JP2013255322A - 電子装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】PWM駆動トランジスタを内蔵する通風モーターファンの無効電流と騒音を低減する。
【解決手段】PWM駆動トランジスタとプルアップバイアス抵抗と入力ダイオード内蔵の通風モーターファンと33kHz以上の水平同期信号パルスの発生手段とを有する映像用の電子装置において、PWM駆動制御入力を結合容量と直流電圧シフトダイオードとの並列接続でPWM駆動制御入力を駆動する7WGの論理回路と接続し、PWM駆動制御入力駆動論理回路の電源電圧を+1.8Vとし、33kHz以上の水平同期信号パルスをPWM駆動制御入力駆動論理回路に接続する。
【選択図】図1
【解決手段】PWM駆動トランジスタとプルアップバイアス抵抗と入力ダイオード内蔵の通風モーターファンと33kHz以上の水平同期信号パルスの発生手段とを有する映像用の電子装置において、PWM駆動制御入力を結合容量と直流電圧シフトダイオードとの並列接続でPWM駆動制御入力を駆動する7WGの論理回路と接続し、PWM駆動制御入力駆動論理回路の電源電圧を+1.8Vとし、33kHz以上の水平同期信号パルスをPWM駆動制御入力駆動論理回路に接続する。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子装置の改良に関するものである。
CCD(Charge Coupled Device)撮像素子から出力された信号から雑音を除去するCDS(Correlated Double Sampling)と暗電流補正と利得可変増幅回路(Automatic Gain Control以下AGC)とデジタル映像信号Viに変換するADC(Analog Digital Converter)とを内蔵したAFE(Analog Front End)が普及し、AFEのADC階調は従来10ビットだったが、12ビットや14ビットが一般化した。さらに駆動回路や読み出し回路を統合し高速読み出しを可能にしたCMOS(Complementary Metal Oxicide Semiconductor)撮像素子の改良も進んできた。
さらにデジタル信号処理回路の集積化が進み、複数ラインの出力信号を記憶し算術処理することが、映像専用のメモリ集積DSPだけでなく、安価な汎用のFPGA(Field Programmable Gate Array)でも容易に実現できる様になった。HDTV(High Definition TeleVision)カメラや高速撮像HDTVカメラや記録部付HDTVカメラやInternet Protocol(以下IP)伝送部付HDTVカメラやより高精細の2K×4Kカメラや4K×8KカメラやHDD(Hard Disk Drive)を用いた非圧縮の記録装置も製品化された。平面映像表示装置も、より高精細の2K×4Kや4K×8Kの表示や高速表示や超薄型化が進んできた。
しかし、高速読み出しCCD撮像素子、CMOS撮像素子、小型高速大容量HDDおよび超薄型で高精細または高速表示の平面映像表示装置の電子冷却は、放熱が困難であり、通風モーターファン(以下ファン)で空気を対流させている。
また、放送用映像・音声信号や放送用映像・音声ファイルデータをデジタル変復調して伝送する日本国内でFPUと称され、海外ではMicro Wave Linkと呼ばれる可搬型の映像伝送装置も、デジタル変復調の信号処理量が多い事とデジタル変復調のピーク電力まで高周波電力増幅器に高い直線性が必要なため、約100W程度の消費電力となり、放熱が困難であり、ファンで空気を対流させている。
つまり、撮像装置、映像表示装置、映像伝送装置または記録装置等の放熱が困難な電子装置は、ファンで空気を対流させている。
ところで、上記の電子装置で可搬型の電子装置は、おおよそ10.5Vから17V程度のバッテリ電圧(以下12V電圧)を電源電圧としている。上記のCCD撮像素子の水平転送電極の駆動回路の電源電圧は、TTL論理回路電源電圧の+5Vを越える電圧電源が多いが、TTL論理回路電源電圧の+5Vの7割(+3.5V)以下の低電圧電源まで、異なった電源電圧が用いられている。CMOS撮像素子の電源電圧は、TTL論理回路電源電圧の+5Vの7割(+3.5V)以下の低電圧電源が多い。
さらにデジタル信号処理回路の集積化が進み、複数ラインの出力信号を記憶し算術処理することが、映像専用のメモリ集積DSPだけでなく、安価な汎用のFPGA(Field Programmable Gate Array)でも容易に実現できる様になった。HDTV(High Definition TeleVision)カメラや高速撮像HDTVカメラや記録部付HDTVカメラやInternet Protocol(以下IP)伝送部付HDTVカメラやより高精細の2K×4Kカメラや4K×8KカメラやHDD(Hard Disk Drive)を用いた非圧縮の記録装置も製品化された。平面映像表示装置も、より高精細の2K×4Kや4K×8Kの表示や高速表示や超薄型化が進んできた。
しかし、高速読み出しCCD撮像素子、CMOS撮像素子、小型高速大容量HDDおよび超薄型で高精細または高速表示の平面映像表示装置の電子冷却は、放熱が困難であり、通風モーターファン(以下ファン)で空気を対流させている。
また、放送用映像・音声信号や放送用映像・音声ファイルデータをデジタル変復調して伝送する日本国内でFPUと称され、海外ではMicro Wave Linkと呼ばれる可搬型の映像伝送装置も、デジタル変復調の信号処理量が多い事とデジタル変復調のピーク電力まで高周波電力増幅器に高い直線性が必要なため、約100W程度の消費電力となり、放熱が困難であり、ファンで空気を対流させている。
つまり、撮像装置、映像表示装置、映像伝送装置または記録装置等の放熱が困難な電子装置は、ファンで空気を対流させている。
ところで、上記の電子装置で可搬型の電子装置は、おおよそ10.5Vから17V程度のバッテリ電圧(以下12V電圧)を電源電圧としている。上記のCCD撮像素子の水平転送電極の駆動回路の電源電圧は、TTL論理回路電源電圧の+5Vを越える電圧電源が多いが、TTL論理回路電源電圧の+5Vの7割(+3.5V)以下の低電圧電源まで、異なった電源電圧が用いられている。CMOS撮像素子の電源電圧は、TTL論理回路電源電圧の+5Vの7割(+3.5V)以下の低電圧電源が多い。
ところで、高効率な通風用にPWM駆動トランジスタ内蔵ファンがあり、プルアップバイアス抵抗と入力抵抗とを内蔵するタイプとプルアップバイアス抵抗と入力ダイオードとを内蔵するタイプとプルアップバイアス抵抗とプルダウンバイアス抵抗と入力抵抗とを内蔵するタイプがある。(非特許文献1−3参照)
