JP2013526013A - 異なる材料からなる二つの隣接した領域の製造方法 - Google Patents
異なる材料からなる二つの隣接した領域の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013526013A JP2013526013A JP2013503152A JP2013503152A JP2013526013A JP 2013526013 A JP2013526013 A JP 2013526013A JP 2013503152 A JP2013503152 A JP 2013503152A JP 2013503152 A JP2013503152 A JP 2013503152A JP 2013526013 A JP2013526013 A JP 2013526013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- volume
- transistor
- materials
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 11
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical group CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 18
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 claims description 11
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims description 6
- FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yl)-[2-[13-[2-tri(propan-2-yl)silylethynyl]pentacen-6-yl]ethynyl]silane Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C(C=C4C(C=CC=C4)=C4)C4=C(C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)C3=CC2=C1 FMZQNTNMBORAJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,5,6-pentafluorobenzenethiol Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(S)C(F)=C1F UVAMFBJPMUMURT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NIFAOMSJMGEFTQ-UHFFFAOYSA-N 4-methoxybenzenethiol Chemical compound COC1=CC=C(S)C=C1 NIFAOMSJMGEFTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 fluorinated 5,11-bis (triethylsilylethynyl) anthrazine Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 125000005329 tetralinyl group Chemical group C1(CCCC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical group 0.000 claims description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/472—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only inorganic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
- H10K10/84—Ohmic electrodes, e.g. source or drain electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
- H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
- H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
それぞれに異なる第一及び第二の材料が形成された、表面（１４）の隣接する第一及び第二の領域を製造する方法であって、前記方法が、第一の領域を覆い第一の材料が分散された溶媒を含む第一の液体ボリューム（２０）を堆積する段階、第二の領域を覆い第二の材料が分散された溶媒を含む第二の液体ボリューム（２２）を堆積する段階、及び溶媒を除去する段階を含む。本発明に従えば、第一及び第二のボリューム（２０，２２）の溶媒は、混合されず、第一のボリュームが第二の領域に到達する前に、第二のボリューム（２２）が、第一のボリューム（２０）の堆積と同時にまたは連続して堆積される。
Description
本開示は、異なる材料からなる表面の隣接する領域の製造に関する。それは、さらに具体的には、例えばトランジスタのような、マイクロエレクトロニクス素子の製造に適用する。
表面上にある材料の層を製造する通常の技術は、この材料を溶媒中に分散させ、液体の溶液を、その材料で塗布することを所望される目的の領域に得られるように一滴または数滴堆積し、次いで例えば蒸発により、溶媒を除去することを含む。
しかしながら、いくつかの隣接する領域が異なる材料で製造される場合には、そのような領域間の距離が減少するにつれて、そのような製造技術は限界に達する。
