CN102893189B - 可擦除的离子注入的光耦合器 - Google Patents

Abstract

描述了可擦除的离子注入的光耦合器。在一个示例中，一种方法包括：将离子注入衬底，以在光器件的波导中形成光栅，该光栅将光信号耦合进出该波导并通过光栅；以及在通过波导耦合光信号之后，对衬底退火以去除光栅。

Description

可擦除的离子注入的光耦合器

领域

本公开涉及光电路制造领域，具体涉及可擦除的输入和输出耦合器在光学组件和电路中的应用。

背景技术

集成光子产品包括滤波器、分插复用器、反射器以及用于光通信、光互连以及光感测的许多其它光学和光子器件。集成器件可构建为多层，其中下层器件首先构建，且更多器件被构建下层器件上方。在微电子学中，在更多器件被层叠上去之前，可对下层上的器件进行测试。许多微电子设计包括接触垫，以允许测试探头与部分完工的晶片进行电连接。如果电路未良好工作，则对其进行修复或将其丢弃。这避免了构建更高层却在稍后发现电路有缺陷的浪费。

在光器件中，通常使用光栅来代替电气接触垫，以将光耦合进入和耦合出光电路。尽管当前不存在用于集成光子器件的标准制造和测试技术，但经蚀刻的光栅耦合器通常被用于测试原型光子器件。

尽管能有效地使用经蚀刻的光栅将光耦合到光子器件中以用于测试和表征目的，但一经制造，它们就永久地被植入光电路中。

典型地，中间光栅耦合器将在任一侧断开光学路径，或降低光在光电路中传播的效率。由于光栅是对晶片表面的变更，必须在器件测试之后将光栅从晶片物理地去除，或必须重新确定光学路径以避开测试光栅。这限制了将经蚀刻的光栅耦合器用于线上光学测试，且增加了去除它们的花费。

光子器件和其它光器件能利用已面向微电子领域完善建立的工艺（最著名的是通过使用基于绝缘体上硅（SOI）材料系统的CMOS（互补金属氧化物半导体）兼容制造技术）在硅晶片上被大规模制造。替代地，可利用诸如铌酸锂、二氧化硅之类的其它材料以及III-V族工艺来制造集成光器件。

附图简述

参考以下附图描述了本发明的非限制性和非穷举实施例，在全部视图中，相同的附图标记指示相同部件，除非另外指定。

图1A是适用于本发明的绝缘体上硅波导的简图。

图1B是根据本发明的实施例的具有在波导上形成的硬掩模层的图1A的波导的简图。

图1C是根据本发明的实施例的具有穿过图案化掩模的离子注入的图1A的波导的简图。

图1D是根据本发明的实施例的具有在波导中形成的光栅的图1A的波导的简图。

图1E是根据本发明的实施例的使用光栅作为光耦合器来测试波导或其它光学组件的简图。

图1F是根据本发明的实施例的利用热从波导擦除光栅的简图。

图2是根据本发明的实施例的能用于测试若干光子器件的级联光栅阵列的简图。

图3是根据本发明的实施例的用于测试光子器件的测试系统的简图。

图4是根据本发明的实施例的包括光子器件的移动通信设备的简图。

具体实施方式

传统上通过反应离子蚀刻而制造的光耦合器件（在此情况下为光栅）可替代地通过离子注入来制造。这允许在使用之后通过低温热处理来擦除这些器件。例如，可擦除的光栅结构可用于光学晶片级测量以及集成光子器件中需要集成反射器（布拉格光栅）和耦合器的迅速（或一次性）实现的任何其它应用。擦除可通过热退火或激光退火来执行。激光退火允许注入的光栅在局部被擦除，且被处理的晶片的其它部分不受影响。

离子注入的光栅还能被用于电信应用和光感测的产品中，在这些产品中，经蚀刻的光栅一般是优选的。离子注入的布拉格光栅显示出了与等同的蚀刻光栅可比拟的或更好的性能，而且潜在地更易于被制造。此外，布拉格光栅的平坦表面是用于感测应用和热调谐应用的优势。

可擦除光栅可应用于光学晶片级测试技术。通过在制造工艺期间的任何时候和任何地方插入光栅，制造期间的分析可以是快速的、线上的以及非破坏性的。可擦除的进入点能被用于在器件晶片上的任何位置引导光，且对晶片表面的变更最少。

