JP2013517633A - Esd保護デバイスおよび方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下の詳細な説明は、例示的なものに過ぎず、本発明または本発明の用途および利用を限定することを意図したものではない。更に、上記の技術分野、背景技術、発明の開示、あるいは以下の詳細な説明に明示または暗示した理論により拘束されることを意図するものではない。
前記第1外部端子(23)に電気的に接続される第1ドーパント濃度のエミッタ領域(78)と、前記第2外部端子(22)に電気的に接続される第2ドーパント濃度のコレクタ領域(86)と、前記エミッタ領域と前記コレクタ領域の間に配置される第3ドーパント濃度のベース領域(75)と、前記ベース領域(75)と前記コレクタ領域(86)の間に配置される第4ドーパント濃度のさらなる領域(85)であって、上方の誘電体−半導体界面まで延伸している、さらなる領域とを備え、前記ベース領域(75)は前記さらなる領域(85)との間に第1ドーパント境界(751)を有し、前記コレクタ領域(85)は前記さらなる領域(86)との間に第2ドーパント境界(861)を有し、前記第1および前記第2ドーパント境界の少なくとも1つが、前記誘電体・半導体界面下の距離Y(Y>0)において最大ドーパント濃度を有する、電子組立体(20)を要旨とする。さらなる実施形態によると、Yは、Y≧0.1マイクロメートルである。またさらなる実施形態にしたがって、第1ドーパント境界751および第2ドーパント境界861が、誘電体・半導体界面791下のそれぞれの距離Y1およびY2で最大ドーパント濃度を有し、ここで、Y1>0およびY2>0.またさらなる実施形態にしたがって、ベース領域75およびコレクタ領域86はさらなる領域85よりドープされる。またさらなる実施形態にしたがって、ベース領域75のピークドーパント濃度およびコレクタ領域86のピークドーパント濃度が、少なくとも5倍によってさらなる領域85の平均ドーパント濃度を超える。またさらなる実施形態にしたがって、ベース領域75のピークドーパント濃度およびコレクタ領域86のピークドーパント濃度が、少なくとも10倍によってさらなる領域85の平均ドーパント濃度を超える。またさらなる実施形態にしたがって、エミッタ領域78およびベースコンタクト領域77は互いに実質的に短絡される。別の実施形態にしたがって、第1ドーパント境界751および第2ドーパント境界861はさらなる領域85を通して最小距離Dによって分離され、ここで、最小距離Dが、誘電体・半導体界面791下の深さY>0で起こる。また別のさらなる実施形態にしたがって、バイポーラトランジスタ静電気放電(ESD)クランプ(21、21’、70、700)は、Dによって実質的に決定されるアバランシェトリガ電圧Vt1を有するように適している。
前記第1ウェル領域(762,86)を形成するステップにおいて、第3導電型を第3ドーパント濃度で有する前記第1ウェル領域(762,86;762R,86R)が、前記第1表面から互いに水平方向において接する前記第1(74)および第2領域(74R)まで延伸することによって、第1ウェル領域は前記第1領域(74)に第1横方向境界(861)を有し、前記第2領域(74R)に第2横方向境界(861R)を有し、前記第2ウェル領域を形成するステップにおいて、前記第3導電型とは反対の第4導電型を有し互いに離間し、それぞれが前記第1(74)および第2領域(74R)まで延伸する複数の第2ウェル領域(75,75R)を形成し、前記第1および第2ウェル領域は前記第1横方向境界から、前記第5ドーパント濃度の前記第1領域の前記中間部分(85)を横切って距離Dをもって離間している第3横方向境界(751)を有し、前記第2ウェル領域のうちの第2領域(75R)は前記第2横方向境界から前記第5ドーパント濃度の前記第1領域(74R)の前記第2の中間部分(85R)を横切って距離DRをもって離間している第4横方向境界(751R)を有し、誘電体・半導体界面を形成するステップは、前記第1中間部分の上方に誘電体・半導体界面(791)を形成し、前記第2中間部分(85R)の上方に誘電体・半導体界面(791R)を形成し、前記距離Dおよび前記DRはそれぞれ深さYD>0およびYDR>0をもって前記誘電体・半導体界面下に配置されることを要旨とする。