JP2010226632A - 撮像方法および撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】EM−CCDの高電子増倍時の電子増倍率を改善する。
【解決手段】EM−CCDとメモリとを有する撮像装置において、EM−CCDの有効画素の画像信号を取得する第1の取得部とEM−CCDの遮光した画素の信号を取得する第2の取得部と、第2の取得部で取得した遮光した画素の信号とを記憶するOB画素メモリと、DC/DCコンバータを2つ以上とr-rOPamp駆動のエミッタフォロワのシリーズ電源とを有し、シリーズ電源を電子増倍電極の振幅電圧を定める電源に用い、DC/DCコンバータの電圧の低い方をエミッタフォロワのコレクタに接続し、OB画素メモリに暗電流の基準値を記憶し第2の取得部で取得した遮光した画素の信号の平均値を算出し遮光した画素の基準値の平均値との比を算出し、画面間で平均した値を所定の値に維持するように、シリーズ電源電圧と電圧の低い方のDC/DCコンバータ電圧とを連動して制御する。
【選択図】図1
【解決手段】EM−CCDとメモリとを有する撮像装置において、EM−CCDの有効画素の画像信号を取得する第1の取得部とEM−CCDの遮光した画素の信号を取得する第2の取得部と、第2の取得部で取得した遮光した画素の信号とを記憶するOB画素メモリと、DC/DCコンバータを2つ以上とr-rOPamp駆動のエミッタフォロワのシリーズ電源とを有し、シリーズ電源を電子増倍電極の振幅電圧を定める電源に用い、DC/DCコンバータの電圧の低い方をエミッタフォロワのコレクタに接続し、OB画素メモリに暗電流の基準値を記憶し第2の取得部で取得した遮光した画素の信号の平均値を算出し遮光した画素の基準値の平均値との比を算出し、画面間で平均した値を所定の値に維持するように、シリーズ電源電圧と電圧の低い方のDC/DCコンバータ電圧とを連動して制御する。
【選択図】図1
Description
本発明は、電子増倍型撮像素子を用いた撮像装置の改良に関するものである。
CCD(Charge Coupled Device)撮像素子から出力された信号から雑音を除去するCDS(Correlated Double Sampling)と暗電流補正と利得可変増幅回路(Automatic Gain Control以下AGC)とデジタル映像信号Viに変換するADC(Analog Digital Converter)とを内蔵したFEP(Front End Processor)が普及し、FEPのADC階調は従来10ビットだったが、12ビットや14ビットが一般化し、16ビットも製品化された。ADCを22ビットとし、AGCをADCの後に配置したFEPも製品化された。
また、デジタル信号処理回路の集積化が進み、複数ラインの出力信号を記憶し算術処理することが、映像専用のメモリ集積DSPだけでなく、安価な汎用のFPGA(Field Programmable Gate Array)でも容易に実現できる様になった。
さらに、電子増倍型CCD撮像素子(Electron Multiplying-CCD以下EM−CCD)は、フォトダイオードで光電変換された信号電荷を電圧振幅が高い水平転送CCD(CMG)内部で電子増倍させることにより、電子冷却部と組み合わせて感度を高くできるため、可視光と近赤外光の夜間の撮影用の照明なしの準動画監視が可能となった。
しかし、EM−CCDは、CMG電圧振幅が高い高電子増倍時は、0.1Vで1.4倍感度が変化し、11℃で1.8倍感度が変化する。また、EM−CCDが強く電子増倍した状態で大量の光量が入射されると、電子増倍で加速された電子が転送電極下に留まるキャリアトラップがおこる。高い電子増倍率と入射光量平均値の累積に強く相関するキャリアトラップ量に反比例して電子増倍率の低下が起る。電子増倍率を維持するには電子増倍電極に印加する振幅電圧をさらに高くする必要がある。さらに、強く電子増倍した状態では、電子増倍率が揺らぎ、1/f低周波雑音成分が増大する。そのため、EM−CCDを特に強く電子冷却してCMG電圧振幅も最小限にする(非特許文献1、2、3参照)。しかも、EM−CCDの電子冷却は、放熱が困難であり、冷却ファンで空気を対流させている。
