JP2013515612A - 光学素子構造体と集束ビームとを用いたレーザ利用パターン形成 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 136
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title 1
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 8
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 6
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 18
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 10
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 8
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 8
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004624 confocal microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/082—Scanning systems, i.e. devices involving movement of the laser beam relative to the laser head
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Abstract
Description
ここでは、オン・オフの切替時間は等しいと想定している。また、走査が多数の方向(例えば、双方向)で行われる場合、走査線は、オン/オフ制御機構の動作時間の結果としてジグザグに並ぶことになる(一列でない)。例えば、オン/オフ動作時間が1ミリ秒で、並進速度が1m/sの場合、走査線分の始点と終点は、オン動作時間がオフ動作時間と同じと再び想定すると、2mmだけジグザグに並ぶことになる。
実施例として、図3は、ポリカーボネートに書き込まれたラスター走査線パターンを示す顕微鏡画像である。パターンは、図1と同様の配置構成の検流計式ミラー・システムを用いて、ポリカーボネートの試料に書き込まれた。シリコンの矩形基板を用いて、走査レーザビームに対するポリカーボネート試料の露光を制御する投影マスクを形成した。
ディスプレイ・ダイアルは、例えば、米国特許7,357,095号明細書に開示されているように、機械加工プロセスを用いてクリアなプラスチックの表面に機械処理できる。その開示の内容は、それらの全体を引例して、本明細書の一部として包含されている。本発明の図5に図示するように(‘095の図5から入手)、ダイアルは、例えば、複数の発光ダイオード66のように、一連の複数の光源を用いてダイアルの内側エッジが照らされている。
別の実施例を説明すると、円は同心円のリングで充満され、そこでは、円を満たすリングの中心は円の中心に位置していない(図7)。これは、単なる3次元形状でなく、異なる視覚効果を円に与える。弧の具体的な終点を定めるように作動システムをプログラム設定できるが、より単純な解決方法は、望ましい形状、本例では円形の光学素子構造体を使用することである。レーザビームは、レーザをオン・オフ状態に高速制御する必要性なく、又は電気機械的なシャッタ・コマンドを必要とせずに、光学素子構造体で定めた領域内に望ましいパターンを形成するために、走査ガルバノメトリック(検流計式)ミラーの一式を用いて、望ましい円形のパターンの内部で、高速に並進移動できる。他の不規則な形状とパターンも可能であるが、ラスター走査線の通路をプログラム設定すると更に複雑になる。他の形状をもつ複雑なラスター走査線のパターンの多くの実施例も作ることができる。
多光子顕微鏡(MPM)では、ラスター走査パターンを用いて、撮像すべき望ましい視界をカバーする。各ラスター走査線の始点と終点で、レーザビーム進行の加速と減速の段階中に照射するレーザ光によって、レーザビームが方向を反転する際に対象物が過剰に露光される。図8は、ラスター走査パターンの一例を模式的に示す。レーザ光は、点線の場合にオフし、実線の場合にオンしている。
薄膜の厚みが100nm未満から数μmまでの範囲になる薄膜の機械加工の場合、パルスの一定の重畳は、再現性が高い一様な結果を得るために、プロセスの全体にわたって維持される。パルス繰り返し周波数が50kHz〜5MHzであるレーザの場合、高い並進速度が20〜30%のスポット重畳に対して用いられる。例えば、100kHzの繰り返し周波数と25μm直径スポットの20%重畳の場合、ビームは、試料に対して2m/sで移動する。これらの速度では、一定の重畳を維持しながらシャープなターン(反転パターン)を形成することは、レーザやビーム偏向器又は対象物並進移動の制御に限定される場合に難しい。動作駆動及び信号伝送遅延を、高精度に同期し、高精度に補償することは、達成可能な性能を制限することになる。光学素子構造体を用いると、このタイプの形状の形成工程を単純化することができる。