別の実施形態によると、DおよびDRは実質的に等しい。別のさらなる実施形態において、前記の方法は、前記第2ウェル領域の互いに離間した前記第1(75)および前記第2領域(75R)に第4導電型の第3(77)および第4(77R)コンタクト領域、および前記第3導電型の第1(78)および第2(78R)コンタクト領域を設けるステップであって、前記第1(78)および前記第3コンタクト領域(77)は、互いに接続され、前記バイポーラトランジスタ静電気放電(ESD)クランプの第1端子に接続され、前記第2および前記第4領域は互いに接続され、前記バイポーラトランジスタ静電気放電(ESD)クランプの第2端子に接続される、ステップをさらに備えることを要旨とする。
Claims (20)
- 第1外部端子および第2外部端子と、
前記第1および第2外部端子の間に接続されるコア回路と、
前記第1および第2外部端子との間に接続されるバイポーラトランジスタ静電気放電(ESD)クランプとを備える電子組立体において、
前記バイポーラトランジスタ静電気放電(ESD)クランプは、
前記第1外部端子に電気的に接続される第1ドーパント濃度のエミッタ領域と、前記第2外部端子に電気的に接続される第2ドーパント濃度のコレクタ領域と、前記エミッタ領域と前記コレクタ領域の間に配置される第3ドーパント濃度のベース領域と、前記ベース領域と前記コレクタ領域の間に配置される第4ドーパント濃度のさらなる領域であって、上方の誘電体−半導体界面まで延伸している、さらなる領域とを備え、
前記ベース領域は前記さらなる領域との間に第1ドーパント境界を有し、前記コレクタ領域は前記さらなる領域との間に第2ドーパント境界を有し、前記第1および前記第2ドーパント境界の少なくとも1つが、前記誘電体・半導体界面下の距離Y(Y>0)において最大ドーパント濃度を有する、電子組立体。 - Yは、Y≧0.1マイクロメートルを満たす、請求項1に記載の組立体。
- 前記第1および前記第2ドーパント境界は、前記誘電体・半導体界面下の距離として、それぞれY1およびY2の最大ドーパント濃度を有し、ここで、Y1>0およびY2>0である、請求項1に記載の組立体。
- 前記ベース領域および前記コレクタ領域は前記さらなる領域より高濃度にドープされる、請求項1に記載の組立体。
- 前記ベース領域のピークドーパント濃度および前記コレクタ領域の前記ピークドーパント濃度は、少なくとも5倍だけ、前記さらなる領域の平均ドーパント濃度を超える、請求項4に記載の組立体。
- 前記ベース領域のピークドーパント濃度および前記コレクタ領域の前記ピークドーパント濃度が、少なくとも10倍だけ、前記さらなる領域の平均ドーパント濃度を超える、請求項5に記載の組立体。
- 前記エミッタ領域および前記ベース領域は互いに実質的に短絡される、請求項1に記載の組立体。
- 前記第1および前記第2ドーパント境界は、前記さらなる領域を介して最小距離Dをもって離隔し、ここで、最小距離Dは前記誘電体・半導体界面下に深さY>0の位置に生じる、請求項1に記載の組立体。
- 前記バイポーラトランジスタ静電気放電(ESD)クランプは、Dによって実質的に決定されるアバランシェトリガ電圧Vt1を有するために適切である、請求項8に記載の組立体。
- バイポーラトランジスタ静電気放電(ESD)クランプを製造するための方法において、
第1表面までそれぞれ延伸している、第1および第2ドーパント濃度の、第1導電型または第2導電型の第1領域を有する半導体基板を設けるステップと、
前記第1表面から前記第1領域に延伸し第1横方向境界を有する、第3導電型の第3ドーパント濃度の第1ウェル領域を形成するステップと、
前記第3導電型とは反対の第4導電型を第4ドーパント濃度で有し、前記第1ウェル領域まで延伸し前記第1横方向境界から第5ドーパント濃度の前記第1領域の中間部分を横切る最小距離Dをもって離隔した第2横方向境界を有する、第2ウェル領域を形成するステップと、
