JP2013247184A - 超音波洗浄方法および超音波洗浄装置 - Google Patents

超音波洗浄方法および超音波洗浄装置 Download PDF

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Abstract

【課題】安定して高いパーティクル除去率が得られる超音波洗浄方法および超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】超音波洗浄方法は、気体2が溶存された液体1に超音波を照射することにより液体1中の洗浄対象物を洗浄するための超音波洗浄方法であって以下の工程を有している。気体2が溶存された液体が準備される。液体1に超音波を照射しながら液体1を撹拌して、液体1に溶存した気体2を含む気泡が発生し続ける状態が実現される。気体2を含む気泡が発生し続ける状態において洗浄対象物が洗浄される。
【選択図】図1

Description

本発明は、超音波洗浄方法および超音波洗浄装置に関し、特に気体が溶存された液体に超音波を照射することにより液体中の洗浄対象物を洗浄するための超音波洗浄方法および超音波洗浄装置に関するものである。
従来、シリコンウエハ等の基板の製造プロセスにおいて、半導体デバイスの欠陥の原因となる有機物、金属不純物、パーティクル(微粒子)及び自然酸化膜等を当該基板から除去することを目的として、浸漬式や枚葉式などの基板の洗浄プロセスが行われている。
基板の洗浄プロセスでは、その目的に応じて様々な種類の洗浄方法が使用されている。特に、浸漬式の洗浄方法によりパーティクル等の異物を除去する場合には、洗浄槽内に収容された洗浄液中に基板を浸漬し、基板を浸漬した洗浄液にメガソニックと呼ばれる周波数が1MHz付近の超音波を照射する方法が用いられている。一般に、周波数が1MHz付近の超音波を使用すると、基板へのダメージを減少しつつ、基板表面上のサブミクロンサイズの微小パーティクルに対する洗浄効果を増大することができると考えられている。
ここで、洗浄液中の溶存気体の濃度がパーティクルなどの異物の除去効率に影響を与えることが知られている。たとえば、洗浄液として超純水を用い、当該超純水にメガソニックを照射して基板からパーティクルを除去する場合、基板からのパーティクル除去率は洗浄液中の溶存窒素濃度に影響を受けることが分かっている。より具体的には、洗浄液中の溶存気体濃度が所定範囲内であると、基板からのパーティクル除去率が相対的に高くなる(特許文献1および2)。したがって、洗浄プロセスにおいて洗浄液中の溶存窒素濃度などの溶存気体濃度をモニタリングし、洗浄液中の溶存気体濃度を一定の範囲内となるように制御すれば、理論的にはパーティクルを効果的に除去することが可能となる。
一方、洗浄液に超音波を照射した際に発生する微弱な発光挙動(ソノルミネッセンス)と基板のパーティクル除去挙動には何らかの関係があるとの報告がある(非特許文献1および2)。
特開平10−109072号公報(プレテック、大日本スクリーン) 特開2007−250726号公報(東京エレクトロン)
"Behaviour of a Well Designed Megasonic Cleaning System",Solid State Phenomena Vols.103−104 (2005) pp.155−158 "Megasonics: a cavitation driven process",Solid State Phenomena Vols.103−104 (2005) pp.159−162
発明者のこれまでの基板の超音波洗浄に関する研究により、同一の溶存気体濃度、同一の超音波照射条件であってもパーティクル除去率が高い場合と低い場合があることが判明した。このため、単に溶存気体濃度や超音波照射条件を調整しただけでは、安定的に高いパーティクル除去率を有する状態を実現することは困難であった。
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、安定して高いパーティクル除去率が得られる超音波洗浄方法および超音波洗浄装置を提供することを目的とする。
発明者らは、溶存気体濃度とパーティクル除去率との関係について鋭意研究した結果、以下のような知見を得た。つまり、発明者らは、ある範囲の溶存気体濃度を有する液体に超音波を照射しながら当該液体を撹拌することにより、液体のパーティクル除去率を向上させることができることを見出し本発明を想到した。