ビーム位置決め器は、任意の適切な電気機械式スキャナ、回析スキャナ、及び/又は電気光学式偏向器を含むことができる。ある実施形態では、線形検流計式ミラー、共鳴式スキャナ、振動スキャナ、音響光学式偏向器、回転プリズム、多角形及び/又は他のビーム移動素子の中の一つ又は複数を使用できる。高速の電気光学式又は音響光学式偏向器/変調器をある実施形態で使用できる。ある実施形態では、圧電式位置決め機構を使用できる。
Claims (25)
- 対象物の少なくとも一部にレーザ・エネルギーを伝送するレーザ利用システムであって、
入力ビームを出射するレーザ光源と、
前記入力ビームを入射して可動レーザビームを生成するビーム位置決め器と、
前記レーザ光源と前記対象物の間に設けられた光学素子構造体であって、前記光学素子構造体が、前記可動ビームを入射して前記対象物の選択部分を制御自在に照射し、前記光学素子構造体の一部が、前記対象物の上に又は前記対象物の内部に照射パターンを描画し、前記光学素子構造体の一部はレーザ・エネルギーが前記対象物を実質的に損傷せず、且つ、前記対象物に対する前記ビームの加速及び/又は減速中に前記対象物を過剰に露光しないように構成されている、前記光学素子構造体と、
少なくとも前記ビーム位置決め器に結合した制御装置
とを備えることを特徴とするレーザ利用システム。 - 前記レーザ利用システムが、前記対象物の材料の物性を改質することを特徴とする請求項1に記載のレーザ利用システム。
- 前記ビーム位置決め器が、溶発、融解、亀裂、酸化、屈折率変更の中の一つ又は複数により、前記対象物の材料の物性を改質するように、可動レーザビームの焦点の位置と速度の少なくとも一つを制御することを特徴とする請求項1に記載のレーザ利用システム。
- 前記ビーム位置決め器と前記光学素子構造体の間に設けられた集束素子を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザ利用システム。
- 前記光学素子構造体が、前記対象物の予め定められた領域に対応して、光遮蔽、光透過、光減衰、偏光を制御する素子を一つ又は複数を含み、前記光遮蔽、光透過、光減衰及び偏光の作用は、前記対象物の予め定められた領域内だけで行われることを特徴とする請求項1に記載のレーザ利用システム。
- 前記レーザ利用システムが、前記対象物を探査し、前記対象物の物理的、電気的、光学的、化学的な特性の中の一つ又は複数を測定することを特徴とする請求項1に記載のレーザ利用システム。
- 前記レーザ光源の出力を制御する変調器を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザ利用システム。
- 請求項1のレーザ利用システムを動作させることを含むことにより、対象物を改質又は探査することを特徴とする方法。
- 生産物であって、
該生産物の一部の上に、又は該生産物の内部に空間パターンを備え、
該空間パターンが、請求項5の方法を用いて形成されることを特徴とする生産物。 - 対象物の少なくとも一部にレーザ・エネルギーを伝送するレーザ利用システムであって、
入力ビームを出射するレーザ光源と、
前記入力ビームを入射して可動レーザビームを生成するビーム位置決め器と、
前記レーザ光源と前記対象物の間に設けられた光学素子構造体であって、前記光学素子構造体が、前記可動ビームを入射して前記対象物の選択部分を制御自在に照射し、前記光学素子構造体の一部が、前記対象物の上に又は前記対象物の内部に照射パターンを描画し、前記光学素子構造体の一部が、レーザ・エネルギーが前記対象物を実質的に損傷せず、且つ、前記対象物に対する前記ビームの加速及び/又は減速中に前記対象物を過剰に露光しないように構成されている、前記光学素子構造体と、
前記レーザ光源から、集光された出力ビームを出射するように、前記ビーム位置決め器と前記投影マスクとの間の光路に設けられた集光光学部品と、
前記光学素子構造体を位置決めする第1の移動装置と、
前記対象物を位置決めする第2の移動装置と、
前記ビーム位置決め器、前記第2の移動装置、前記第1の移動装置、前記レーザ光源の中の一つ又は複数に結合された制御装置であって、前記レーザ光源からの前記集光された出力ビームを用いて前記対象物上にレーザ露光により、予め定められたパターンを描画し、前記対象物上の前記パターンが、前記ビーム位置決め器の変位、前記対象物の動き、前記光学素子構造体の動き、前記光学素子構造体上の又は内部のパターンとから決まる、前記制御装置
とを備えることを特徴とする前記レーザ利用システム。 - 前記システムが、前記レーザ光源と前記対象物の間に設けられた光学系を備え、前記光学系は、前記レーザ光源と前記光学素子構造体に共通する光路内に、一つ又は複数の光学部品を備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザ利用システム。
- 前記一つ又は複数の光学部品が、ミラー、光減衰フィルタ、空間光変調器、波長板の中の一つ又は複数を備えることを特徴とする請求項11に記載のレーザ利用システム。
- 前記システムが、前記レーザ光源と前記対象物の間に設けられた光学系を備え、前記光学系は、前記レーザ光源と前記光学素子構造体に共通する光路内に、一つ又は複数の光学部品を備えることを特徴とする請求項10に記載のレーザ利用システム。
