固体炭素源に含まれた炭素に対して1乃至10重量%で含むことができる。バインダーが1重量%未満の場合には固体炭素源と乾式珪素源との凝集を円滑にし難いことがある。そして、バインダーが10重量%を超過する場合には、バインダーに含まれた炭素により混合された原料の珪素対炭素の割合が所望の範囲を外れることがある。これによって、残留炭素が多くなることがある。残留炭素の量を最小化するために、バインダーが炭素に対して1乃至3重量%で含まれることが好ましい。
溶媒はバインダーが溶解できる多様な物質を含むことができる。溶媒は、一例としてアルコール系または水系物質でありうる。
このように乾式珪素源、固体炭素源、及びバインダーが添加された溶媒を単純攪拌、摩擦粉砕機(アトリションミル;attrition mill)、ボールミル(ball mill)などの方法により混合した後、溶媒を揮発させて混合粉末を収得する。混合粉末は篩(sieve)に濾されて回収された後、スプレー乾燥機(spray dryer)で乾燥できる。
次に、加熱ステップ(ST20)では混合粉末(即ち、混合された原料)を加熱すれば、珪素源に含まれた珪素と固体炭素源に含まれた炭素が反応して炭化珪素を形成する。より具体的に説明すれば、混合粉末を黒鉛坩堝(graphite crucible)で測定した後、高温反応炉、一例として、黒鉛炉(graphite furnace)に投入した後、加熱する。この際、加熱温度は1300℃以上であることがありえ、加熱時間は30分以上、例えば、1時間乃至7時間にできる。そして、高温反応炉の内部は真空または不活性ガス(例えば、アルゴンまたは水素)雰囲気でありうる。
他の一実施形態に従う炭化珪素製造方法では、バインダーの代わりに溶媒のみを混合することができる。
溶媒はアルコール系または水系物質でありうる。好ましくは、溶媒は、水、イソプロピルアルコール、メタノール、エタノール、またはアセトンを含むことができる。
溶媒は、固体炭素源と乾式珪素源とを凝集して混合された原料の体積を減少させる役割をする。このような溶媒は、固体炭素源に含まれた炭素に対して1乃至20重量%で含ませることができる。溶媒が1重量%未満の場合には、固体炭素源と乾式珪素源との凝集を円滑にし難いことがある。そして、溶媒が20重量%を超過する場合には溶媒に含まれた炭素により混合された原料の珪素対炭素の割合が所望の範囲を外れることがある。これによって、残留炭素が多くなることがある。残留炭素の量を最小化するために、溶媒が炭素に対して1乃至10重量%で含まれることが好ましい。
実施形態に従う炭化珪素の製造方法では、固体炭素源と乾式珪素源とをバインダーを用いて凝集させることによって、一定の体積を有する黒鉛坩堝に投入される混合された原料の量を増やすことができる。これによって、高温反応炉に投入される混合された原料の量を増加することができる。一例として、一般的な固体炭素源と乾式珪素源のみを使用する場合より2倍乃至4倍の量だけ投入することができる。これによって、1回の炭化珪素の製造工程で得ることができる炭化珪素の量を増加させることができ、結果的に生産性を向上させることができる。
また、別途の炭化(carbonization)工程が必要とされないので工程を単純化することができる。
このように製造された炭化珪素はプレス焼結工程などを通じて所定形状に加工されて蒸着装備またはウエハーキャリア装備などにサセプタ(susceptor)などに使用できる。
以下、製造例及び比較例に従う炭化珪素の製造方法を通じて本発明をより詳細に説明する。このような製造例は本発明をより詳細に説明するために例示として提示したものに過ぎないものであり、本発明がこのような製造例に限定されるものではない。
製造例1
バインダーであるフェノール樹脂を溶媒であるイソプロピルアルコール(IPA)に溶解する。この溶液にシリカとカーボンブラックを添加した後、ボールミルで混合した。この際、シリカに含まれた珪素に対するカーボンブラックに含まれた炭素のモル比は2.0であった。篩を用いて混合粉末スラリーを回収した後、スプレー乾燥機で乾燥した。
バインダーであるフェノール樹脂を溶媒であるイソプロピルアルコール(IPA)に溶解する。この溶液にシリカとカーボンブラックを添加した後、ボールミルで混合した。この際、シリカに含まれた珪素に対するカーボンブラックに含まれた炭素のモル比は2.0であった。篩を用いて混合粉末スラリーを回収した後、スプレー乾燥機で乾燥した。
混合粉末を体積が0.005リットルである黒鉛坩堝に90%詰めた後、混合された原料の重量を測定した。その後、混合された原料を黒鉛炉に入れて1800℃で2時間の間加熱して炭化珪素を製造した。
製造例2
イソプロピルアルコール(IPA)にシリカとカーボンブラックを添加した後、ボールミルで混合した。この際、シリカに含まれた珪素に対するカーボンブラックに含まれた炭素のモル比は2.0であった。篩を用いて混合粉末スラリー(slurry)を回収した後、スプレー乾燥機で乾燥した。
イソプロピルアルコール(IPA)にシリカとカーボンブラックを添加した後、ボールミルで混合した。この際、シリカに含まれた珪素に対するカーボンブラックに含まれた炭素のモル比は2.0であった。篩を用いて混合粉末スラリー(slurry)を回収した後、スプレー乾燥機で乾燥した。
混合粉末を体積が0.005リットルである黒鉛坩堝に90%詰めた後、混合された原料の重量を測定した。その後、混合された原料を黒鉛炉に入れて1800℃で2時間の間加熱して炭化珪素を製造した。
比較例1
