JP2013508962A - 結晶シリコンの少なくとも一つの極薄層を含む多層膜を製造する方法及び前記方法により得られたデバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】 結晶シリコンの少なくとも一つの極薄層を含む多層膜を製作する、単純で負担がより少ない方法を提案すること。
【解決手段】 本発明は結晶シリコンの少なくとも一つの極薄層を有する多層膜を製作する方法に関し、前記膜は、結晶構造を有し、予め洗浄された表面を含む基板から製作される。本発明によれば、前記方法は前記洗浄された表面をSiF4、水素、及びアルゴンのガス混合物内で生成されたRFプラズマに当て、それにより前記基板に接触して微小空洞を含有する界面副層を備える結晶シリコンの極薄層を形成するステップa)と、結晶シリコンの前記極薄層上に少なくとも1層の材料を堆積させ、それにより少なくとも一つの機械的に強い層を含む多層膜を形成するステップb)と、前記多層膜で覆われた前記基板を400℃より高い温度でアニールし、それにより前記多層膜を前記基板から分離させるステップc)とを含む。
【選択図】 図2
Description
a)前記洗浄された表面をSiF4、水素、及びアルゴンのガス混合物内で生成された高周波(RF)プラズマに当てるステップであって、前記RFプラズマの電力密度は平方センチメートル当たり100ミリワット(100mW/cm2)ないし650mW/cm2の範囲にあり、前記ガス混合物の圧力は200パスカル(Pa)ないし400Paの範囲にあり、前記基板の温度は150℃ないし300℃の範囲にあり、SiF4の流量は分当たり1立法センチメートル(1cm3/min)ないし10cm3/minの範囲にあり、水素の流量は1cm3/minないし60cm3/minの範囲にあり、アルゴンの流量は1cm3/minないし80cm3/minの範囲にあり、それにより前記基板に接触して微小空洞を含有する界面副層を含む複数の副層を備える結晶シリコンの極薄層を前記洗浄された表面上に形成するステップと、
b)結晶シリコンの前記極薄層と協同して多層膜を形成するように結晶シリコンの前記極薄層上に少なくとも1層の材料を堆積させるステップであって、前記多層膜は少なくとも一つの機械的に強い層を含み、それにより結晶シリコンの前記極薄層を損傷することなく前記多層膜を前記基板から分離させるに十分な強度を有する多層膜を形成するステップと、
c)前記多層膜で覆われた前記基板を400℃より高い温度でアニールし、それにより前記多層膜を分離させるステップと
である。
ステップa)の持続時間は1分(min)ないし5時間(h)の範囲にあり、
ステップa)の間、前記RFプラズマの電力密度は500mW/cm2であり、前記ガス混合物の圧力は293Paであり、前記多層膜で覆われた前記基板の温度は200℃であり、
ステップa)の間、SiF4のガス流量は3cm3/minであり、水素のガス流量は5cm3/minであり、アルゴンのガス流量は80cm3/minであり、
前記機械的に強い層は真空蒸着法により前記機械的に強い多層膜の層の一つの上に堆積されたクロム層であり、
ステップc)の間、前記機械的に強い多層膜で覆われた前記基板は800℃まで加熱され、
ステップb)において、前記クロム層はポリアミド層で覆われ、ステップc)において、前記多層膜で覆われた前記基板は300℃ないし500℃の範囲にある温度まで加熱され、
前記基板の表面は最初に酸化シリコン層で覆われ、前記製作法は、ステップa)に先立ち最初に酸化シリコンで覆われた前記基板の表面を洗浄するステップa’)を含み、
前記ステップa’)は、前記表面をフッ素含有ガスから生成されたRFプラズマに当て、それにより前記酸化シリコン層をエッチングする工程と、前記表面を水素のRFプラズマに当てる工程とを含み、
ステップa’)及びa)はプラズマ助長化学気相蒸着(PECVD)反応器の同じ反応室内で行われ、
ステップa’)は脱イオン水及びHFに基づくウェット法を用いた標準洗浄工程を含み、
ステップb)は前記機械的に強い層を堆積させるに先立ち保護層(窒化又は酸化シリコン)を堆積させる工程を含み、
ステップb)において、前記堆積された材料は結晶シリコン又はゲルマニウムであり、これは真性でも、ドープされてもよく、
ステップb)の間、P又はNドープされた材料の第1の層が前記極薄結晶シリコン層上に堆積され、P又はNドープされた材料の前記第1層はP−N又はN−P接合を得るためにN又はPドープされた材料の第2の層で覆われる。
2 結晶シリコン
2’ 多層膜
3 機械的に強い層
4 ポリアミド層
5 横軸
6 右側座標軸
7 左側座標軸
8 エピタキシャルコア副層20の堆積速度を表わす曲線
9 水素流量の関数としての単結晶シリコン(c−Si)の分率
