JP2013517622A5

JP2013517622A5 -

Info

Publication number: JP2013517622A5
Application number: JP2012548509A
Authority: JP
Filing date: 2011-01-10
Publication date: 2014-02-20
Anticipated expiration: 2031-01-10

Claims

ホスト基板部、及び
前記ホスト基板部へ接合されるシード層であって、各領域が領域間の界面において最も近い隣り合う領域から完全に分離されている複数の領域を有するシード層、
を含む基板を提供するステップと、
前記シード層を緩和させるステップであって、前記シード層の隣接する領域は、前記緩和後、隣接する領域間における界面において互いに直接接触にある、ステップと、
前記基板において、ｎ型領域及びｐ型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造を成長させるステップと、
を含む方法であって、
前記シード層に成長させられる半導体構造の上部表面は、前記複数のシード層領域のそれぞれよりも大きいか等しい横方向の拡がりの度合いを有し、
前記半導体構造をマウント部へ接続するステップと、
前記ホスト基板部を取り除くステップと、
前記シード層を取り除くステップと、
を有する、
方法。
請求項１に記載の方法であって、前記発光層はIII-窒化物層である、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記界面は、前記シード層の厚さ全体を通じて延在する、方法。
請求項１に記載の方法であって、各領域は、前記界面により最も近い隣り合う領域から完全に分離されている、方法。
請求項１に記載の方法であって、前記界面は、前記シード層の隣接する領域間において化学的接合が実質的にない、方法。
請求項１に記載の方法であって、各領域は、1乃至10ミクロンの間の横方向の拡がりの度合いを有する、方法。
ホスト基板部、及び
前記ホスト基板部へ接合されるシード層であって、界面により分離される複数の領域を有するシード層、
を含む基板を提供するステップであって、前記隣接する領域は、シード層材料の連続的なクモの巣状構造を形成するように接続され、シード層領域間の前記界面における隙間が１ミクロン幅よりも小さい、ステップと、
前記基板において、ｎ型領域及びｐ型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造を成長させるステップと、
を含む方法であって、
前記シード層に成長させられる半導体構造の上部表面は、前記複数のシード層領域のそれぞれよりも大きいか等しい横方向の拡がりの度合いを有し、
前記半導体構造をマウント部へ接続するステップと、
前記ホスト基板部を取り除くステップと、
前記シード層を取り除くステップと、
を有する、
方法。
請求項７に記載の方法であって、前記発光層はIII-窒化物層である、方法。
ホスト基板部、及び
前記ホスト基板部へ接合されるシード層であって、複数の領域を有するシード層、
を含む基板を提供するステップであって、前記シード層は、結晶ユニットセルを有する結晶材料であり、各シード層領域は、前記結晶ユニットセルの回転対称性と同じ回転対称性を有するように形成され、各シード層領域が隙間又は界面によって最も近い隣り合うシード層領域から完全に分離される、ステップと、
前記基板において、ｎ型領域及びｐ型領域との間に配置される発光層を含む半導体構造を成長させるステップと、
を含む方法であって、
前記シード層に成長させられる半導体構造の上部表面は、前記複数のシード層領域のそれぞれよりも大きいか等しい横方向の拡がりの度合いを有し、
前記半導体構造をマウント部へ接続するステップと、
前記ホスト基板部を取り除くステップと、
前記シード層を取り除くステップと、
を有する、
方法。
請求項９に記載の方法であって、前記発光層はIII-窒化物層である、方法。
請求項９に記載の方法であって、前記シード層は、ウルツ鉱であり、各シード層領域は、三角形又は六角形として成形される、方法。