そのため、例として、例えばトランジスタのようなマイクロエレクトロニクス素子の製造は、隣接するわずか数マイクロメートルしか離れていない領域にこの同じ液体が流出することを防ぎつつ、微小な領域にこの液滴を堆積することが必要となる。実際に、そのような隣接する領域は、異なる材料によって実行される異なる機能を有する。このことは、マイクロエレクトロニクス素子が使用不可能になるというリスクがあるため、隣接する領域は、それゆえ意図されない材料を受け入れるべきではない。
現在、表面に堆積された液滴が広がるのを正確に制御することは非常に難しく、不可能でさえある。実際に、液滴の広がりは、その組成、材料及びそれを受け入れる表面の幾何学的形状、環境条件（温度、湿度・・・）または堆積の特性（表面に衝突する前の液滴の飛行する距離や速度、液滴を堆積するのに使用されるノズルの直径やコントローラ・・・）のような多くの因子に依存する。さらに、製造が有機材料及び／または溶媒を含む液滴を意図する場合、そのような堆積では液滴が広がる強い傾向を有するため、この困難性は全て、より大きなものとなる。
そのため、液体を堆積することによって領域を形成することは、従来はマスク樹脂で、特にフォトリソグラフィによって隣接領域を事前に覆い、目的領域への液体の堆積及び蒸発を実施し、次いで適切な化学槽でマスク樹脂を除去することが必要である。この作業は、製造される各領域に対して繰り返され、従って製造ステップ及びそれゆえ製造の全コストが増大する。
本発明は、単純で精度がよく、追加的な保護段階を用いることなく隣接する領域を互いに保護する製造方法を提供することを目的とする。
これを達成するために、本発明の目的は、それぞれに異なる第一及び第二の材料が形成された、表面の隣接する第一及び第二の領域を製造する方法であって、前記方法が、前記第一の領域を覆い前記第一の材料が分散された溶媒を含む第一の液体ボリュームを堆積する段階、前記第二の領域を覆い前記第二の材料が分散された溶媒を含む第二の液体ボリュームを堆積する段階、及び前記溶媒を除去する段階を含む。
本発明に従えば、前記第一及び第二のボリュームの前記溶媒が混合されず、前記第一のボリュームが前記第二の領域に到達する前に、前記第二のボリュームが、前記第一のボリュームの堆積と同時にまたは連続して堆積される。
換言すれば、液体ボリュームの広がりは、混合しない他の液体の存在によって自然に遮断される。隣接した領域の製造に関して、そのため追加的なマスキング段階を提供する必要がなく、堆積それ自体が、意図される材料のみを受け入れるそれぞれの領域に必要なマスキングを提供する。このことは、単に多くの製造段階を避けるだけでなく、さらに、より短時間に隣接した領域を製造することができ、このことはさらに製造を加速する。
「溶媒」は、本明細書においては材料を溶解し、または粒子もしくはナノ物質を分散することができる液体を指して用いられる。
本発明の実施形態に従えば、前記第一及び第二のボリュームが、同時に堆積される。
前記溶媒の一方が極性溶媒であり、前記溶媒の他方が無極性溶媒である。
前記無極性溶媒がフッ化溶媒である。
前記極性溶媒がアルコール、特にイソプロパノールである。
前記極性溶媒が水であり、前記無極性溶媒がヘキサンまたはテトラリンである。
前記極性溶媒がアルコール、特にメタノールであり、前記無極性溶媒がテトラリンまたはヘキサンである。
前記第一及び第二の材料が、ＳＡＭを形成することを目的とする。
前記第一及び第二の領域が、その上にＳＡＭが形成される電極、特にＣＭＯＳ回路のＭＯＳトランジスタの電極を含む。
前記第一の材料が、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンチオールであり、前記第二の材料が、４−メトキシチオフェノールである。
前記第一及び第二の材料が、半導体材料である。
前記第一の材料が、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ−ペンタセン）またはフッ化アントラジチオフェン型分子、有利にはフッ化５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェンであり、前記第二の材料が、アセンジイミド型分子である。
前記第一及び第二の領域が、それぞれＰトランジスタの電極及びＮトランジスタの電極を形成する。
前記第一及び第二の領域が、ダイオードの電極またはＬＥＦＥＴトランジスタの電極を形成する。
前記第一及び第二の材料が、絶縁性材料である。
前記第一及び第二の領域が、並列トランジスタのゲート酸化膜を形成する。
前記液体ボリュームが、インクジェットによって堆積される。
本発明の前述の特徴及び他の特徴並びに有利な点は、以下の、添付した図１から６に関連するＣＭＯＳベース構造の製造に関する、本発明に従う方法の非限定的な説明において、詳細に説明されるであろう。そこでは、同一の参照番号は、同一の要素を指す。
図１から６は、本発明に従うＣＭＯＳベース構造の製造の段階を、断面図で示す。この構造は、Ｐトランジスタ及びＮトランジスタを含む。
まず、従来のように、Ｐトランジスタの金属ソース及びドレイン電極１０並びにＮトランジスタの金属ソース及びドレイン１２が、プラスチック基板１４、例えばポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）上に形成される。例えば、電極１０は、電極１２から、およそ１００から２００マイクロメートルの範囲の距離だけ離隔される。
次いで、第一の溶媒内に分散された第一のＰ型導入ＳＡＭ半導体材料、例えば、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンチオールを含む、第一の液体の一滴または数滴の液滴１６が、インクジェット印刷デバイスノズル１８によって電極１２上に堆積される（図１）。そのようにして、第一の材料を含み、電極１２を覆う液体の溶液のボリューム２０が形成される（図２）。