また、消費電力が増加すると発熱が増加し放熱がさらに困難になる。しかし、降下電圧が約2Vと大きいダーリントンエミッタフォロア出力の電源ICのリップル除去率0.003%より、電圧降下が低い電源ICのリップル除去率はエミッタ入力コレクタ出力の電源ICで0.005%、コレクタとベースを別入力にしたエミッタフォロワ出力の電源ICで0.02%と悪い(非特許文献4、5、6参照)。電子増倍電極に印加する振幅電圧が変動すると電子増倍率が変動し、1/f低周波雑音成分がさらに増大する。そこで、図5の従来の電子増倍電極駆動電圧電源の構成を示すブロック図の様に、スイッチングするDC/DCコンバータ電源電圧を固定として、インピーダンスの高い小電流でベースを駆動するダーリントンエミッタフォロワ出力のシリーズ電源の安定化出力電圧を可変して、電子増倍電極に印加する振幅電圧を発生させる回路に用い、シリーズ電源で約2V以上の電圧降下をさせていた。そこで、図6の従来の電子増倍電極駆動電圧と電源電圧の動作を示す模式図の様に、例えばDC/DCコンバータ電源電圧を24Vとし、シリーズ電源の安定化出力電圧を18Vから22Vまで可変していた。
さらに、1mA導通するゲートソース間電圧が25℃で0.85Vで100℃で0.65Vであり、ドレインソース間導通抵抗RDSonが飽和し始めるゲートソース間電圧が25℃で1.8Vで1.8V駆動MOS−FETと称される製品や、RDSonが飽和し始めるゲートソース間電圧が25℃で1.2V駆動MOS−FETと称される製品が発売された(非特許文献7、8参照)。また、コレクタエミッタ間電圧0.1Vでコレクタ電流250mA以下で直流電流増幅率hfeが250のトランジスタもある(非特許文献9参照)。ところで、消費電流0.25mAで出力電流25mAで、入力電圧も出力電圧も電源に及び、さらに電源リップル除去率が高くリップル混入が0.001%と低い演算増幅器もある(非特許文献10参照)。
ところで、EM−CCDを用いたテレビジョンカメラにおいて、EM−CCDに取り付けてある冷却部が周囲温度の影響で冷却または加熱の能力を超えた場合でもEM−CCDの感度を一定に保つため、EM−CCDの温度を検出し、検出した温度に基づきEM−CCDの電子増倍率を制御することも検討されている(特許文献1参照)。
また、サーバー冷却用にPWM駆動トランジスタ内蔵二重反転ファンがある。(非特許文献11参照)
TI製TC246RGB-B0 680 x 500 PIXEL IMPACTRONTM PRIMARY COLOR CCD IMAGE SENSOR SOCS087 - DECEMBER 2004 - REVISED MARCH 2005
浜松ホトニクス 高感度カメラの原理と技術 Cat No.SCAS0020J01
ANDOR Technical Note Longevity in EMCCD and ICCD
ナショナルセミコンダクタ製LM−136 DS009063
ナショナルセミコンダクタ製LM−2941 8823
リニアテクノロジ製LT3080
東芝製SM3K119TU
ローム製RUM002N02
東芝製2SC5692
リニアテクノロジ製LT1637
山陽電気製CRA0412P4
消費電力を低減して、内部温度上昇を低減して、高電子増倍時は、0.1Vで1.4倍感度が変化し、11℃で1.8倍感度が変化し、高い電子増倍率と入射光量平均値の累積に強く相関するキャリアトラップ量に反比例して電子増倍率の低下が経時的に起きる、EM−CCDの電子増倍率を改善することが本発明の目的である。
