JP2013521347A - シクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共重合体、及びその製造方法、並びその応用 - Google Patents
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Abstract
【化11】
Description
式中で、x+y=1、0.5≦x<1、nは100より小さい正の整数であり;R1はC1〜C20のアルキルであり;R2、R3、R4、R5は互いに異なっていてもよく、水素原子、C1〜C20のアルキル又はアルコキシ、アルキル含有フルオレニル基、アルキル含有ピロリル基、アルキル含有ベンゼン環である。
ジケトン化合物とo−フェニレンジアミンを有機酸水溶液中に加入してキノキサリン系ヘテロアリール環の二臭化物を製造する工程と、
前記キノキサリン系ヘテロアリール環の二臭化物を、4,4−ジアルキル−2,6−ビス(トリメチルスズ)−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン化合物及び4,4−ジアルキル−2,6−ジブロモーシクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン化合物とスティレカップリング(Stille coupling)反応をさせて、前記シクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体を製造する工程と、を含む。
1、前記重合体はシクロペンタジエンジチオフェン又はその誘導体の構造単位を含み、該構造単位中の二つのチオフェン環が同一の平面上に存在しているため、重合体の共役性能を効果的に延長させ、重合体のエネルギーギャップを低下させることができ、且つこのような共平面構造は、二つ主鎖の間におけるキャリアの移動をより容易にさせ、これによりキャリア移動度を高めた。
2、前記重合体は、キノキサリン単位を含有することで、重合物が高電子伝達特性、高ガラス転移温度、及び優れた電気化学的還元特性を有することになる。且つ、キノキサリン単位は強い電子吸引能力を持っている優れた受容体であるため、本発明の重合体が強い化学及び構造的可修飾性も有することになり、簡単な方法で電子供与性基及び電子受容性基を導入することで、その電子吸引性を調整することができた。
3.前記シクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体は、長いアルキル鎖を導入することによって、材料の溶解性を効果的に高め、加工性能を改善して、ポリマー太陽電池などの分野における応用範囲を拡大した。
4、前記重合体の製造において、温度を制御することによって、限られた反応物が適切な環境下で反応して目的生成物を製造することができるため、その製造方法が簡単で、操作及び制御が容易であり、工業生産に適する。
5、前記共役重合体を活性材料として、ポリマー太陽電池、有機エレクトロルミネッセンス(EL)、有機電界効果トランジスタ、有機光記憶素子、有機非線形材料又は/及び有機レーザーデバイスの製造分野に用いる場合、高温処理を経た後、材料の分子内における各基及び分子鎖間の配列の秩序性と規則性が効果的に増加されるため、キャリア移動度の伝達速度及び効率が改善されて、部品の光電変換率をより効果的に向上させることができた。
式中で、x+y=1、0.5≦x<1、nは100より小さい正の整数であり;R1はC1〜C20のアルキルであり;R2、R3、R4、R5は互いに異なっていても良く、H、C1〜C20のアルキル又はアルコキシ、アルキル含有フルオレニル基、アルキル含有ピリル基、アルキル含有ベンゼン環である。
前記アルキル含有ピロリル構造の一般式は、下記(B)により表されることが好ましく、その中で、R9はC1〜C20のアルキルであり、該アルキル含有ピロリルにおいて、ベンゼン環上の未置換位置は任意に置換されることができる。
前記アルキル含有ベンゼン環構造の一般式は、下記(C)により表されることが好ましく、その中で、R10はC1〜C20のアルキルであり、該R10はベンゼン環の未置換位置の任意位置にあることができる。
具体的に、前記方法は、
工程i:ジケトン化合物とo−フェニレンジアミンを有機溶媒中に加入してキノキサリン系ヘテロアリール環の二臭化物を製造する工程と、
工程ii:前記キノキサリン系ヘテロアリール環の二臭化物を、4,4−ジアルキル−2,6−ビス(トリメチルスズ)ーシクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン化合物及び4,4−ジアルキル−2,6−ジブロモーシクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン化合物とスティレカップリング(Stille coupling)反応をさせて、前記シクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体を製造する工程と、を含む。
ポリ4,4−ジオクチルーシクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンの製造
窒素ガス雰囲気の下で、3,6‐ジブロモ‐o‐フェニレンジアミン3.7mmol(1.0g)及びジフェニルグリオキザール化合物1.84mmol(0.39g)を酢酸溶液20mLに加えた。そして、120℃の温度の下で1時間の還流を行った後、反応液を水に加入し、まず、炭酸水素ナトリウムで溶液を中性になるまで中和し、さらにクロロホルムで抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムによる乾燥を行ってから、回転蒸発によって溶媒を除去し、粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して白色固体を得た後、クロロホルム/n−へキサンを用いて前記白色固体に対し再結晶を行うことにより白色固体産物、即ち5,8‐ジブロモ−2,3−ビス(フェニル)キノキサリン化合物を得た。ここで、収率は81%であり、MS(EI)m/z:440(M+)であった。