上記PWM駆動トランジスタとプルアップバイアス抵抗と入力抵抗とを内蔵する通風ファンのPWM駆動入力は容量接続し接地ダイオードで直流再生させ、PWM駆動トランジスタ導通時に正電圧にクランプされPWM駆動トランジスタ非導通時は負電圧となりPWM駆動トランジスタ非導通時は無効電流が流れずに消費電力が減少することも示唆されている(特許文献1の段落0031参照)。しかし、図等の具体的技術は記載されていない。
さらに、PWM駆動トランジスタ導通時に正電圧にクランプされPWM駆動トランジスタ非導通時は負電圧となる分、PWM駆動入力の導通時電圧が4.4V以下となり、不足し、PWM駆動トランジスタのターンオンが遅くなり、かえってPWM駆動の無効電流が増加してしまう。
また、入力ダイオード内蔵のPWM駆動トランジスタとプルアップバイアス抵抗内蔵ファンは、非導通時は負電圧とする必要もなく、非導通時は負電圧とすると、PWM駆動入力が+0.6V以上になってからプルアップバイアス抵抗でPWM駆動トランジスタがターンオンされるため、PWM駆動トランジスタのターンオンが遅くなり、かえってPWM駆動の無効電流が増加する。
さらに、PWM駆動トランジスタ導通時に正電圧にクランプされPWM駆動トランジスタ非導通時は負電圧となる分、PWM駆動入力の導通時電圧が4.4V以下となり、不足し、PWM駆動トランジスタのターンオンが遅くなり、かえってPWM駆動の無効電流が増加してしまう。
また、入力ダイオード内蔵のPWM駆動トランジスタとプルアップバイアス抵抗内蔵ファンは、非導通時は負電圧とする必要もなく、非導通時は負電圧とすると、PWM駆動入力が+0.6V以上になってからプルアップバイアス抵抗でPWM駆動トランジスタがターンオンされるため、PWM駆動トランジスタのターンオンが遅くなり、かえってPWM駆動の無効電流が増加する。
山陽電気製SanAce40GA高風量 低消費電力ファン9GA0412P6G001 http://db.sanyodenki.co.jp/product_db/coolingfan/dcfan/dc_fan_detail.php?master_id=3022
山陽電気製SanAce40GA高風量 低消費電力ファン9GA0412P7G001 httpdb.sanyodenki.co.jpproduct_dbcoolingfandcfandc_fan_detail.phpmaster_id=3030
山陽電気製SanAce60CRA二重反転ファン9CRA0612P0S001 httpdb.sanyodenki.co.jpproduct_dbcoolingfandcfandc_fan_detail.phpmaster_id=3107
通風モーターファンをPWM駆動するトランジスタの無効電流を低減することが本発明の目的である。
本発明は、上記課題を解決するため、(20kHz以上のPWM制御パルス等のI/Oパルスを発生するCPUや15kHzのSDTV水平同期信号パルスまたは33kHz以上のHDTV水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを発生する同期信号発生部等の)パルス発生手段と論理回路とを有する(撮像装置、映像表示装置、映像伝送装置または映像記録装置等の放熱が困難な映像用の)電子装置において、前記パルス発生手段で発生したパルスを前記論理回路の入力に接続し、通風モーターファン(以下ファン)、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗および入力抵抗の組み合わせ(PWM駆動トランジスタ内蔵ファン)、またはファン、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗、該トランジスタをプルダウンバイアスする抵抗および入力抵抗の組み合わせ(PWM駆動トランジスタ内蔵ファン)、の少なくとも一つの組み合わせを有し、前記入力抵抗の入力側を結合容量で前記論理回路の出力と接続し、前記入力抵抗の入力側に直流電圧シフトダイオードを接続した構成、またはファン、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗および入力ダイオードの組み合わせ(PWM駆動トランジスタ内蔵ファン)を有し、前記入力ダイオードの入力側を結合容量と直流電圧シフトダイオードとの並列接続で前記論理回路の出力と接続した構成との少なくとも一方の構成とすることを特徴とする(映像用の)電子装置である。
さらに、33kHz以上の(HDTVや2K×4Kカメラや4K×8Kカメラ等の)水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを発生する手段と論理回路とを有する(撮像装置、映像表示装置、映像伝送装置または映像記録装置等の放熱が困難な)映像用の電子装置において、前記水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを前記論理回路の入力に接続し、ファン、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗および入力抵抗の組み合わせ(PWM駆動制御入力デューティー比0%でも回転する山陽電気製9GA0412P6G001等のファン)を有し、前記入力抵抗の入力側を結合容量で前記論理回路の出力と接続し、前記入力抵抗の入力側に直流電圧シフトダイオードを接続(し、前記論理回路は(74ACまたは74LVまたは74VHCまたは7WZと等価の)5.4V電源で動作する論理回路であり前記論理回路の電源電圧を+5.4Vとする構成か、または、前記論理回路は(74ACまたは74HCまたはと等価の)6V電源で動作する論理回路であり前記論理回路の電源電圧を+6Vとする構成、の一方の構成の、前記論理回路はTTL論理回路電源電圧の+5Vを越える電圧電源で動作する高速論理回路であり、前記論理回路の電源電圧を前記+5Vを越える電源電圧と)する構成とすることを特徴とする映像用の電子装置である。