如本文所描述，离子注入的集成光栅在绝缘体上硅（SOI）以及其它光学电路和器件中形成。这些光栅稍后能通过退火而被擦除。这些光栅极有可能用于光学集成，且能被用于各种集成光子应用，诸如光通信、光感测以及光学晶片级测试。注入的光栅能通过使用已建立的离子注入工艺来制造。注入的离子5在所影响的波导的硅晶格中引入结构改变。

离子注入能将晶体硅结构改变成非晶硅结构。这足以改变折射率，以使得晶体硅和非晶硅的交替行的图案能形成光栅。非晶硅与晶体硅的折射率n之间的折射率差在例如约1.55μm的光波长下约为0.5。通过用作模板的SiO₂硬掩模注入IV族离子（诸如Ge离子5），可将周期性图案转移到硅波导上。

注入其它离子以损坏硅也是可行的。对于硅而言，IV族材料Ge和其它IV族离子效果良好，但也能使用其它离子。对于诸如砷化镓之类的III-V族材料、对于诸如铌酸锂之类的绝缘体、或对于诸如硅玻璃之类的非晶材料，其它离子可能产生更好的结果。

图1A至1E示出通过离子注入来制造光栅的示意图。例如，这样的光栅可被配置为输入或输出耦合器、或布拉格光栅。这些光耦合器能被用于晶片级测试。图1A示出一个示例中的半导体衬底1。

在一个示例中，该衬底具有位于掩埋的绝缘体层（诸如二氧化硅）之上的半导体层（诸如硅），然而，可替代地使用其它材料。已使用（例如）UV光刻技术以及随后的反应式离子蚀刻在衬底1的顶部半导体层上形成了常规的脊形光波导2。在所示示例中，波导是硅脊形波导，然而也可替代地使用其它类型的波导。该光波导是用于说明目的。各种不同光器件可通过本示例中的简单波导来表示。这些器件包括滤波器、分插复用器、调制器、谐振器、反射器以及许多其它基于波导的光学和光子器件。

图1B示出沉积在包括波导的衬底1之上的具有硬掩模3的光波导。硬掩模层3在波导上被形成为二氧化硅(SiO₂)层或氮化硅(Si₃N₄)层，然而也可使用各种其它CMOS相容材料，包括电介质和金属（诸如铝）。电介质可包括SiO₂、Si₃N₄、SiOH、SiON以及多晶硅，等等。金属可包括Al、Cr、W以及Au，等等。

然后在硬掩模3上将抗蚀剂层4（诸如光刻胶或电子束抗蚀剂）图案化为周期性光栅图案或任何其它想要的图案。例如，该抗蚀剂可以被沉积或被旋涂。然后它通过（例如）电子束光刻或深UV光刻而被曝光，并被显影。这使得硬掩模层3按照想要的图案来暴露。该特定图案取决于所制造的特定器件。对于光栅而言，可使用如图1C所示的行的周期性图案。然而，该硬掩模也能用于制造其它图案。

在将抗蚀剂图案化之后，使用例如基于CHF₃的气体（在SiO₂的情况下）或其它标准电介质或金属蚀刻剂（取决于所使用的掩模材料）来蚀刻硬掩模3的暴露区域。典型的蚀刻剂包括碳和硅的氟化物以及各种酸，等等。因此，该图案被施加至硬掩模3。然后去除光刻胶，留下经图案化的硬掩模4。可选择硬掩模4上的图案的特定尺寸以适合特定应用，诸如要耦合进出光学组件的光以及想要的耦合效率。

在图1C中，通过经图案化的硬掩模4来注入离子5。该注入可使用标准半导体处理技术来执行。离子按照与硬掩模相对应的图案来损伤下方的衬底。该损伤改变受影响区域中的衬底的折射率。如果损伤足够强，则可使衬底改变状态，例如从晶体转变为非晶。这提供折射率的较大改变。可调整离子注入量以及对衬底的损伤以适合特定应用。

在图1D中，通过适当的选择性湿法蚀刻或反应式离子蚀刻来去除硬掩模4。这留下了经图案化的离子注入区域，从而形成光耦合器6。所得的光耦合器6能用于将光耦合进出波导或任何其它光学元件。光耦合器6提供用于进出衬底1上的光学组件的进入点，以用于测试和其它用途。所有这些操作与常规的CMOS（互补金属氧化物半导体）制造工艺相容。这允许光耦合器6与晶片上的其它电子和光子元件共存，并在同一设施上且利用同一设备来制造。

