JP2013535350A - 研磨システム用研磨パッド - Google Patents
研磨システム用研磨パッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013535350A JP2013535350A JP2013524796A JP2013524796A JP2013535350A JP 2013535350 A JP2013535350 A JP 2013535350A JP 2013524796 A JP2013524796 A JP 2013524796A JP 2013524796 A JP2013524796 A JP 2013524796A JP 2013535350 A JP2013535350 A JP 2013535350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- flow path
- polishing pad
- region
- path pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 191
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 23
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 45
- 238000007494 plate polishing Methods 0.000 abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 5
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 2
- 241000501754 Astronotus ocellatus Species 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
【選択図】図4
Description
110…下部ユニット
114…回転軸
120…上部ユニット
124…スピンドル
130…研磨液供給ユニット
140…キャリア
200…研磨パッド
201…流路
202…研磨面
204…第1領域
205…内部領域
206…第2領域
207…外部領域
210…研磨液供給部
212…第1供給部
213…第1孔
214…第2供給部
215…第2孔
217…円形供給部
219…放射供給路
220…第1流路パターン
230…第2流路パターン
232…円形流路
234…放射流路
236…第2放射流路
Claims (12)
- 研磨プレートに装着可能であり、研磨液供給部から供給された研磨液を研磨面上で移動させることができるように予め決められた流路パターンが形成された研磨パッドにおいて、
上記流路パターンは、少なくとも2種類以上であることを特徴とする研磨システム用研磨パッド。 - 上記流路パターンは、
上記研磨パッドの中心を含む第1領域に形成された第1流路パターンと、
上記中心から外側方向に上記第1領域を取り囲むように仕切られた第2領域に形成された第2流路パターンとを備えることを特徴とする請求項1に記載の研磨システム用研磨パッド。 - 上記第2流路パターンは、
上記中心から同心円上に配列され、互いに予め決められた間隔で離隔して配置された少なくとも2つ以上の円形流路と、
上記円形流路を交差するように上記中心から放射状に延長して配置された複数の放射流路を含むことを特徴とする請求項2に記載の研磨システム用研磨パッド。 - 上記複数の放射流路の各々は、研磨パッドの遠心力方向と一致するように設けられたことを特徴とする請求項3に記載の研磨システム用研磨パッド。
- 上記第2領域は、上記第1領域に隣り合うように配置された内部領域と、上記内部領域の外側に配置された外部領域とを含み、
上記第2流路パターンは、上記外部領域の流路が上記内部領域の流路よりもさらに緻密に配置されたことを特徴とする請求項2から4の何れか1項に記載の研磨システム用研磨パッド。 - 上記第2流路パターンは、
上記外部領域で隣り合う上記放射流路の間に形成された第2放射流路をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の研磨システム用研磨パッド。 - 上記研磨液供給部は、
上記第1領域に上記研磨液を供給するための第1供給部と、
上記第2領域に上記研磨液を供給するための第2供給部とを備えることを特徴とする請求項2から6の何れか1項に記載の研磨システム用研磨パッド。 - 上記第1供給部は、
上記中心と一致するように貫通形成された第1孔と、
上記第1孔と上記第2供給部とが連通するように上記第1領域を横切って配置された直線供給路とを含むことを特徴とする請求項7に記載の研磨システム用研磨パッド。 - 上記第2供給部は、
上記第1領域と上記第2領域との境界線上に貫通形成された複数の第2孔と、
上記第2孔と連通するように上記境界線上に設けられた円形供給路と、
各々の上記第2孔から外側放射状に屈曲して形成された屈曲放射供給路とを含むことを特徴とする請求項7または8に記載の研磨システム用研磨パッド。 - 上記研磨パッドは、円形であることを特徴とする請求項1から9の何れか1項に記載の研磨システム用研磨パッド。
- 上記第1流路パターンは、互いに直交する複数の格子状流路を含むことを特徴とする請求項2に記載の研磨システム用研磨パッド。
- 上記流路の幅は、1〜30mmであり、隣り合う流路間の間隔は、10〜100mmであることを特徴とする請求項1から11の何れか1項に記載の研磨システム用研磨パッド。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100079882A KR101232787B1 (ko) | 2010-08-18 | 2010-08-18 | 연마 시스템용 연마 패드 |
KR10-2010-0079882 | 2010-08-18 | ||
PCT/KR2011/006088 WO2012023818A2 (ko) | 2010-08-18 | 2011-08-18 | 연마 시스템용 연마 패드 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013535350A true JP2013535350A (ja) | 2013-09-12 |
JP5924596B2 JP5924596B2 (ja) | 2016-05-25 |
Family
ID=45605574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013524796A Active JP5924596B2 (ja) | 2010-08-18 | 2011-08-18 | 研磨システム用研磨パッド |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8647178B2 (ja) |
EP (1) | EP2607019B1 (ja) |
JP (1) | JP5924596B2 (ja) |
KR (1) | KR101232787B1 (ja) |
CN (1) | CN103079767B (ja) |
WO (1) | WO2012023818A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017001111A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 株式会社ディスコ | 研磨パッド及びcmp研磨方法 |
CN108747721A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-06 | 李涵 | 一种半导体晶圆半精磨、精磨设备 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103317430B (zh) * | 2013-05-22 | 2015-08-19 | 浙江工业大学 | 防碰撞悬浮抛光装置 |
CN105881246B (zh) * | 2014-12-19 | 2018-06-08 | 浙江金徕镀膜有限公司 | 基板处理装置 |
US10875146B2 (en) * | 2016-03-24 | 2020-12-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | Debris-removal groove for CMP polishing pad |
