JP2013529591A - 中鎖長ポリシランおよびそれを製造する方法 - Google Patents

中鎖長ポリシランおよびそれを製造する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013529591A
JP2013529591A JP2013517346A JP2013517346A JP2013529591A JP 2013529591 A JP2013529591 A JP 2013529591A JP 2013517346 A JP2013517346 A JP 2013517346A JP 2013517346 A JP2013517346 A JP 2013517346A JP 2013529591 A JP2013529591 A JP 2013529591A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polysilane
chain length
ppm
medium chain
range
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013517346A
Other languages
English (en)
Inventor
ノルベルト アウナー,
クリスティアン バオホ,
ルーメン デルチェフ,
スヴェン ホル,
ヤファト モッセニ,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Spawnt Private SARL
Original Assignee
Spawnt Private SARL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Spawnt Private SARL filed Critical Spawnt Private SARL
Publication of JP2013529591A publication Critical patent/JP2013529591A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04Hydrides of silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms

Abstract

本発明は、各々少なくとも1つのSi−Si直接結合を有する純粋な化合物または化合物の混合物としての中鎖長ポリシランであって、前記ポリシランの置換基がハロゲンおよび/または水素のみからなり、その中鎖長nは3より大きく50より小さく、好ましくは3より大きく9より小さく、特に好ましくは3より大きく7より小さく、その組成における置換基:ケイ素の原子比は少なくとも1:1である中鎖長ポリシランに関する。本発明はまた、中鎖長ポリシランの製造方法に関する。
【選択図】図1