10 水素流量の関数としてのシリコンの小粒子の分率
11 水素流量の関数としてのシリコンの大粒子の分率
12 水素流量の関数としての界面副層19の厚さ
13 水素流量の関数としての微小空洞分率
14 水素流量の関数としての結晶シリコン分率
15 水素流量の関数としての表面副層21の粗さ
16 水素流量の関数としてのシリコンの大粒子分率
17 水素流量の関数としてのシリコンの小粒子分率
18 水素流量の関数としてのSiO2分率
19 界面副層
20 エピタキシャルコア副層
21 表面副層
S 基板
S1 第1のシリコン基板
S2 第2のシリコン基板
Claims (10)
- 結晶シリコンの少なくとも一つの極薄層(2)を備え、結晶構造を有する予め洗浄された表面を含む基板(S)から製作される多層膜(2’)を製作する方法であって、
a)前記洗浄された表面をSiF4、水素、及びアルゴンのガス混合物内で生成されたRFプラズマに当てるステップであって、前記RFプラズマの電力密度は100mW/cm2ないし600mW/cm2の範囲にあり、前記ガス混合物の圧力は200Paないし400Paの範囲にあり、前記基板(S)の温度は150℃ないし300℃の範囲にあり、SiF4の流量は1cm3/minないし10cm3/minの範囲にあり、水素の流量は1cm3/minないし60cm3/minの範囲にあり、アルゴンの流量は1cm3/minないし80cm3/minの範囲にあり、それにより前記基板(S)に接触して微小空洞を含有する界面副層(19)を含む複数の副層(19、20、21)を備える結晶シリコン(2)の極薄層を前記洗浄された表面上に形成するステップと、
b)結晶シリコン(2)の前記極薄層と協同して多層膜(2’)を形成するように結晶シリコン(2)の前記極薄層上に少なくとも1層の材料を堆積させるステップであって、前記多層膜は少なくとも一つの機械的に強い層(3)を含み、それにより結晶シリコン(2)の前記極薄層を損傷することなく前記多層膜(2’)を分離させるに十分な強度を有する多層膜(2’)を形成するステップと、
c)前記多層膜(2’)で覆われた前記基板(S)を400℃より高い温度でアニールし、それにより前記多層膜(2’)を前記基板(S)から分離させるステップと
を含むことを特徴とする
多層膜(2’)を製作する方法。 - ステップa)の間、前記RFプラズマの電力密度は500mW/cm2であり、前記ガス混合物の圧力は293Paであり、前記多層膜(2’)で覆われた前記基板(S)の温度は200℃であることを特徴とする請求項1に記載の多層膜(2’)を製作する方法。
- ステップa)の間、SiF4のガス流量は3cm3/minであり、水素のガス流量は5cm3/minであり、アルゴンのガス流量は80cm3/minであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の多層膜(2’)を製作する方法。
- 前記機械的に強い層(3)は真空蒸着法により前記機械的に強い多層膜(2’)の層の一つの上に堆積されたクロム層であることを特徴とする請求項1ないし3の何れか一つに記載の多層膜(2’)を製作する方法。
- ステップc)の間、前記機械的に強い多層膜(2’)で覆われた前記基板(S)は800℃まで加熱されることを特徴とする請求項4に記載の多層膜(2’)を製作する方法。
- 前記基板の表面は最初に酸化シリコン層で覆われ、前記製作法は、ステップa)に先立ち最初に酸化シリコンで覆われた前記基板の表面を洗浄するステップa’)を含むことを特徴とする請求項1ないし5の何れか一つに記載の多層膜(2’)を製作する方法。
- 前記ステップa’)は、前記表面をフッ素含有ガスから生成されたRFプラズマに当て、それにより前記酸化シリコン層をエッチングする工程と、前記表面を水素のRFプラズマに当てる工程とを含むことを特徴とする請求項6に記載の多層膜(2’)を製作する方法。
- ステップa’)及びa)はPECVD反応器の同じ反応室内で行われることを特徴とする請求項7に記載の多層膜(2’)を製作する方法。
- ステップb)は前記機械的に強い層(3)を堆積させるに先立ち保護層を堆積させる工程を含むことを特徴とする請求項1ないし8の何れか一つに記載の多層膜(2’)を製作する方法。
- ステップb)の間、P又はNドープされた材料の第1の層が前記極薄結晶シリコン層(2)上に堆積され、P又はNドープされた材料の前記第1の層はP−N又はN−P接合を得るためにN又はPドープされた材料の第2の層で覆われることを特徴とする請求項1ないし9の何れか一つに記載の多層膜(2’)を製作する方法。
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