窒素ガス雰囲気の下で、5,8‐ジブロモ−2,3−ビス(フェニル)キノキサリン化合物0.5mmol(0.22g)、4,4−ジオクチル−2,6−ビス(トリメチルスズ)−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン0.5mmol(0.356g)及び4,4−ジアルキル−2,6−ジブロモ−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン0.5mmolを、トルエン溶液30mLに加入し、バブリング処理を0.5h施して反応環境中に残留した酸素を除去した後、0.015mol(0.014g)のPd2(dba)3及び0.027mmol(0.0083g)のP(o−Tol)3を添加し、1hのバブリング処理を継続して反応環境中に残留した酸素を除去し、その後、50℃まで加熱して72時間の還流を行った。反応が終わった後、まず混合液滴をメタノールに加えて沈降させた後、吸引ろ過、メタノールによる洗浄、乾燥を行い、さらにクロロベンゼンで溶解してジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液に添加し、次に、混合液を80℃まで加熱し、12時間の攪拌を行った後、有機相に対して、アルミナのカラムクロマトグラフィー、クロロベンゼンによる溶離、減圧による有機溶媒の除去、メタノールによる沈降、吸引ろ過処理を行うことにより固体を得た。該得られた固体に対して、アセトンで72時間のソックスレー抽出を行った後、メタノールによる沈降、吸引ろ過を行い、真空ポンプで一晩の真空引きを行うことで固体産物を得た。ここで、収率は53%であり、GPC:Mn=39500、PDI=2.3であった。
ポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンの製造
窒素ガス雰囲気の下で、3,6‐ジブロモ‐o‐フェニレンジアミン0.184mmol(0.050g)及びジフェニルグリオキザール化合物1.84mmol(0.39g)を、メタクレゾールとメタノールが1:1の体積比で混合された有機溶媒20mLに加えた。そして、80℃の温度下で12時間の還流を行った後、反応液を水に加入し、まず、炭酸水素ナトリウムで溶液を中性になるまで中和し、さらにクロロホルムで抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムによる乾燥を行ってから、回転蒸発によって溶媒を除去し、粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して白色固体を得た後、クロロホルム/n−へキサンを用いて前記白色固体に対し再結晶を行うことにより白色固体産物、即ち、5,8‐ジブロモ−2,3−ビス(フェニル)キノキサリン化合物を得た。ここで、収率は93%であり、MS(EI)m/z:480(M+)であった。
5,8‐ジブロモ−2,3−ビス(フェニル)キノキサリン化合物0.5mmol(0.22g)、4,4−ジオクチル−2,6−ビス(トリメチルスズ)−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン0.5mmol(0.356g)及び4,4−ジアルキル−2,6−ジブロモ−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン50mmolを、エチレングリコールジメチルエーテルとテトラヒドロフランが1:1の体積比で混合された有機反応溶媒50mLに加入し、バブリング処理を0.8h施して反応環境中に残留した酸素を除去した後、0.025mmolのPd(PPh3)4を添加し、1hのバブリング処理を継続して反応環境中に残留した酸素を除去し、その後、150℃まで加熱して24時間の還流を行った。反応が終わった後、まず混合液滴をメタノールに加えて沈降させた後、吸引ろ過、メタノールによる洗浄、乾燥を行い、さらにクロロベンゼンで溶解してジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液に添加し、次に、混合液を80℃まで加熱し、12時間の攪拌を行った後、有機相に対して、アルミナのカラムクロマトグラフィー、クロロベンゼンによる溶離、減圧による有機溶媒の除去、メタノールによる沈降、吸引ろ過処理を行うことにより固体を得た。該得られた固体に対して、アセトンで72時間のソックスレー抽出を行った後、メタノールによる沈降、吸引ろ過を行い、真空ポンプで一晩の真空引きを行うことで固体産物を得た。ここで、収率は41%であり、GPC:Mn=39300、PDI=2.2であった。
ポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンの製造
3,6‐ジブロモ‐o‐フェニレンジアミン18.4mmol(4.973g)及びジフェニルグリオキザール化合物1.84mmol(0.39g)をブタノール溶媒20mLに加えた。そして、20℃の温度下で24時間の還流を行った後、反応液を水に加入し、まず、炭酸水素ナトリウムで溶液を中性になるまで中和し、さらにクロロホルムで抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムによる乾燥を行ってから、回転蒸発によって溶媒を除去し、粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製して白色固体を得た後、クロロホルム/n−へキサンを用いて前記白色固体に対し再結晶を行うことにより白色固体産物、即ち、5,8‐ジブロモ−2,3−ビス(フェニル)キノキサリン化合物を得た。ここで、収率は74%であり、MS(EI)m/z:410(M+)であった。