Description

本発明は、各々の場合に少なくとも1つのSi−Si直接結合を有する純粋な化合物または化合物の混合物としての中鎖長ポリシランであって、その置換基がハロゲンおよび/または水素のみからなり、その組成は置換基:ケイ素の原子比が少なくとも1:1である中鎖長ポリシランおよびその調製方法に関する。
先行技術によれば、ポリシランは数多くの方法、たとえば還元剤の存在下または非存在下で蒸気状のクロロシランを比較的高い温度(700℃を超える)に加熱することによって調製される。しかしこのようにして得られた塩素化ポリシラン(PCS)は短鎖、分枝および/または環状の分子の割合を多く有するのみで、さらには溶媒/触媒または反応器壁からの物質によって汚染されている。さらに、先行技術で特定されるポリシラン調製プロセスの不利益なところは、中鎖長ポリシランの特に効率的な調製を実用的な収率で実証していないということである。さらに、先行技術には、その優れた特性によって将来の工業プロセスにおいて重要な役割を果たすことになるポリシランが欠けている。
本発明の目的は、そのようなポリシランの特に効率的な調製法を達成するために、各々の場合に少なくとも1つのSi−Si直接結合を有する純粋な化合物または化合物の混合物としての中鎖長ポリシランであって、その置換基がハロゲンおよび/または水素のみからなり、その組成は置換基:ケイ素の原子比が少なくとも1:1である中鎖長ポリシランおよびその調製方法を提供することにある。
この目的は請求項1に記載の特徴を有する中鎖長ポリシランおよび請求項20に記載の特徴を有する方法により、本発明によって達成される。
本発明の中鎖長ポリシランの化学的特性はSi−Si直接結合が存在することが特徴であり、その結果として、これらの物質は酸素および塩素に強い親和性を有し、これらの元素と結合するのに適している。たとえば、塩素化オリゴシランは脱酸素反応に使用される。本発明のポリシランはさらに適切な不活性溶媒に完全に溶解する。それはポリシランの平均鎖長が3より大きく50未満、好ましくは3より大きく9未満、より好ましくは3より大きく7未満であるためであり、それらのあるものは200℃、即ちその典型的には250℃を超える分解温度より充分に低い温度で1Paを超える(500hPa未満)顕著な蒸気圧を有し、そのためポリシランは気相または液相からのケイ素の堆積に使用することに適している。蒸気圧は、好ましくは200℃で1hPaを超え、1000hPa未満である。ここで特に強調すべきことは、ポリシランから適切なプロセス、たとえば高温で焼き戻すことによって、その分子組成によって純粋なケイ素が得られるという、本発明による全てのポリシランの特性である。
本発明の全てのポリシランに共通の別の特徴は、これらが熱処理の過程で不均化すること、即ちより長鎖の生成物およびより短鎖の生成物に分解することである。
本発明の好ましい発展は、従属請求項2〜19から明らかである。たとえば、臭素化ポリシランまたは水素化ポリシランは、無色ないし淡黄色である。塩素化ポリシランは、無色ないし緑黄色、強い橙色または赤褐色である。
中鎖長ポリシランはその分子構造によって液体または粘性ないし固体である。しかし純粋な形で固体であるポリシランは、液状ポリシランに部分的にまたは完全に溶解しても存在し得る。
ポリシランの適切な金属含量は1%未満である。
結晶ケイ素の堆積のためには、水素含量2atom%未満のポリシランを使用することが好ましい。
特定の液体コーティングプロセスのためには、直鎖状の長鎖を主に含み、短い分枝鎖および環状化合物を実質的に含まないポリシランを使用することが好ましい。これに関連して、全生成物を基準とした短鎖成分における分枝部位の含量は、好ましくは2%未満である。
低温での堆積反応のためには、その置換基が水素のみからなるポリシランを使用することが特に好ましい。
ポリシランの置換基は、好ましくはハロゲンのみからまたはハロゲンおよび水素のみからなる。
中鎖長ポリシランは、複数の異なったハロゲンからなるハロゲン置換基を含んでいてもよい。
特定の液体コーティングプロセスのためには、基本構造の平均サイズがn=8〜20のポリシランを使用することが好ましい。短鎖成分を蒸留によって除去した後の基本構造の平均サイズがn=15〜30のポリシランを使用することが特に好ましい。
<分光学的特性>
ポリシランは、
a)そのIR分子振動スペクトルにおいて波数2400未満の範囲に唯一のバンドを有し、
b)ラマン分子振動スペクトルにおいて波数2300未満の範囲に唯一のバンドを有する。
置換基がフッ素からなるポリシランは、
a)29SiのNMRスペクトルにおいて、8ppm〜−40ppmおよび/または−45ppm〜−115ppmの化学シフト範囲内に顕著な生成物信号を有し、
b)10cm−1〜165cm−1、170cm−1〜240cm−1、245cm−1〜360cm−1、380cm−1〜460cm−1、および480cm−1〜650cm−1ならびに900cm−1〜980cm−1の範囲内に典型的なラマン強度を有する。
置換基が塩素からなるポリシランは、
a)29SiのNMRスペクトルにおいて、15ppm〜−10ppm、−25ppm〜−40ppmおよび/または−65ppm〜−96ppmの化学シフト範囲内に顕著な生成物信号を有し、
b)10cm−1〜165cm−1、170cm−1〜240cm−1、245cm−1〜360cm−1、380cm−1〜460cm−1、および480cm−1〜650cm−1の範囲内に典型的なラマン強度を有する。
置換基が臭素からなるポリシランは、
a)29SiのNMRスペクトルにおいて、−10ppm〜−42ppm、−46ppm〜−55ppmおよび/または−63ppm〜−96ppmの化学シフト範囲内にその顕著な生成物信号を有し、