次いで、ボリューム２０が電極１０の近傍へ広がる時間を有する前に、ノズル１８が移動して電極１０の上に位置し、次いで第二の溶媒内に分散された第二のＮ型導入ＳＡＭ半導体材料、例えば、４−メトキシチオフェノールを含む、第二の液体の一滴または数滴の液滴が電極１０上へ堆積される。そのようにして、第二の材料を含み、電極１０を覆う液体の溶液のボリューム２２が形成される（図２）。
それ自体公知である、ＳＡＭ（“Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ”，自己組織化単分子層）は、グラフティングによって得られる層である。知られているように、ＳＡＭの製造は、電極１０及び１２上で自己組織化を行わせるために大きな体積の有機溶媒を必要とし、そのためそれはボリューム２０及び２２の寸法が顕著に大きくなることを意味し、従って、それらが意図される電極のすぐ近傍を超えて遠くまで広がる可能性があることを意味している。一般に、堆積される材料の１０−５％から１０％の範囲の濃度を有する溶液が用いられる。
ＳＡＭは、電極を覆う半導体に対して電極の仕事関数を適合させることができる。それらは二つの型からなり、Ｐ電極の仕事関数を増大させ、それによって電子導入効率を向上させるＰ型ＳＡＭ及び、Ｎ電極の仕事関数を増大させ、それによってホール導入効率を向上させるＮ型ＳＡＭである。
変形例として、二つの異なるノズルが同時に用いられ、一方は電極１２上のボリューム２０の堆積に、他方は電極１０上のボリューム２２の堆積に用いられる。
有利には、ボリューム２０の溶媒及びボリューム２２の溶媒は、混合しないようにまたは「直交性である」ように選択され、それによってボリューム２０及び２２は、互いに遮断し、それゆえそれらそれぞれの堆積領域を保護する。従って、例えば、ボリューム２０はボリューム２２を、その広がる間遮断し、それによってボリューム２２が電極１２及びそれらの近傍に到達することを防ぐ。
次いで、本方法は、例えば、ボリューム２０及び２２の溶媒に従って適するように選択された温度で蒸発させることにより、溶媒の除去を実施する。これにより、Ｐ型ＳＡＭ２４が電極１２上に形成され、Ｎ型ＳＡＭ２６が電極１０上に形成される（図３）。
次いで、本方法は、従来のように、電極１２を覆うＰ型半導体材料、特に「ＴＩＰＳ−ペンタセン」として知られる６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン、又はフッ化アントラジチオフェン型分子、有利にはフッ化５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェンのボリューム２８の形成、及び電極１０を覆うＮ型半導体材料、特にアセンジイミド型分子のボリューム３０の形成を実施してもよい。
リソグラフィが例えば用いられる（図４）。前述した堆積技術もまた、ボリューム２８及び３０の形成に用いられうることに注意すべきである。
次いで、誘電体層３２がアセンブリー上に形成され（図５）、トランジスタのゲートのための金属電極が、誘電体３２上に形成される（図６）。
いくつかの異なる誘電体領域が存在する場合、そのような領域もまた、本明細書で上述されたのと同様に堆積されうる。
本発明に従えば、第一の溶媒は無極性であり、第二の溶媒は極性である。より具体的には、無極性溶媒はフッ化物溶媒であり、極性溶媒はアルコール、特にイソプロパノールである。
変形例として、極性溶媒は水であり、無極性溶媒はヘキサンまたはテトラリンである。
他の変形例に従えば、極性溶媒はアルコール、特にメタノールであり、無極性溶媒はテトラリンまたはヘキサンである。
無論、本発明は、堆積される任意のタイプの材料に、例えば、任意のタイプの導電性、半導体性、又は絶縁性材料にも、これらの材料をよく規定された領域に堆積することを望む場合すぐに適用される。従って、ダイオード電極またはＬＥＦＥＴトランジスタの形成と同様に、ＣＭＯＳ回路のＭＯＳトランジスタの形成が言及されてもよい。
同様に、前述されたＣＭＯＳ構造の製造は、本発明の有利な実施形態の具体的な応用に対応することが理解されるべきである。
より一般的には、本発明のこの実施形態は、これらそれぞれに意図される材料との親和性の原理を提供することにより、一つまたはいくつかのタイプの材料を、異なる隣接した領域に堆積することを含む。
従って、溶液のボリュームが堆積され、用いられた溶媒の直交性によって互いに遮断しあうと、溶液に含まれる堆積される材料は、優先的に対応する目的の領域に堆積する。
さらに、目的領域と意図される材料との間の親和性の原理によってもまた、材料は、その領域の周囲の表面よりもより強く目的の領域に「結合する」。次いで、例えば、それらのすすぎのようなアセンブリーの洗浄は、それぞれの目的の領域の周囲に堆積された材料を除去する結果となり、その一方目的の領域に堆積された材料は保持される。
有利には、例えば、前述の応用に関して説明されたように、親和性の原理は、含まれる材料（堆積される材料及び表面のまたは目的の領域を形成する材料）が、表面または目的の領域を形成する材料とその上に堆積される材料との間のより強い結合、最も多くは金属型の結合を形成するように選択される、ＳＡＭの親和性の原理である。
従って親和性の原理を有する混合しない（直交性の）溶液の組み合わせは、数十、または数百マイクロメートル程度の精度を有するインクジェット堆積によって数平方マイクロメートルの隣接する領域を、そして同時かつマスクを用いることなく形成することが可能になる。
１０ Ｐトランジスタのソース及びドレイン電極
１２ Ｎトランジスタのソース及びドレイン電極
１４ プラスチック基板
１６ 液滴
１８ ノズル
２０、２２ 溶液のボリューム
２４ Ｐ型ＳＡＭ
２６ Ｎ型ＳＡＭ
２８ Ｐ型半導体材料のボリューム
３０ Ｎ型半導体材料のボリューム
３２ 誘電体層
１２ Ｎトランジスタのソース及びドレイン電極
１４ プラスチック基板
１６ 液滴
１８ ノズル
２０、２２ 溶液のボリューム
２４ Ｐ型ＳＡＭ
２６ Ｎ型ＳＡＭ
２８ Ｐ型半導体材料のボリューム