本発明は、上記課題を解決するため、電子増倍型CCD撮像素子(EM−CCD)と可変電圧電子増倍電極駆動部と利得可変増幅(AGC)部とラインメモリと画面メモリとを有する撮像装置において、前記EM−CCDを冷却する手段と前記EM−CCDの受光面の有効画素から出力される画像信号を取得する第1の取得部と前記EM−CCDの受光面の上部または下部の遮光した画素から出力される信号を取得する第2の取得部と、前記第2の取得部で取得した遮光した画素から出力される信号とを記憶する手段(OB画素メモリ)と、DC/DCコンバータ電源電圧を2つ以上とエミッタフォロワまたはソースフォロワの少なくとも一つを演算増幅器で駆動するシリーズ電源とを有し、前記DC/DCコンバータ電源の電圧の高い方の電圧を固定にし前記演算増幅器の電源端子に接続し、前記DC/DCコンバータ電源の電圧の低い方を前記エミッタフォロワのコレクタまたはソースフォロワのドレインの少なくとも一つに接続し、前記シリーズ電源を電子増倍電極を駆動する回路の電子増倍電極の振幅電圧を定める電源に用い、前記OB画素メモリに暗電流の基準値を記憶し前記第2の取得部で取得した遮光した画素から出力される信号の代表値を算出し全画素メモリの遮光した画素の基準値の代表値との比(各垂直周期の電子増倍率)を算出し、該各垂直周期の電子増倍率を画面間で平均した値を平均の電子増倍率として、該平均の電子増倍率を所定の値に維持するように、前記シリーズ電源の電圧と前記DC/DCコンバータ電源の電圧の低い方の電圧とを連動して制御する手段を有することを特徴とする撮像装置である。
また、上記において、前記演算増幅器を電源リップル除去率の高い演算増幅器または出力電圧が電源に及ぶ演算増幅器の電源端子にシリーズ電源を追加したものとすること、前記ソースフォロワがゲートソース導通電圧が1V以下のMOS−FETであるか前記エミッタフォロワがコレクタエミッタ間電圧が0.2Vでhfeが200以上であるかの少なくとも一方で、前記演算増幅器を消費電流0.5mA以下の演算増幅器の電源端子にに高インダクタ値のコイルと接地の大容量キャパシタまたはコレクタ出力の定電流源の少なくとも一方を追加したものと、との少なくとも一方にすることを特徴とする撮像装置である。
さらに上記において、電子増倍型CCD撮像素子(EM−CCD)を冷却するペルチェ素子を駆動する駆動回路は同期整流PWM駆動回路であり、上記ペルチェ素子を放熱するファンはPWM駆動トランジスタ内蔵二重反転ファンであり、該PWM駆動トランジスタのPWM駆動入力は容量接続し接地ダイオードで直流再生されることを特徴とする撮像装置である。
大電流の流れる電子増倍電極の振幅電圧回路の電源に用いるシリーズ電源出力のエミッタフォロワのエミッタとコレクタとの間またはソースフォロワのソースとドレインとの間の電圧降下は最大0.1V程度であり、リップル電圧0.1Vを考慮しても0.2V程度であり、従来の約2V以上の電圧降下に比べて1.8V改善し、従来と同等の消費電力となる大電流の低い電圧のDC/DCコンバータ電源電圧が24Vでは、シリーズ電源の安定化出力電圧は23.8Vとなり、雑音低減と増幅率増加とで入射光量を削減し電子増倍率の低下を抑制すれば、0.1Vで1.4倍感度変化から1.4倍の18乗でおおよそ512倍の高感度となる。または従来同等の電子増倍率で電流の多い電子増倍電極(CMG)駆動回路の電源に用いるシリーズ電源出力が数V変化すると、低い電圧のDC/DC電圧が数V変化し、数V変化した分の消費電力を低減し内部温度上昇が低減しEM−CCD温度が低下し、暗電流や同一電子増倍率でのCMG駆動電圧が下がり電子増倍で加速された電子が転送電極下に留まるキャリアトラップが減少できるため、電子増倍率の経時的低下が減少でき、高感度となる。
また上記において、前記演算増幅器を電源リップル除去率の高い演算増幅器または出力電圧が電源に及ぶ演算増幅器の電源端子にシリーズ電源を追加したものとするか、前記ソースフォロワがMOS−FETであるか前記エミッタフォロワが高hfeで、前記演算増幅器を消費電流0.5mA以下の演算増幅器の電源端子にに高インダクタ値のコイルと接地の大容量キャパシタまたはコレクタ出力の定電流源の少なくとも一方を追加すれば、電子増倍電極に印加する振幅電圧の変動は最小となり、電子増倍率の変動と1/f低周波雑音成分も最小となる。