シリカ粉末とカーボンブラックとをボールミルで混合した。この際、シリカ粉末に含まれた珪素に対するカーボンブラックに含まれた炭素のモル比は2.0であった。篩を用いて混合された混合粉末を回収した。
シリカ粉末とカーボンブラックとをボールミルで混合した。この際、シリカ粉末に含まれた珪素に対するカーボンブラックに含まれた炭素のモル比は2.0であった。篩を用いて混合された混合粉末を回収した。
混合粉末を体積が0.005リットルである黒鉛坩堝に90%詰めた後、混合された原料の重量を測定した。その後、混合された原料を黒鉛炉に入れて1800℃で2時間の間加熱して炭化珪素を製造した。
製造例1、2、及び比較例1により製造された炭化珪素の回収率及び粒度(D50)を測定した。製造例1、2、及び比較例1で黒鉛坩堝に詰められた混合された原料の重量と共に、その結果を<表1>に表した。
<表1>に記載された通り、製造例1、2では、黒鉛坩堝で測定して高温反応炉である黒鉛炉に投入される混合された原料の量が3Kgの反面、比較例1では1Kgに過ぎないことが分かる。そして、製造例1、2、及び比較例1で製造された炭化珪素の粒度(D50)及び回収率は同様であることが分かる。即ち、製造例1、2によれば、回収率及び粒度特性が低下せずに高温反応炉に投入される混合された原料の量を増加することができる。これによって、1回の炭化珪素の製造方法により得ることができる炭化珪素の量を増加させることができ、結果的に生産性を向上させることができる。
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも1つの実施形態に含まれ、必ずしも1つの実施形態のみに限定されるものではない。また、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
Claims (15)
- 乾式珪素源、固体炭素源、及びバインダーを混合する原料混合ステップと、
前記混合された原料を加熱して炭化珪素を形成する加熱ステップと、
を含むことを特徴とする、炭化珪素の製造方法。 - 前記バインダーはオリゴマーまたはポリマーを含むことを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素の製造方法。
- 前記バインダーは、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリビニールアルコール系樹脂、ポリグリコール樹脂、及びエポキシ系樹脂からなる群から選択された物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項2に記載の炭化珪素の製造方法。
- 前記バインダーは、前記固体炭素源に含まれた炭素に対して1乃至10重量%で含まれることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素の製造方法。
- 前記バインダーは、前記固体炭素源に含まれた炭素に対して1乃至3重量%で含まれることを特徴とする、請求項4に記載の炭化珪素の製造方法。
- 前記固体炭素源が黒鉛(graphite)、カーボンブラック(carbon black)、カーボンナノチューブ(carbon nano tube;CNT)、及びフラーレン(fullerene;C60)からなる群から選択された物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素の製造方法。
- 前記乾式珪素源がシリカ(silica)を含むことを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素の製造方法。
- 前記原料混合ステップで、前記固体炭素源及び前記乾式珪素源は前記バインダーが溶解された溶媒に添加されることを特徴とする、請求項1に記載の炭化珪素の製造方法。
- 前記溶媒がアルコールまたは水系物質であることを特徴とする、請求項8に記載の炭化珪素の製造方法。
- 乾式珪素源、固体炭素源、及び水、アルコールまたはアセトンを含む溶媒を混合する原料混合ステップと、
前記混合された原料を加熱して炭化珪素を形成する加熱ステップと、
を含むことを特徴とする、炭化珪素の製造方法。 - 前記アルコールは、イソプロピルアルコール、メタノール、及びエタノールを含むことを特徴とする、請求項10に記載の炭化珪素の製造方法。
- 前記溶媒は、前記固体炭素源に含まれた炭素に対して1乃至20重量%で含まれることを特徴とする、請求項10に記載の炭化珪素の製造方法。
- 前記溶媒は、前記固体炭素源に含まれた炭素に対して5乃至10重量%で含まれることを特徴とする、請求項10に記載の炭化珪素の製造方法。
- 前記固体炭素源は、黒鉛(graphite)、カーボンブラック(carbon black)、カーボンナノチューブ(carbon nano tube;CNT)、及びフラーレン(fullerene;C60)からなる群から選択された物質を少なくとも1つ含むことを特徴とする、請求項10に記載の炭化珪素の製造方法。
- 前記乾式珪素源はシリカ(silica)を含むことを特徴とする、請求項10に記載の炭化珪素の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100072129A KR101154808B1 (ko) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | 탄화 규소 및 이의 제조 방법 |