在一个示例中，通过离子注入形成布拉格光栅。布拉格光栅能被用作频率选择的反射器。取决于特定应用，可设计布拉格光栅以将窄波长带的光反射回入射光波导中。在此示例中，如上所述制造的布拉格光栅可按照与光耦合器相同的方式来擦除。可基于器件的预期用途和制造需求来进行对光栅、光耦合器或其它光器件的特定选择。

光耦合器6的深度受由离子注入所形成的非晶区域的厚度的影响。可在较低的注入剂量和较高的注入温度下使用较重的离子。另一方面，较轻的离子需要较高的剂量和较低的温度。较低的温度有助于防止非晶硅中发生自退火。自退火将降低注入工艺的效率。

在离子注入工艺期间，衬底会因为离子撞击而被加热。这产生了自退火效应，该效应对预期由离子注入所引起的损伤不利。像Sn、Xe或锗之类的较重的离子种类能够在较低剂量下引起想要的损伤，因为在撞击中，较重的质量产生较高的损伤浓度。这增强了材料的非晶化，并限制自退火。

另一方面，较轻的离子种类（例如硼或磷，甚至He和N₂）需要高注入剂量，且非常容易倾向于自退火。此外，轻离子种类会容易地扩散到材料中，从而使光栅分布难以控制。用于注入的离子的特定选择将取决于想要的效果和所涉及的制造设备。可能的离子包括Ge、Sn、Pb、Sb、Xe、一般而言的稀有气体(Ne、Ar、Kr、Xe)以及碳，等等。为了与CMOS工艺相容，已使用了Ge和Si，不过其它材料也可能是适合的。

Ge离子5能被用于在相对低剂量下（诸如，10¹⁴-10¹⁵个离子/cm²）通过硬掩模4来产生非晶区域。使用30keV与70keV之间的能量以及从300K到700K的温度获得了良好效果。在Ge离子5的情况下，这产生了从50nm到100nm深度的光耦合器6。

对于典型的SOI波导材料，可假定，当点缺陷的浓度达到约4×10²²cm^-3的值时，材料完全是非晶的。该浓度对应于晶体硅原子密度的约80%。此外，迄今为止获得的数据表明，较低的点缺陷浓度值也与硅折射率的改变相关联。因此，尽管非晶化确保较高的折射率改变（从而确保较高的光栅效率），但对于较低的损伤浓度，实现较弱的光栅效应也是可能的。

在光耦合器6或光栅就位的情况下，可如图1E所表明的那样测试该晶片。在一个示例中，光耦合器6是光栅，且被用于将光耦合进出波导，以创建用于晶片上的光学组件的入口和出口。图1E示出被用作出口的光栅6。透过波导2传播的光信号7通过光耦合器6全部或部分地被引导离开该波导。然后可对信号7取样、测量以及评估，以用于测试目的。然而，除了作为出口，同样或不同的光耦合器6也可用作入口。根据光学组件2和光耦合器6的特定构造，可对晶片上的光器件执行各种不同测试中的任一种。然后，当测试完成时，可擦除光耦合器6。

因为在经注入的材料中的折射率变化主要与离子注入损伤有关，所以光栅效应可逆。在一个示例中，如图1F所示，通过适当温度（例如550°C）的退火15-20分钟，光耦合器6被擦除。可使用其它工艺以代替温度退火或作为温度退火的附加。这允许经注入的光耦合器6在需要可擦除的光耦合器的任何地方使用。用于可擦除光栅的一个示例应用是用于光子器件的晶片级测试。可在经处理的硅晶片的不同区域中注入集成光耦合器，以使得光耦合能用于测试目的。

图2示出能用于测试光子器件的级联光栅阵列。级联构造能为光学晶片级测试提供更大范围的测试。在图2中，在器件晶片22上注入较高效率(η_i)的输入耦合器21，且通过使用各种效率(η₁,η₂,η₃)的不同光栅在晶片中的不同点23、24、25处提取输出信号。

在图2的示例中，光测试信号26通过光信号产生器27耦合到晶片中。测试信号传播通过构成第一待测光子器件（PDUT1）28的一个或多个光器件。第一PDUT的输出29在第一较低效率光栅23处被测试信号接收器30部分地收集。然而，仅收集了输入测试信号的一部分，光测试信号26的余下部分继续通过第二光器件（PDUT2）31。在通过第二器件处理之后，测试信号32的一部分被第二测试信号接收器34所收集。