さらに上記において、EM−CCDを冷却するペルチェ素子駆動回路は同期整流PWM駆動回路であり上記ペルチェ素子を放熱するファンはPWM駆動トランジスタ内蔵二重反転ファンであれば冷却能力が高くなり、EM−CCD温度が低下する。またPWM駆動トランジスタのPWM駆動入力は容量接続し接地ダイオードで直流再生されればPWM駆動トランジスタのPWM駆動入力はPWM駆動トランジスタ導通時に正電圧にクランプされPWM駆動トランジスタ非導通時は負電圧となりPWM駆動トランジスタ非導通時は無効電流は流れなくなり消費電力が減少でき、EM−CCD温度が低下する。EM−CCD温度が低下するので、暗電流や同一電子増倍率でのCMG駆動電圧が下がり電子増倍で加速された電子が転送電極下に留まるキャリアトラップが減少できるため、電子増倍率の経時的低下が減少でき、高感度となる。
また、V-OBライン内のH-OBには有効画素の高輝度信号の垂直スミア成分も水平スミア成分もないので、V−OBの暗電流の代表値としてV-OBライン内のH-OBを加算平均し、非増倍時のV-OBライン内のH-OBを加算平均し温度補正したものを除算すれば、暗電流の各画面V-OB時の増倍率が検出でき、各垂直周期の増倍率が推定できる。または、V-OBの最少からN番目の値にも、有効画素の高輝度信号の垂直スミア成分も水平スミア成分もないので、V−OBの暗電流の代表値としてV-OBの最少からN番目の値を算出し、非増倍時のV-OBの最少からN番目の値を算出し温度補正したものを除算しても、暗電流の各画面V-OB時の増倍率が検出でき、各垂直周期の増倍率が推定できる。さらに各垂直周期の増倍率を画面間で平均すれば電子増倍揺らぎを減衰させた、平均電子増倍率が算出できる。
上記の様に本発明によれば、平均電子増倍率とEM−CCD温度が検出でき、平均の電子増倍率を所定の値に維持するように、電子増倍電極の振幅電圧を制御することで、撮像装置の感度が所定の感度が外部基準が無くても、維持できる。
図1は、本発明の一実施例のEM−CCDを用いた撮像装置の全体構成を示すブロック図であり、図2は本発明の一実施例の電子増倍電極駆動電圧電源の構成を示すブロック図であり、図3は本発明の一実施例の電子増倍電極駆動電圧と電源電圧の動作を示す模式図であり、図4は本発明の1実施例のEM−CCDの平均の電子増倍率の制御を示すフローチャートであり、本発明の一実施例の動作を図1〜図4を参照しつつ説明する。
図1において、1は撮像装置、2は入射光を結像するレンズ等の光学系、3は光学系2から入射した光を電気信号に変換するEM−CCD等のCCD撮像素子、4はCCD撮像素子3から出力された信号から雑音を除去するCDSと暗電流補正と信号の利得を調整するAGCとデジタル映像信号Viに変換するADCからなるFEP、5は増倍検出含む映像信号処理部、6はCPU、7は垂直転送駆動部(w/TG)、8は温度センサ、9はCMG、10はペルチェ素子、11はペルチェ同期整流駆動部、12は二重反転ファン、13はファンを駆動するパルス駆動部、14は放熱フィンであり、15はスイッチングDC/DCコンバータで固定電圧のDC/DCと低い可変電圧のDC/DC−Lと高インダクタ値のコイルと接地の大容量キャパシタまたはコレクタ出力の定電流源等のフィルタのFILとエミッタフォロワまたはソースフォロワのシリーズ電源REG−Lとからなる電子増倍電極(CMG)駆動電圧電源である。5は信号Viに種々の画像処理を施しNTSC(National Television System Committee)方式またはPAL(Phase Alternating by Line)方式の複合映像信号(Video Burst Sync以下VBS)またはSDI(Serial Digital Interface)映像信号、あるいはHDTVのSDI(HD−SDI)等の所定方式の映像信号に変換して出力する映像信号処理部、7はEM−CCD3の駆動および電子増倍の利得制御を行うためのCCD駆動部(または、TGと標記する)であり、EM―CCDを駆動するタイミング信号を生成するタイミングジェネレータ(TG)と、生成されたタイミング信号を駆動するドライバとを主に備えており、6は撮像装置1内の各部を制御するCPU(Central Processing Unit)である。