また、33kHz以上の(HDTVや2K×4Kカメラや4K×8Kカメラ等の)水平同期パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを発生する手段と論理回路とを有する(撮像装置、映像表示装置、映像伝送装置または映像記録装置等の放熱が困難な)映像用の電子装置において、前記水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを前記論理回路の入力に接続し、ファン、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗および入力ダイオードの組み合わせ(PWM駆動制御入力デューティー比0付近でのファン回転数0%の山陽電気製9GA0412P7G001等のファン)を有し、前記入力ダイオードの入力側を結合容量と直流電圧シフトダイオードとの並列接続で論理回路の出力と接続(し、前記論理回路は(74ACまたは74LVまたは74VHCまたは7WZまたは74LVCまたは7WGと等価の)3.3Vから2.5V電源で動作する高速論理回路であり前記論理回路の電源電圧を+3.3Vから+2.5Vとする構成か、または、前記論理回路は(74LVXまたは7WGと等価の)2.5Vから1.8V電源で動作する高速論理回路であり前記論理回路の電源電圧を+2.5Vから+1.8Vとする構成の一方の、前記論理回路はTTL論理回路電源電圧の+5Vの7割(+3.5V)以下の低電圧電源で動作する高速論理回路であり、前記論理回路の電源電圧を前記低電圧電源電圧と)する構成とすることを特徴とする映像用の電子装置である。
また、33kHz以上の(HDTVや2K×4Kカメラや4K×8Kカメラ等の)水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを発生する手段と論理回路とを有する(撮像装置、映像表示装置、映像伝送装置または映像記録装置等の放熱が困難な)映像用の電子装置において、前記水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを前記論理回路の入力に接続し、おおよそ10.5Vから17V程度のバッテリ電圧(以下12V電圧)電源で動作するファン、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗、該トランジスタをプルダウンバイアスする抵抗および入力抵抗の組み合わせ(PWM駆動制御入力デューティー比0%でも回転する山陽電気製9CRA0612P0S001等のファン)を有し、前記入力抵抗の入力側を結合容量で前記論理回路の出力と接続し、前記入力抵抗の入力側に直流電圧シフトダイオードを接続し、前記論理回路は(RD74HV1G34またはTC4000と等価の)12V電源で動作する論理回路であり、前記論理回路の電源電圧を+12Vとする構成を特徴とする映像用の電子装置である。
上記において、映像装置を放熱するファンのPWM駆動トランジスタの無効電流が低く冷却能力が高くなり、電子装置の温度が低下する。
図1は、本発明の一実施例の映像用の電子装置の全体構成を示すブロック図であり、(a)はCCD撮像素子を1つ用いる撮像装置に映像伝送部19が付属し、(b)は16は色分解光学系とCMOS撮像素子を3つ用いる撮像装置に映像記録部20と映像表示部24が付属している。映像伝送部19と映像記録部20と映像表示部24は付属していないでも構わないし、映像伝送部19は図示しない受信側でも構わない。映像伝送部19と映像記録部20と映像表示部24が単独でも構わない。映像伝送部19と映像記録部20と映像表示部24は、図示しない静止画データや汎用データを入力する汎用の電子装置でも、パルス発生手段と論理回路とPWM駆動トランジスタ内蔵ファンと放熱フィンと制御入力駆動部を有する構成なら構わない。放熱フィンはある方が良い。
図2Aと図2Cと図2Dは本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図であり、図2Bは本発明の一実施例のSBD入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図であり、図3Aと図3Cは本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図であり、図3Bは本発明の一実施例のSBD入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図であり、本発明の一実施例の動作を図1〜図3Cを参照しつつ説明する。
図1において、1と18は撮像装置、2は入射光を結像するレンズ等の光学系、3は光学系2から入射した光を電気信号に変換するCCD撮像素子、4はCCD撮像素子3から出力された信号から雑音を除去するCDSと暗電流補正と信号の利得を調整するAGCとデジタル映像信号Viに変換するADCからなるAFE、5は映像信号処理部、6はCPU、7は転送駆動部(w/TG)、8は温度センサ、12と12Aと12Bと12Cと12DはPWM駆動トランジスタ内蔵ファン、14は放熱フィンで、15と15Aと15Bと15Cは制御入力駆動部である。また、9と10と11はCMOS撮像素子で、16は色分解光学系で、17は同期信号発生部(TG)である。
5は信号Viに種々の画像処理を施しHDTVのSDI(HD−SDI)等の所定方式の映像信号に変換して出力する映像信号処理部、7はCCD3の駆動を行うためのCCD転送駆動部(w/TG)であり、CPU6から出力される制御信号に従ってCCDを駆動するタイミング信号と水平同期信号HD等の各種の同期信号を生成するタイミングジェネレータ(TG)と、生成されたタイミング信号でCCDを駆動するドライバとを備えており、6は撮像装置1内の各部を制御するCPU(Central Processing Unit)であり、温度センサ8の撮像素子温度情報に基づきPWM制御パルスを発生する。温度センサ8の撮像素子温度情報が高温ならPWM制御パルスはオンの割合が多くなり、温度センサ8の撮像素子温度情報が低温ならPWM制御パルスはオンの割合が少なくなる。同期信号発生部(TG)17はCPU6から出力される制御信号に従って水平同期信号パルスHD等の各種の同期信号を生成する。PWM制御パルスは水平同期信号パルスに同期する方が好ましい。
そして、15と15Aと15Bと15Cの制御入力駆動部は水平同期信号パルスHDまたはPWM制御パルスに基づいて12と12Aと12Bと12Cと12DのPWM駆動トランジスタ内蔵ファンのトランジスタを駆動する。
さらに冷却手段が放熱フィン14とパルス駆動部13で駆動された非特許文献1または2のPWM駆動トランジスタ内蔵のファン12であれば高い冷却効率となり、CCD撮像素子3やCMOS撮像素子9と10と11の温度が低下する。
5は信号Viに種々の画像処理を施しHDTVのSDI(HD−SDI)等の所定方式の映像信号に変換して出力する映像信号処理部、7はCCD3の駆動を行うためのCCD転送駆動部(w/TG)であり、CPU6から出力される制御信号に従ってCCDを駆動するタイミング信号と水平同期信号HD等の各種の同期信号を生成するタイミングジェネレータ(TG)と、生成されたタイミング信号でCCDを駆動するドライバとを備えており、6は撮像装置1内の各部を制御するCPU(Central Processing Unit)であり、温度センサ8の撮像素子温度情報に基づきPWM制御パルスを発生する。温度センサ8の撮像素子温度情報が高温ならPWM制御パルスはオンの割合が多くなり、温度センサ8の撮像素子温度情報が低温ならPWM制御パルスはオンの割合が少なくなる。同期信号発生部(TG)17はCPU6から出力される制御信号に従って水平同期信号パルスHD等の各種の同期信号を生成する。PWM制御パルスは水平同期信号パルスに同期する方が好ましい。
