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  1. 基材および被覆を含む被覆切削工具であって、
    前記被覆は、複数のナノ複合体ナノ層を含んだ少なくとも1つの多重ナノ層を含み、
    前記ナノ複合体ナノ層は、アモルファスSi34マトリックス内に埋め込まれたナノ結晶立方晶(TixAlyCrz)Nから成り、ここで0.25≦x≦0.75、0.25≦y<0.75、0.05≦z≦0.2、0.85≦x+y+z≦0.97、および1−x−z<0.75であり、
    ケイ素の原子比率は、1−x−y−zであり、
    前記ナノ複合体ナノ層の厚さは、1nmから100nm迄であることを特徴とする被覆切削工具。
  2. 前記多重ナノ層は、異なる組成の少なくとも2つのナノ複合体ナノ層を含むことを特徴とする請求項1に記載の被覆切削工具。
  3. 前記多重ナノ層は、1nmから100nm迄の厚さを有する第2のナノ層をさらに含み、
    前記第2のナノ層は、結晶であり、
    前記第2のナノ層は、
    (a)Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の金属から成る金属材料、または
    (b)セラミック材料であって、
    (b1)Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Si、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の元素のホウ化物、炭化物、窒化物、または酸化物のうちの1つまたは複数、
    (b2)ダイアモンド、もしくは
    (b3)BN
    を含むセラミック材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の被覆切削工具。
  4. 前記第2のナノ層は、(TiaAlbMe1-a-b)(Cv1-v)を含み、ここで0≦a≦1、0≦b<0.75、および0≦v≦1であり、
    Meは、Cr、Mo、V、Nb、Ta、Zr、Hf、YおよびRuから成る群から選択される金属であることを特徴とする請求項3に記載の被覆切削工具。
  5. 前記多重ナノ層は、異なる組成の少なくとも2つの第2のナノ層を含むことを特徴とする請求項3に記載の被覆切削工具。
  6. 前記多重ナノ層は、第2のナノ層と交互に積み重ねられたナノ複合体ナノ層を含むことを特徴とする請求項3に記載の被覆切削工具。
  7. 前記多重ナノ層は、連続的なナノ複合体ナノ層の間に2つまたはそれより多くの第2のナノ層を含むことを特徴とする請求項3に記載の被覆切削工具。
  8. 前記多重ナノ層は、50から300迄のナノ複合体ナノ層を含むことを特徴とする請求項3に記載の被覆切削工具。
  9. 前記被覆は、前記基材と前記多重ナノ層との間に少なくとも1つの中間層をさらに含み、
    前記中間層は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Si、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の元素のホウ化物、炭化物、窒化物、または酸化物のうちの1つまたは複数を含むことを特徴とする請求項1に記載の被覆切削工具。
  10. 前記少なくとも1つの中間層は、(TiaAlbMe1-a-b)(Cv1-v)であり、ここで0≦a≦1、0≦b<0.75、および0≦v≦1であり、
    Meは、Cr、Mo、V、Nb、Ta、Zr、Hf、YおよびRuから成る群から選択される金属であり、
    前記中間層の厚さは、0.5μmから10μm迄であることを特徴とする請求項9に記載の被覆切削工具。
  11. 前記中間層は、組成が異なる少なくとも2つのサブ層をさらに含み、
    前記サブ層の厚さは、1nmから500nm迄であることを特徴とする請求項9に記載の被覆切削工具。
  12. 前記被覆は、前記基材と前記中間層との間に接着層をさらに含み、前記接着層の組成は、前記中間層の組成とは異なり、
    前記接着層は、(MewAl1-w)Nの少なくとも1つの層を含み、ここで0.5≦w≦1であり、
    Mはチタンおよび/またはクロムであり、
    前記接着層の厚さは、0.1μmから2μm迄であることを特徴とする請求項9に記載の被覆切削工具。
  13. 前記被覆は、1つより多くの多重ナノ層、および前記多重ナノ層の間に少なくとも1つの補助層を含み、
    前記少なくとも1つの補助層は、
    (a)Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の金属から成る金属材料、または
    (b)セラミック材料であって、
    (b1)Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Si、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の元素のホウ化物、炭化物、窒化物、または酸化物のうちの1つまたは複数、
    (b2)ダイアモンド、
    (b3)ダイアモンド様炭素、および
    (b4)BN
    から成る群から選択されるセラミック材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の被覆切削工具。
  14. 前記被覆の最外層は、前記多重ナノ層を含むことを特徴とする請求項1に記載の被覆切削工具。
  15. 最上層をさらに含み、前記最上層は、前記被覆の最外層であり、
    (a)Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の金属の金属材料、または
    (b)セラミック材料であって、