次に、撮像装置1のEM−CCD3は光学系2で受光面に結像された入射光をフォトダイオードで光電変換して信号電荷を生成し、垂直転送したのち水平転送しながら信号電荷を電子増倍してFEP4に出力する。FEP4はEM−CCD3から出力された信号から雑音を除去し暗電流成分を補正し補正した信号を増幅してデジタル映像信号Viに変換して増倍検出含む映像信号処理部5にデジタル映像信号Viを出力する。
さらに、垂直転送駆動部(w/TG)の7とCMG駆動部の9はCPU6から出力される制御信号に従ってEM−CCD3を駆動するための信号を出力する。
EM−CCD3の出力信号には、V-OBライン内のH-OBには垂直スミア成分も水平スミア成分もないので、V-OBライン内のH-OBを加算平均し、非増倍時のV-OBライン内のH-OBを加算平均し温度補正したものを除算すれば、暗電流の各垂直V-OB時の増倍率が検出でき、各垂直周期の増倍率が推定できる。さらに冷却手段が同期整流スイッチング電源駆動部11で可変駆動されたペルチェ素子10と放熱フィン14とパルス駆動部13で駆動された非特許文献11のPWM駆動トランジスタ内蔵の二重反転ファン12であれば高い冷却効率となり、画面間で平均した値を平均の電子増倍率として、平均の電子増倍率を所定の値に維持するように、電子増倍電極の振幅電圧または同期整流スイッチング電源のon−off比または前記パルス駆動二重反転ファンの該パルス駆動角の少なくとも1つを制御する。パルス駆動はPWM駆動でも台形波駆動でもよい。特に、PWM駆動トランジスタのPWM駆動入力を容量接続し接地ダイオードで直流再生されればPWM駆動トランジスタのPWM駆動入力はPWM駆動トランジスタ導通時に正電圧にクランプされPWM駆動トランジスタ非導通時は負電圧となりPWM駆動トランジスタ非導通時は無効電流は流れなくなり消費電力が減少できる。
本発明の1実施例のEM−CCDの平均の電子増倍率の制御を示すフローチャートの図4の概略としては、以下となる
増倍時のV-OBライン内のH-OBを加算平均し温度補正した電子増倍暗電流を検出する。
電子増倍暗電流を非増倍時のV-OBライン内のH-OBを加算平均し温度補正した基準暗電流で除算し垂直周期の電子増倍率Aを算出する。
垂直周期の電子増倍率Aを画面間で平均し平均電子増倍率Bを算出する。
平均電子増倍率Bと基準像倍率Cと比較し、像倍率B>基準増倍率C なら、
電子増倍電極の振幅電圧または冷却ペルチェ同期整流駆動角または冷却ファンパルス駆動角を低減し、電子増倍率を下げる。
像倍率B<基準増倍率Cなら、電子増倍電極の振幅電圧または冷却ペルチェ同期整流駆動角または冷却ファンパルス駆動角を増倍し、像倍率を上げる。
像倍率B=基準増倍率Cなら終了する。
増倍時のV-OBライン内のH-OBを加算平均し温度補正した電子増倍暗電流を検出する。
電子増倍暗電流を非増倍時のV-OBライン内のH-OBを加算平均し温度補正した基準暗電流で除算し垂直周期の電子増倍率Aを算出する。
垂直周期の電子増倍率Aを画面間で平均し平均電子増倍率Bを算出する。
平均電子増倍率Bと基準像倍率Cと比較し、像倍率B>基準増倍率C なら、
電子増倍電極の振幅電圧または冷却ペルチェ同期整流駆動角または冷却ファンパルス駆動角を低減し、電子増倍率を下げる。
像倍率B<基準増倍率Cなら、電子増倍電極の振幅電圧または冷却ペルチェ同期整流駆動角または冷却ファンパルス駆動角を増倍し、像倍率を上げる。
像倍率B=基準増倍率Cなら終了する。
図2は本発明の一実施例の電子増倍電極(CMG)駆動電圧電源の構成を示すブロック図であり、図3は本発明の一実施例の電子増倍電極(CMG)駆動電圧と電源電圧の動作を示す模式図であり、Q1は低飽和電圧で高hfeのNPNトランジスタまたは非特許文献6や非特許文献7の様な低ゲートソース導通電圧のMOS−FET、D1はツェナーダイオード、R1,R2,R3,R4は抵抗、FILは高インダクタ値のコイルと接地の大容量キャパシタまたはコレクタ出力の定電流源またはシリーズ電源IC等のフィルタ、ICCはコレクタ出力等の定電流源で、D/Dは高い固定電圧のスイッチングDC/DCコンバータで、D/D−Lは低い可変電圧のスイッチングDC/DCコンバータで、REG−Lは出力電圧が電源に及ぶ演算増幅器(r-rOPamp)で駆動するエミッタフォロワまたはソースフォロワのシリーズ電源であり、Vinは入力電源、Vrefは基準電圧である。CPU−D/A−outはCPU制御電圧で低い可変電圧のスイッチングDC/DCコンバータのD/D−Lの出力電圧とシリーズ電源のREG−Lの出力電圧とを制御する。