b)10cm−1〜150cm−1、155cm−1〜350cm−1、390cm−1〜600cm−1、および930cm−1〜1000cm−1の範囲内に典型的なラマン強度を有する。
置換基がヨウ素からなるポリシランは、
a)29SiのNMRスペクトルにおいて、−20ppm〜−55ppm、−65ppm〜−105ppmおよび/または−135ppm〜−181ppmの化学シフト範囲内に顕著な生成物信号を有し、
b)10cm−1〜150cm−1、155cm−1〜600cm−1、および930cm−1〜1000cm−1の範囲内に典型的なラマン強度を有する。
置換基が水素からなるポリシランは、
a)29SiのNMRスペクトルにおいて、−65ppm〜−170ppmの化学シフト範囲内に顕著な生成物信号を有し、
b)ラマン分子振動スペクトルにおいて、波数2000〜2200の範囲内に特徴的なバンドを有し、波数2000〜1100の範囲内にバンドを有しない。
IR測定は、Jasco社のFT/IR−420分光計を用い、KBrディスクとして得た。液体は前もって形成したKBrディスクに吸収させるか、またはNaClプレートの間で測定した。
ラマン分子振動スペクトルは、Dilor社のXY800分光計を用い、調節可能なレーザ励起(T−サファイアレーザ、Arイオンレーザによる励起)および共焦点ラマンおよび発光顕微鏡、液体窒素で冷却したCCD検出器を用いて、測定温度を室温とし、514.53nmおよび750nmを含む可視スペクトル範囲における励起波長で測定した。
29SiのNMRスペクトルは、250MHzのBruker OPX250型の装置を用い、zg30パルスシーケンスで、外部標準としてテトラメチルシラン(TMS)を参照して記録された[δ(29Si)=0.0]。ここで取得パラメータは、TD=32k、AQ=1.652s、D1=10s、NS=2400、O1P=−40、SW=400である。
中鎖長ポリシランSi2n+2およびSi2n(式中、nは3より大きく50未満、好ましくは3より大きく9未満、より好ましくは3より大きく7未満であり、X=F、Cl、Br、Iおよび/またはHである)を調製するための本発明の方法は、以下に述べる合成ステップの1つまたは複数を含むことを特徴とする。個別の変形例は以下に再現する。
第1の変形例において、ポリシランは、ハロシランのプラズマ支援合成によって得られる。
第2の変形例において、ポリシランは、ハロゲンが臭素であるハロシランのプラズマ支援合成によって得られる。
第3の変形例においては、ポリシランは、H−シランおよび/またはH−オリゴシランのプラズマ支援合成によって得られる。
第4の変形例において、ポリシランは、ハロゲン化オリゴシランのプラズマ支援合成によって得られる。ハロゲン化ジシランおよびハロゲン化トリシランを使用することが特に好ましい。
第5の変形例において、ポリシランは、有機基で置換されたシランおよび/またはオリゴシランをも含む混合物のプラズマ支援合成によって得られる。この目的のためには、たとえばメチルクロロシランが使用される。
プラズマ支援合成の間、ハロシラン:水素の混合比は1:0〜1:2、圧力範囲は0.8〜10hPaとすることが好ましい。
第6の変形例において、ポリシランは、より長鎖のポリシランを分割するためのHClおよび/またはHBrを用いたハロゲン化水素によって得られる。ここでは圧力範囲を1bar〜43barとすることが好ましい。ハロゲン化水素は触媒、たとえばアンモニウム塩によって促進され得る。
第7の変形例において、ポリシランは、ジシランおよび/またはトリシランと、触媒としての有機ホスホニウム塩および/または有機アンモニウム塩との触媒的カップリングによって得られる。これは副生成物として短鎖ポリシランを生成する不均化反応に対応する。
第8の変形例において、ポリシランは、低級ハロシラン(たとえばジシランおよび/またはトリシラン)とアルカリ金属および/またはマグネシウムとのウルツカップリングによって得られる。活性化金属、たとえばRiekeマグネシウムが特に好ましい。
第9の変形例において、ポリシランは、シクロシラン(Si2n)(ここでnは好ましくは4、5および/または6)の開環重合によって得られる。
第10の変形例において、ポリシランは脱ハロゲン化水素によるカップリングによって得られる。これはハロゲン化水素分子の脱離を伴う重縮合に対応する。
第11の変形例において、ポリシランは、水素化および/または部分水素化シランと遷移金属錯体との脱水素カップリングによって得られる。
第12の変形例において、ポリシランは、中鎖長ポリシランの水素化によって得られる。この目的のためには、ハロゲン化ポリシランを使用することが好ましい。ポリシランの水素化のためには、金属水素化物またはメタロイド水素化物を使用することが好ましい。
上記の反応が起こる反応器のパーツは、−70℃〜500℃、特に−20℃〜280℃の温度に保たれる。
第13の変形例において、ポリシランは、ポリシランの熱分解により、不均化して蒸気相から本発明のポリシランを分離することによって得られる。圧力範囲10〜1013hPaで行なうことが好ましい。
第14の変形例において、ポリシランは、触媒物質上の熱分解的鎖延長によって得られる。出発原料の不均化の後、より長鎖の成分を生成混合物から分離することが好ましい。
第15の変形例において、ポリシランは、ケイ素とSiXとの熱反応によって得られる。
塩素化ペンタシランの異性体混合物の29Si NMRスペクトルを示す図である。
以下、実施例および図面によって本発明の種々の形態を説明する。
<実施例1>