测试信号26的余下部分继续至第三光器件（PDUT3）34。该器件的光学输出35可在第三输出光栅25处被第三测试信号接收器36所收集。可能存在附加的光器件（未示出），测试信号26的余下部分传播通过附加的光器件。根据所要支持的特定测试方案，可提供更多或更少的输入和输出光栅。如果在光学电路或路径中存在分支，则各个分支处的光栅可用于收集测试信号的诸部分。可调整测试信号和分支的特定数量以适合晶片的特定布局和任何期望的测试方案。

为了区别每个不同器件的测试输出29、32、35，可构想各种策略。在一个示例中，通过采用不同注入深度或不同光栅周期，可在晶片上的不同位置处注入不同的光栅。通过在注入工艺期间使用不同离子能量，可制造不同注入深度。不同深度和不同周期允许使用不同波长的光测试信号。这可允许通过将一系列光栅级联来实现更先进的测试方案。

在所示示例中，所施加的原始测试信号26具有宽频率范围，如该图中的三个不同阴影的箭头所示。在每个输出光栅23、24、25处，仅单个波长范围被相应的光栅耦合并被相应的接收器30、33、36收集。在所有三个输出光栅之后，收集所有三个波长带。为了该图的目的，已通过测试过程收集了整个输入测试信号26。图2是为了说明级联光栅阵列的概念而提供的简图。可调整实际光频率范围和光栅布置以适合任何特定应用。

可调整光栅的效率以适合任何特定的测试应用。在许多情况下，从经注入的耦合器提供的信号会非常弱且在频率范围中非常窄，从而目的变成了能够检测该信号的表示。然后可对所检测到的表示进行取样和评估，以获得其承载的信号或其它特性。在这样的情况下，为了测试集成设计，功率要求可能相对低，只要测试信号以令人满意的SNR（信噪比）在波导或其它光器件内部耦合。这种类型的耦合允许利用具有非常低耦合效率的光栅来执行晶片级测试。因此，在这样的系统中，尽管阴影离子注入光栅的耦合效率比其它类型的光栅低，仍可使用阴影离子注入光栅来获得良好效果。

对于其它应用而言，可能期望高得多的耦合效率。对于输入光栅而言，这可通过提供较高的输入功率来提供。替代地，可使用较深的离子注入光栅。在一些实例中，可将其它类型的光栅或端口用于需要高耦合效率来支持特定测试的少数场景。可调整任何特定光栅的设计以适合测试方案。

在图1F中，擦除光耦合器6，从而将衬底1和波导2返回它们的原始状态或接近原始状态。可利用快速热退火（RTA）或激光退火等等来擦除光栅。激光退火允许将退火引导至晶片上的特定位置。这能被用于允许特定光栅被擦除，而不影响任何其它光电路或器件。RTA可被如下的晶片，其中的光学电路更强健而且不会受到加热至擦除工艺所需温度的影响。

虽然图1F显示光耦合器6已从衬底1和波导2完全擦除，但波导上可能存在光耦合器6的残留物。光耦合器被擦除的程度将取决于原始离子注入的特性和退火工艺的效率。即使一些硅保持非晶或受损状态，光耦合器也可能被充分去除以消除其功能。此外，即使实际上所有的受损/非晶硅已返回至晶体状态，注入的离子可能仍然残留在衬底中。没有必要在退火期间完全消除光耦合器的所有残留物，替代地恢复光波导的先前功能以供使用。

根据应用，可将晶片测试到不同程度。图3是用于包含光学电路或光子元件的晶片41的测试构造的简图。该晶片可以是用于最终测试的完成晶片或部分经过处理的晶片。根据测试结果，部分经过处理的晶片可被测试然后送至制造区域以进行进一步处理、送至返工区域以进行修复、或被丢弃。晶片被耦合至多个光学探头42，诸如图2的信号发生器27和信号接收器30、33、36。对于包括多个芯片的晶片而言，根据测试场景，可针对每个芯片或针对芯片中的一个或多个而将探头加倍。光学探头可通过可擦除光栅并通过永久的光耦合器被耦合至晶片。这可允许按照期望地测试尽可能多的光学电路和器件。光学探头耦合至光学子系统43，该光学子系统43控制信号产生器所产生的信号，并收集由信号接收器所收集的信号。