図2の本発明の一実施例の電子増倍電極(CMG)駆動電圧電源の構成を示すブロック図と、図5の従来の電子増倍電極(CMG)駆動電圧電源の構成を示すブロック図との相違は、電子増倍電極(CMG)の振幅電圧回路のシリーズ電源のREGに内蔵されている演算増幅器のAmp2を出力電圧が電源に及ぶ演算増幅器のAmp1に変更し、ダーリントン接続のエミッタフォロワQ2,Q3を低飽和電圧で高hfeのエミッタフォロワまたは低ゲートソース導通電圧のMOS−FETのQ1に変更し、高い固定電圧のDC/DCコンバータ電源のD/Dの出力に高インダクタ値のコイルと接地の大容量キャパシタまたはコレクタ出力の定電流源等のフィルタFILを追加してエミッタフォロワまたはソースフォロワのシリーズ電源のベースまたはゲートを駆動するAmp1に供給し、低い可変電圧のスイッチングDC/DCコンバータを追加しQ1のコレクタまたはドレインに接続したことである。
電子増倍電極(CMG)に印加する振幅電圧の変動を最小とし電子増倍率の変動と1/f低周波雑音成分も最小とするための演算増幅器のAmp1とフィルタFILとの組み合わせは、Amp1が出力電圧が電源に及ぶ演算増幅器ならFILはシリーズ電源電源ICであり、ソースフォロワが非特許文献7の様なゲートソース導通電圧が25℃で0.85VのMOS−FETであるか、エミッタフォロワが非特許文献9の様なコレクタエミッタ間電圧が0.1Vと低飽和電圧でhfeが250と高いトランジシタであるかの少なくとも一方で、Amp1が非特許文献10の様な消費電流0.25mAの演算増幅器なら、FILは高インダクタ値のコイルと接地の大容量キャパシタまたはコレクタ出力の定電流源で、Amp1が非特許文献10の様な電源リップル除去率が高くリップル混入が0.001%と低い演算増幅器ならFILは不要で、D/Dの出力をAmp1の電源端子に直結できる。エミッタフォロワのエミッタとコレクタとの間またはソースフォロワのソースとドレインとの間の電圧降下はコレクタ電流またはドレイン電流250mAベース電流1mAで0.1V程度であり、例えばドレイン電流50mAベース電流0.25mAで0.07V程度と推定され、リップル0.1Vを考慮しても0.17V程度で0.2V以下である。リップルを0.03V以下に抑え込めば、0.1V程度になる。
その結果、図3の本発明の一実施例の電子増倍電極(CMG)駆動電圧と電源電圧の動作を示す模式図の様に、大電流の流れる電子増倍電極(CMG)駆動回路の電源に用いるシリーズ電源出力のエミッタフォロワのエミッタとコレクタとの間またはソースフォロワのソースとドレインとの間の電圧降下は0.2V以下であり、図6の従来の電子増倍電極(CMG)駆動電圧と電源電圧の動作を示す模式図の従来の約2V以上の電圧降下に比べて1.8V改善し、従来と同等の消費電力となる大電流のスイッチングDC/DCコンバータ電源のD/D−Lの電圧が24Vでは小電流のスイッチングDC/DCコンバータ電源のD/Dの電圧が24.6Vで、シリーズ電源の安定化出力電圧は23.8Vとなり、雑音低減と増幅率増加とで入射光量を削減し電子増倍率の低下を抑制すれば、0.1Vで1.4倍感度変化から1.4倍の18乗でおおよそ512倍の高感度となる。リップルを0.03V以下に抑え込めば、エミッタフォロワのエミッタとコレクタとの間またはソースフォロワのソースとドレインとの間の電圧降下は0.1V程度になり、従来と同等の消費電力となる大電流のスイッチングDC/DCコンバータ電源のD/D−Lの電圧が24Vでは小電流のスイッチングDC/DCコンバータ電源のD/Dの電圧が24.7Vで、シリーズ電源の安定化出力電圧は23.9Vとなり、ペルチェ素子11を同期整流PWM駆動する同期整流駆動部12で効率よく駆動し、ペルチェ素子を放熱する非特許文献11のPWM駆動トランジスタ内蔵の二重反転ファン13をパルス駆動部14で効率よく駆動することにより冷却強化してEM−CCD温度を低下させる。