３０ Ｎ型半導体材料のボリューム
３２ 誘電体層
Claims (17)
- それぞれに異なる第一及び第二の材料が形成された、表面（１４）の隣接する第一及び第二の領域を製造する方法であって、前記方法が、
前記第一の領域を覆い前記第一の材料が分散された溶媒を含む第一の液体ボリューム（２０）を堆積する段階、
前記第二の領域を覆い前記第二の材料が分散された溶媒を含む第二の液体ボリューム（２２）を堆積する段階、
及び前記溶媒を除去する段階を含み、
前記第一及び第二のボリューム（２０，２２）の前記溶媒が、混合されず、
前記第一のボリュームが前記第二の領域に到達する前に、前記第二のボリューム（２２）が、前記第一のボリューム（２０）の堆積と同時にまたは連続して堆積されることを特徴とする、方法。 - 前記第一及び第二の液体ボリューム（２０，２２）が、インクジェットによって堆積されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
- 前記第一及び第二の液体ボリューム（２０，２２）が、同時に堆積されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
- 前記溶媒の一方が極性溶媒であり、前記溶媒の他方が無極性溶媒であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記無極性溶媒が、フッ化物溶媒であることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
- 前記極性溶媒が、アルコール、特にイソプロパノールであることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
- 前記極性溶媒が水であり、前記無極性溶媒がヘキサンまたはテトラリンであることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
- 前記極性溶媒がアルコール、特にメタノールであり、前記無極性溶媒がテトラリンまたはヘキサンであることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
- 前記第一及び第二の材料が、ＳＡＭを形成することを目的とすることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一及び第二の領域が、その上にＳＡＭが形成される電極、特にＣＭＯＳ回路のＭＯＳトランジスタの電極を含むことを特徴とする、請求項９に記載の方法。
- 前記第一の材料が、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンチオールであり、前記第二の材料が、４−メトキシチオフェノールであることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
- 前記第一及び第二の材料が、半導体材料であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一の材料が、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳ−ペンタセン）またはフッ化アントラジチオフェン型分子、有利にはフッ化５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェンであり、前記第二の材料が、アセンジイミド型分子であることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
- 前記第一及び第二の領域が、それぞれＰトランジスタの電極及びＮトランジスタの電極を形成することを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一及び第二の領域が、ダイオードの電極またはＬＥＦＥＴトランジスタの電極を形成することを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一及び第二の材料が、絶縁性材料であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第一及び第二の領域が、並列トランジスタのゲート酸化膜を形成することを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1052647A FR2958561B1 (fr) | 2010-04-08 | 2010-04-08 | Procede de fabrication de deux zones adjacentes en materiaux differents |
| FR1052647 | 2010-04-08 | ||
| PCT/FR2011/050466 WO2011124792A1 (fr) | 2010-04-08 | 2011-03-07 | Procédé de fabrication de deux zones adjacentes en matériaux différents |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013526013A true JP2013526013A (ja) | 2013-06-20 |
Family
ID=42729408
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013503152A Pending JP2013526013A (ja) | 2010-04-08 | 2011-03-07 | 異なる材料からなる二つの隣接した領域の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8889473B2 (ja) |
| EP (1) | EP2556537A1 (ja) |
| JP (1) | JP2013526013A (ja) |