KR10-2010-0072129 | 2010-07-26 | ||
PCT/KR2011/005482 WO2012015208A2 (en) | 2010-07-26 | 2011-07-25 | Silicon carbide and method for manufacturing the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013535395A true JP2013535395A (ja) | 2013-09-12 |
Family
ID=45530583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013521703A Withdrawn JP2013535395A (ja) | 2010-07-26 | 2011-07-25 | 炭化珪素及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130129598A1 (ja) |
EP (1) | EP2598438A2 (ja) |
JP (1) | JP2013535395A (ja) |
KR (1) | KR101154808B1 (ja) |
CN (1) | CN103038166A (ja) |
WO (1) | WO2012015208A2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012112087A1 (de) | 2012-02-01 | 2013-08-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Verfahren und Vorrichtung für Übersetzung |
DE102015105085A1 (de) * | 2015-04-01 | 2016-10-06 | Universität Paderborn | Verfahren zum Herstellen eines Siliziumcarbid-haltigen Körpers |
CN106316400A (zh) * | 2016-08-18 | 2017-01-11 | 安徽兴源塑料包装有限公司 | 一种陶瓷茶壶生产工艺 |
FR3066398B1 (fr) * | 2017-05-18 | 2019-07-05 | X'sin | Prise d'escalade a detection capacitive, procede de realisation et mur associes |
KR101942815B1 (ko) * | 2017-11-13 | 2019-01-30 | 한국과학기술연구원 | 친환경적인 다공성 탄화규소 구조체의 제조방법 |
CN108083281A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-29 | 江苏乐园新材料集团有限公司 | 一种保护层形态变化式碳化硅制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4529575A (en) * | 1982-08-27 | 1985-07-16 | Ibiden Kabushiki Kaisha | Process for producing ultrafine silicon carbide powder |
US4702900A (en) * | 1985-04-08 | 1987-10-27 | Bridgestone Corporation | Method of producing silicon carbide |
US4784939A (en) * | 1987-09-02 | 1988-11-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Photothermographic elements |
US5340417A (en) * | 1989-01-11 | 1994-08-23 | The Dow Chemical Company | Process for preparing silicon carbide by carbothermal reduction |
JPH06166510A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-14 | Tokai Carbon Co Ltd | 微粒子状炭化珪素の製造方法 |
JP4068825B2 (ja) * | 2001-10-16 | 2008-03-26 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 |
KR100471652B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2005-03-08 | 한국과학기술연구원 | 반응결합 탄화규소 제조방법 |
JP2007045689A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素焼結体用粉体及びその製造方法 |
WO2008054415A2 (en) * | 2005-12-07 | 2008-05-08 | Ii-Vi Incorporated | Method for synthesizing ultrahigh-purity silicon carbide |