一组电气探头和连接器44也被耦合至晶片上的电气连接垫和触点，以按期望地向晶片提供驱动和调制信号。根据晶片上的特定组件以及将要执行的测试的类型，电气探头可驱动晶片上的电子组件（如果存在）、向晶片提供控制信号、并提供调制和切换信号。电气探头和连接器被耦合至电气子系统45。

光学和电气子系统被耦合至测试控制器46，测试控制器46可以是用于控制测试的专用或通用计算机的形式。测试控制器提供信号序列并从子系统接收结果。然后测试控制器可将结果提供给用户接口或生产控制系统47。

图4是适用于如上所述的微电子器件的设备的示例。在图4的示例中，设备100被优化以用作移动电话、便携式游戏控制台或移动因特网设备，然而，根据电源、外壳和用户接口设计等等，可调整该架构以用作平板、笔记本或桌面计算机。在图4中，处理器410耦合至系统控制器中枢411。

系统控制器中枢具有连接至各种不同设备的接口。在一侧，诸如SDRAM（同步动态随机存取存储器）之类的高速存储器412耦合至第一存储器接口。诸如盘驱动器、闪存或非易失性存储器之类的高容量存储器413耦合至第二存储器接口。串行接口414耦合至该系统控制器中枢以支持蜂窝、无线网络和外围设备无线电装置以及任何其它串行设备，诸如媒体卡、存储卡和其它适配器卡。

系统控制器中枢411还耦合至图形适配器415，图形适配器415连接至内部显示器416。对于便携式设备而言，这可以是各种类型中的任一种类型的触摸屏显示器。第二图形适配器417可耦合至系统控制器中枢以提供用于外部显示器的视频输出。第二图形适配器可与第一图形适配器组合以降低成本，或它可仅被提供作为接口适配器而没有像素处理能力。用户接口总线418允许各种低引脚数量的输入/输出接口中的任一种连接至系统控制器中枢411。这可包括触摸屏控制器、键盘、红外收发机等等。

该系统控制器中枢还包括用于话筒、扬声器、头戴式耳机等等的模拟音频接口419。最终，高速连接接口420可连接至系统控制器中枢，以支持诸如PCI（外围组件接口）、USB（通用串行总线）、火线、光峰(Light Peak)等等之类的高速外部接口。该连接可被用于同步，以及用于照相机、语音和视频电话、有线和无线高速联网，以及其它目的。各种不同的高速适配器和加速器也可耦合至该接口。

所示的特定连接、接口和设备是作为示例而提供的，可使用更多或更少设备，而且可改变所示特定示例以适合特定区域和使用应用。所示架构提供一个示例，然而，根据应用可组合或分割某些设备。例如，可将图形、存储器以及一些接口纳入该系统控制器中枢或处理器中。该处理器可被配置成与图形、存储器、高速外部接口以及其它组件直接通信。此外，可添加更多组件以适合特定应用。

所示组件中的任何一个或更多个可包括如上所述的绝缘体上硅光波导。例如，处理器110可包括内部波导122，以在处理器的不同部分之间通信，例如在执行核与数据或指令高速缓存之间通信。系统控制器中枢111可包括内部波导123，以在不同接口或总线之间通信。在每种情况下，波导将两个光学设备（未示出）连接到一起，这些光学设备可能仅仅是光电接口，或可能直接影响光。

此外，光波导可用于在该系统的分立组件之间进行通信。图4分别示出处理器和中枢上的波导424、425，以支持这两个设备之间的光学连接。相似地，波导126、127用于将图形适配器115耦合至中枢111。如果图形适配器被纳入处理器或中枢中，则仍可使用光波导来将图形适配器连接至该单个芯片的其它部分。可使用光连接器来耦合其它组件。图4还示出在相对的片上波导128、129之间的光学连接，用于将中枢连接至高速连接总线120。可调整系统100内的光波导的特定使用和构造以适合各种各样的应用和环境。

在以下描述中，描述了各种特定细节以提供对本发明的实施例的透彻理解。然而，本领域技术人员会认识到，可以在无需这些具体细节中的一个或多个的情况下、或者使用其它方法、组件、材料等来实践本发明。在其它情形中，公知的结构、材料或操作未被示出或未详细描述，但仍然被包含在本发明的范围内。

贯穿本说明书，对“一个实施例”或“一实施例”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。因此，本说明书中的这样的短语的出现不一定都指代同一实施例。而且，特定特征、结构、或特性可按照任何合适的方式在一个或多个实施例中组合。