| CN (1) | CN102906878B (ja) |
| BR (1) | BR112012025054A2 (ja) |
| FR (1) | FR2958561B1 (ja) |
| WO (1) | WO2011124792A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10490746B2 (en) * | 2017-03-01 | 2019-11-26 | Palo Alto Research Center Incorporated | Selective surface modification of OTFT source/drain electrode by ink jetting F4TCNQ |
| US10466193B2 (en) | 2017-03-01 | 2019-11-05 | Palo Alto Research Center Incorporated | Printed gas sensor |
| FR3105573A1 (fr) * | 2019-12-23 | 2021-06-25 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procédé de fabrication d’un circuit intégré sécurisé |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999048339A1 (fr) * | 1998-03-17 | 1999-09-23 | Seiko Epson Corporation | Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface |
| JP2005513818A (ja) * | 2001-12-21 | 2005-05-12 | プラスティック ロジック リミテッド | 自己整合印刷 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69840914D1 (de) * | 1997-10-14 | 2009-07-30 | Patterning Technologies Ltd | Methode zur Herstellung eines elektrischen Kondensators |
| KR100940110B1 (ko) * | 1999-12-21 | 2010-02-02 | 플라스틱 로직 리미티드 | 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법 |
| GB2379083A (en) * | 2001-08-20 | 2003-02-26 | Seiko Epson Corp | Inkjet printing on a substrate using two immiscible liquids |
| GB2388709A (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-19 | Seiko Epson Corp | Circuit fabrication method |
| GB0321383D0 (en) * | 2003-09-12 | 2003-10-15 | Plastic Logic Ltd | Polymer circuits |
| TWI316296B (en) * | 2006-09-05 | 2009-10-21 | Ind Tech Res Inst | Thin-film transistor and fabrication method thereof |
| JP5111949B2 (ja) * | 2007-06-18 | 2013-01-09 | 株式会社日立製作所 | 薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ装置 |
-
2010
- 2010-04-08 FR FR1052647A patent/FR2958561B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-07 WO PCT/FR2011/050466 patent/WO2011124792A1/fr active Application Filing
- 2011-03-07 JP JP2013503152A patent/JP2013526013A/ja active Pending
- 2011-03-07 EP EP11712973A patent/EP2556537A1/fr not_active Withdrawn
- 2011-03-07 CN CN201180017537.3A patent/CN102906878B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-07 BR BR112012025054A patent/BR112012025054A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2011-03-07 US US13/639,284 patent/US8889473B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999048339A1 (fr) * | 1998-03-17 | 1999-09-23 | Seiko Epson Corporation | Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface |
| JP2005513818A (ja) * | 2001-12-21 | 2005-05-12 | プラスティック ロジック リミテッド | 自己整合印刷 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2958561A1 (fr) | 2011-10-14 |