KR100972601B1 (ko) * | 2007-10-26 | 2010-07-27 | 주식회사 썬세라텍 | 탄화규소 나노분말의 제조방법 |
KR101575348B1 (ko) * | 2008-12-19 | 2015-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 실리콘 카바이드 파우더의 제조방법 |
-
2010
- 2010-07-26 KR KR1020100072129A patent/KR101154808B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-07-25 EP EP11812738.0A patent/EP2598438A2/en not_active Withdrawn
- 2011-07-25 WO PCT/KR2011/005482 patent/WO2012015208A2/en active Application Filing
- 2011-07-25 US US13/812,763 patent/US20130129598A1/en not_active Abandoned
- 2011-07-25 JP JP2013521703A patent/JP2013535395A/ja not_active Withdrawn
- 2011-07-25 CN CN2011800369699A patent/CN103038166A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103038166A (zh) | 2013-04-10 |
EP2598438A2 (en) | 2013-06-05 |
WO2012015208A3 (en) | 2012-04-19 |
WO2012015208A2 (en) | 2012-02-02 |
KR20120010534A (ko) | 2012-02-03 |
KR101154808B1 (ko) | 2012-06-18 |
US20130129598A1 (en) | 2013-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10730753B2 (en) | Eco-friendly method for manufacturing of porous silicon carbide structure | |
JP2013535395A (ja) | 炭化珪素及びその製造方法 | |
US9534316B2 (en) | Silicon carbide powder and method for manufacturing the same | |
KR102017689B1 (ko) | 탄화규소 분말의 제조 방법 | |
JP2013503099A (ja) | 炭化ケイ素粉体製造方法及びシステム | |
JPS5850929B2 (ja) | 炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
KR101897020B1 (ko) | 탄화규소 분말, 이의 제조 방법, 탄화규소 소결체 및 이의 제조 방법 | |
CN112093801A (zh) | 一种稻壳基纳米碳化硅/碳复合吸波材料及其制备方法 | |
JP2013532626A (ja) | 炭化珪素及びその製造方法 | |
JP2008150263A (ja) | 炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
JP2015074565A (ja) | 球状炭化ケイ素粉及びその製造方法 | |
JP4930915B2 (ja) | 高純度SiC微粉末の製造方法 | |
KR20120012345A (ko) | 탄화 규소 및 이의 제조 방법 | |
US20140209838A1 (en) | Method of fabricating silicon carbide | |
KR101209967B1 (ko) | 탄소-탄화규소 혼합물 및 이의 제조 방법, 그리고 탄화규소 소결체의 제조 방법 | |
KR20100115993A (ko) | 고순도 베타상 탄화규소 미세 분말의 저온 제조 방법 | |
US9416012B2 (en) | Method of fabricating silicon carbide powder | |
KR101349502B1 (ko) | 탄화규소 분말 제조 방법 | |
Ahmed et al. | Influence of the pH on the Morphology of Sol–Gel‐Derived Nanostructured SiC | |
KR20130020490A (ko) | 탄화 규소 및 이의 제조 방법 | |
KR20130000858A (ko) | 실리콘 카바이드 파우더의 제조방법 | |
KR102355080B1 (ko) | 탄화규소 분말 | |
KR101210218B1 (ko) | 탄화 규소 및 이의 제조 방법 | |
KR20160074264A (ko) | 탄화규소 분말 합성 원료 | |
KR101326917B1 (ko) | 탄화규소 분말 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20141007 |