JP2013526075A - 丸みを帯びた正方形レンズを具備するledパッケージ - Google Patents

丸みを帯びた正方形レンズを具備するledパッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP2013526075A
JP2013526075A JP2013508593A JP2013508593A JP2013526075A JP 2013526075 A JP2013526075 A JP 2013526075A JP 2013508593 A JP2013508593 A JP 2013508593A JP 2013508593 A JP2013508593 A JP 2013508593A JP 2013526075 A JP2013526075 A JP 2013526075A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens
rounded
square lens
rounded square
led die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013508593A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013526075A5 (ja
JP6085555B2 (ja
Inventor
マーク バターワース
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Koninklijke Philips Electronics NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV, Koninklijke Philips Electronics NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2013526075A publication Critical patent/JP2013526075A/ja
Publication of JP2013526075A5 publication Critical patent/JP2013526075A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6085555B2 publication Critical patent/JP6085555B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0004Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
    • G02B19/0009Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having refractive surfaces only
    • G02B19/0014Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed having refractive surfaces only at least one surface having optical power
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
    • G02B19/0047Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source
    • G02B19/0061Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use for use with a light source the light source comprising a LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

実質的にランバートな光放射パターンをつくるべく、LEDパッケージにおいて、半球状レンズの代わりに丸みを帯びた正方形レンズが用いられる。丸みを帯びた正方形レンズをその対角線に沿って切断した丸みを帯びた方形レンズの断面部分は、対角線近傍の領域で半球状レンズをエミュレートするように、半円状の表面を形成する。丸みを帯びた方形レンズを二分する丸みを帯びた方形レンズの幅に沿って切断した丸みを帯びた方形レンズの断面部分は、前記半円状の表面よりも幅狭ではあるが前記半円状の面と同じ高さを有する、弾丸形状の面を形成する。丸みを帯びた方形レンズ方形レンズの4つの角は丸みを帯びている。丸みを帯びた方形レンズの表面は、上記の2つの表面形状間で滑らかに移行している。丸みを帯びた方形レンズは、同じパッケージボディ中の半球状レンズが取り得る最大径よりも大きな対角線を有するので、パッケージサイズを増大することなく、また、ランバート放射を維持したまま、より多くの光を出力すべく、より大きなLEDダイが、丸みを帯びた方形レンズとともに用いられる。

