JP2013519515A5 - - Google Patents
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Description
触媒6d)を用いて標準条件(実施例11)下でおよびt=20分の試験時間により製造したCNT(Q=9g・L2/g3)を、処理し、同様に測定した。これらの複合材料について、約1012オーム/平方の表面抵抗が、3重量%CNTの濃度にて見出され、107〜108オーム/平方の表面抵抗が、5重量%について見出された。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
[1]カーボンナノチューブの製造のための共沈金属触媒の製造方法であって、還元工程を含むことを特徴とする、方法。
[2]還元工程は、200〜1000℃、好ましくは400〜950℃、さらに好ましくは680〜900℃、特に好ましくは700〜880℃の温度範囲で行うことを特徴とする、[1]に記載の方法。
[3]還元性ガスは、10vol%未満炭素含有化合物を含有することを特徴とする、[1]または[2]に記載の方法。
[4]還元工程に加えて、プロセス工程酸化焼成および不活性焼成を含む群から選択される1以上のプロセス工程を含むことを特徴とする、[1]〜[3]のいずれかに記載の方法。
[5]金属触媒は、カーボンナノチューブを、130g/L以下の嵩密度を有する凝集体において、少なくとも20g/gの収率および少なくとも90重量%の純度において生じさせることを特徴とする、[1]に記載の方法。
[6][1]〜[5]のいずれかに記載の方法により製造された金属触媒。
[7]>3gL 2 /g 3 、好ましくは>3.5gL 2 /g 3 および>4.5gL 2 /g 3 、さらに好ましくは>5gL 2 /g 3 および>6gL 2 /g 3 、特に好ましくは7gL 2 /g 3 のQ=収率/嵩密度 2 ×1000の比を有するカーボンナノチューブの製造のための金属触媒。
[8]カーボンナノチューブの製造における、[1]〜[5]の方法により製造された金属触媒の使用。
[9][6]または[7]に記載の金属触媒を用いるカーボンナノチューブの製造方法であって、>3gL 2 /g 3 、好ましくは>3.5gL 2 /g 3 および>4.5gL 2 /g 3 、さらに好ましくは>5gL 2 /g 3 および>6gL 2 /g 3 、特に好ましくは7gL 2 /g 3 の比Q=収率/嵩密度 2 ×1000を特徴とする、方法。
[10][9]に記載の方法により得られる、130g/Lの嵩密度および少なくとも90重量%の純度を有するカーボンナノチューブ。
[11]複合材料または分散体の製造における、[10]または[11]に記載のカーボンナノチューブの使用。
[12][10]または[11]に記載のカーボンナノチューブを含有する複合材料。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
[1]カーボンナノチューブの製造のための共沈金属触媒の製造方法であって、還元工程を含むことを特徴とする、方法。
[2]還元工程は、200〜1000℃、好ましくは400〜950℃、さらに好ましくは680〜900℃、特に好ましくは700〜880℃の温度範囲で行うことを特徴とする、[1]に記載の方法。
[3]還元性ガスは、10vol%未満炭素含有化合物を含有することを特徴とする、[1]または[2]に記載の方法。
[4]還元工程に加えて、プロセス工程酸化焼成および不活性焼成を含む群から選択される1以上のプロセス工程を含むことを特徴とする、[1]〜[3]のいずれかに記載の方法。
[5]金属触媒は、カーボンナノチューブを、130g/L以下の嵩密度を有する凝集体において、少なくとも20g/gの収率および少なくとも90重量%の純度において生じさせることを特徴とする、[1]に記載の方法。
[6][1]〜[5]のいずれかに記載の方法により製造された金属触媒。
[7]>3gL 2 /g 3 、好ましくは>3.5gL 2 /g 3 および>4.5gL 2 /g 3 、さらに好ましくは>5gL 2 /g 3 および>6gL 2 /g 3 、特に好ましくは7gL 2 /g 3 のQ=収率/嵩密度 2 ×1000の比を有するカーボンナノチューブの製造のための金属触媒。
[8]カーボンナノチューブの製造における、[1]〜[5]の方法により製造された金属触媒の使用。
[9][6]または[7]に記載の金属触媒を用いるカーボンナノチューブの製造方法であって、>3gL 2 /g 3 、好ましくは>3.5gL 2 /g 3 および>4.5gL 2 /g 3 、さらに好ましくは>5gL 2 /g 3 および>6gL 2 /g 3 、特に好ましくは7gL 2 /g 3 の比Q=収率/嵩密度 2 ×1000を特徴とする、方法。
[10][9]に記載の方法により得られる、130g/Lの嵩密度および少なくとも90重量%の純度を有するカーボンナノチューブ。
[11]複合材料または分散体の製造における、[10]または[11]に記載のカーボンナノチューブの使用。
[12][10]または[11]に記載のカーボンナノチューブを含有する複合材料。
Claims (9)
- カーボンナノチューブの製造のための共沈金属触媒の製造方法であって、還元工程を含むことを特徴とする、方法。
- 還元工程は、200〜1000℃、好ましくは400〜950℃、さらに好ましくは680〜900℃、特に好ましくは700〜880℃の温度範囲で行うことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 還元性ガスは、10vol%未満炭素含有化合物を含有することを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 還元工程に加えて、プロセス工程酸化焼成および不活性焼成を含む群から選択される1以上のプロセス工程を含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の方法により製造された金属触媒。
- >3gL2/g3、好ましくは>3.5gL2/g3および>4.5gL2/g3、さらに好ましくは>5gL2/g3および>6gL2/g3、特に好ましくは7gL2/g3のQ=収率/嵩密度2×1000の比を有するカーボンナノチューブの製造のための金属触媒。
- 請求項5または6に記載の金属触媒を用いるカーボンナノチューブの製造方法であって、>3gL2/g3、好ましくは>3.5gL2/g3および>4.5gL2/g3、さらに好ましくは>5gL2/g3および>6gL2/g3、特に好ましくは7gL2/g3の比Q=収率/嵩密度2×1000を特徴とする、方法。
- 請求項7に記載の方法により得られる、130g/Lの嵩密度および少なくとも90重量%の純度を有するカーボンナノチューブ。
- 請求項8に記載のカーボンナノチューブを含有する複合材料。
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