PCSの合成:500sccmのHと500sccmのSiClとの混合物(1:1)を、処理圧を1.6〜1.8hPaの範囲内で一定に保ちながら、石英ガラス反応器に導入する。次いで高周波放電によって気体混合物をプラズマ状態に転化する。この過程で、生成した塩素化ポリシランが反応器の冷却された(20℃)石英ガラス壁に沈着する。放射電力は400Wである。2時間後、黄色〜橙黄色の生成物を少量のSiClに溶解することによって反応器から取り出す。減圧でSiClを除去することにより、91.1gのポリシランが橙黄色の粘稠物質の形態で得られる。凝固点降下法により平均分子量が約1700g/molと決定され、これは塩素化ポリシラン(SiClまたはSiCl2n+2について、平均鎖長約n=17((SiClについて)または約n=16(SiCl2n+2について)に対応する。
<実施例2>
PCSのプラズマ合成およびその後の熱分解:300sccmのHと600sccmのSiClとの混合物(1:2)を、処理圧を1.5〜1.6hPaの範囲内で一定に保ちながら、石英ガラス反応器に導入する。次いで高周波放電によって気体混合物をプラズマ状態に転化する。この過程で、生成した塩素化ポリシランが反応器の冷却された(20℃)石英ガラス壁に沈着する。放射電力は400Wである。4時間後、橙黄色の生成物を少量のSiClに溶解することによって反応器から取り出す。減圧でSiClを除去することにより、187.7gの塩素化ポリシランが橙黄色の粘稠物質の形態で得られる。凝固点降下法により平均分子量が約1400g/molと決定され、これは塩素化ポリシラン(SiClまたはSiCl2n+2について、平均鎖長約n=14((SiClについて)または約n=13(SiCl2n+2について)に対応する。SiCl中に溶解している、平均実験式SiCl2n(φn=18)を有するこのポリクロロシラン混合物の50〜60%溶液を最初にガラス容器に入れ、2〜3時間、300〜500mbarの圧で300℃に加熱する。その後、3時間にわたって最後には10mbarまで圧を段階的に低下させ、900℃に加熱する。最後に1時間、900℃の温度で放置する。ポリクロロシラン混合物の熱分解の間に逃散する蒸気は、液体窒素で冷却したコールドトラップに凝縮される。ポリクロロシラン混合物は、実験式SiCl0.05〜SiCl0.07の固体状で高度に架橋した塩素化ポリシラン(塩化物含有ケイ素)と短鎖クロロシランとに転化する。反応完了時に、容器を冷却して固体状の生成物を取り出した。出発物質を基準とした収率は10〜15質量%のSiCl0.05〜SiCl0.07および85〜90質量%の短鎖クロロシランであり(希釈剤を含まず)、本発明に係るOCS約35%が存在していた。蒸留により、主にn=5の分画を分離する。29SiのNMRスペクトル(図1)において、これは塩素化ペンタシランの異性体混合物(3化合物)であることが明白である。
<実施例3>
PCSのプラズマ合成およびその後の塩素化:200sccmのHと600sccmのSiCl蒸気の混合物(1:3)を、処理圧を1.50〜1.55hPaの範囲内で一定に保ちながら、石英ガラス反応器に導入する。次いで高周波放電によって気体混合物をプラズマ状態に転化する。この過程で、生成した塩素化ポリシランが反応器の冷却された(20℃)石英ガラス壁に沈着する。放射電力は400Wである。2時間9分後、橙黄色の生成物を少量のSiClに溶解することによって反応器から取り出す。減圧でSiClを除去することにより、86.5gの塩素化ポリシランが橙黄色の粘稠物質の形態で得られる。凝固点降下法により平均分子量が約1300g/molと決定され、これは塩素化ポリシラン(SiClまたはSiCl2n+2について平均鎖長約n=13((SiClについて)または約n=12(SiCl2n+2について)に対応する。このようにして得られた塩素化ポリシラン80gを36.5gのSiClで希釈し、圧が1213hPaを超えないように、閉じた装置内で激しく撹拌しながら温度100〜131℃で24.5時間、塩素ガスと接触させた。この後、分別蒸留を行ない、SiCl2n+2(ここでn=1〜3)を除去して、残渣9.25gを得た。29Siのスペクトル解析によれば、これは主に複数のネオクロロシランとイソSiCl10とからなる。
鎖長は、化合物中で互いに直接結合したケイ素原子の数を指す。
本明細書において使用する用語「中鎖長」は、nが3より大きく50未満、好ましくはnが3より大きく9未満、より好ましくはnが3より大きく7未満である化合物に関連する。
本明細書において使用する用語「より長鎖」は、nが3より大きい化合物に関連する。nは互いに直接結合したケイ素原子の数である。
「実質的にない」は、混合物中の存在量が2%未満であることを意味するものである。
「主に」は、問題の成分が混合物中に50%を超えて存在することを意味すると理解される。
「のみ」は、混合物中に存在する不純物のレベルが高純度のファインケミカル製品で通常であったレベル(たとえば99%を超える)よりもずっと低いことを意味することになっている。したがって、本明細書においては少なくとも99.9%の純度を意味する。
「不活性溶媒」は、標準条件下で中鎖長の(たとえばハロゲン化)ポリシラン(以後、簡潔に「ポリシラン」と称する)と自発的には反応しない溶媒(たとえばSiCl、ベンゼン、トルエン、パラフィン等)を意味すると理解される。
ポリシランは、好ましくは半導体技術における適用、より好ましくは光発電において通例の適用のための要求を満たす。
本発明による方法については、実施する変形例に応じて、使用する出発原料はモノシランおよび/またはポリシランであってよい。本発明に係る方法に関連して、モノシランはHSiX4−n型(X=F、Cl、Br、I;n=0〜4)の化合物、ポリシランはSi2nおよび/またはSi2n+2型(X=F、Cl、Br、Iおよび/またはH)の化合物、またはその混合物を指す。