Description

本発明は、LED(発光ダイオード)パッケージに関し、特に、実質的にランバートな放射パターンを放射する、丸みを帯びた正方形レンズを有するLEDパッケージに関する。
従来技術の図1は、参照によりその内容を本明細書に組み込まれる、本出願人の米国デザイン特許第D598,871号から複製されたLEDパッケージ10の上面斜視図である。当該パッケージの取引名はRebel(商標)である。パッケージ10は、各辺が約3mmである。パッケージ10は、正方形状のLEDダイを含み、当該LEDダイの各辺はパッケージ10の辺に沿って配設される。LEDダイの中心軸は、半球状レンズ12の中心軸に沿っている。アノード電極及びカソード電極は、プリント回路基板上の金属パッドへのハンダ付けのために、パッケージ10の底面に設けられている。LED半導体層に形成されたアノード電極及びカソード電極は、パッケージ底面のアノード電極及びカソード電極に電気的に接続される。一般的に、LED層はサブマウントに搭載され、サブマウント電極は、順に、パッケージ電極に接続される。LED及びサブマウントについては、参照によりその内容を本明細書に組み込まれる、本出願人の米国特許第7,452,737号に詳述されている。発光パターンは、実質的にランバートであり、パッケージ10の真上の平面上に円を形成する。
図2は、レンズ12を具備したLEDダイ14及びパッケージ10の配置を示す、パッケージ10の上面図である。
図3は、図2における対角線3−3方向におけるパッケージ10の側面図である。本出願人の実際のパッケージ10の例では、半球状レンズ12は、約2.55mmの直径を有し、LEDダイ14は、1mmの各辺を有する。LEDダイの対角線の長さは、約1.4mmである。図3中、実際のLEDダイ14の縁は、実線で示されている。レンズ12はLEDダイ14の上面からみて半球であるため、LEDダイ14の中心点16から全方位に放射される光線15は、レンズ12の表面へ実質的に直角に衝突する。このため、光線15は、事実上、内部反射や屈折を伴うことなく、パッケージ10から放射される。LEDダイ表面に沿って光のソースが中心点16から移動するにつれ、全光線がレンズ12の表面へ直角に衝突しなくなるため、最大屈折が増大する。パッケージ10及びレンズ12の大きさは、どの光線もレンズ12によって内部反射されることが実質的にないように、約1mmの最大辺を有するLEDダイ14に合わせて設計される。
例えば、図3は、LEDダイ14の拡張を点線で示すとともに、拡大されたLEDダイの角近くから放射された光線18を示している。光線18の角度は、光線18のTIR(内部全反射)をもたらす臨界角よりも小さい。このため、そのような光は無駄になる。従って、パッケージ10とともに使用される正方形状のLEDダイの幅は、TIRを最小化するために、約1mm(ダイ14の実線部分を参照)に制限される。
図4は、本出願人によるもう1つの従来技術であるパッケージ20の上面斜視図である。パッケージ20は、図1に示したパッケージ10と同じ幅と同じレンズ12とを有するが、パッケージ10よりも長い。レンズ12の直径はパッケージ20の幅に制限される。
いくつかのアプリケーションでは、同じパッケージ10を用いて、より大きな出力が要求される。ここで、「高出力」なパッケージの電極スペース及びサイズは、既存のパッケージ10と同じにしたままであることが要求される。また、実質的にランバートな放射パターンも実質的に同じであることが要求される。より多くの光を放射すべく、より幅広のLEDダイを用いることができるが、より大きなLEDダイが用いられた場合、半球状レンズ12におけるTIRにより、パッケージ効率が大幅に低下する。パッケージ10の幅を大きくすることなく、半球状レンズ12の直径を大きくすることはできない。
本発明者は、既存のパッケージ(図1または図4)からより多くの出力光を生成するという問題に直面した。しかし、パッケージサイズ(スペース)を変更することはできない。本発明者は、上記の問題を本発明により解決した。
図1または図4のパッケージの半球状レンズ12の代わりに丸みを帯びた方形レンズが用いられる。ここで、丸みを帯びた方形レンズの幅は、丸みを帯びた方形レンズをパッケージ10内に適合させるべく、半球状レンズ12の直径と同じ長さである。
丸みを帯びた方形レンズを対角線によって切断した丸みを帯びた方形レンズの断面部分は、対角線及びその近傍に沿って半球状レンズをエミュレートする(なぞる)ため、半円状の面を形成している。丸みを帯びた方形レンズを幅寸法方向に二分する丸みを帯びた方形レンズの断面部分は、前述の半円状の面と同じ高さを有する、幅狭の弾丸形状の面を形成している。丸みを帯びた方形レンズの4つの角は丸みを帯びている。丸みを帯びた方形レンズの表面は、上記の2つの表面形状間で滑らかに移行している。
出力光パターンは実質的にランバートであり(正方形状のLEDダイとともに用いられる、半球状レンズの光放射に実質的に似ている)、パッケージ上の平面において、正方形状のパターンよりもむしろ、実質的に円形のパターンを形成する。