本発明に係る超音波洗浄方法は、気体が溶存された液体に超音波を照射することにより液体中の洗浄対象物を洗浄するための超音波洗浄方法であって、以下の工程を有している。気体が溶存された液体が準備される。液体に超音波を照射しながら液体を撹拌して、液体に溶存した気体を含む気泡が発生し続ける状態が実現される。気体を含む気泡が発生し続ける状態において洗浄対象物が洗浄される。
本発明に係る超音波洗浄方法によれば、液体に超音波を照射しながら液体を撹拌しているので、液体に溶存した気体を含む気泡が連続的しやすい状態を実現することができる。この状態で洗浄を行うことにより、安定的に高いパーティクル除去率を得ることができる。
上記の超音波洗浄方法において好ましくは、気体を含む気泡が発生し続ける状態を実現する工程は、液体中において撹拌子を駆動することをきっかけとして行われる。これにより、撹拌子の表面において核となる気泡の発生が促進され、洗浄効果を高めることができる。
上記の超音波洗浄方法において好ましくは、洗浄対象物を洗浄する工程は、ソノルミネッセンスが発生する工程を含む。これにより、より安定的に高いパーティクル除去率が得られる。
上記の超音波洗浄方法において好ましくは、気体は窒素であり、液体の溶存気体濃度は5ppm以上11ppm未満である。
本発明に係る超音波洗浄装置は、気体が溶存された液体に超音波を照射することにより液体中の洗浄対象物を洗浄するための超音波洗浄装置であって、液体に超音波を照射するための照射手段と、液体を収容するための容器と、液体を撹拌するための機構とを有している。液体を撹拌するための機構により液体を撹拌することができ、液体中において核となる気泡が発生しやすい状態を実現することができる。これにより、洗浄効果を高めることができ、安定的に高いパーティクル除去率を得ることができる。
本発明によれば、安定して高いパーティクル除去率が得られる超音波洗浄方法および超音波洗浄装置を提供することができる。
本発明の一実施の形態に係る超音波洗浄装置を示す模式図である。 ソノルミネッセンスを観測するときの装置構成の一例である。 (a)過飽和状態、(b)核生成状態、(c)気泡成長状態、(d)気泡成長状態、(e)気泡破裂状態、における気泡の状態を説明するための図である。 溶存窒素濃度と霧状の気泡(foggy bubbles)の有無との関係を示す模式図である。 本発明の一実施の形態に係る超音波洗浄方法を示すフロー図である。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付しその説明については繰り返さない。
まず、本発明の一実施の形態に係る超音波洗浄装置の構成について説明する。
本実施の形態に係る超音波洗浄装置100は、図1に示すように、超純水などの洗浄液を内部に貯留する洗浄槽20と、この洗浄槽20に洗浄液を供給する供給手段10と、洗浄槽20を収容する間接水槽21と、間接水槽21の底部に設置され、超音波を照射するための照射手段30と、洗浄槽20の内部に供給された洗浄液中の溶存窒素濃度をモニタリングするためのモニタリング手段40と、液体を撹拌するための機構としての撹拌子4とを有している。供給手段10は、窒素ガスを溶存させた超純水を洗浄槽20に供給するための第1供給弁11と、脱気された超純水を当該洗浄槽20に供給するための第2供給弁12とを有する。
第1供給弁11は、図示しない第1タンクに接続されている。第1タンクには窒素ガスを溶存させた超純水が貯留されている。また、第2供給弁12は、図示しない脱気水製造装置に接続されている。脱気水製造装置には超純水が供給され、脱気膜を介して超純水中の溶存気体を取り除くことができる。窒素ガスを溶存させた超純水と脱気された超純水とは、第1供給弁11および第2供給弁12の下流側において第1供給弁11および第2供給弁12に接続された配管が合流して1本の配管となることにより混合される。なお、第1供給弁11および第2供給弁12の下流側に混合槽(図示せず)を設置してもよい。この場合、当該混合槽において窒素ガスを溶存させた超純水および脱気された超純水を完全に混合することができる。
そして、混合された超純水は、上述した第1供給弁11および第2供給弁12の下流側に接続され、洗浄槽20内に配置された配管を介して液導入管23に供給される。液導入管23は洗浄槽20の底面の外周端部近傍に配置されている。なお、第1供給弁11と第2供給弁12との開度を調節することにより、洗浄槽20の内部に導入される超純水の溶存窒素濃度および供給量を制御することができる。
液導入管23には、図示しないノズルが複数個配置されている。当該ノズルを介して、液導入管23から洗浄槽20の内部へと洗浄液である超純水が供給される。ノズルは、液導入管23の延在方向に沿って複数個、互いに間隔を隔てて配置されている。また、当該ノズルは、洗浄液を洗浄槽20のほぼ中央部(洗浄対象であるウエハWが保持されている領域)に向けて洗浄液を噴射するように設置されている。
