JP2013254197A5 - - Google Patents

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  1. NTSC比が80%以上、且つ、コントラスト比が500以上であって、スペクトルの半値幅が60nm以下の光を100μs以下の応答時間で発光可能な発光モジュールを含む画素と、
    前記画素が、80ppi以上の精細度で設けられた表示部と、
    前記発光モジュールの発光強度の過渡特性の一部を所望の輝度より高くする信号を生成する機能を有する回路とを備える表示装置。
  2. 請求項1において、
    前記発光モジュールは、
    反射膜および半透過・半反射膜と、
    前記反射膜と前記半透過・半反射膜との間に設けられた一対の電極と、
    前記一対の電極の間に設けられた発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子を備えることを特徴とする表示装置。
  3. 請求項1において、
    前記発光モジュールは、
    反射膜を兼ねる第1の電極と、
    半透過・半反射膜を兼ねる第2の電極と、
    前記第1の電極と、前記第2の電極との間に設けられた発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子を備えることを特徴とする表示装置。
  4. 請求項2又は3において、
    前記発光素子と重なるように設けられたカラーフィルタが設けられていることを特徴とする表示装置。
  5. 請求項4において、
    前記カラーフィルタは赤色を呈する光、緑色を呈する光、青色を呈する光のいずれか一を透過することを特徴とする表示装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれか一において、
    前記発光モジュールと異なる発光強度の過渡特性を有する発光モジュールをさらに有することを特徴とする表示装置。
  7. 請求項1乃至6のいずれか一に記載の表示装置を備える電子機器。
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