CN106392820B (zh) * | 2016-09-27 | 2019-05-17 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 一种环形抛光机 |
US10777418B2 (en) * | 2017-06-14 | 2020-09-15 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, I | Biased pulse CMP groove pattern |
US10857647B2 (en) | 2017-06-14 | 2020-12-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | High-rate CMP polishing method |
US10861702B2 (en) | 2017-06-14 | 2020-12-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | Controlled residence CMP polishing method |
US10857648B2 (en) * | 2017-06-14 | 2020-12-08 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings | Trapezoidal CMP groove pattern |
US10586708B2 (en) | 2017-06-14 | 2020-03-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Uniform CMP polishing method |
KR102256204B1 (ko) * | 2018-06-29 | 2021-05-26 | 주식회사 엘지화학 | 유리기판 연마 패드 |
KR102656242B1 (ko) * | 2019-04-16 | 2024-04-09 | 주식회사 엘지화학 | 화학기계연마용 연마패드 |
JPWO2020255744A1 (ja) * | 2019-06-19 | 2020-12-24 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5020283A (en) * | 1990-01-22 | 1991-06-04 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with uniform abrasion |
JPH10329012A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-12-15 | Canon Inc | 研磨装置および研磨方法 |
JPH11216663A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
JPH11285963A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ研磨用研磨布若しくは研磨定盤からなる研磨体及び該研磨体を用いたウェーハ研磨方法 |
JP2000198061A (ja) * | 1998-12-29 | 2000-07-18 | United Microelectronics Corp | 化学的機械的研磨パッド |
JP2001071256A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-21 | Shinozaki Seisakusho:Kk | 研磨パッドの溝形成方法及び装置並びに研磨パッド |
JP2004327567A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Rodel Nitta Co | 研磨パッド |
JP2004358653A (ja) * | 2003-04-29 | 2004-12-24 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 最適化された溝を有する研磨パッド及び同パッドを形成する方法 |
JP2005177897A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 研磨方法および研磨装置と半導体装置製造方法 |
JP2006068870A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び研磨布 |
JP2007201449A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法 |
JP2008302458A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Nikon Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100325614B1 (ko) * | 1999-10-25 | 2002-02-25 | 황인길 | 화학 기계적 연마용 연마 패드 |
JP2003145402A (ja) | 2001-11-09 | 2003-05-20 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス物品用研磨具 |
US6955587B2 (en) * | 2004-01-30 | 2005-10-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Grooved polishing pad and method |
US7329174B2 (en) * | 2004-05-20 | 2008-02-12 | Jsr Corporation | Method of manufacturing chemical mechanical polishing pad |
KR100568258B1 (ko) * | 2004-07-01 | 2006-04-07 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마용 연마 패드 및 이를 이용하는 화학적기계적 연마 장치 |
US7131895B2 (en) * | 2005-01-13 | 2006-11-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | CMP pad having a radially alternating groove segment configuration |
CN100526017C (zh) * | 2005-09-16 | 2009-08-12 | 联华电子股份有限公司 | 化学机械研磨装置及其研磨垫的调节方法 |
TW200744786A (en) * | 2005-12-28 | 2007-12-16 | Jsr Corp | Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method |
US7311590B1 (en) | 2007-01-31 | 2007-12-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with grooves to retain slurry on the pad texture |
KR100987213B1 (ko) | 2008-07-11 | 2010-10-12 | 삼성전자주식회사 | 바이오 키를 이용하여 VoIP을 기반으로 한 통신을수행하는 방법 및 장치 |
CN201287300Y (zh) * | 2008-10-30 | 2009-08-12 | 贝达先进材料股份有限公司 | 抛光垫 |
-
2010
- 2010-08-18 KR KR1020100079882A patent/KR101232787B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-08-18 CN CN201180039962.2A patent/CN103079767B/zh active Active
- 2011-08-18 EP EP11818418.3A patent/EP2607019B1/en active Active
- 2011-08-18 JP JP2013524796A patent/JP5924596B2/ja active Active