| FR2958561B1 (fr) | 2012-05-04 |
| BR112012025054A2 (pt) | 2016-06-21 |
| CN102906878A (zh) | 2013-01-30 |
| US20130029455A1 (en) | 2013-01-31 |
| EP2556537A1 (fr) | 2013-02-13 |
| CN102906878B (zh) | 2016-04-13 |
| US8889473B2 (en) | 2014-11-18 |
| WO2011124792A1 (fr) | 2011-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5360737B2 (ja) | 有機トランジスタの製造方法および有機トランジスタ | |
| JP2007273957A (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタ | |
| JP2006352083A (ja) | 有機薄膜トランジスタ及びアクティブマトリックス表示装置 | |
| DE112008003235T5 (de) | Organische Dünnschichttransistoren und Verfahren zur Herstellung derselben | |
| Can et al. | High‐viscosity copper paste patterning and application to thin‐film transistors using electrohydrodynamic jet printing | |
| Li et al. | The effect of surfactants on electrohydrodynamic jet printing and the performance of organic field-effect transistors | |
| KR20170039306A (ko) | 직교 패터닝 방법 | |
| JP4984416B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| Pitsalidis et al. | Electrospray-processed soluble acenes toward the realization of high-performance field-effect transistors | |
| JP2009076791A (ja) | 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ | |
| JP2013526013A (ja) | 異なる材料からなる二つの隣接した領域の製造方法 | |
| DE112010000849T5 (de) | Verfahren zum Bilden von Source- und Drain-Elektoden organischer Dünnfilmtransistoren durch stromloses Plattieren | |
| WO2016143451A1 (ja) | 有機半導体膜の製造方法、有機トランジスタ | |
| JP4652866B2 (ja) | 有機トランジスタ | |
| Wang et al. | Process optimization for inkjet printing of triisopropylsilylethynyl pentacene with single-solvent solutions | |
| US8691621B1 (en) | Thiol bond formation concurrent with silver nanoparticle ink thermal treatment | |
| CN103237922A (zh) | 用于惰性金属接触部上的溶液处理的过渡金属氧化物的附着层 | |
| KR101047034B1 (ko) | 박막 패턴 형성 방법 | |
| JP5181587B2 (ja) | 有機半導体素子およびその製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ | |
| JP2011187750A (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタレイの製造方法及び表示装置の製造方法 | |
| Nguyen et al. | Investigation of electrospray-deposited PEDOT: PSS thin film using an electrohydrodynamic jet printer for inverted QDLEDs | |
| JP2010219447A (ja) | 有機トランジスタ用インク、有機トランジスタの電極及びその形成方法並びに有機トランジスタ | |
| JP2008071867A (ja) | 有機トランジスタおよび有機トランジスタの製造方法 | |
| TWI619154B (zh) | 電子裝置之製造方法 | |
| CN100424831C (zh) | 导电性图案、电子器件的制造方法及电子器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140120 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141104 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150204 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150706 |