そして、15と15Aと15Bと15Cの制御入力駆動部は水平同期信号パルスHDまたはPWM制御パルスに基づいて12と12Aと12Bと12Cと12DのPWM駆動トランジスタ内蔵ファンのトランジスタを駆動する。
さらに冷却手段が放熱フィン14とパルス駆動部13で駆動された非特許文献1または2のPWM駆動トランジスタ内蔵のファン12であれば高い冷却効率となり、CCD撮像素子3やCMOS撮像素子9と10と11の温度が低下する。
次に、図1において、撮像装置1のCCD3は光学系2で受光面に結像された入射光をフォトダイオードで光電変換して信号電荷を生成し、垂直転送したのち水平転送しながら信号電荷を電圧変換してAFE4に出力する。AFE4はCCD3から出力された信号から雑音を除去し暗電流成分を補正し補正した信号を増幅してデジタル映像信号Viに変換して映像信号処理部5にデジタル映像出力を出力する。撮像装置18のCMOS撮像素子9と10と11は光学系2と色分解光学系16で受光面に結像された入射光を光電変換して補正した信号を増幅してデジタル映像信号Viに変換して映像信号処理部5にデジタル映像出力を出力する。
図1において、映像信号処理部5の出力はHD−SDIまたはHDMIのシリアル映像信号の出力VIDEO OUTでもTransport Stream(TS)等映像ファイルの出力File OUTでも構わない。
図1において、映像信号処理部5の出力はHD−SDIまたはHDMIのシリアル映像信号の出力VIDEO OUTでもTransport Stream(TS)等映像ファイルの出力File OUTでも構わない。
また、図1において、本実施例の映像伝送部では、OFDM−64QAM方式等の所定の変調方式・伝送パラメータにより変復調部21Aで変調し、伝送部22で所定の周波数のRF(Radio Frequency:無線周波数)信号に周波数変換し、図示しないアンテナまたは有線ケーブルから送出される。図示しない受信側では、RF信号を受信し周波数変換し設定されたOFDM−64QAM方式等の所定の復調モードにより復調することにより得られた映像信号または映像ファイルを出力する。伝送部22で所定のInternet Protocol(IP)の信号に変換し、図示しないLANケーブルから送出し、図示しない受信側では、IP信号を受信し映像信号または映像ファイルを出力しても良い。
15Aの制御入力駆動部は変復調部21Aで発生された水平同期信号パルスHDまたはCPU6Aで発生されたPWM制御パルスに基づいて12AのPWM駆動トランジスタ内蔵ファンのトランジスタを駆動する。
15Aの制御入力駆動部は変復調部21Aで発生された水平同期信号パルスHDまたはCPU6Aで発生されたPWM制御パルスに基づいて12AのPWM駆動トランジスタ内蔵ファンのトランジスタを駆動する。
また、本実施例の映像記録部20では、映像は、変復調部21Bで符号化し、記録部23で記録再生され、変復調部21Bで復号化し、映像信号VIDEOまたは映像ファイルFileを記録出力RECORD OUTから出力する。また、15Bの制御入力駆動部は変復調部21Bで発生された水平同期信号パルスHDまたはCPU6Bで発生されたPWM制御パルスに基づいて12BのPWM駆動トランジスタ内蔵ファンのトランジスタを駆動する。
また、本実施例の映像表示部では、映像は、処理部で処理され、表示部22で表示される。また、15Cの制御入力駆動部は処理部25で発生された水平同期信号パルスHDまたはCPU6Cで発生されたPWM制御パルスに基づいて12CのPWM駆動トランジスタ内蔵ファンのトランジスタを駆動する。
また、本実施例の映像表示部では、映像は、処理部で処理され、表示部22で表示される。また、15Cの制御入力駆動部は処理部25で発生された水平同期信号パルスHDまたはCPU6Cで発生されたPWM制御パルスに基づいて12CのPWM駆動トランジスタ内蔵ファンのトランジスタを駆動する。
本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Aと図2Cと図2Dと、本発明の一実施例のSBD(Schotky Barrier Diode)入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Bとにおいて、図2Aから図2Cに図示のトランジスタQ1は低飽和電圧で高hfeのNPNトランジスタで図2Dに図示のトランジスタQ1DはNchMOSFET(Metal oxide Semiconductor Field Effect Transistor)あるが、トランジスタQ1とトランジスタQ1DはNPNトランジスタでもNchMOSFETでも良い。また、12Aと12BはPWM駆動トランジスタ内蔵ファンであり、PWM駆動トランジスタ内蔵ファン12Aはファン11とトランジスタQ1とプルアップバイアス抵抗R1と入力抵抗R2とを内蔵し、PWM駆動トランジスタ内蔵ファン12Bはファン11とPWM駆動トランジスタQ1とプルアップバイアス抵抗R1と入力ダイオードD1とを内蔵し、PWM駆動トランジスタ内蔵ファン12Cはファン11とトランジスタQ1とプルアップバイアス抵抗R1と入力抵抗R2とプルダウンバイアス抵抗R3とを内蔵する。パルス駆動部15AはPWM駆動制御入力を結合容量C1でPWM駆動制御入力駆動論理回路IC1と接続し直流電圧シフトダイオードD2,D3を接続し、パルス駆動部15AはPWM駆動制御入力を結合容量C1でPWM駆動制御入力駆動論理回路IC2と接続し直流電圧シフトダイオードD4を接続し、パルス駆動部15CはPWM駆動制御入力を結合容量C1でPWM駆動制御入力駆動論理回路IC1と接続し直流電圧シフトダイオードD11からD20を接続する。
本発明の一実施例の構成を示すブロック図の図2Aから図2Dでは、PWM駆動トランジスタ内蔵ファン12Aから12Dの無効電流と消費電力が減少でき、CCD温度が低下する。CCD温度が低下するので、暗電流が下がり、面ザラが低減し、実効的に高感度となる。また、PWM駆動トランジスタのPWM駆動入力が20kHz以上の周波数であり、可聴帯域周波数から完全に外れていればPWM駆動は可聴帯域外となる。また、周波数15kHzのSDTV水平同期信号パルスと、PWM駆動トランジスタのPWM駆動入力が可聴帯域の上限ならば、ファン回転音以外の余計な雑音は耳障りにならない。水平同期信号パルスとPWM駆動入力が同期していれば、2周波数のうなりも発生しない。つまり、PWM駆動トランジスタのPWM駆動入力が33kHz以上のHDTV水平同期信号パルスまたはまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスであれば、ファン回転音以外の余計な雑音が発生しない。
