JP2013527603A - ショットキー・ダイオード - Google Patents
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Abstract
半導体材料(210、516)内に離れて配置されるドープされたストリップ(214、216)、ドープされたストリップ(214、216)間にある半導体材料(210、516)のカソード領域、及び半導体材料(210、516)のカソード領域の表面に接するアノード金属領域(244)。ショットキー・ダイオード(200、300、400、及び500)は、半導体材料(210、516)のカソード領域の表面に接する、離れて配置される非導電性ストリップ(224、226、410、412)、及び離れて配置されるドープされたストリップ(214、216)から横方向に離れた金属領域(244)を更に有する。
Description
Claims (20)
- ショットキー・ダイオードであって、
或るドーパント濃度を有するn型領域を有する半導体構造、
前記半導体構造と接し、前記n型領域のドーパント濃度より大きいドーパント濃度を有する、第1のn型ストリップ、
半導体構造と接し、前記n型領域のドーパント濃度より大きいドーパント濃度を有し、前記第1のn型ストリップから間隔を空けて配置される、第2のn型ストリップであって、n型で、n型領域のドーパント濃度より大きいドーパント濃度を有し、第1のn型ストリップ及び第2のn型ストリップ両方に接するドープされた領域がない、前記第2のn型ストリップ、
前記第1のn型ストリップ及び前記第2のn型ストリップを横方向に囲むように前記半導体構造に接する、シャロートレンチアイソレーション(STI)リング、
前記第1のn型ストリップの上面に接する第1の金属ストリップ、
前記第2のn型ストリップの上面に接する第2の金属ストリップ、及び
前記半導体構造に接し、第1の金属ストリップ及び前記第2の金属ストリップ横方向の間にあり、前記第1の金属ストリップ及び前記第2の金属ストリップから間隔を空けて配置される、金属領域、
を含む、ショットキー・ダイオード。 - 請求項1に記載のショットキー・ダイオードであって、前記STIリングが、前記第1のn型ストリップ及び前記第2のn型ストリップに接する、ショットキー・ダイオード。
- 請求項2に記載のショットキー・ダイオードであって、前記第1の金属ストリップ、前記第2の金属ストリップ、及び前記金属領域が単一平面にある、ショットキー・ダイオード。
- 請求項3に記載のショットキー・ダイオードであって、
前記半導体構造の上面に接し、前記第1の金属ストリップ及び前記金属領域の横方向の間にある、第1の非導電性ストリップ、及び
前記半導体構造の上面に接し、前記第1の非導電性ストリップから間隔を空けて配置され、前記第2の金属ストリップ及び前記金属領域の横方向の間にある、第2の非導電性ストリップ、
を更に含む、ショットキー・ダイオード。 - 請求項4に記載のショットキー・ダイオードであって、
前記半導体構造に接し、前記第1のn型ストリップ及び前記第2のn型ストリップの横方向の間にある、第1のp型領域、及び
前記半導体構造に接し、前記第1のn型ストリップ及び前記第2のn型ストリップの横方向の間にあり、前記第1のp型領域及び前記第2のp型領域両方に接するp型領域がないように、前記第1のp型領域から間隔を空けて配置される、第2のp型領域、
を更に含む、ショットキー・ダイオード。 - 請求項5に記載のショットキー・ダイオードであって、前記第1のn型ストリップが、前記n型半導体材料のドーパント濃度より大きいドーパント濃度を備えた第1の領域、及び前記第1の領域のドーパント濃度より大きいドーパント濃度を備えた第2の領域を含む、ショットキー・ダイオード。
- 請求項6に記載のショットキー・ダイオードであって、前記STIリングが、前記第1のp型領域及び前記第2のp型領域に接する、ショットキー・ダイオード。
- 請求項7に記載のショットキー・ダイオードであって、
前記第1の非導電性ストリップの上面に接する第1の導電性ストリップ、
前記第2の非導電性ストリップの上面に接する第2の導電性ストリップ、
前記第1の導電性ストリップの上面に接する第3の金属ストリップ、及び
前記第2の導電性ストリップの上面に接する第4の金属ストリップ、
を更に含む、ショットキー・ダイオード。 - 請求項8に記載のショットキー・ダイオードであって、
前記半導体構造内に位置する第1のSTIストリップであって、前記第1のn型ストリップが前記第1のSTIストリップ及び前記STIリング間にありかつそれらに接する、前記第1のSTIストリップ、及び
前記半導体構造内に位置する第2のSTIストリップであって、前記第2のn型ストリップが前記第2のSTIストリップ及び前記STIリング間にありかつそれらに接する、前記第2のSTIストリップ、
を更に含む、ショットキー・ダイオード。 - 請求項9に記載のショットキー・ダイオードであって、
前記第1の導電性ストリップが、前記第1のSTIストリップの一部の直上にあり、