所示出的本发明的实施例的以上描述（包括摘要中描述的内容）不旨在穷举本发明或将本发明限制为所公开的精确形式。虽然本文中为了说明目的描述了本发明的特定实施例和示例，但本领域普通技术人员将认识到，在本发明范围内的各种等价修改是可能的。鉴于以上详细描述，可对本发明作出这些修改。

所附权利要求书中使用的术语不应当理解为将本发明限制为说明书和权利要求书中公开的特定实施例。相反，本发明的范围应当完全根据所附权利要求书来确定，权利要求书应当根据权利要求解释的既定教义来理解。

Claims (20)

1.一种用于光电路制造的方法，包括：

将离子注入衬底，以在光器件的波导中形成光栅；

将光信号耦合进入所述波导以及耦合出所述波导，并通过所述光栅；以及

在通过所述波导耦合光信号之后，对所述衬底退火以去除所述光栅，

将离子注入衬底的步骤包括：在低于所述衬底的自退火温度的温度下注入离子以在所述衬底中形成折射率的周期性变化的光栅并且使所述衬底的非晶部分变成至少部分晶体状态。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括将所述光器件制造为绝缘体上硅光器件。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，注入离子包括：利用光刻在所述衬底上形成硬掩模，并通过所述硬掩模注入离子。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，注入离子包括：按照图案将重IV族离子注入所述衬底。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，注入离子包括：注入离子以形成布拉格光栅。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述光栅包括：使所述衬底的非晶部分变成至少部分晶体状态。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，注入离子包括：引入辐射损伤以改变经注入材料的折射率。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，形成光栅包括：形成用于将光耦合到所述波导中的光耦合器。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，耦合光信号包括：利用所耦合的光信号来测试所述光器件。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述衬底上形成耦合至所述衬底上的多个不同光器件的多个光栅，所述不同光栅具有不同的光学性质，以将不同的波长耦合出所述衬底。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在去除所述光栅之后在所述光器件上形成附加的光器件。

12.一种用于光电路制造的装置，包括：

衬底；

所述衬底上的光器件；以及

光耦合器，通过在低于所述衬底的自退火温度的温度下将离子注入所述衬底以在所述衬底中形成折射率的周期性变化的光栅并且使所述衬底的非晶部分变成至少部分晶体状态而在所述衬底上临时形成以用于测试，然后通过退火被去除，所述光耦合器耦合至所述光器件以测试所述光器件。

13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述光耦合器是布拉格光栅。

14.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述光耦合器通过按照周期性图案来损伤所述衬底而临时形成。

15.一种用于光电路制造的装置，包括：

衬底；

所述衬底上的第一光器件；

所述衬底上的第二光器件；

光波导，位于所述第一和第二光器件之间并耦合所述第一和第二光器件；以及

光耦合器，通过在低于所述衬底的自退火温度的温度下将离子注入所述衬底以在所述衬底中形成折射率的周期性变化的光栅并且使所述衬底的非晶部分变成至少部分晶体状态而在所述衬底上临时形成以用于测试，然后在测试之后被擦除，所述光耦合器耦合至所述光波导以将外部光测试信号耦合出所述波导。

16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，还包括第二光耦合器，用于将所述外部光信号耦合入所述第一光器件中。

17.如权利要求16所述的装置，其特征在于，还包括：

第三光器件；

第二光波导，位于所述第二和第三光器件之间，并耦合所述第二和第三光器件；以及

第三光耦合器，耦合至所述第二光波导，以将外部光信号从所述第二光耦合器耦合出所述第二波导，

其中所述第一光耦合器仅将所述外部光信号的一部分耦合出所述波导。

18.一种用于光电路制造的装置，包括：

无线电装置；

耦合至所述无线电装置的中枢；以及

耦合至所述中枢的处理器，所述处理器具有

衬底；

所述衬底上的第一光器件；

所述衬底上的第二光器件；

光波导，位于所述第一和第二光器件之间并耦合所述第一和第二光器件；以及

光耦合器，通过在低于所述衬底的自退火温度的温度下将离子注入所述衬底以在所述衬底中形成折射率的周期性变化的光栅并且使所述衬底的非晶部分变成至少部分晶体状态而在所述衬底上临时形成以用于测试，然后在测试之后被擦除，所述光耦合器耦合至所述光波导以将外部光测试信号耦合出所述波导。

19.如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述处理器波导是绝缘体上硅波导。

20.如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述光耦合器通过离子注入来形成，并通过退火而被擦除。