    (b1)Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Si、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の元素のホウ化物、炭化物、窒化物、または酸化物のうちの1つまたは複数、
    (b2)ダイアモンド、
    (b3)ダイアモンド様炭素、および
    (b4)BN
    から成る群から選択されるセラミック材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の被覆切削工具。
  16. 前記基材は、高速度鋼、硬質合金、酸化物セラミックス、炭化物セラミックス、ホウ化物セラミックス、超砥粒、PcBN、PCD、およびサーメット、ならびにこれらの組合せから成る群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の被覆切削工具。
  17. 少なくとも1つの多重ナノ層を含む被覆で切削工具基材を被覆する方法であって、
    a)ナノ複合体ナノ層を前記基材の上に堆積させるステップであって、前記ナノ複合体ナノ層は、アモルファスSi34マトリックス内に埋め込まれたナノ結晶立方晶(TixAlyCrz)Nから成り、ここで0.25≦x≦0.75、0.25≦y<0.75、0.05≦z≦0.2、0.85≦x+y+z≦0.97、および1−x−z<0.75であり、
    ケイ素の原子比率は、1−x−y−zであり、
    前記ナノ複合体ナノ層の厚さは、1nmから100nm迄であるステップと、
    b)少なくとも1つの第2のナノ層を前記ナノ複合体ナノ層の上に堆積させるステップであって、前記第2のナノ層は、結晶であり、1nmから100nm迄の厚さを有し、
    (a1)Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の金属から成る金属材料、または
    (a2)セラミック材料であって、
    (a21)Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Si、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の元素のホウ化物、炭化物、窒化物、または酸化物のうちの1つまたは複数、
    (a22)ダイアモンド、もしくは
    (a23)BN
    を含むセラミック材料を含むステップと、
    c)ステップaおよびステップbを、50回から300回、交互に実行するステップと
    を含むことを特徴とする方法。
  18. 前記被覆は、PVD技術により、500℃を超える堆積温度において、少なくとも0.02mbarの窒素分圧下で堆積されることを特徴とする請求項17に記載の方法。
  19. i)ステップa)を実行する前に接着層を前記基材の上に堆積させるステップであって、ここで
    前記接着層は、(MewAl1-w)Nの少なくとも1つの層を含み、ここで0.5≦w≦1であり、
    Mはチタンおよび/またはクロムであり、
    前記接着層の厚さは、0.1μmから2μm迄であるステップ、および
    ii)少なくとも1つの中間層を前記接着層の上に堆積させるステップであって、前記中間層は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Si、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の元素のホウ化物、炭化物、窒化物、または酸化物のうちの1つまたは複数を含むステップ
    のうちの1つまたは複数のステップをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
  20. 前記少なくとも1つの中間層は、(TiaAlbMe1-a-b)(Cv1-v)を含み、ここで0≦a≦1、0≦b<0.75、および0≦v≦1であり、
    Meは、Cr、Mo、V、Nb、Ta、Zr、Hf、YおよびRuから成る群から選択される金属であり、
    前記中間層の厚さは、0.5μmから10μm迄であることを特徴とする請求項19に記載の方法。
  21. d)前記被覆切削工具を、窒素の保護雰囲気中で、400℃から1100℃迄の温度において、20分から180分迄の持続時間にわたって処理するステップをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
  22. 前記被覆は、1つより多くの多重ナノ層を含み、前記方法は、
    e)少なくとも1つの補助層を前記多重ナノ層の上に堆積させるステップであって、前記少なくとも1つの補助層は、
    (e1)Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の金属から成る金属材料、または
    (e2)セラミック材料であって、
    (e21)Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Al、Si、YおよびRuから成る群から選択される1つまたは複数の元素のホウ化物、炭化物、窒化物、または酸化物のうちの1つまたは複数、
    (e22)ダイアモンド、
    (e23)ダイアモンド様炭素、および
    (e24)BN
    から成る群から選択されるセラミック材料を含むステップと、
    f)ステップa−cを実行するステップと、
    g)ステップeおよびステップfを少なくとも1回交互に実行するステップと
    をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
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