また、NPNトランジスタはベース電流が引き抜かれるとターンオフする。NchMOSFET(Field Effect Transistor)はゲート・ソース電荷が引き抜かれるとターンオフする。
そこで、本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Aと本発明の一実施例のSBD入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Bと、従来の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図4Aと従来のSBD入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図4Bとの相違は、入力パルスと異なる論理回路電源電圧VccHまたはVccLを用い、制御入力パルスの振幅を変更し、容量C1とダイオードD1〜D4とで制御入力パルスの直流電位をシフトすることである。
そして、本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図3Aと本発明の一実施例のSBD入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図3Bと、従来の抵抗入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図5Aと従来のSBD入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図5Bと、の相違は、制御入力パルスの振幅と直流電位をシフトするにより、PWM駆動トランジスタQ1のターンオンとターンオフが早くなり、駆動されたファン11のファン電流のターンオンとターンオフが早くなり、ファン電流が0%と100%に駆動されることである。
そこで、本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Aと本発明の一実施例のSBD入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Bと、従来の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図4Aと従来のSBD入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図4Bとの相違は、入力パルスと異なる論理回路電源電圧VccHまたはVccLを用い、制御入力パルスの振幅を変更し、容量C1とダイオードD1〜D4とで制御入力パルスの直流電位をシフトすることである。
そして、本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図3Aと本発明の一実施例のSBD入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図3Bと、従来の抵抗入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図5Aと従来のSBD入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図5Bと、の相違は、制御入力パルスの振幅と直流電位をシフトするにより、PWM駆動トランジスタQ1のターンオンとターンオフが早くなり、駆動されたファン11のファン電流のターンオンとターンオフが早くなり、ファン電流が0%と100%に駆動されることである。
本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Aにおいて、12AはPWM駆動トランジスタ内蔵ファンであり、PWM駆動トランジスタ内蔵ファン12Aはファン11と低飽和電圧で高hfeのNPNトランジスタQ1とプルアップバイアス抵抗R1と入力抵抗R2とを内蔵する。15Aはパルス駆動部であり、PWM駆動制御入力を結合容量C1でPWM駆動制御入力駆動論理回路IC1と接続し直流電圧シフトダイオードD2,D3を接続する。
PWM駆動トランジスタとプルアップバイアス抵抗と入力抵抗内蔵でPWM駆動制御入力デューティー比0%でのファン回転数約20%のファンを用いた、20kHz以上の同期パルスを有する撮像装置において、PWM駆動制御入力を結合容量でPWM駆動制御入力を駆動する(74ACまたは74LVまたは74VHCまたは7WZと等価の)5.4V電源で動作する論理回路と接続し、PWM駆動制御入力を直流電圧シフトダイオードで接地と接続し、PWM駆動制御入力駆動論理回路の電源電圧VccHを+5.4Vとするか、PWM駆動制御入力を結合容量でPWM駆動制御入力を駆動する(74ACまたは74HCまたはと等価の)6V電源で動作する論理回路と接続し、PWM駆動制御入力を直列の直流電圧シフトダイオードで接地と接続し、PWM駆動制御入力駆動論理回路の電源電圧VccHを+6Vとし、20kHz以上の周期のCPUのI/Oパルスまたは前記20kHz以上の同期パルスをPWM駆動制御入力駆動論理回路に接続する構成とする。
つまり本実施例の制御入力駆動部は、高速読み出しCCD撮像素子の水平転送電極の駆動回路の電源電圧に多いTTL論理回路電源電圧の+5Vを越える電圧電源で動作するので、電源回路が簡略化でき小型化が容易になる。
PWM駆動トランジスタとプルアップバイアス抵抗と入力抵抗内蔵でPWM駆動制御入力デューティー比0%でのファン回転数約20%のファンを用いた、20kHz以上の同期パルスを有する撮像装置において、PWM駆動制御入力を結合容量でPWM駆動制御入力を駆動する(74ACまたは74LVまたは74VHCまたは7WZと等価の)5.4V電源で動作する論理回路と接続し、PWM駆動制御入力を直流電圧シフトダイオードで接地と接続し、PWM駆動制御入力駆動論理回路の電源電圧VccHを+5.4Vとするか、PWM駆動制御入力を結合容量でPWM駆動制御入力を駆動する(74ACまたは74HCまたはと等価の)6V電源で動作する論理回路と接続し、PWM駆動制御入力を直列の直流電圧シフトダイオードで接地と接続し、PWM駆動制御入力駆動論理回路の電源電圧VccHを+6Vとし、20kHz以上の周期のCPUのI/Oパルスまたは前記20kHz以上の同期パルスをPWM駆動制御入力駆動論理回路に接続する構成とする。
つまり本実施例の制御入力駆動部は、高速読み出しCCD撮像素子の水平転送電極の駆動回路の電源電圧に多いTTL論理回路電源電圧の+5Vを越える電圧電源で動作するので、電源回路が簡略化でき小型化が容易になる。