Claims (28)

  1. 各々の場合に少なくとも1つのSi−Si直接結合を有する純粋な化合物または化合物の混合物としての中鎖長ポリシランであって、その置換基がハロゲンおよび/または水素からなり、その組成は置換基:ケイ素の原子比が少なくとも1:1である中鎖長ポリシランにおいて、
    a)前記中鎖長は、3より大きく50未満、好ましくは3より大きく9未満、より好ましくは3より大きく7未満であり、
    b)前記ポリシランは、適切な不活性溶媒に可溶であり、
    c)前記ポリシランは、ケイ素の堆積のための出発原料として適切であり、
    d)前記ポリシランは、酸素結合特性および塩素結合特性を有し、
    e)前記ポリシランは、熱処理によってより長鎖の生成物およびより短鎖の生成物に分解すること
    を特徴とする中鎖長ポリシラン。
  2. IR分子振動スペクトルにおいて波数2400未満の範囲に唯一のバンドを有することを特徴とする、請求項1に記載の中鎖長ポリシラン。
  3. ラマン分子振動スペクトルにおいて波数2300未満の範囲に唯一のバンドを有することを特徴とする、請求項1または2に記載の中鎖長ポリシラン。
  4. a)前記ハロゲンはフッ素であり、
    b)29SiのNMRスペクトルにおいて、8ppm〜−40ppmおよび/または−45ppm〜−115ppmの化学シフト範囲内にその顕著な生成物信号を有し、
    c)10cm−1〜165cm−1、170cm−1〜240cm−1、245cm−1〜360cm−1、380cm−1〜460cm−1、および480cm−1〜650cm−1ならびに900cm−1〜980cm−1の範囲内に典型的なラマン強度を有する
    ことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  5. a)前記ハロゲンは塩素であり、
    b)29SiのNMRスペクトルにおいて、15ppm〜−10ppm、−25ppm〜−40ppmおよび/または−65ppm〜−96ppmの化学シフト範囲内にその顕著な生成物信号を有し、
    c)10cm−1〜165cm−1、170cm−1〜240cm−1、245cm−1〜360cm−1、380cm−1〜460cm−1、および480cm−1〜650cm−1の範囲内に典型的なラマン強度を有する
    ことを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  6. a)前記ハロゲンは臭素であり、
    b)29SiのNMRスペクトルにおいて、−10ppm〜−42ppm、−46ppm〜−55ppmおよび/または−63ppm〜−96ppmの化学シフト範囲内にその顕著な生成物信号を有し、
    c)10cm−1〜150cm−1、155cm−1〜350cm−1、390cm−1〜600cm−1、および930cm−1〜1000cm−1の範囲内に典型的なラマン強度を有する
    ことを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  7. a)前記ハロゲンはヨウ素であり、
    b)29SiのNMRスペクトルにおいて、−20ppm〜−55ppm、−65ppm〜−105ppmおよび/または−135ppm〜−181ppmの化学シフト範囲内にその顕著な生成物信号を有し、
    c)10cm−1〜150cm−1、155cm−1〜600cm−1、および930cm−1〜1000cm−1の範囲内に典型的なラマン強度を有する
    ことを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  8. a)前記置換基は水素からなり、
    b)29SiのNMRスペクトルにおいて、−65ppm〜−170ppmの化学シフト範囲内にその顕著な生成物信号を有し、
    c)ラマン分子振動スペクトルにおいて、波数2000〜2200の範囲内に特徴的なバンドを有し、波数2000〜1100の範囲内にバンドを有しない
    ことを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  9. 短い分枝鎖および環を実質的に含まず、全生成物の混合物を基準とした前記短鎖成分における分枝部位の含量が2%未満であることを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  10. 短い分枝鎖および環の含量が高く、全生成物の混合物を基準とした前記短鎖成分における分枝部位の含量が2%より多く、好ましくは10%より多いことを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  11. 複数の異なったハロゲンからなるハロゲン置換基を含むことを特徴とする、請求項1から10のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  12. 前記置換基は、ハロゲンのみからまたはハロゲンおよび水素のみからなることを特徴とする、請求項1から11のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  13. 直鎖状の長鎖を主に含むことを特徴とする、請求項1から12のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  14. 