丸みを帯びた方形レンズはパッケージ中の半球状レンズの最大径よりも大きな対角線を有するので、より大きなLEDダイを丸みを帯びた方形レンズとともに用いることができる。このため、TIRを最小限あるいは無しにしつつ、パッケージサイズを増大することなく、さらに、ランバート光パターンを大きく変更することなく、より大きなLEDダイを用いてより多くの光を放射することができる。具体的には例えば、従来のパッケージ10では約1.1mmの最大幅を有するLEDダイしか使用できなかったのに対して、新しいパッケージでは各辺1.4mmまでの大きさを有するLEDダイを用いることができる。これにより、LEDダイの上面から放射される光が倍増される。
例えば、カメラのフラッシュに用いられる古いパッケージ10を、丸みを帯びた方形レンズをそなえた新しいパッケージに交換することにより、カメラのデザインを変更することなく、出力光を倍増することが可能となる。
LEDダイの上面より下方に位置するレンズ形状は、さほど重要ではない。LEDダイの上面より下方からは、ほとんど光は放射されないからである。従って、LEDダイの上面より下方におけるレンズ形状は、レンズをパッケージボディに取り付けしやすくするために、より尖った角,縁または他の特徴を有していてもよい。
LEDダイは、フリップチップ実装であってもよいし、上面及び下面に電極を有していてもよいし、あるいは、上面のみに電極を有していてもよい。
半球状レンズを有する従来のLEDパッケージの上面斜視図である。 図1のパッケージの簡単な上面図である。 図2の対角線3−3に沿った側面図であり、LEDダイの異なる点から放射された光線を示す図である。 図1のパッケージと同じ幅及び同じレンズを有するが、より長い、他の従来のパッケージの上面斜視図である。 本発明の一実施形態による、図1の半球状レンズの直径と同じ幅を有する丸みを帯びた方形レンズとより大きなLEDダイとを組み込んだ図1のパッケージの簡単な上面図である。 図5の対角線6−6方向についての側面図であり、光線がLEDダイの角近傍から放射された最悪の場合であってもTIRが生じないことを示す図である。 図5の線分7−7方向についての側面図であり、光線がLEDダイの角近傍から放射された最悪の場合であってもTIRが生じないことを示す図である。 より丸みを帯びた角を有する丸みを帯びた方形型のレンズについての上面図である。 図8のLEDダイ及びレンズによる実質的にランバートな光放射によりパッケージの上の平板に生成される、等輝度境界を有する、実質的に円形の光パターンの一例を示す図である。 なお、同じあるいは同様の構成要素については、同じ符号を付す。
図5〜図8は、本発明を示している。
図5〜図7では、パッケージ24のボディ22は、セラミック,プラスチック,シリコンまたは他の素材により構成されてもよい。ボディ22のサイズは、従来のパッケージ10,20のボディのサイズとぴったり同じであってもよく、電極構造についても全く同じであってもよい。このため、パッケージ24は、任意のアプリケーションにおいてパッケージ10,20の代替となり得る。ただ、LEDダイ26のサイズ及びレンズ28のサイズのみが異なる。例えば、LEDダイ26は、金属パターンを有するセラミックサウマウントに搭載されたLED半導体層を含み、サブマウント上の電極は、図1により既述したように、パッケージ電極に接続される。また、他の実施形態では、LEDダイ26はサブマウントを含まない。
具体的には例えば、図1及び図4に示した従来の半球状レンズ12の直径は約2.55mmであり、図5に示した球状正方形レンズ28の幅も、従来のパッケージ10,20と同じサイズのパッケージに適用可能とすべく、同じである。方形パッケージ24の幅は、約3mmである。パッケージ24のサイズも、図4のパッケージ20のサイズと同じである。
図6は、図5の対角線6−6から見た(LEDダイ26及びパッケージの角と対面する向きからの)レンズ28の最も幅が広い側を示す側面図である。線分6−6から見た場合、レンズ28は、レンズ28の表面に沿った全ての点がLEDダイ26の中心点から等距離となるように、LEDダイ26の上面側に半円を形成する。従って、線分6−6の平面における中心点からの全ての光線は、レンズ28の表面と直交する。レンズ28を対角線方向に見ているので、レンズ28は、図7の線分7−7から見た場合のレンズ28よりも幅広となっている。
半円の幅(即ち、半径の2倍)により、その高さ(半径)が定まる。対角線方向に沿って(図6参照)、レンズ28の幅(W1)は、LEDダイ26の上面からレンズ28までの高さ(H)の実質的に2倍となっている。これは、レンズの対角線近くにおけるレンズの形状を半球状に保つためである。
パッケージ24の平坦面から見た図7では、レンズ28の高さ(H)は、図6と同じであるが、幅(W2)は、大幅に小さくなっている。このため、線分7−7から見た場合のレンズ28の形状は、より弾丸形状となっている。レンズ28の表面は、上記2つの形状間で滑らかに移行している。
角における内部多重反射を避け、実質的にランバートな光放射の形成を助長するため、レンズ28の角は丸みを帯びている(4分の1円弧となっている)。角に丸みを設けることで、対角線方向の幅(W1)は小さくなる。
レンズ28からの全体の光放射は、レンズが実体的にほぼ半球状であること、及び、角が丸みを帯びていることによるランバートであることが観測者によって把握される。