窒素ガス雰囲気の下で、5,8‐ジブロモ−2,3−ビス(フェニル)キノキサリン化合物0.5mmol(0.22g)、4,4−ジオクチル−2,6−ビス(トリメチルスズ)−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン0.5mmol(0.356g)及び4,4−ジアルキル−2,6−ジブロモ−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン25mmolを、テトラヒドロフラン水溶液40mL中に加入し、バブリング処理を0.8h施して反応環境中に残留した酸素を除去した後、12.5mmolのPd(PPh3)2CI2を添加し、1hのバブリング処理を継続して反応環境中に残留した酸素を除去し、その後、100℃まで加熱して36時間の還流を行った。反応が終わった後、まず混合液滴をメタノールに加えて沈降させた後、吸引ろ過、メタノールによる洗浄、乾燥を行い、さらにクロロベンゼンで溶解してジエチルジチオカルバミン酸ナトリウム水溶液に添加し、次に、混合液を80℃まで加熱し、12時間の攪拌を行った後、有機相に対して、アルミナのカラムクロマトグラフィー、クロロベンゼンによる溶離、減圧による有機溶媒の除去、メタノールによる沈降、吸引ろ過処理を行うことにより固体を得た。該得られた固体に対して、アセトンで72時間のソックスレー抽出を行った後、メタノールによる沈降、吸引ろ過を行い、真空ポンプで一晩の真空引きを行うことで固体産物を得た。ここで、収率は49%であり、GPC:Mn=39470、PDI=2.3であった。
ポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンを活性層とする太陽電池装置における応用
図1は太陽電池装置の構造を表す。
活性層材料は、電子供与体材料としての本発明のポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリン重合体及び電子受容体材料としての[6,6]フェニル−C61−酪酸メチルエステル(PCBMと略称)を含む。即ち、前記太陽電池装置の構造は、順次にガラス層11、ITO層12、PEDOT:PSS層13、共重合体活性層14及び金属層15を有し、その中で、ITOはシート抵抗値が10〜20Ω/口の酸化インジウムスズであり、PEDOTはポリエチレンジオキシチオフェンであり、PSSはポリスチレンスルホン酸である。また、ITO層12が塗布されたガラス11を、まず超音波洗浄を行った後、酸素プラズマ処理を行い、次に、ITO層の上にPEDOT:PSS層13を塗布した後、本発明のポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリン及びPCBMを溶解して得た混合物をPEDOT:PSS層表面に塗布することによって、共重合体活性層14を形成し、最後に真空蒸着技術を利用して活性層上に金属Alを蒸着して金属層15を形成し、該金属層15を陰極とし、ITO層12を陽極として、本実施例の重合体を含む有機太陽電池装置得た。該有機太陽電池装置は熱処理を経た後、その材料の化学構造がより規則になり、キャリアの伝達速度及び効率を向上させたため、太陽電池装置の光電変換率を向上させた。
ポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンを活性層とする太陽電池装置における応用
図面1を参照する。前記実施例のポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンを採用した太陽電池装置において、該太陽電池装置は、順次に積層されたガラス層11、透明陽極12、中間補助層13、活性層14及び陰極15を有する。前記中間補助層13は、ポリエチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホン酸複合材料(PEDOT:PSSと略称する)を採用し、活性層14は電子供与体材料及び電子受容体材料を含み、前記電子供与体材料は前記ポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンを採用し、前記電子受容体材料は[6,6]フェニル−C61−酪酸メチルエステル(PCBMと略称する)を採用する。前記透明陽極12は、酸化インジウムスズ(ITOと略称する)を採用することができ、好ましくは、シート抵抗値が10〜20Ω/口の酸化インジウムスズである。陰極15は、例えば、Ca/Al又はBa/Alなどのアルミニウム電極又はバイメタル電極を採用できる。その中で、ガラス層11を底層とすることができ、製造する際に、ITOガラスを選択して超音波洗浄を行った後、酸素プラズマ処理を行い、そしてITOガラスの上に中間補助層13を塗布し、さらにポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリン及び電子受容体材料を混合した後、中間補助層13上に塗布して活性層14を形成し、その後、真空蒸着技術を利用して活性層14の上に陰極15を堆積させて、前記太陽電池装置を得た。一つの好ましい実施例において、透明陽極12、中間補助層13、活性層14、バイメタル層であるCa層及びAl層の厚さは、それぞれ160nm、40nm、150nm、20nm、70nmである。
ポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンの有機エレクトロルミネッセンス(EL)における応用
図2は、前記実施例のポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンを採用した有機エレクトロルミネッセンス(EL)を表し、該有機エレクトロルミネッセンス(EL)は、順次に積層されたガラス層21、透明陽極22、発光層23、バッファー層24及び陰極25を有する。その中で、透明陽極22は、酸化インジウムスズ(ITOと略称する)を採用することができ、好ましくはシート抵抗値が10〜20Ω/口の酸化インジウムスズである。発光層23は、前記実施例のポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンを含む。バッファー層24は、LiFなどを採用することができるが、これらに限定されるものではない。陰極25は、金属Al又はBaなどであってもよいが、これらに限定されるものではない。従って、一つの具体的な実施例において、有機エレクトロルミネッセンス(EL)の構造は、ITO/ポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリン/LiF/Alで示される。従来の方法で各層を形成することができるが、ポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンは、スピンコート技術によってITOの上に形成されることができる。
ポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンの有機電界効果トランジスタにおける応用
図3は、前記実施例のポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンを採用した有機電界効果トランジスタを表し、該有機電界効果トランジスタは、順次に積層された基板31、絶縁層32、修飾層33、有機半導体層34及び有機半導体層34に設けられたソース電極35とドレイン電極36を有する。その中で、基板31は、高濃度にドープされたシリコンウエハー(Si)を採用することができるが、これに限定らされるものではない。絶縁層32は、マイクロナノ厚さ(例えば450nm)のSiO2であってもよいが、これに限定されるものではない。有機半導体層34は、前記のポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンを採用する。ソース電極35とドレイン電極36は、すべて金属を採用することができるが、これに限定されるものでもない。修飾層33は、オクタデシルトリクロロシランであってもよいが、これに限定されるものではない。基板31、絶縁層32、修飾層33及びソース電極35とドレイン電極36は、いずれも従来の方法により形成されることができる。有機半導体層34は、前記実施例のポリ4,4−ジオクチル−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン−2,3−ビス(フェニル)キノキサリンを、修飾層33によって修飾された絶縁層32の上にスピンコートすることによって形成されたものでもよい。
Claims (10)
- ジケトン化合物とo−フェニレンジアミンを有機溶媒中に加入し、反応させてキノキサリン系ヘテロアリール環の二臭化物を製造する工程と、
前記キノキサリン系ヘテロアリール環の二臭化物を、4,4−ジアルキル−2,6−ビス(トリメチルスズ)−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン化合物及び4,4−ジアルキル−2,6−ジブロモーシクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン化合物とスティレカップリング反応をさせて、前記シクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体を製造する工程と、を含むシクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体の製造方法。 - 前記キノキサリン系ヘテロアリール環の二臭化物の製造工程及び/又はスティレカップリング反応による製造工程は、嫌気的条件の下で行われることを特徴とする、請求項3に記載のシクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体の製造方法。
- 前記キノキサリン系ヘテロアリール環の二臭化物の製造工程は、ジケトン化合物とo−フェニレンジアミンを、1:0.1〜10のモル比で有機溶媒中に加えた後、20℃〜120℃の温度下で1〜24h反応する工程であり、
前記有機溶媒は、酢酸、メタクレゾール、メタノール、エタノール又はブタノール中の少なくとも一種であることを特徴とする、請求項3に記載のシクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体の製造方法。 - 前記スティレカップリング反応は、4,4−ジアルキル−2,6−ビス(トリメチルスズ)−シクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン、4,4−ジアルキル−2,6−ジブロモーシクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェン及びキノキサリン系ヘテロアリール環の二臭化物を、1:1〜100:1のモル比で有機反応溶媒中に加えた後、50℃〜150℃の温度下で24〜72hの反応を行うことであり、
前記有機反応溶液は、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、ベンゼン、トルエンから選択された少なくとも1種であることを特徴とする、請求項3に記載のシクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体の製造方法。 - 前記スティレカップリング反応中に、さらに触媒が添加され、
前記触媒は、有機パラジウム触媒、又は有機パラジウム触媒と有機リン配位子の混合物であり、
前記触媒の添加量は、モル比で4,4−ジアルキル−2,6−ビス(トリメチルスズ)ーシクロペンタジエン(2,1−b:3,4−b’)ジチオフェンの0.05〜50%であることを特徴とする、請求項3に記載のシクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体の製造方法。 - 前記有機パラジウム触媒は、Pd2(dba)3/P(o−Tol)3、Pd(PPh3)4又はPd(PPh3)2Cl2であることを特徴とする、請求項7に記載のシクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体の製造方法。
- 前記有機パラジウム触媒と有機リン配位子の混合比は、モル比で1:2〜20であることを特徴とする、請求項8に記載のシクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体の製造方法。
- 有機光電材料、ポリマー太陽電池、有機エレクトロルミネッセンス(EL)、有機電界効果トランジスタ、有機光記憶素子、有機非線形材料又は/及び有機レーザーデバイスにおける請求項1に記載のシクロペンタジエンジチオフェン−キノキサリン共役重合体の応用。
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