前記ポリシランの基本構造の平均サイズがn=8〜20であることを特徴とする、請求項1から13のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  15. 短鎖ポリシランを蒸留によって除去した後の前記ポリシランの基本構造の平均サイズがn=15〜30であることを特徴とする、請求項1から14のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  16. 粘性ないし固体であることを特徴とする、請求項1から15のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  17. 塩素化ポリシランとして存在する場合、緑黄色ないし強い橙色または赤褐色であり、臭素化ポリシランもしくは水素化ポリシランとして存在する場合、無色ないし黄色であることを特徴とする、請求項1から16のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  18. 適切な不活性溶媒に完全に溶解することを特徴とする、請求項1から17のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  19. 水素含量が2atom%未満であることを特徴とする、請求項1から18のいずれかに記載の中鎖長ポリシラン。
  20. 請求項1から19のいずれかに記載の中鎖長ポリシランSi2n+2およびSi2n(式中、nは3より大きく50未満、好ましくは3より大きく9未満、より好ましくは3より大きく7未満であり、X=F、Cl、Br、Iおよび/またはHである)を調製する方法であって、
    a)ハロシランのプラズマ支援合成ステップ、
    b)ハロゲンが臭素であるハロシランのプラズマ支援合成ステップ、
    c)H−シランおよび/またはH−オリゴシランのプラズマ支援合成ステップ、
    d)特に好ましくはハロゲン化ジシランおよびハロゲン化トリシランを使用する、ハロゲン化オリゴシランのプラズマ支援合成ステップ、
    e)有機基で置換されたシランおよび/またはオリゴシランをも含む混合物のプラズマ支援合成ステップ、
    f)HClおよび/またはHBrを用いてポリシランを分割するためのハロゲン化水素処理ステップ、
    g)ジシランおよび/またはトリシランと有機ホスホニウム塩および/または有機アンモニウム塩との触媒カップリングステップ、
    h)低級ハロシランとアルカリ金属および/またはマグネシウムとのウルツカップリングステップ、
    i)シクロシラン(Si2n)の開環重合ステップ、
    j)脱ハロゲン化水素によるカップリングステップ、
    k)部分水素化シランと遷移金属錯体との脱水素カップリングステップ、
    l)中鎖長ポリシランの水素化ステップ、
    m)ポリシランの熱分解ステップ、
    n)触媒物質上の熱分解的鎖延長ステップ、
    o)ケイ素とSiXとの熱反応ステップ
    の合成ステップの1つまたは複数を含むことを特徴とする方法。
  21. 前記中鎖長ポリシランの水素化において金属水素化物またはメタロイド水素化物を用いることを特徴とする、請求項20に記載の方法。
  22. 前記プラズマ支援合成ステップの場合、ハロシラン:水素の混合比を1:0〜1:2とすることを特徴とする、請求項20に記載の方法。
  23. 前記プラズマ支援合成ステップの間、圧力範囲を0.8〜10hPaとすることを特徴とする、請求項20に記載の方法。
  24. 前記熱分解ステップの間、圧力範囲を10〜1013hPaとすることを特徴とする、請求項20に記載の方法。
  25. 前記ハロゲン化水素処理ステップの間、圧力範囲を1bar〜43barとすることを特徴とする、請求項20に記載の方法。
  26. 前記反応が起こる反応器のパーツが、−70℃〜500℃、特に−20℃〜280℃の温度に保たれることを特徴とする、請求項20に記載の方法。
  27. PCSの前記プラズマ支援合成ステップに引き続いて熱分解処理を行なうことを特徴とする、請求項20に記載の方法。
  28. PCSの前記プラズマ支援合成ステップに引き続いて塩素化を行なうことを特徴とする、請求項20に記載の方法。
JP2013517346A 2010-07-02 2011-07-04 中鎖長ポリシランおよびそれを製造する方法 Pending JP2013529591A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010025948A DE102010025948A1 (de) 2010-07-02 2010-07-02 Polysilane mittlerer Kettenlänge und Verfahren zu deren Herstellung
DE102010025948.9 2010-07-02
PCT/EP2011/061258 WO2012001180A1 (de) 2010-07-02 2011-07-04 Polysilane mittlerer kettenlänge und verfahren zu deren herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013529591A true JP2013529591A (ja) 2013-07-22