図6は、LEDダイ26の角から光線30が放射される最悪のケースを示している。光線30の角度は臨界角よりも大きいためTIRは発生しない。同様に、図7は、LEDダイ26の側面近くから光線32が放射される最悪のケースを示している。光線32の角度は臨界角よりも大きいためTIRは発生しない。本例では、正方形状のLEDダイ26を約1.4mm辺(これは、図3のLEDダイ14が取り得るサイズの対角線長とおよそ等しい)までTIRを生じさせることなく大きくすることができるため、LEDダイ26の上面領域を約2倍にすることができ、これにより、パッケージ24からの出力光量は、従来のパッケージ10,20の出力光量の約2倍となる。
図6及び図7は、パッケージ24の底面電極36、38についても示している。また、図6及び図7は、パッケージ24の上面金属パッドと接するLEDダイ26の底面に設けられた電極40、42についても示している。電極40、42は、パッケージ底面電極36,38と金属バイアス44または他の金属パスにより接続される。LEDダイ26は、櫛歯型、点状、棒型などを含むいずれの金属パターンを有していてもよい。
レンズ28及びLEDダイ26は、図4に示したパッケージ20においても使用可能である。一実施形態では、レンズ28は成形されたシリコンから形成されるが、他の透明あるいは半透明材料から形成されてもよい。
一実施形態では、レンズ28は、底面にキャビティを有する。まず、LEDダイ26がシリコンによって封入され、次いで、レンズ28がLEDダイ26の上に配置され、パッケージのボディに取り付けられる。このとき、LEDダイ26は、レンズ28と光学的に結合されるように、レンズのキャビティの中に入れられている。
図8は、レンズ28に似ているが、より丸みを帯びた(より大きな曲率半径を有する)角を有する丸みを帯びた方形レンズ48についての他の実施形態を示す。このような丸みにより、光放射はよりランバートとなるが、TIRを伴わずに取り得るLEDダイ26の最大サイズがやや減少する。例えば、角の曲率半径は、レンズ幅の4分の1から6分の1とすることができる。角の曲率半径が十分大きければ、側面はやや湾曲し得る。
一実施形態では、正方形レンズが丸みを帯びた角を有することにより、(LEDダイの上面における)レンズの対角線長さは、レンズ幅の約1.1倍〜1.3倍となる。これに対し、尖った幅を有する正方形レンズでは、対角線長さがレンズ幅の約1.414倍となる。対角線方向の平面においてダイの上面側に半円を形成するため、LEDダイの上面からレンズまでの高さは、対角線長さの半分である。従って、約2.55mmの幅を有するレンズでは、一実施形態における対角線長さは約2.8mm〜3.3mmの間であり、高さは最大で約1.4mm〜1.65mmである。
丸みを帯びた正方形レンズの対角線長さに対する幅の比は、約1.2であるのが好ましい。約2.55mmの幅を有するそのようなレンズでは、図8に例示するように、レンズの対角線長さは約3mm、レンズの高さは最大で約1.5mm、パッケージボディの幅は3mm、LEDダイの最大サイズは各辺1.41mmである。なお、レンズ側面は、やや湾曲しているのが好ましい。
図9は、図8のLEDダイ及びレンズによる実質的にランバートな光放射によりパッケージの上の平板に生成される、等輝度境界を有する、実質的に円形の光パターンの一例を示している。図8の等輝度境界の外側では、輝度がなだらかに小さくなっていくため、円形パターン52から外れた光は観測者によって全く把握されない。
丸みを帯びた正方形レンズのサイズについては、レンズの基本的な相対寸法を維持していれば、最大輝度を得るために、実質的にランバートな光放射パターンとLEDダイサイズの最大化を実現しつつも、パッケージの外径を最小化すべく、適用するパッケージや共に用いるLEDダイに合わせて適宜変更してもよい。
レンズは、実質的にランバートな光放射を維持できれば、他の2つの側面よりもやや長い2つの側面を有していてもよく、丸みを帯びた正方形である必要はない。LEDダイについても、他の2つの側面よりもやや長い2つの側面を有していてもよい。ここでは、"長方形状"という用語が、正方形状を含む意味で用いられる。
レンズの対角線方向では半円状または半球状が形成されていると述べたが、これはあくまで理想であって、現実上、実質的に半円状となることが許容されるであろう。本開示の目的上、現実における多様なレンズ形状を考慮して、ここでは半円状としている。
LEDダイの上面より下方からはほとんど光放射がないため、前述及び主張したレンズの相対寸法は、LEDダイの上面より上方のレンズの領域のみに適用される。
LEDダイは、蛍光体被覆またはサブマウントのあるなしに関わらず、いずれのタイプの素子であってもよい。LEDダイは、フリップチップ実装であってもよいし、上面及び下面に電極を有していてもよいし、あるいは、上面のみに電極を有していてもよい。
本発明の特別な実施形態について示し、記載したが、この分野の当業者にとって、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、より広い観点へ変更及び修正を適宜行ない得ることは明確である。従って、添付の特許請求の範囲は、本発明の範囲及び意図する所の範囲内での前述の変更及び修正を包含し得る。