- 前記一つ又は複数の光学部品が、ミラー、光減衰フィルタ、空間光変調器、波長板の中の一つ又は複数を備えることを特徴とする請求項13に記載のレーザ利用システム
- 前記ビーム位置決め器が、電気機械式スキャナ、回折式スキャナ、圧電式位置決め器、電気光学式偏向器の中の一つ又は複数を備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザ利用システム。
- 前記ビーム位置決め器が、電気機械式スキャナ、回折式スキャナ、圧電式位置決め器、電気光学式偏向器の中の一つ又は複数を備えることを特徴とする請求項10に記載のレーザ利用システム。
- 前記光学素子構造体が、単一の基板上に集積化されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザ利用システム。
- 前記光学素子構造体が、単一の基板上に集積化されていることを特徴とする請求項10に記載のレーザ利用システム。
- 前記光学素子構造体が、前記対象物の前記選択部分を制御自在に照射する、多数の光学部品を備えることを特徴とする請求項1に記載のレーザ利用システム。
- 前記光学素子構造体が、前記対象物の前記選択部分を制御自在に照射する、多数の光学部品を備えることを特徴とする請求項10に記載のレーザ利用システム。
- 対象物の少なくとも一部にレーザ・エネルギーを伝送するレーザ利用システムであって、
入力ビームを出射するレーザ光源と、
前記入力ビームを入射して可動レーザビームを生成するビーム位置決め器と、
前記レーザ光源と前記対象物の間に設けられた投影マスクであって、前記投影マスクが、前記可動レーザビームを入射して前記対象物の選択部分を制御自在に照射し、前記投影マスクの一部が、前記対象物の上に又は前記対象物の内部に照射パターンを描画し、前記投影マスクの一部が、レーザ・エネルギーが前記対象物を実質的に損傷せず、且つ、前記対象物に対する前記ビームの加速及び/又は減速中に前記対象物を過剰に露光しないように構成されている、前記光学素子構造体と、
前記レーザ光源から、集光された出力ビームを出射するように、前記ビーム位置決め器と前記投影マスクとの間の光路に設けられた集光光学部品と、
前記投影マスクを位置決めするマスク移動装置と、
前記対象物を位置決めする対象物移動装置と、
前記ビーム位置決め器、前記対象物移動装置、前記マスク移動装置、前記レーザ光源の中の一つ又は複数に結合された制御装置であって、前記レーザ光源からの前記集光された出力ビームを用いて前記対象物上にレーザ露光により、予め定められたパターンを描画し、前記対象物上の前記パターンは、前記ビーム位置決め器の変位、前記対象物の動き、前記投影マスクの動き、前記投影マスクの上の又は前記投影マスクの内部のパターンから決まる、前記制御装置
とを備えることを特徴とするレーザ利用システム。 - 前記投影マスクが、単一の基板上に集積化されていることを特徴とする請求項21に記載のレーザ利用システム。
- 前記投影マスクが、前記対象物の前記選択部分を制御自在に照射する、多数の光学部品を備えることを特徴とする請求項21に記載のレーザ利用システム。
- 前記投影マスクの一部が、前記対象物の上に、又は前記対象物の内部に照射パターンを描画する、屈折部、反射部、又は回折部として構成されていることを特徴とする請求項21に記載のレーザ利用システム。
- 前記投影マスクが、空間光変調器を備えることを特徴とする請求項21に記載のレーザ利用システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US28972409P | 2009-12-23 | 2009-12-23 | |
US61/289,724 | 2009-12-23 | ||
PCT/US2010/060670 WO2011079006A1 (en) | 2009-12-23 | 2010-12-16 | Laser patterning using a structured optical element and focused beam |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013515612A true JP2013515612A (ja) | 2013-05-09 |
Family
ID=44149747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012546052A Pending JP2013515612A (ja) | 2009-12-23 | 2010-12-16 | 光学素子構造体と集束ビームとを用いたレーザ利用パターン形成 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110147620A1 (ja) |
JP (1) | JP2013515612A (ja) |
KR (1) | KR20120103651A (ja) |
CN (1) | CN102656421A (ja) |
WO (1) | WO2011079006A1 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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