本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Aと、従来の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図4Aと、の相違は、入力パルスと異なる論理回路電源電圧VccH+5.4Vまたは+6Vを用い、制御入力パルスの振幅を5.4Vまたは6Vに変更し、容量C1とダイーオードD1,D2とで制御入力パルスの直流電位をダイーオードD1,D2の順方向降下電圧(シリコンダイーオードなら各約0.6Vで)分に−0.6Vまたは−1.2Vの負電圧までシフトし正側の電圧を+4.8Vとすることである。また、+12V電源VHにコイルL1と容量C2とを設け、+12V電源と接地電位とがファン電流で変動するのを防止し、制御入力の許容電圧を広くさせていることである。Q1はゲートソース間電圧+4.8Vでフル導通するN−chMOSFETでも良い。
本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図3Aと、従来のSBD入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図5Bと、の相違は、制御入力パルスの振幅と直流電位を順方向降下電圧分に負電圧までシフトすることにより、PWM駆動トランジスタQ1のターンオンとターンオフが早くなり、駆動されたファン11のファン電流のターンオンとターンオフが早くなり、ファン電流が0%と100%に駆動されることである。また、33kHz以上のHDTVや2K×4Kカメラや4K×8Kカメラ等の水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを制御入力駆動部に入力することである。
本発明の一実施例の映像用の電子装置の全体構成を示すブロック図の図1の温度センサ8の撮像素子温度情報が高温なら、本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図3AのPWM制御パルスと制御入力はオンの割合が多く(強と)なり、本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Aのファン11のファン電流は強となる。図1の温度センサ8の撮像素子温度情報が低温ならPWM制御パルスはオンの割合が少なくなり、図2Aのファン11のファン電流は弱となる。簡易的には、水平同期信号パルスが入力され、ファン11のファン電流は一定となる。
本発明の一実施例の映像用の電子装置の全体構成を示すブロック図の図1の温度センサ8の撮像素子温度情報が高温なら、本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図3AのPWM制御パルスと制御入力はオンの割合が多く(強と)なり、本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Aのファン11のファン電流は強となる。図1の温度センサ8の撮像素子温度情報が低温ならPWM制御パルスはオンの割合が少なくなり、図2Aのファン11のファン電流は弱となる。簡易的には、水平同期信号パルスが入力され、ファン11のファン電流は一定となる。
本発明の一実施例のSBD入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Bとにおいて、12BはPWM駆動トランジスタ内蔵ファンであり、PWM駆動トランジスタ内蔵ファン12Bはファン11とPWM駆動トランジスタQ1とプルアップバイアス抵抗R1と入力ダイオードD1とを内蔵する。15Bはパルス駆動部であり、パルス駆動部15AはPWM駆動制御入力を結合容量C1でPWM駆動制御入力駆動論理回路IC2と接続し直流電圧シフトダイオードD4を接続する。
また、PWM駆動トランジスタとプルアップバイアス抵抗と入力ダイオード内蔵でPWM駆動制御入力デューティー比1/Nでのファン回転数0%のファンを用いた、20kHz以上の同期パルスを有する撮像装置において、PWM駆動制御入力を結合容量と直流電圧シフトダイオードとの並列接続でPWM駆動制御入力を駆動する(74ACまたは74LVまたは74VHCまたは7WZまたは74LVCまたは7WGと等価の)3.3Vから2.5V電源で動作する高速論理回路と接続し、PWM駆動制御入力駆動論理回路の電源電圧VccLを+3.3Vから2.5Vとする。Q1はゲートソース間電圧+3.3Vから2.5Vでフル導通するN−chMOSFETでも良い。
または、(74LVXまたは7WGと等価の)+2.5Vから1.8V電源で動作する高速論理回路と接続し、PWM駆動制御入力駆動論理回路の電源電圧VccLを+2.5Vから+1.8Vとし、20kHz以上の周期のCPUのI/Oパルスまたは前記20kHz以上の同期パルスをPWM駆動制御入力駆動論理回路に接続する。Q1はSBDのD5の順方向効果電圧約0.4VをVccLに加算したゲートソース間電圧+2.9Vから+2.2Vでフル導通するN−chMOSFETでも良い。
また、PWM駆動トランジスタとプルアップバイアス抵抗と入力ダイオード内蔵でPWM駆動制御入力デューティー比1/Nでのファン回転数0%のファンを用いた、20kHz以上の同期パルスを有する撮像装置において、PWM駆動制御入力を結合容量と直流電圧シフトダイオードとの並列接続でPWM駆動制御入力を駆動する(74ACまたは74LVまたは74VHCまたは7WZまたは74LVCまたは7WGと等価の)3.3Vから2.5V電源で動作する高速論理回路と接続し、PWM駆動制御入力駆動論理回路の電源電圧VccLを+3.3Vから2.5Vとする。Q1はゲートソース間電圧+3.3Vから2.5Vでフル導通するN−chMOSFETでも良い。
または、(74LVXまたは7WGと等価の)+2.5Vから1.8V電源で動作する高速論理回路と接続し、PWM駆動制御入力駆動論理回路の電源電圧VccLを+2.5Vから+1.8Vとし、20kHz以上の周期のCPUのI/Oパルスまたは前記20kHz以上の同期パルスをPWM駆動制御入力駆動論理回路に接続する。Q1はSBDのD5の順方向効果電圧約0.4VをVccLに加算したゲートソース間電圧+2.9Vから+2.2Vでフル導通するN−chMOSFETでも良い。