特に、PWM駆動トランジスタのPWM駆動入力を容量接続し接地ダイオードで直流再生されればPWM駆動トランジスタのPWM駆動入力はPWM駆動トランジスタ導通時に正電圧にクランプされPWM駆動トランジスタ非導通時は負電圧となりPWM駆動トランジスタ非導通時は無効電流は流れなくなり消費電力が減少でき、EM−CCD温度が低下する。EM−CCD温度が低下するので暗電流や同一電子増倍率でのCMG駆動電圧が低減し、雑音低減と増幅率増加とで入射光量を削減し、電子増倍で加速された電子が転送電極下に留まるキャリアトラップが減少電子増倍率の低下を抑制すれば、0.1Vで1.4倍感度変化から1.4倍の18乗でおおよそ1024倍の高感度となる。
または従来同等の電子増倍率で例えば50mAと電流の多い電子増倍電極(CMG)駆動回路の電源に用いるシリーズ電源出力が18Vから22Vなので、低い電圧のDC/DC電圧が5.8Vから1.8V下がり、0.29Wから0.09W消費電力を低減し内部温度上昇が低減し、暗電流や同一電子増倍率でのCMG駆動電圧が下がり電子増倍で加速された電子が転送電極下に留まるキャリアトラップが減少できるため、電子増倍率の経時的低下が減少でき、高感度となる。
さらに、雑音低減と増幅率増加とで電子増倍率を抑制することや電子増倍電極(CMG)駆動のturn-offを早くして貫通電流を減らしシリーズ電源電圧を下げることと組み合わせれば、より低いCMG電圧で運用でき、電流の多い低い電圧のDC/DC電圧が下がり、さらに消費電力と内部温度上昇とが低減し、暗電流や同一電子増倍率でのCMG駆動電圧が下がり電子増倍で加速された電子が転送電極下に留まるキャリアトラップが減少できるため、さらに電子増倍率の経時的低下が減少でき、高感度となる。
1:撮像装置、2:光学系、3:撮像素子、4:FEP、
5:増倍検出含む映像信号処理部、6:CPU、
7:垂直転送駆動部(w/TG)、8:温度センサ、9:CMG駆動部
10:ペルチェ素子、11:同期整流駆動部、
12:二重反転ファン、13:パルス駆動部、14:放熱フィン、
15:電子増倍電極(CMG)駆動電圧電源、
Amp1:出力電圧が電源に及ぶ演算増幅器(r-rOPamp)、
Amp2:演算増幅器、
Q1:低飽和電圧で高hfeのNPNトランジスタまたは低ゲートソース導通電圧のMOS−FET、
Q2、Q3:NPNトランジスタ、
D1:ツェナーダイオード、
R1,R2,R3,R4,R5,R6:抵抗、
FIL:(高インダクタ値のコイルと接地の大容量キャパシタまたはコレクタ出力の定電流源またはシリーズ電源IC等の)フィルタ、
D/D,D/D−L:スイッチングDC/DCコンバータ、
REG:シリーズ電源、
REG−L:(出力電圧が電源に及ぶ演算増幅器(r-rOPamp)で駆動したエミッタフォロワまたはソースフォロワの)シリーズ電源、
Vin:入力電源、Vref:基準電圧、
CPU−D/A−out:CPU制御電圧
5:増倍検出含む映像信号処理部、6:CPU、
7:垂直転送駆動部(w/TG)、8:温度センサ、9:CMG駆動部
10:ペルチェ素子、11:同期整流駆動部、
12:二重反転ファン、13:パルス駆動部、14:放熱フィン、
15:電子増倍電極(CMG)駆動電圧電源、
Amp1:出力電圧が電源に及ぶ演算増幅器(r-rOPamp)、
Amp2:演算増幅器、
Q1:低飽和電圧で高hfeのNPNトランジスタまたは低ゲートソース導通電圧のMOS−FET、
Q2、Q3:NPNトランジスタ、
D1:ツェナーダイオード、
R1,R2,R3,R4,R5,R6:抵抗、
FIL:(高インダクタ値のコイルと接地の大容量キャパシタまたはコレクタ出力の定電流源またはシリーズ電源IC等の)フィルタ、
D/D,D/D−L:スイッチングDC/DCコンバータ、
REG:シリーズ電源、
REG−L:(出力電圧が電源に及ぶ演算増幅器(r-rOPamp)で駆動したエミッタフォロワまたはソースフォロワの)シリーズ電源、
Vin:入力電源、Vref:基準電圧、
CPU−D/A−out:CPU制御電圧
Claims (1)
- 電子増倍型CCD撮像素子(EM−CCD)と可変電圧電子増倍電極駆動部と利得可変増幅(AGC)部とラインメモリと画面メモリとを有する撮像装置において、前記EM−CCDを冷却する手段と前記EM−CCDの受光面の有効画素から出力される画像信号を取得する第1の取得部と前記EM−CCDの受光面の上部または下部の遮光した画素から出力される信号を取得する第2の取得部と、前記第2の取得部で取得した遮光した画素から出力される信号とを記憶する手段(OB画素メモリ)と、DC/DCコンバータ電源電圧を2つ以上とエミッタフォロワまたはソースフォロワの少なくとも一つを演算増幅器で駆動するシリーズ電源とを有し、
前記DC/DCコンバータ電源の電圧の高い方の電圧を固定にし前記演算増幅器の電源端子に接続し、前記DC/DCコンバータ電源の電圧の低い方を前記エミッタフォロワのコレクタまたはソースフォロワのドレインの少なくとも一つに接続し、前記シリーズ電源を電子増倍電極を駆動する回路の電子増倍電極の振幅電圧を定める電源に用い、
前記OB画素メモリに暗電流の基準値を記憶し前記第2の取得部で取得した遮光した画素から出力される信号の代表値を算出し全画素メモリの遮光した画素の基準値の代表値との比(各垂直周期の電子増倍率)を算出し、該各垂直周期の電子増倍率を画面間で平均した値を平均の電子増倍率として、該平均の電子増倍率を所定の値に維持するように、前記シリーズ電源の電圧と前記DC/DCコンバータ電源の電圧の低い方の電圧とを連動して制御する手段を有することを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009073942A JP2010226632A (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | 撮像方法および撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2009073942A JP2010226632A (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | 撮像方法および撮像装置 |
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Family Applications (1)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103001485A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-03-27 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种emccd的电子倍增驱动电源 |
JP2013255322A (ja) * | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 電子装置 |
CN109413312A (zh) * | 2018-11-08 | 2019-03-01 | 北京智芯微电子科技有限公司 | Emccd的功率驱动电路 |
CN113497905A (zh) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 佳能株式会社 | 光电转换设备、成像系统和移动物体 |
-
2009
- 2009-03-25 JP JP2009073942A patent/JP2010226632A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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