少なくとも前記中間部分の上方に誘電体・半導体界面を形成するステップとを備え、
(i)前記最小距離Dは距離Y>0をもって前記誘電体・半導体界面下に配置され、または、(ii)前記第3および前記第4ドーパント濃度が少なくとも5倍だけ前記誘電体・半導体界面下の距離Y>0における第5ドーパント濃度を超える、または、(iii)(i)および(ii)の両方である、方法。 - Yは、Y≧0.1マイクロメートルを満たす、請求項10に記載の組立体。
- Yは、Y≧0.2マイクロメートルを満たす、請求項1に記載の組立体。
- 前記第3および前記第4ドーパント濃度が少なくとも10倍だけ前記誘電体・半導体界面下の距離Yの第5ドーパント濃度を超える、請求項10に記載の方法。
- 前記半導体基板を設けるステップは、第1表面まで延伸する、互いに水平方向において接する第1または第2導電型の第1および第2領域を有する半導体基板を備えるステップを含み、
前記第1ウェル領域を形成するステップにおいて、第3導電型を第3ドーパント濃度で有する前記第1ウェル領域が、前記第1表面から互いに水平方向において接する前記第1および第2領域まで延伸することによって、第1ウェル領域は前記第1領域に第1横方向境界を有し、前記第2領域に第2横方向境界を有し、
前記第2ウェル領域を形成するステップにおいて、前記第3導電型とは反対の第4導電型を有し互いに離間し、それぞれが前記第1および第2領域まで延伸する複数の第2ウェル領域を形成し、前記第1および第2ウェル領域は前記第1横方向境界から、前記第5ドーパント濃度の前記第1領域の前記中間部分を横切って距離Dをもって離間している第3横方向境界を有し、前記第2ウェル領域のうちの第2領域は前記第2横方向境界から前記第5ドーパント濃度の前記第1領域の中間部分を横切って距離DRをもって離間している第4横方向境界を有し、
誘電体・半導体界面を形成するステップは、前記第1中間部分の上方に誘電体・半導体界面を形成し、前記第2中間部分の上方に誘電体・半導体界面を形成し、
前記距離Dおよび前記DRはそれぞれ深さYD>0およびYDR>0をもって前記誘電体・半導体界面下に配置される、請求項10に記載の方法。 - 前記Dおよび前記DRは等しい、請求項14に記載の方法。
- 前記第2ウェル領域の互いに離間した前記第1および前記第2領域に第4導電型の第3および第4コンタクト領域、および前記第3導電型の第1および第2コンタクト領域を設けるステップであって、前記第1および前記第3コンタクト領域は、互いに接続され、前記バイポーラトランジスタ静電気放電(ESD)クランプの第1端子に接続され、前記第2および前記第4領域は互いに接続され、前記バイポーラトランジスタ静電気放電(ESD)クランプの第2端子に接続される、ステップをさらに備える、請求項14に記載の方法。
- 第1表面を有する基板に形成され、第1および第2端子に接続されるバイポーラトランジスタ静電気放電(ESD)クランプにおいて、
前記第1端子に接続されるエミッタ、前記第2端子に接続されるコレクタ、前記エミッタとコレクタの間に配置されるベース、および、前記ベースおよび前記コレクタより低濃度にドープされ、前記ベースと前記コレクタの間に接続される中間半導体部分とを備え、
少なくとも前記中間半導体部分が誘電体・半導体界面または前記第1表面の近傍まで延伸し、
前記中間半導体部分が、前記ベースとの間に第1界面および前記誘電体・半導体界面から広がれる前記コレクタとの間に第2界面を有し、前記第1および前記第2界面が、前記誘電体・半導体界面よりも下方の距離Y>0に配置される最小離間距離Dを有する、バイポーラトランジスタ静電気放電(ESD)クランプ。 - Y≧0.1マイクロメートル、請求項17に記載のESDクランプ。
- 前記ベースの下にあり、前記コレクタにオーミックコンタクトによって接続される埋込層領域をさらに備える、請求項17に記載のESDクランプ。
- 前記中間半導体部分は少なくとも5倍だけ前記ベースおよび前記コレクタより低濃度にドープされる、請求項17に記載のESDクランプ。
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