Claims (11)

  1. 上面を有するLEDダイと、
    前記LEDダイに接続された電極及びボディを有し、前記LEDダイを含むパッケージと、
    前記ボディに搭載された、丸みを帯びた方形レンズと、を有し、
    前記丸みを帯びた方形レンズは、丸みを帯びた角を有し、
    前記丸みを帯びた方形レンズは、前記丸みを帯びた方形レンズの対角線方向の断面に沿って実質的に半円状の面を有し、前記丸みを帯びた方形レンズの前記対角線方向の断面は第1の幅を有し、前記実質的に半円状の面は前記LEDダイの前記上面の実質的に中心点上に最大高さHを有し、
    前記丸みを帯びた方形レンズは、前記丸みを帯びた方形レンズを二分する前記丸みを帯びた方形レンズの幅寸法に沿って半円状でない弾丸形状の面を有し、前記弾丸形状の面は前記第1の幅よりも小さい第2の幅を有し、前記弾丸形状の面は前記LEDダイの前記上面上に前記実質的に半円状の面が有する前記最大高さHと一致する最大高さHを有し、
    前記丸みを帯びた方形レンズの表面は、前記実質的に半円状の面と前記弾丸形状の面との間で、前記LEDダイの前記上面上において尖った角を有することなく滑らかに移行しており、
    前記丸みを帯びた方形レンズは、前記LEDダイが活性化されると、実質的にランバートな光放射パターンをつくる、LED装置。
  2. 前記丸みを帯びた方形レンズは、丸みを帯びた正方形レンズである、請求項1記載のLED装置。
  3. 前記LEDダイは、実質的に正方形形状であり、
    前記LEDダイの角は、前記丸みを帯びた方形レンズからの内部全反射が実質的にないように、前記丸みを帯びた方形レンズの丸みを帯びた角から十分に離されている、請求項2記載のLED装置。
  4. 前記丸みを帯びた方形レンズは、約2.5mmの側面間の幅を有し、
    前記LEDダイは、1mmよりも大きい辺を有する、請求項2記載のLED装置。
  5. 前記丸みを帯びた方形レンズの対角線の幅は、前記丸みを帯びた方形レンズの側面間の幅の約1.1倍〜1.3倍である、請求項2記載のLED装置。
  6. 前記パッケージのボディは、約3mmの幅を有し、
    前記LEDダイは、1mmよりも大きい辺を有する、請求項2記載のLED装置。
  7. 前記丸みを帯びた方形レンズの辺は、直線である、請求項2記載のLED装置。
  8. 前記丸みを帯びた方形レンズの辺は、湾曲している、請求項2記載のLED装置。
  9. 前記パッケージのボディは、約3mmの幅を有し、
    前記丸みを帯びた方形レンズの側面間の幅は、約2.5mmであり、
    前記丸みを帯びた方形レンズの対角線上の幅は、約3mmであり、
    前記LEDダイの上の高さは、約1.5mmである、請求項2記載のLED装置。
  10. 前記LEDダイは、1.3mmより大きい辺を有する、請求項9記載のLED装置。
  11. 前記LEDダイは、約1.4mmの辺を有する、請求項10記載のLED装置。
JP2013508593A 2010-05-07 2011-04-27 丸みを帯びた正方形レンズを具備するledパッケージ Active JP6085555B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/775,593 US8431942B2 (en) 2010-05-07 2010-05-07 LED package with a rounded square lens
US12/775,593 2010-05-07
PCT/IB2011/051851 WO2011138712A1 (en) 2010-05-07 2011-04-27 Led package with a rounded square lens