洗浄槽20は、洗浄液を収容するための容器であって、その内部にウエハWを保持するための保持部22が配置されている。ウエハWとしては、たとえば半導体ウエハを用いることができる。洗浄槽20の内部において、保持部22によりウエハWを保持した状態で、上述した混合超純水からなる洗浄液が液導入管23から洗浄槽20内部に供給される。
液導入管23は、上述したように、洗浄槽20の下部(底壁近傍あるいは底壁と側壁との接続である底壁の外周部に位置する領域)に配置されている。液導入管23からは、所定量の洗浄液(混合超純水)が洗浄槽20の内部へと供給される。洗浄槽20の内部は当該洗浄液により満たされ、また所定量の洗浄液が洗浄槽20の上部からオーバーフローするように、洗浄液の供給量は調整されている。これにより、図1に示すようにウエハWが洗浄槽20内の洗浄液に浸漬された状態になる。
間接水槽21には、上述した供給手段10とは異なる媒体の供給ライン(図示せず)が接続されている。当該供給ラインから媒体としての水が間接水槽21の内部に供給される。そして、間接水槽21に貯留された水に、上述した洗浄槽20の少なくとも底壁が接触した状態となっている。なお、間接水槽21に対しても供給ラインから所定量の水が供給され続けることにより、間接水槽21から水が一定量オーバーフローしている状態となる。
照射手段30は、間接水槽21の底壁に接続された状態で設置されている。照射手段30は、超音波を間接水槽21内の水に照射する。照射された超音波は、間接水槽21内の水、洗浄槽20の当該水と接触した部分(たとえば底壁)を介して、洗浄槽20内の洗浄液およびウエハWへと照射される。
ここで、照射手段30は、たとえば周波数20kHz以上2MHz以下、ワット密度0.05W/cm2以上7.0W/cm2以下の超音波を発振することができる。このように超音波を洗浄液およびウエハWに照射することにより、当該洗浄液に浸漬されたウエハWを効率的に洗浄することができる。なお、照射手段30から照射される超音波としては、好ましくは周波数範囲が400kHz以上1MHz以下である超音波を用いる。
モニタリング手段40は、洗浄槽20の内部から所定量の洗浄液を抽出する抽出管41と、抽出管41に接続され、溶存窒素濃度計43に洗浄液を導入するためのポンプ42と、ポンプ42の下流側に接続された溶存窒素濃度計43とを含む。溶存窒素濃度計43からは洗浄液における溶存窒素濃度の測定データが溶存窒素濃度計43に含まれる表示部分へ出力される。溶存窒素濃度計43としては、任意の構成の装置を用いることができるが、たとえば洗浄液に含まれる溶存気体成分を高分子膜を介して受容器に導入し、この受容器内の熱伝導度の変化に基づいて当該気体成分の濃度を計算する測定装置を用いることができる。
洗浄槽20は、たとえば厚みが3.0mmの石英ガラスにより構成される。洗浄槽20は任意の形状とすることができるが、たとえば洗浄槽20として、内寸が幅270mm×奥行き69mm×高さ270mmの角型水槽を用いる。洗浄槽20の容量は5リットルである。
なお、洗浄槽20の底壁を構成する石英ガラスの板材の厚さは、照射手段30から出射される超音波の周波数に応じて適宜調整することが好ましい。たとえば、照射手段30から出射される超音波の周波数が950kHzである場合には、底壁を構成する板材の厚みは3.0mmであることが好ましい。また、照射手段30から出射される超音波の周波数が750kHzである場合には、底壁を構成する板材の厚みはたとえば4.0mmであることが好ましい。
洗浄槽20に供給手段10から供給される洗浄液(混合超純水)の量は5リットル/分であってもよい。また、照射手段30から照射される超音波の周波数は上述の950kHzと750kHzであってもよく、出力は1200W(ワット密度5.6W/cm2)であってもよい。また、照射手段30における振動板の輻射面のサイズは80mm×270mmであってもよい。
液体を撹拌するための機構は、たとえば撹拌子4を有している。撹拌子4は、胴体部4aと、羽部4bとを有している。羽部4bは液体に浸漬されている。胴体部4aの一端は、たとえばモータなどの駆動部(図示せず)と接続されている。撹拌子4は、胴体部4aの中心軸Lを回転軸として回転可能に構成されている。つまり、撹拌子4は液体を撹拌可能に構成されている。
羽部4bの直径は25mm程度であり、高さは40mm程度である。羽部4bの羽の枚数はたとえば6枚である。撹拌子4はたとえばテフロン(登録商標)からなる。