本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Aと本発明の一実施例のSBD入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Bと、従来のSBD入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図4Bと、の相違は、入力パルスと異なる論理回路電源電圧VccLを用い、制御入力パルスの振幅を変更し、容量C1とダイオードD3,D4とで制御入力パルスの直流電位をシフトし、ターンオンとターンオフの振幅電圧を確保しオンとオフの振幅電圧を少なくすることである。また、+12V電源VHにコイルL1と容量C2とを設け、+12V電源と接地電位とがファン電流で変動するのを防止し、制御入力の許容電圧を広くさせていることである。
つまり本実施例の制御入力駆動部は、CMOS撮像素子の電源電圧や低速読み出しCCD撮像素子の水平転送電極の駆動回路の電源電圧に多いTTL論理回路電源電圧の+5Vの7割(+3.5V)以下の低電圧電源で動作するので、電源回路が簡略化でき小型化が容易になる。
つまり本実施例の制御入力駆動部は、CMOS撮像素子の電源電圧や低速読み出しCCD撮像素子の水平転送電極の駆動回路の電源電圧に多いTTL論理回路電源電圧の+5Vの7割(+3.5V)以下の低電圧電源で動作するので、電源回路が簡略化でき小型化が容易になる。
本発明の一実施例のSBD入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図3Bと、従来のSBD入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図5Bと、の相違は、制御入力パルスの振幅と直流電位をシフトし、ターンオンとターンオフの振幅電圧を論理回路の電源電圧VccL(+3.3Vから1.8V)分確保しオンの定常電圧をダイオードD3,D4の順方向降下電圧(SBDなら各約0.4V)分高くしPWM駆動トランジスタQ1のターンオンが早くなる。また、オフの定常電圧をダイオードD3,D4の順方向降下電圧(SBDなら約0.4V)分低くし、振幅電圧オンとオフの振幅電圧を少なくする。ターンオフの電圧を接地電位を確保することにより、PWM駆動トランジスタQ1のターンオフの高速化を維持する。これらのことにより、駆動されたファン11のファン電流のターンオンとターンオフが早くなり、ファン電流が0%と100%に駆動されることである。PWM制御パルスは図3Aと同様となる。
実施例3は、実施例1との相違のみ説明する。
本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Cにおいて、12CはPWM駆動トランジスタ内蔵ファンであり、PWM駆動トランジスタ内蔵ファン12Cはファン11と低飽和電圧で高hfeのNPNトランジスタQ1とプルアップバイアス抵抗R1と入力抵抗R2とプルダウンバイアス抵抗R3とを内蔵する。15Cはパルス駆動部であり、PWM駆動制御入力を結合容量C1でPWM駆動制御入力駆動論理回路IC3と接続し直流電圧シフトダイオードD11から20を接続する。
本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Cにおいて、12CはPWM駆動トランジスタ内蔵ファンであり、PWM駆動トランジスタ内蔵ファン12Cはファン11と低飽和電圧で高hfeのNPNトランジスタQ1とプルアップバイアス抵抗R1と入力抵抗R2とプルダウンバイアス抵抗R3とを内蔵する。15Cはパルス駆動部であり、PWM駆動制御入力を結合容量C1でPWM駆動制御入力駆動論理回路IC3と接続し直流電圧シフトダイオードD11から20を接続する。
本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Aと図2Cとの相違は、IC3に耐圧30VのRD74HV1G34または耐圧18VのTC4000と等価の、可搬型の電子装置の電源電圧であるおおよそ10.5Vから17V程度のバッテリ電圧(以下12V電圧)電源で動作する論理回路の電源に+12V電源VHを用い、電圧をシフトするシリコンダイオードをD10からD20と10ヶ直列し−6Vの負電圧までシフトすることである。
つまり、本実施例の制御入力駆動部は可搬型の電子装置の電源電圧で動作するので、電源回路が簡略化でき小型化が容易になる。
実施例3の動作の実施例1の動作との相違を動作を示す模式図で説明すれば、本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図3Aと図3Cとおり、制御入力の振幅が12Vあり、負バイアスが約−6Vと深いことである。Q1はゲートソース間電圧+6Vでフル導通するN−chMOSFETでも良い。PWM制御パルスは図3Aと同様となる。
つまり、本実施例の制御入力駆動部は可搬型の電子装置の電源電圧で動作するので、電源回路が簡略化でき小型化が容易になる。
実施例3の動作の実施例1の動作との相違を動作を示す模式図で説明すれば、本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の動作を示す模式図の図3Aと図3Cとおり、制御入力の振幅が12Vあり、負バイアスが約−6Vと深いことである。Q1はゲートソース間電圧+6Vでフル導通するN−chMOSFETでも良い。PWM制御パルスは図3Aと同様となる。
実施例4は、実施例1や実施例3との相違のみ説明する。
本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Dにおいて、12DはPWM駆動トランジスタ内蔵ファンであり、PWM駆動トランジスタ内蔵ファン12Dはファン11と入力抵抗R2を内蔵するN−chMOSFETのQ1Dとプルアップバイアス抵抗R1とプルダウンバイアス抵抗R3とを内蔵する。Q1Dは入力抵抗R2を内蔵する低飽和電圧で高hfeのNPNトランジスタでも良い。
本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Dにおいて、12DはPWM駆動トランジスタ内蔵ファンであり、PWM駆動トランジスタ内蔵ファン12Dはファン11と入力抵抗R2を内蔵するN−chMOSFETのQ1Dとプルアップバイアス抵抗R1とプルダウンバイアス抵抗R3とを内蔵する。Q1Dは入力抵抗R2を内蔵する低飽和電圧で高hfeのNPNトランジスタでも良い。
本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2CのPWM駆動トランジスタ内蔵ファンの12Cと図2Dの12Dとの相違は、Q1Dに入力抵抗R2を内蔵し、プルアップバイアス抵抗R1とプルダウンバイアス抵抗R3とが、入力抵抗R2のPWM駆動トランジスタ側から制御入力側に移動していることである。本発明の一実施例の抵抗入力の制御入力駆動部の構成を示すブロック図の図2Aの制御入力駆動部15Aと図2Dの制御入力駆動部15Aとは同一である。実施例4の動作は実施例1と同一である。