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013526075A true JP2013526075A (ja) 2013-06-20
JP2013526075A5 JP2013526075A5 (ja) 2014-06-19
JP6085555B2 JP6085555B2 (ja) 2017-02-22

Family

ID=44310361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013508593A Active JP6085555B2 (ja) 2010-05-07 2011-04-27 丸みを帯びた正方形レンズを具備するledパッケージ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8431942B2 (ja)
EP (1) EP2567412B1 (ja)
JP (1) JP6085555B2 (ja)
KR (1) KR101811466B1 (ja)
CN (1) CN102870243B (ja)
TW (1) TWI528594B (ja)
WO (1) WO2011138712A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017011257A (ja) * 2015-03-31 2017-01-12 日亜化学工業株式会社 発光装置とそれを用いた発光モジュール
US10411173B2 (en) 2015-03-31 2019-09-10 Nichia Corporation Light emitting device and light emitting module using the same

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8967838B1 (en) * 2004-03-13 2015-03-03 David Christopher Miller Flexible LED substrate capable of being formed into a concave LED light source, concave light sources so formed and methods of so forming concave LED light sources
US10008637B2 (en) * 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
US9583678B2 (en) 2009-09-18 2017-02-28 Soraa, Inc. High-performance LED fabrication
US10147850B1 (en) 2010-02-03 2018-12-04 Soraa, Inc. System and method for providing color light sources in proximity to predetermined wavelength conversion structures
US8896235B1 (en) 2010-11-17 2014-11-25 Soraa, Inc. High temperature LED system using an AC power source
US9144118B2 (en) * 2011-01-20 2015-09-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, lighting device, display device, and method for manufacturing light-emitting device
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
WO2013013154A2 (en) 2011-07-21 2013-01-24 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US8686431B2 (en) 2011-08-22 2014-04-01 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing trilateral configuration for optical devices
US9646827B1 (en) 2011-08-23 2017-05-09 Soraa, Inc. Method for smoothing surface of a substrate containing gallium and nitrogen
US8912025B2 (en) 2011-11-23 2014-12-16 Soraa, Inc. Method for manufacture of bright GaN LEDs using a selective removal process
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
TWI459600B (zh) * 2012-07-06 2014-11-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝體及其製造方法
US9978904B2 (en) 2012-10-16 2018-05-22 Soraa, Inc. Indium gallium nitride light emitting devices
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US8994033B2 (en) 2013-07-09 2015-03-31 Soraa, Inc. Contacts for an n-type gallium and nitrogen substrate for optical devices
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
KR101583647B1 (ko) * 2013-12-10 2016-01-11 희성전자 주식회사 발광다이오드용 광 편향 렌즈
KR102107526B1 (ko) * 2014-03-13 2020-05-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101668353B1 (ko) * 2014-11-03 2016-10-21 (주)포인트엔지니어링 칩 기판 및 칩 패키지 모듈
KR102409961B1 (ko) 2015-06-26 2022-06-16 삼성전자주식회사 광학소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
JP7417067B2 (ja) 2020-01-30 2024-01-18 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077425A (ja) * 1999-08-31 2001-03-23 Yoshinobu Suehiro 発光素子
US20070029569A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Peter Andrews Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants and methods of packaging the same
US20090045421A1 (en) * 2007-08-17 2009-02-19 Hsin-Hua Ho Surface mount type light emitting diode package device
WO2010021346A1 (ja) * 2008-08-20 2010-02-25 三菱化学株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP2010050236A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置およびその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3905343B2 (ja) 2001-10-09 2007-04-18 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
US7452737B2 (en) 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