前記第2の導電性ストリップが、前記第2のSTIストリップの一部の直上にある、
ショットキー・ダイオード。 - 請求項7に記載のショットキー・ダイオードであって、前記第1の非導電性ストリップ、前記第2の非導電性ストリップ、前記第1の金属ストリップ、前記第2の金属ストリップ、及び前記金属領域に接する非導電性層を更に含み、前記非導電性層と前記第1の非導電性ストリップの如何なる部分との間にも導電性部材がなく、前記非導電性層と前記第2の非導電性ストリップの如何なる部分との間にも導電性部材がない、ショットキー・ダイオード。
- 請求項8に記載のショットキー・ダイオードであって、半導体構造が、絶縁層、前記絶縁層に接する第1のn型領域、及び前記絶縁層に接する第2のn型領域を含み、前記金属領域の底面が前記絶縁層に接する、ショットキー・ダイオード。
- 請求項12に記載のショットキー・ダイオードであって、前記金属領域の側壁が、前記第1及び第2のn型領域に接する、ショットキー・ダイオード。
- 或るドーパント濃度を有するn型領域を含む半導体構造内にショットキー・ダイオードを形成する方法であって、前記方法が、
前記半導体構造内に第1のn型ストリップ及び第2のn型ストリップを形成するように前記半導体構造を注入することであって、前記第1のn型ストリップ及び前記第2のn型ストリップが、各々前記n型領域のドーパント濃度より大きいドーパント濃度を有し、前記第2のn型ストリップが、前記第1のn型ストリップから間隔を空けて配置され、n型で、n型領域のドーパント濃度より大きいドーパント濃度を有し、第1のn型ストリップ及び第2のn型ストリップ両方に接するドープされた領域がないこと、
金属の層を堆積すること、及び
前記第1のn型ストリップの上面に接する第1の金属ストリップ、前記第2のn型ストリップの上面に接する第2の金属ストリップ、及び前記半導体構造に接し、前記第1の金属ストリップ及び前記第2の金属ストリップの横方向の間にあり、前記第1の金属ストリップ及び前記第2の金属ストリップから間隔を空けて配置される、金属領域を形成するよう、前記金属の層を作用させること、
を含む、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、前記第1のn型ストリップに接する第1の側壁スペーサ、及び前記第2のn型ストリップに接する第2の側壁スペーサを形成することを更に含む、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、
半導体構造内に位置し、前記第1のn型ストリップ及び前記第2のn型ストリップの横方向の間にある、第1のp型領域を形成するように前記半導体構造を注入すること、及び
第2のp型領域半導体構造内に位置し、前記第1のn型ストリップ及び前記第2のn型ストリップの横方向の間にあり、かつ、前記第1のp型領域及び前記第2のp型領域両方に接するp型領域がないように前記第1のp型領域から間隔を空けて配置される、第2のp型領域を形成するように前記半導体構造を注入すること、
を更に含む、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、前記半導体構造が、
前記半導体構造の上面に接する第1の非導電性ストリップ、
前記半導体構造の上面に接し、前記第1の非導電性ストリップから間隔を空けて配置される第2の非導電性ストリップ、
前記第1の非導電性ストリップの上面に接する第1の導電性ストリップ、及び
前記第2の非導電性ストリップの上面に接する第2の導電性ストリップ、
を含む、方法。 - 請求項16に記載の方法であって、前記半導体構造が、
前記半導体構造の上面に接する第1の非導電性ストリップ、及び
前記半導体構造の上面に接し、前記第1の非導電性ストリップから間隔を空けて配置される、第2の非導電性ストリップ、
を含み、
前記方法が、
前記第1の非導電性ストリップ、前記第2の非導電性ストリップ、前記第1の金属ストリップ、前記第2の金属ストリップ、及び前記金属領域に接する非導電性層を形成することを更に含み、前記非導電性層と前記第1の非導電性ストリップの如何なる部分との間にも導電性部材がなく、前記非導電性層と前記第2の非導電性ストリップの如何なる部分との間にも導電性部材がない、
方法。 - 請求項17に記載の方法であって、前記半導体構造が、絶縁層、前記絶縁層に接する第1のn型領域、及び前記絶縁層に接する第2のn型領域を含み、前記金属領域の底面が前記絶縁層に接する、方法。
- 請求項17に記載の方法であって、前記半導体構造が、前記第1のn型ストリップ、前記第2のn型ストリップ、前記第1のp型領域、及び前記第2のp型領域に接するSTIリング、
前記半導体構造に接し、前記第1のSTIストリップ及び前記STIリングに接して存在する、第1のSTIストリップ、及び
前記半導体構造に接し、前記第2のSTIストリップ及び前記STIリングに接して存在する、第2のSTIストリップ、
を含む、方法。
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