図2を参照して、ソノルミネッセンス(発光現象)を観測する装置構成について説明する。まず、超音波洗浄装置100と発光検出装置60とを暗室50の内部に配置する。発光検出装置60は画像処理装置61に接続されている。ここで、発光検出装置60として用いるイメージインテンシファイアユニット(極微弱光検知増倍ユニット)とは、極微弱な光を検知・増倍して、コントラストのついた像を得るための装置である。当該ユニットとして、具体的には、浜松ホトニクス製イメージインテンシファイア(V4435U−03)を使用したユニットを用いることができる。当該ユニットは、光電面の材質がCs−Teであり、感度波長範囲が160〜320nmであり、また、最高感度波長が250nmである。なお、超音波を水に照射した際の発光は、水の分解により発生するヒドロキシラジカル(OHラジカル)によるものと考えられており、当該発光の波長は309nm付近の紫外領域であるとされる。したがって、ここでは上記波長を感度波長範囲に持つ光電面材質(Cs−Te)を有するイメージインテンシファイアユニットを使用した。なお、発光検出装置60として光電子増倍管を用いてもよい。なお、装置の条件については、たとえば超音波周波数、超音波強度、溶液を保持する水槽デザイン、溶液の供給量などの条件が挙げられる。
次に、本実施の形態に係る超音波洗浄方法について説明する。
図5を参照して、本実施の形態の超音波洗浄方法について説明する。本実施の形態の超音波洗浄方法は、窒素などの気体が溶存された液体に超音波を照射することにより液体中に浸漬されているウエハW(洗浄対象物)を洗浄するための方法であって、主に以下の工程を有している。
まず、液体準備工程(S10)が実施される。たとえば、図1に示した洗浄装置を用いて、窒素ガスが溶存された超純水と脱気された超純水とを混合して、所望の溶存窒素濃度を有する液体(洗浄液)が準備される。好ましくは、液体の溶存窒素濃度は5ppm以上11ppm未満である。
次に、液体撹拌工程(S20)が実施される。具体的には、上記工程(S10)で準備された液体に超音波が照射される。この状態ではまだソノルミネッセンスは発生していない。液体に超音波を照射しながら液体を撹拌させる。好ましくは、液体中において撹拌子4を駆動することにより、液体に溶存していた気体を気泡として発生させる。具体的には、図1に示した撹拌子4をたとえばモータなどで回転させることにより、液体が撹拌される。撹拌子4の回転数はたとえば1400rpmである。好ましくは、撹拌子4の回転数は1400rpm以上である。
なお、液体を撹拌するとは、液体をかき混ぜることを含む。たとえば撹拌子4を上下または左右に移動させることにより液体を撹拌しても構わない。
液体を撹拌することをきっかけとして、液体中に霧状の気泡(foggy bubbles)が発生する。当該霧状の気泡は、液体に溶存していた気体(本実施の形態では窒素)を含む気泡である。このようにして、窒素を含む気泡が発生し続ける状態が実現する。なお、溶存気体による微細な泡が発生し続ける現象はキャビテーション現象と呼ばれている。
窒素を含む気泡が発生し続ける状態が実現した後、撹拌子4の回転を停止する。撹拌子4の回転を停止した後も、窒素を含む気泡が発生し続ける状態は継続している。
本実施の形態の超音波洗浄方法において、液体を撹拌した後に、ソノルミネッセンスが発生する。ソノルミネッセンスは、図2で示したようなイメージインテンシファイアや光電子倍増管により検知することができる。なお、ソノルミネッセンスは、液体の撹拌を停止した後も継続的に発生している。
次に、洗浄工程(S30)が実施される。洗浄工程では、窒素を含む気泡が発生し続ける状態において洗浄対象物であるウエハWが洗浄される。洗浄工程ではソノルミネッセンスが発生していることが好ましい。
なお、本実施の形態においては、洗浄工程が実施される前に撹拌子4の回転を停止する場合について説明した。しかしながら、洗浄工程において撹拌子4が回転していても構わない。また、撹拌子4の回転は洗浄工程の途中で停止しても構わない。
次に、液体中で気泡を発生させることによりキャビテーション現象の連鎖反応が発生し、パーティクル除去率が向上するメカニズムの仮説を図3(a)〜(e)を参照して説明する。