US7344902B2 (en) * 2004-11-15 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Overmolded lens over LED die
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
DE102006050880A1 (de) 2006-06-30 2008-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Beleuchtungseinrichtung
USD598871S1 (en) 2006-11-06 2009-08-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Et Al. LED package
US7964888B2 (en) 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
US20090065792A1 (en) 2007-09-07 2009-03-12 3M Innovative Properties Company Method of making an led device having a dome lens
JP5212777B2 (ja) 2007-11-28 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び照明装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001077425A (ja) * 1999-08-31 2001-03-23 Yoshinobu Suehiro 発光素子
US20070029569A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 Peter Andrews Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants and methods of packaging the same
WO2007018560A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-15 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants and methods of packaging the same
KR20080033496A (ko) * 2005-08-04 2008-04-16 크리 인코포레이티드 투입된 봉지물질을 이용한 반도체 발광 소자용 패키지와그를 패키징하는 방법
CN101278410A (zh) * 2005-08-04 2008-10-01 克里公司 利用分配的密封剂的半导体发光器件的封装及其封装方法
JP2009503888A (ja) * 2005-08-04 2009-01-29 クリー インコーポレイテッド 調合された封止剤を用いた半導体発光デバイス用パッケージとそれをパッケージする方法
US20090045421A1 (en) * 2007-08-17 2009-02-19 Hsin-Hua Ho Surface mount type light emitting diode package device
WO2010021346A1 (ja) * 2008-08-20 2010-02-25 三菱化学株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
JP2010050236A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017011257A (ja) * 2015-03-31 2017-01-12 日亜化学工業株式会社 発光装置とそれを用いた発光モジュール
US10411173B2 (en) 2015-03-31 2019-09-10 Nichia Corporation Light emitting device and light emitting module using the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI528594B (zh) 2016-04-01
TW201205889A (en) 2012-02-01
CN102870243B (zh) 2015-12-16
CN102870243A (zh) 2013-01-09
KR20130098886A (ko) 2013-09-05
WO2011138712A1 (en) 2011-11-10
US20110272721A1 (en) 2011-11-10
JP6085555B2 (ja) 2017-02-22
US8431942B2 (en) 2013-04-30
EP2567412B1 (en) 2019-06-26
EP2567412A1 (en) 2013-03-13
KR101811466B1 (ko) 2017-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6085555B2 (ja) 丸みを帯びた正方形レンズを具備するledパッケージ
JP6235491B2 (ja) 均一な照明を得るための光学素子
JP6099901B2 (ja) 発光装置
JP5515992B2 (ja) 発光装置
JP2005045199A (ja) チップ発光ダイオード及びその製造方法
TWI435467B (zh) 發光二極體封裝體
WO2003100873A1 (fr) Element electroluminescent, dispositif electroluminescent et dispositif d'eclairage par emission de surface utilisant ledit element
US9876152B2 (en) Light emitting device with an adhered heat-dissipating structure
TW200921955A (en) LED package and back light unit using the same
JP6169383B2 (ja) 発光モジュール及び光源装置
JP2005150624A (ja) 半導体装置用リードフレームとそれを用いた面発光装置
TW201704683A (zh) 透鏡及具有所述透鏡的發光元件
JP2008016412A (ja) 照明装置用のリフレクタ及び照明装置
JP2015056649A (ja) 発光装置
JP5860325B2 (ja) Led発光装置
JP2012119340A (ja) 光源ユニット
US8258697B2 (en) Light emitting device
JP2016213453A (ja) Ledモジュール、および、それを用いたランプ
JP6418042B2 (ja) 発光装置及び光源装置
JP6024685B2 (ja) 発光装置
JP2004193451A (ja) 発光ダイオード
JP5354597B2 (ja) Ledパッケージ
JP2017118101A (ja) Led発光装置
CN104681700A (zh) Led发光结构及其制作方法
TWI529969B (zh) 發光二極體封裝結構

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140424

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140424

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150317

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150416

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20150508

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150915

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160530

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20160606

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20160819

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6085555

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250