JP2013525867A - 消去可能なイオン注入された光カプラ - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 基板へイオンを注入することで、光学デバイスの導波路内に回折格子を形成する工程;
前記導波路へ入射し、前記回折格子を通り抜けて、前記導波路から射出する光を結合する工程;及び、
前記回折格子を通り抜ける光信号を結合した後、前記基板をアニーリングして前記回折格子を除去する工程;
を有する方法。 - 前記光学デバイスをシリコン・オン・インシュレータ光学デバイスとして作製する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記イオンを注入する工程が、フォトリソグラフィを用いることによって前記基板上にハードマスクを形成する工程、及び、前記ハードマスクを介してイオンを注入する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記イオンを注入する工程が、パターンに従って重いIV族のイオンを前記基板へ注入する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記イオンを注入する工程が、前記基板の自己アニーリング温度未満の温度でイオンを注入する工程を有する、請求項4に記載の方法。
- 前記イオンを注入する工程が、イオンを注入することによって前記基板内に屈折率が周期的に変化する回折格子を形成する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記イオンを注入する工程が、イオンを注入することによってブラッグ回折格子を形成する工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記イオンを注入する工程が、前記イオン注入によって、前記基板の少なくとも一部を結晶状態からアモルファス状態へ変化させる工程を有する、請求項6に記載の方法。
- 前記回折格子を除去する工程が、前記基板のアモルファス部分を少なくとも部分的に結晶状態に変化させる工程を有する、請求項8に記載の方法。
- 前記イオンを注入する工程が、前記注入された材料の屈折率を変化させるため、放射線損傷を導入する工程を有する、請求項6に記載の方法。
- 前記回折格子を形成する工程が、前記導波路へ入射する光を結合する光カプラを形成する工程を有する、請求項6に記載の方法。
- 光信号を結合する工程が、前記結合された光信号を用いて前記光学デバイスを検査する工程を有する、請求項11に記載の方法。
- 前記基板上の複数の異なる光学デバイスと結合する複数の回折格子を前記基板上に形成する請求項1に記載の方法であって、
前記複数の異なる光学デバイスは、異なる光学特性を有することで、前記基板の外部の複数の異なる導波路と結合する、方法。 - 前記回折格子の除去後に前記光学デバイスの上にさらなる光学デバイスを形成する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 基板;
前記基板上の光学デバイス;及び、
検査用に前記基板上に暫定的に形成され、その後アニーリングによって除去される光カプラ;
を有する装置であって、
前記光カプラは、前記光学デバイスの検査のため、前記光学デバイスと結合する、
装置。 - 前記光カプラがブラッグ回折格子である、請求項15に記載の装置。
- 前記光カプラが、前記基板を周期的に損傷させることによって暫定的に形成される、請求項15に記載の装置。
- 基板;
前記基板上の第1光学デバイス;
前記基板上の第2光学デバイス;
前記第1光学デバイスと前記第2光学デバイスとの間で、前記第1光学デバイスと前記第2光学デバイスとを結合する光導波路;及び、
検査用に前記基板上に暫定的に形成され、検査後に消去される光カプラ;
を有する装置であって、
前記光カプラは、前記光導波路と結合することで、前記光導波路を飛び出す外部検査用光信号を結合する、
装置。 - 前記外部検査用光信号を前記第1光学デバイスへ入射させて結合する第2光カプラをさらに有する、請求項18に記載の装置。
- 第3光学デバイス;
前記第2光学デバイスと前記第3光学デバイスとの間で、前記第2光学デバイスと前記第3光学デバイスとを結合する第2光導波路;及び、
前記光導波路を飛び出す前記第2光カプラからの外部検査用光信号を結合するように前記第2光導波路と結合する第3光カプラ;
を有する請求項19に記載の装置であって、
前記第1光カプラは、前記光導波路を飛び出す外部検査用光信号の一部のみを結合する、
装置。 - ラジオ;
前記ラジオと結合するハブ;及び、
前記ハブと結合するプロセッサ;
を有する装置であって、
前記プロセッサは:
基板;
前記基板上の第1光学デバイス;
前記基板上の第2光学デバイス;
前記第1光学デバイスと前記第2光学デバイスとの間で、前記第1光学デバイスと前記第2光学デバイスとを結合する光導波路;及び、
検査用に前記基板上に暫定的に形成され、検査後に消去される光カプラ;
を有し、
前記光カプラは、前記光導波路と結合することで、前記光導波路を飛び出す外部検査用光信号を結合する、
装置。 - 前記プロセッサの光導波路がシリコン・オン・インシュレータ導波路である、請求項21に記載の装置。
- 前記光カプラは、イオン注入により形成され、かつ、アニーリングにより消去される、請求項21に記載の装置。
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