Family

ID=44544097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013517346A Pending JP2013529591A (ja) 2010-07-02 2011-07-04 中鎖長ポリシランおよびそれを製造する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20130216465A1 (ja)
EP (1) EP2588411A1 (ja)
JP (1) JP2013529591A (ja)
KR (1) KR101569594B1 (ja)
CN (1) CN103080006A (ja)
DE (1) DE102010025948A1 (ja)
WO (1) WO2012001180A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017141889A1 (ja) * 2016-02-16 2017-08-24 昭和電工株式会社 オリゴシランの製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013021306A1 (de) * 2013-12-19 2015-06-25 Johann Wolfgang Goethe-Universität Verfahren zum Herstellen von linearen, cyclischen und/oder käfigartigen perhalogenierten Oligo- und Polysilyl-Anionen
DE102014109275A1 (de) * 2014-07-02 2016-01-07 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von Nanopartikeln, Nanopartikel und deren Verwendung
DE102014013250B4 (de) * 2014-09-08 2021-11-25 Christian Bauch Verfahren zur Aufreinigung halogenierter Oligosilane
US11097953B2 (en) 2018-10-11 2021-08-24 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Process for producing liquid polysilanes and isomer enriched higher silanes
US11401166B2 (en) 2018-10-11 2022-08-02 L'Air Liaquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Process for producing isomer enriched higher silanes
US10752507B2 (en) 2018-10-11 2020-08-25 L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Process for producing liquid polysilanes and isomer enriched higher silanes

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4998400A (ja) * 1973-01-27 1974-09-18
JPS591505A (ja) * 1982-06-28 1984-01-06 Tdk Corp 低摩擦薄膜付き物品
JPS59182222A (ja) * 1983-03-30 1984-10-17 Mitsui Toatsu Chem Inc ポリクロロシランの製造方法
JPS60218473A (ja) * 1984-04-16 1985-11-01 Canon Inc 堆積膜形成方法
JPS6389414A (ja) * 1986-10-03 1988-04-20 Mitsubishi Metal Corp クロロポリシランの製造方法
JPH01100010A (ja) * 1987-10-14 1989-04-18 Canon Inc 非晶質水素化シリコン微粒子膜及びその製造方法
JP2003313299A (ja) * 2002-04-22 2003-11-06 Seiko Epson Corp 高次シラン組成物及び該組成物を用いたシリコン膜の形成方法
JP2008174416A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Seiko Epson Corp 高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス
JP2008542162A (ja) * 2005-05-25 2008-11-27 アールイーヴィー・リニューヴァブル・エナジー・ヴェンチャーズ・アクチエンゲゼルシャフト ハロゲン化シランから珪素を製造する方法
WO2010003729A1 (en) * 2008-06-17 2010-01-14 Evonik Degussa Gmbh Process for preparing higher hydridosilanes
JP2010521393A (ja) * 2007-03-15 2010-06-24 レヴ・リニューワブル・エナージー・ヴェンチャーズ・インコーポレーティッド プラズマ支援合成
JP2011520762A (ja) * 2008-05-27 2011-07-21 シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ ハロゲン化ポリシラン及びこれを製造するためのプラズマ化学処理