- 2011-08-18 WO PCT/KR2011/006088 patent/WO2012023818A2/ko active Application Filing
-
2013
- 2013-02-15 US US13/769,029 patent/US8647178B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5020283A (en) * | 1990-01-22 | 1991-06-04 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with uniform abrasion |
JPH10329012A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-12-15 | Canon Inc | 研磨装置および研磨方法 |
JPH11216663A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Sony Corp | 研磨パッド、研磨装置および研磨方法 |
JPH11285963A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウェーハ研磨用研磨布若しくは研磨定盤からなる研磨体及び該研磨体を用いたウェーハ研磨方法 |
JP2000198061A (ja) * | 1998-12-29 | 2000-07-18 | United Microelectronics Corp | 化学的機械的研磨パッド |
JP2001071256A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-21 | Shinozaki Seisakusho:Kk | 研磨パッドの溝形成方法及び装置並びに研磨パッド |
JP2004327567A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Rodel Nitta Co | 研磨パッド |
JP2004358653A (ja) * | 2003-04-29 | 2004-12-24 | Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc | 最適化された溝を有する研磨パッド及び同パッドを形成する方法 |
JP2005177897A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 研磨方法および研磨装置と半導体装置製造方法 |
JP2006068870A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法及び研磨布 |
JP2007201449A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-08-09 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法 |
JP2008302458A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Nikon Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017001111A (ja) * | 2015-06-05 | 2017-01-05 | 株式会社ディスコ | 研磨パッド及びcmp研磨方法 |
CN108747721A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-11-06 | 李涵 | 一种半导体晶圆半精磨、精磨设备 |
CN108747721B (zh) * | 2018-05-29 | 2019-11-01 | 江苏锡沂高新区科技发展有限公司 | 一种半导体晶圆半精磨、精磨设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2607019B1 (en) | 2020-01-08 |
CN103079767A (zh) | 2013-05-01 |
WO2012023818A3 (ko) | 2012-05-10 |
KR101232787B1 (ko) | 2013-02-13 |
KR20120017280A (ko) | 2012-02-28 |
CN103079767B (zh) | 2016-01-20 |
EP2607019A2 (en) | 2013-06-26 |
US20130196580A1 (en) | 2013-08-01 |
US8647178B2 (en) | 2014-02-11 |
EP2607019A4 (en) | 2017-08-16 |
JP5924596B2 (ja) | 2016-05-25 |
WO2012023818A2 (ko) | 2012-02-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5924596B2 (ja) | 研磨システム用研磨パッド | |
JP3761372B2 (ja) | 半導体基板の化学機械的研磨に用いられる研磨パッド | |
JP5516051B2 (ja) | 研磨パッドを用いた研磨装置及びガラス板の製造方法 | |
US8303378B2 (en) | Polishing pad, polishing method and method of forming polishing pad | |
KR20030015567A (ko) | 웨이브 형태의 그루브가 형성된 화학적 기계적 연마패드 | |
CN105917447B (zh) | 晶片磨削装置 | |
JP2014188729A (ja) | スクライビングホイール、スクライブ装置及びスクライビングホイールの製造方法 | |
KR20160045047A (ko) | 스크라이빙 휠, 스크라이브 장치 및 스크라이브 방법 | |
JP5003015B2 (ja) | 基板の研削方法 | |
CN107507793B (zh) | 蚀刻设备 | |
JP2004327567A (ja) | 研磨パッド | |
TWI566289B (zh) | Tray and workpiece double-sided grinding device | |
JP3219817U (ja) | 研削装置 | |
JP5023099B2 (ja) | 研磨パッドおよび研磨装置 | |
JP2007083337A (ja) | 平面研磨装置 | |
JP2003231044A (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板の面取加工方法及び面取加工装置 | |
CN109454548B (zh) | 两面研磨装置用的被研磨物保持用游星轮 | |
KR101941768B1 (ko) | 웨이퍼의 양면 연마장치 | |
WO2020250678A1 (ja) | 炭化珪素基板および炭化珪素基板の製造方法 | |
JP5239843B2 (ja) | 切削工具再研磨装置 | |
JP2014230053A (ja) | 圧電素子ウエハ形成方法 | |
KR20050095818A (ko) | 웨이브 형태의 그루브가 형성된 화학적 기계적 연마패드 | |
JPH11300626A (ja) | 研削装置 | |
US20120311861A1 (en) | Manufacturing method of roller used for manufacturing patterned retardation film | |
JP6337602B2 (ja) | 研磨基板を製造する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140507 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150126 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150202 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151228 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160407 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5924596 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |