JP2013512306A5 - - Google Patents
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Description
次に、透明な導電層をCdS層上に堆積させ、完成デバイスの性能を1太陽照射下で試験した。得られたJ−V曲線を図4に示す。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
1.a)液体媒体と、
b)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
c)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
d)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含む組成物であって、
前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、前記組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が約2:1:1:4である、組成物。
2.前記銅含有カルコゲニドが、Cu2S、CuS、Cu2Se、CuSe、Cu2SnS3、Cu4SnS4、およびCu2SnSe3からなる群から選択される、前記1に記載の組成物。
3.前記スズ含有カルコゲニドが、SnS2、SnS、SnSe、SnSe2、Cu2SnS3、Cu4SnS4、およびCu2SnSe3からなる群から選択される、前記1に記載の組成物。
4.前記亜鉛含有カルコゲニドが、ZnSまたはZnSeである、前記1に記載の組成物。
5.前記コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子が、アルキルアミン、アルキルチオール、トリアルキルホスフィンオキシド、トリアルキルホスフィン、アルキルホスホン酸、ポリビニルピロリドン、ポリカルボキシレート、ポリホスフェート、ポリアミン、ピリジン、アルキルピリジン、システインおよび/またはヒスチジン残基を含むペプチド、エタノールアミン、シトレート、チオグリコール酸、オレイン酸、およびポリエチレングリコールからなる群から選択される有機安定剤を含む、前記1に記載の組成物。
6.前記コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子が、アルキルアミン、アルキルチオール、トリアルキルホスフィンオキシド、トリアルキルホスフィン、アルキルホスホン酸、ポリビニルピロリドン、ポリカルボキシレート、ポリホスフェート、ポリアミン、ピリジン、アルキルピリジン、システインおよび/またはヒスチジン残基を含むペプチド、エタノールアミン、シトレート、チオグリコール酸、オレイン酸、およびポリエチレングリコールからなる群から選択される有機安定剤を含む、前記1に記載の組成物。
7.前記コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子が、アルキルアミン、アルキルチオール、トリアルキルホスフィンオキシド、トリアルキルホスフィン、アルキルホスホン酸、ポリビニルピロリドン、ポリカルボキシレート、ポリホスフェート、ポリアミン、ピリジン、アルキルピリジン、システインおよび/またはヒスチジン残基を含むペプチド、エタノールアミン、シトレート、チオグリコール酸、オレイン酸、およびポリエチレングリコールからなる群から選択される有機安定剤を含む、前記1に記載の組成物。
8.前記液体媒体が、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、ピリジン、ヘキサン、へプタン、オクタン、アセトン、2−ブタノン、メチルエチルケトン、水、およびアルコールからなる群から選択される、前記1に記載の組成物。
9.添加剤を組成物の全重量に基づいて1重量%までさらに含み、前記添加物がナトリウム塩、元素硫黄または元素セレンである、前記1に記載の組成物。
10.a)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
b)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
c)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含む混合物を液体媒体中に分散させる工程を含む方法であって、前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が約2:1:1:4である、方法。
11.前記液体媒体が、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、ピリジン、ヘキサン、へプタン、オクタン、アセトン、2−ブタノン、メチルエチルケトン、水、およびアルコールからなる群から選択される、前記10に記載の方法。
12.分散体を基材上に堆積させる工程を含む方法であって、前記分散体が、
a)液体媒体と、
b)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
c)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
d)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含み、前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が約2:1:1:4である、方法。
13.前記液体媒体が、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、ピリジン、ヘキサン、へプタン、オクタン、アセトン、2−ブタノン、メチルエチルケトン、水、およびアルコールからなる群から選択される、前記12に記載の方法。
14.前記基材が、ガラス、金属、またはポリマー基材、モリブデンがコートされたソーダ石灰ガラス、モリブデンがコートされたポリイミドフィルム、およびナトリウム化合物の層をさらに含むモリブデンがコートされたポリイミドフィルムからなる群から選択される、前記12に記載の方法。
15.前記液体媒体を除去して、コートされた基材を形成する工程をさらに含む、前記12に記載の方法。
16.前記カルコゲニドが硫化物であり、前記方法が、前記コートされた基材を加熱してCZTSフィルムを前記基材上に形成する工程をさらに含む、前記15に記載の方法。
17.前記カルコゲニドがセレン化物であり、前記方法が、前記コートされた基材を加熱してCZTSeフィルムを前記基材上に形成する工程をさらに含む、前記15に記載の方法。
18.前記カルコゲニドが硫化物とセレン化物との混合物であり、前記方法が、前記コートされた基材を加熱してCZTS/Seフィルムを前記基材上に形成する工程をさらに含む、前記15に記載の方法。
19.a)光電池基材を組成物でコートする工程であって、前記組成物が、
i)液体媒体と、
ii)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
iii)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
iv)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含み、
前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、前記組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が、コートされた基材を形成するために約2:1:1:4である工程と、
b)前記コートされた光電池基材を400℃〜600℃の温度において加熱して、アニールされたCZTS/Se薄フィルムを前記光電池基材上に形成する工程と、
c)任意選択により工程a)およびb)を繰り返して所望の厚さのCZTS/Seフィルムを形成する工程と、
d)緩衝層を前記CZTS/Se層上に堆積させる工程と、
e)上部接触層を前記緩衝層上に堆積させる工程とを含む、光電池を形成するための方法。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
1.a)液体媒体と、
b)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
c)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
d)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含む組成物であって、
前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、前記組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が約2:1:1:4である、組成物。
2.前記銅含有カルコゲニドが、Cu2S、CuS、Cu2Se、CuSe、Cu2SnS3、Cu4SnS4、およびCu2SnSe3からなる群から選択される、前記1に記載の組成物。
3.前記スズ含有カルコゲニドが、SnS2、SnS、SnSe、SnSe2、Cu2SnS3、Cu4SnS4、およびCu2SnSe3からなる群から選択される、前記1に記載の組成物。
4.前記亜鉛含有カルコゲニドが、ZnSまたはZnSeである、前記1に記載の組成物。
5.前記コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子が、アルキルアミン、アルキルチオール、トリアルキルホスフィンオキシド、トリアルキルホスフィン、アルキルホスホン酸、ポリビニルピロリドン、ポリカルボキシレート、ポリホスフェート、ポリアミン、ピリジン、アルキルピリジン、システインおよび/またはヒスチジン残基を含むペプチド、エタノールアミン、シトレート、チオグリコール酸、オレイン酸、およびポリエチレングリコールからなる群から選択される有機安定剤を含む、前記1に記載の組成物。
6.前記コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子が、アルキルアミン、アルキルチオール、トリアルキルホスフィンオキシド、トリアルキルホスフィン、アルキルホスホン酸、ポリビニルピロリドン、ポリカルボキシレート、ポリホスフェート、ポリアミン、ピリジン、アルキルピリジン、システインおよび/またはヒスチジン残基を含むペプチド、エタノールアミン、シトレート、チオグリコール酸、オレイン酸、およびポリエチレングリコールからなる群から選択される有機安定剤を含む、前記1に記載の組成物。
7.前記コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子が、アルキルアミン、アルキルチオール、トリアルキルホスフィンオキシド、トリアルキルホスフィン、アルキルホスホン酸、ポリビニルピロリドン、ポリカルボキシレート、ポリホスフェート、ポリアミン、ピリジン、アルキルピリジン、システインおよび/またはヒスチジン残基を含むペプチド、エタノールアミン、シトレート、チオグリコール酸、オレイン酸、およびポリエチレングリコールからなる群から選択される有機安定剤を含む、前記1に記載の組成物。
8.前記液体媒体が、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、ピリジン、ヘキサン、へプタン、オクタン、アセトン、2−ブタノン、メチルエチルケトン、水、およびアルコールからなる群から選択される、前記1に記載の組成物。
9.添加剤を組成物の全重量に基づいて1重量%までさらに含み、前記添加物がナトリウム塩、元素硫黄または元素セレンである、前記1に記載の組成物。
10.a)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
b)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
c)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含む混合物を液体媒体中に分散させる工程を含む方法であって、前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が約2:1:1:4である、方法。
11.前記液体媒体が、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、ピリジン、ヘキサン、へプタン、オクタン、アセトン、2−ブタノン、メチルエチルケトン、水、およびアルコールからなる群から選択される、前記10に記載の方法。
12.分散体を基材上に堆積させる工程を含む方法であって、前記分散体が、
a)液体媒体と、
b)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
c)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
d)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含み、前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が約2:1:1:4である、方法。
13.前記液体媒体が、トルエン、クロロホルム、ジクロロメタン、ピリジン、ヘキサン、へプタン、オクタン、アセトン、2−ブタノン、メチルエチルケトン、水、およびアルコールからなる群から選択される、前記12に記載の方法。
14.前記基材が、ガラス、金属、またはポリマー基材、モリブデンがコートされたソーダ石灰ガラス、モリブデンがコートされたポリイミドフィルム、およびナトリウム化合物の層をさらに含むモリブデンがコートされたポリイミドフィルムからなる群から選択される、前記12に記載の方法。
15.前記液体媒体を除去して、コートされた基材を形成する工程をさらに含む、前記12に記載の方法。
16.前記カルコゲニドが硫化物であり、前記方法が、前記コートされた基材を加熱してCZTSフィルムを前記基材上に形成する工程をさらに含む、前記15に記載の方法。
17.前記カルコゲニドがセレン化物であり、前記方法が、前記コートされた基材を加熱してCZTSeフィルムを前記基材上に形成する工程をさらに含む、前記15に記載の方法。
18.前記カルコゲニドが硫化物とセレン化物との混合物であり、前記方法が、前記コートされた基材を加熱してCZTS/Seフィルムを前記基材上に形成する工程をさらに含む、前記15に記載の方法。
19.a)光電池基材を組成物でコートする工程であって、前記組成物が、
i)液体媒体と、
ii)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
iii)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
iv)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含み、
前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、前記組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が、コートされた基材を形成するために約2:1:1:4である工程と、
b)前記コートされた光電池基材を400℃〜600℃の温度において加熱して、アニールされたCZTS/Se薄フィルムを前記光電池基材上に形成する工程と、
c)任意選択により工程a)およびb)を繰り返して所望の厚さのCZTS/Seフィルムを形成する工程と、
d)緩衝層を前記CZTS/Se層上に堆積させる工程と、
e)上部接触層を前記緩衝層上に堆積させる工程とを含む、光電池を形成するための方法。
Claims (4)
- a)液体媒体と、
b)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
c)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
d)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含む組成物であって、
前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、前記組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が約2:1:1:4である、組成物。 - a)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
b)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
c)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含む混合物を液体媒体中に分散させる工程を含む方法であって、前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が約2:1:1:4である、方法。 - 分散体を基材上に堆積させる工程を含む方法であって、前記分散体が、
a)液体媒体と、
b)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
c)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
d)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含み、前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が約2:1:1:4である、方法。 - a)光電池基材を組成物でコートする工程であって、前記組成物が、
i)液体媒体と、
ii)コートされた銅含有カルコゲニドナノ粒子と、
iii)コートされたスズ含有カルコゲニドナノ粒子と、
iv)コートされた亜鉛含有カルコゲニドナノ粒子とを含み、
前記カルコゲニドが硫化物またはセレン化物であり、前記組成物のCu:Zn:Sn:(S+Se)のモル比が、コートされた基材を形成するために約2:1:1:4である工程と、
b)前記コートされた光電池基材を400℃〜600℃の温度において加熱して、アニールされたCZTS/Se薄フィルムを前記光電池基材上に形成する工程と、
c)任意選択により工程a)およびb)を繰り返して所望の厚さのCZTS/Seフィルムを形成する工程と、
d)緩衝層を前記CZTS/Se層上に堆積させる工程と、
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EP2647595A2 (en) * | 2012-04-03 | 2013-10-09 | Neo Solar Power Corp. | Ink composition, chalcogenide semiconductor film, photovoltaic device and methods for forming the same |
US20150118144A1 (en) * | 2012-05-14 | 2015-04-30 | E I Du Pont Nemours And Company | Dispersible metal chalcogenide nanoparticles |
US8598560B1 (en) | 2012-07-12 | 2013-12-03 | Micron Technology, Inc. | Resistive memory elements exhibiting increased interfacial adhesion strength, methods of forming the same, and related resistive memory cells and memory devices |
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FR2993792B1 (fr) * | 2012-07-26 | 2017-09-15 | Imra Europe Sas | Film de chalcogenure(s) metallique(s) cristallise(s) a gros grains, solution colloidale de particules amorphes et procedes de preparation. |
KR101388451B1 (ko) * | 2012-08-10 | 2014-04-24 | 한국에너지기술연구원 | 탄소층이 감소한 ci(g)s계 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 박막 및 이를 포함하는 태양전지 |
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FR3001467B1 (fr) * | 2013-01-29 | 2016-05-13 | Imra Europe Sas | Procede de preparation de couche mince d'absorbeur a base de sulfure(s) de cuivre, zinc et etain, couche mince recuite et dispositif photovoltaique obtenu |
US9206054B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-12-08 | Nanoco Technologies Ltd. | Methods for preparing Cu2ZnSnS4 nanoparticles for use in thin film photovoltaic cells |
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CN103194739B (zh) * | 2013-04-22 | 2015-04-22 | 青岛科技大学 | 一种铜锌锡硫薄膜的水热合成制备方法 |
CN103346201B (zh) * | 2013-05-24 | 2016-11-23 | 徐东 | 掺锗的铜锌锡硫硒薄膜制备方法、薄膜及太阳能电池 |
CN103337551B (zh) * | 2013-05-28 | 2015-12-23 | 湘潭大学 | 一种不含碳层的CZTS或者CZTSe薄膜的非真空制备方法 |
ES2656299T3 (es) | 2013-08-01 | 2018-02-26 | Lg Chem, Ltd. | Composición de tinta para la fabricación de una capa de absorción de luz de célula solar y método para la fabricación de una película fina que usa la misma |
US20160149061A1 (en) * | 2013-08-01 | 2016-05-26 | Lg Chem, Ltd. | Metal chalcogenide nanoparticles for manufacturing solar cell light absorption layers and method of manufacturing the same |
KR101619933B1 (ko) * | 2013-08-01 | 2016-05-11 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지 광흡수층 제조용 3층 코어-쉘 나노 입자 및 이의 제조 방법 |
KR101650049B1 (ko) | 2013-09-12 | 2016-08-22 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지 광흡수층 제조용 금속 칼코게나이드 나노 입자 및 이의 제조방법 |
US9893220B2 (en) | 2013-10-15 | 2018-02-13 | Nanoco Technologies Ltd. | CIGS nanoparticle ink formulation having a high crack-free limit |
KR101583026B1 (ko) * | 2013-10-31 | 2016-01-08 | 재단법인대구경북과학기술원 | Czts계 태양전지용 박막의 제조방법 |
FR3014909B1 (fr) * | 2013-12-12 | 2016-01-29 | Electricite De France | Bain a morpholine et procede pour le depot chimique d'une couche. |
CN103714973B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-08-31 | 中国矿业大学 | 一种光电化学太阳能电池用Cu3SnS4/Cu2SnSe3复合光阴极及其制备方法 |
CN104761956B (zh) * | 2014-01-03 | 2017-07-18 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 纳米硒化铜导电墨水、其制备方法及应用 |
KR101632631B1 (ko) | 2014-05-20 | 2016-06-23 | 재단법인대구경북과학기술원 | Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법 |
WO2016040690A1 (en) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | The Regents Of The University Of California | High performance thin films from solution processible two-dimensional nanoplates |
KR101869138B1 (ko) * | 2015-05-13 | 2018-06-19 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지 광흡수층 제조용 전구체 및 이의 제조방법 |
WO2016072654A2 (ko) * | 2014-11-05 | 2016-05-12 | 주식회사 엘지화학 | 태양전지 광흡수층 제조용 전구체 및 이의 제조방법 |
CN104451597B (zh) * | 2014-11-19 | 2017-08-11 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 一种固体润滑ZnS薄膜的制备方法 |
CN105039937A (zh) * | 2015-06-02 | 2015-11-11 | 南昌大学 | 一种基于水溶剂制备铜锌锡硫硒薄膜的方法 |
US10217888B2 (en) * | 2016-10-06 | 2019-02-26 | International Business Machines Corporation | Solution-phase inclusion of silver into chalcogenide semiconductor inks |
CN109148625A (zh) * | 2018-05-17 | 2019-01-04 | 中国科学院物理研究所 | 铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法 |
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US7306823B2 (en) * | 2004-09-18 | 2007-12-11 | Nanosolar, Inc. | Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells |
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US20090305449A1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-12-10 | Brent Bollman | Methods and Devices For Processing A Precursor Layer In a Group VIA Environment |
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