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB703349A (en) 1949-12-10 1954-02-03 Ferranti Ltd Improvements relating to coin-actuated mechanisms
GB702349A (en) 1950-07-08 1954-01-13 British Thomson Houston Co Ltd Improvements in and relating to the preparation of chloropolysilanes
DE955414C (de) 1954-09-04 1957-01-03 Kali Cheime Ag Verfahren zur Herstellung von Siliciumsubbromiden
US4309259A (en) 1980-05-09 1982-01-05 Motorola, Inc. High pressure plasma hydrogenation of silicon tetrachloride
US4374182A (en) 1980-07-07 1983-02-15 Dow Corning Corporation Preparation of silicon metal through polymer degradation
US4683147A (en) * 1984-04-16 1987-07-28 Canon Kabushiki Kaisha Method of forming deposition film
FI82232C (fi) 1989-03-14 1991-02-11 Kemira Oy Foerfarande foer framstaellning av kiselhalogenid.
US6858196B2 (en) 2001-07-19 2005-02-22 Asm America, Inc. Method and apparatus for chemical synthesis
EP1943669A4 (en) 2005-10-05 2012-06-13 Kovio Inc LINEAR AND NETWORKED HIGHLY MOLECULAR POLYSILANES, POLYGERMANES AND COPOLYMERS THEREOF, COMPOSITIONS CONTAINING THEM AND METHOD FOR THE PREPARATION AND USE OF SUCH COMPOUNDS AND COMPOSITIONS
DE102006034061A1 (de) 2006-07-20 2008-01-24 REV Renewable Energy Ventures, Inc., Aloha Polysilanverarbeitung und Verwendung
DE102006043929B4 (de) 2006-09-14 2016-10-06 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von festen Polysilanmischungen

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4998400A (ja) * 1973-01-27 1974-09-18
JPS591505A (ja) * 1982-06-28 1984-01-06 Tdk Corp 低摩擦薄膜付き物品
JPS59182222A (ja) * 1983-03-30 1984-10-17 Mitsui Toatsu Chem Inc ポリクロロシランの製造方法
JPS60218473A (ja) * 1984-04-16 1985-11-01 Canon Inc 堆積膜形成方法
JPS6389414A (ja) * 1986-10-03 1988-04-20 Mitsubishi Metal Corp クロロポリシランの製造方法
JPH01100010A (ja) * 1987-10-14 1989-04-18 Canon Inc 非晶質水素化シリコン微粒子膜及びその製造方法
JP2003313299A (ja) * 2002-04-22 2003-11-06 Seiko Epson Corp 高次シラン組成物及び該組成物を用いたシリコン膜の形成方法
JP2008542162A (ja) * 2005-05-25 2008-11-27 アールイーヴィー・リニューヴァブル・エナジー・ヴェンチャーズ・アクチエンゲゼルシャフト ハロゲン化シランから珪素を製造する方法
JP2008174416A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Seiko Epson Corp 高次シラン組成物、膜付基板の製造方法、電気光学装置および電子デバイス
JP2010521393A (ja) * 2007-03-15 2010-06-24 レヴ・リニューワブル・エナージー・ヴェンチャーズ・インコーポレーティッド プラズマ支援合成
JP2011520762A (ja) * 2008-05-27 2011-07-21 シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ ハロゲン化ポリシラン及びこれを製造するためのプラズマ化学処理
WO2010003729A1 (en) * 2008-06-17 2010-01-14 Evonik Degussa Gmbh Process for preparing higher hydridosilanes

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017141889A1 (ja) * 2016-02-16 2017-08-24 昭和電工株式会社 オリゴシランの製造方法
JPWO2017141889A1 (ja) * 2016-02-16 2018-12-13 昭和電工株式会社 オリゴシランの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102010025948A1 (de) 2012-01-05
KR20130072237A (ko) 2013-07-01
CN103080006A (zh) 2013-05-01
EP2588411A1 (de) 2013-05-08
WO2012001180A1 (de) 2012-01-05
KR101569594B1 (ko) 2015-11-16
US20130216465A1 (en) 2013-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013529591A (ja) 中鎖長ポリシランおよびそれを製造する方法
JP5658143B2 (ja) ハロゲン化ポリシラン及びこれを製造するためのプラズマ化学処理
JP5808412B2 (ja) 高次ヒドリドシラン化合物の製造方法
JP6297778B2 (ja) 水素化ポリゲルマンの製造方法及び水素化ポリゲルマン
JP5639047B2 (ja) ハロゲン化ポリシラン及びその製造のための熱処理
JP5739445B2 (ja) ヘキサクロロジシランの生成方法
TWI816915B (zh) 肆(三氯矽基)鍺烷,其製備方法及其用途
TWI822886B (zh) 三(三氯矽基)二氯鎵基鍺烷,其製備方法及其用途
US20120313037A1 (en) Chloride-containing silicon
JP2019509974A (ja) 2,2,3,3−テトラシリルテトラシランの適切な製造
KR20170081186A (ko) 실란 중합 금지제

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130201

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140626

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150225

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150522

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20151021