本発明を利用すれば、映像用の各種電子装置を放熱するPWM駆動トランジスタ内蔵ファンの無効電流と消費電力が減少でき、ファン回転音が低く冷却能力が高くなり、映像用の各種電子装置の温度が低下する。特に、CCD撮像素子またはCMOS撮像素子や高周波電力増幅器や高速HDDの温度が低下する。つまり、CCD撮像素子またはCMOS撮像素子の温度が低下するので、暗電流が下がり、面ザラが低減し、実効的に高感度となる。高周波電力増幅器の温度が低下するので、許容電力が増加し、実効的に高出力となる。高速HDDの温度が低下するので、許容電力が増加し、実効的に高速となる。また、電源回路が簡略化でき小型化が容易になる。
さらに本発明を利用すれば、高速撮像HDTVカメラや記録部付HDTVカメラやIP伝送部付HDTVカメラやより高精細の2K×4Kカメラや4K×8KカメラやHDDを用いた非圧縮の記録装置の温度が低下する。より高精細の2K×4Kや4K×8Kの表示や高速表示や超薄型化の平面映像表示装置の温度が低下する。可搬型の映像伝送装置も、医療等で塵埃を発生させないための密閉筺体も、国境監視でメンテナンスフリー化のため窒素封入の密閉筺体と静穏が要求される電子装置も、本発明を利用すれば、温度が低下する。
1,18:撮像装置、2:光学系、3:CCD撮像素子、4:AFE、
5:映像信号処理部、6,6A,6B,6C:CPU、
7:転送駆動部(w/TG)、8:温度センサ、
9,10,11:CMOS撮像素子、
12,12A,12B,12C,12D:PWM駆動トランジスタ内蔵ファン、
14,14A,14B,14C:放熱フィン、
15,15A,15B,15C:パルス駆動部、
16:色分解光学系、17:同期信号発生部(TG),
19:映像伝送部、20:映像記録部、
21A,21B,21C:変復調部、22:伝送部、23:記録部、
24:映像表示部、25:処理部、26:表示部、
IC1,IC2,IC3,IC4:論理回路、
Q1:NPNトランジスタ、Q1D:NchMOSFET、
D1,D2,D11〜D20:ダイオード、D3,D4:SBD、
R1,R2,R3:抵抗、L1:コイル、C1,C2,C3:容量
VH:+12V電源、VccH:+6V〜+5.4V電源、VccM:+5V電源、
VccL:+3.3〜+1.8V電源、
5:映像信号処理部、6,6A,6B,6C:CPU、
7:転送駆動部(w/TG)、8:温度センサ、
9,10,11:CMOS撮像素子、
12,12A,12B,12C,12D:PWM駆動トランジスタ内蔵ファン、
14,14A,14B,14C:放熱フィン、
15,15A,15B,15C:パルス駆動部、
16:色分解光学系、17:同期信号発生部(TG),
19:映像伝送部、20:映像記録部、
21A,21B,21C:変復調部、22:伝送部、23:記録部、
24:映像表示部、25:処理部、26:表示部、
IC1,IC2,IC3,IC4:論理回路、
Q1:NPNトランジスタ、Q1D:NchMOSFET、
D1,D2,D11〜D20:ダイオード、D3,D4:SBD、
R1,R2,R3:抵抗、L1:コイル、C1,C2,C3:容量
VH:+12V電源、VccH:+6V〜+5.4V電源、VccM:+5V電源、
VccL:+3.3〜+1.8V電源、
Claims (4)
- パルス発生手段と論理回路とを有する電子装置において、前記パルス発生手段で発生したパルスを前記論理回路の入力に接続し、
通風モーターファン(以下ファン)、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗および入力抵抗の組み合わせ、またはファン、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗、該トランジスタをプルダウンバイアスする抵抗および入力抵抗の組み合わせ、の少なくとも一つの組み合わせを有し、前記入力抵抗の入力側を結合容量で前記論理回路の出力と接続し、前記入力抵抗の入力側に直流電圧シフトダイオードを接続した構成、
またはファン、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗および入力ダイオードの組み合わせを有し、前記入力ダイオードの入力側を結合容量と直流電圧シフトダイオードとの並列接続で前記論理回路の出力と接続した構成との少なくとも一方の構成とすることを特徴とする電子装置。 - 33kHz以上の水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを発生する手段と論理回路とを有する映像用の電子装置において、前記水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを前記論理回路の入力に接続し、
ファン、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗および入力抵抗の組み合わせを有し、前記入力抵抗の入力側を結合容量で前記論理回路の出力と接続し、前記入力抵抗の入力側に直流電圧シフトダイオードを接続する構成とすることを特徴とする映像用の電子装置。 - 33kHz以上の水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを発生する手段と論理回路とを有する映像用の電子装置において、前記水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを前記論理回路の入力に接続し、
ファン、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗および入力ダイオードの組み合わせを有し、
前記入力ダイオードの入力側を結合容量と直流電圧シフトダイオードとの並列接続で論理回路の出力と接続する構成とすることを特徴とする映像用の電子装置。 - 33kHz以上の水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを発生する手段と論理回路とを有する映像用の電子装置において、前記水平同期信号パルスまたは該水平同期信号パルスと同期するPWM制御パルスを前記論理回路の入力に接続し、
おおよそ10.5Vから17V程度のバッテリ電圧(以下12V電圧)電源で動作するファン、該ファンをPWM駆動するトランジスタ、該トランジスタをプルアップバイアスする抵抗、該トランジスタをプルダウンバイアスする抵抗および入力抵抗の組み合わせを有し、前記入力抵抗の入力側を結合容量で前記論理回路の出力と接続し、前記入力抵抗の入力側に直流電圧シフトダイオードを接続し、
前記論理回路は12V電源で動作する論理回路であり、前記論理回路の電源電圧を+12Vとする構成を特徴とする映像用の電子装置。
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