図3(a)を参照して、窒素2が溶存された液体1に対して照射手段30により超音波が照射される。当該液体は窒素2が過飽和の状態である。図3(b)を参照して、撹拌子(図示せず)を液体中で回転させることにより、液体中において気泡3aが発生する。気泡3aが核となって近くの溶存気体が当該気泡3aに集まってくる。図3(c)および図3(d)を参照して、成長した気泡3bは次々と近くの溶存気体を集めながら液体中を移動し、超音波と共振するサイズの気泡3cになる。図3(e)を参照して、超音波と共振するサイズにまで成長した気泡3dは破裂して、複数の小さい気泡3aを生み出す。当該気泡3dの破裂によって液体中に衝撃波が生じ、洗浄対象物に付着したパーティクルが除去されると考えられる。また複数の小さい気泡3aは核となって近くの溶存気体を集めはじめる。このように、溶存気体を含む気泡が継続的に発生する。図3(b)から図3(e)までの気泡の変化を1つのループとすると、当該ループが1秒間に1000回程度以上繰り返される。
液体を撹拌することは、気泡の発生の連鎖反応をスタートさせるきっかけとなる最初の気泡を供給することであると考えられる。つまり、液体に何らかの方法で外力を加えることにより、液体において気泡が発生しやすい状態を作り出すことができると考えられる。
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態に係る超音波洗浄方法によれば、液体に超音波を照射しながら液体を撹拌しているので、液体に溶存した気体を含む気泡が連続的に発生しやすい状態を実現することができる。この状態で洗浄を行うことにより、安定的に高いパーティクル除去率を得ることができる。
また本実施の形態に係る超音波洗浄方法によれば、気体を含む気泡が発生し続ける状態を実現する工程は、液体中において撹拌子4を駆動することにより溶存していた気体を気泡として発生させることをきっかけとして行われる。これにより、撹拌子4の表面において核となる気泡の発生が促進され、洗浄効果を高めることができる。
さらに本実施の形態に係る超音波洗浄方法によれば、洗浄対象物を洗浄する工程は、ソノルミネッセンスが発生する工程を含む。これにより、より安定的に高いパーティクル除去率が得られる。
本実施の形態に係る超音波洗浄装置によれば、撹拌子4により液体を撹拌することができ、液体中において核となる気泡が発生しやすい状態を実現することができる。これにより、洗浄効果を高めることができ、安定的に高いパーティクル除去率が得られる。
本実験の目的は、本発明に係る洗浄方法と比較例に係る洗浄方法とを用いてウエハWを洗浄し、ウエハWに付着しているパーティクルの除去率の違いを検証することである。
まず、本実験に用いられる洗浄装置について図1を用いて説明する。実験に用いられる洗浄槽20として、厚みが3.0mmの石英ガラスにより構成された角型水槽を使用した。水槽の、内寸を幅270mm×奥行き69mm×高さ270mmとした。底壁を構成する板材の厚みを4.0mmとした。洗浄槽20の容量を5リットルとした。
洗浄槽20に供給手段10から供給される洗浄液(混合超純水)の量を5リットル/分とした。また、照射手段30から照射される超音波の周波数を750kHzとし、出力を1200W(ワット密度5.6W/cm2)とした。また、照射手段30における振動板の輻射面のサイズを80mm×285mmとした。照射手段30から出射される超音波は洗浄槽20の底面全体に照射される。
窒素ガスを溶存させた超純水の供給量を調節する第1供給弁11と脱気水の供給量を調節する第2供給弁12を操作することにより、窒素が溶存された超純水を5リットル/分で洗浄槽20に供給した。溶存窒素濃度はモニタリング手段40により水槽内の超純水をサンプリングして測定した。
次に、パーティクル除去率の測定に用いられる洗浄対象物について説明する。
洗浄対象物としては、直径200mmのP型シリコンウエハが用いられた。P型シリコンウエハのミラー面に二酸化ケイ素粒子をスピンコートにより付着させた。付着量は、110nm以上の粒子で2000〜3000個であった。
次に、パーティクル除去率の測定方法について説明する。
二酸化ケイ素粒子が付着されたウエハを水槽内に浸漬し10分間洗浄した。その後、ウエハをスピンドライヤーで2分間乾燥した。パーティクル除去率は、洗浄後に減少したパーティクルの個数を洗浄前のウエハに付着していたパーティクルの個数で除した値をパーセント表示したものとして求められる。なお、パーティクル付着量測定には、日立ハイテクノロジー製LS6500を使用した。
(本発明例)
本発明例に係る洗浄方法について説明する。まず、溶存窒素濃度が7.1ppmに調整された洗浄液が準備された。当該洗浄液に照射手段30から超音波が照射された。照射される超音波の周波数を750kHzとし、出力を1200Wとした。超音波は洗浄液に継続的に照射された。超音波を洗浄液に照射しながら、撹拌子4を洗浄液中において1400rpmで回転させた。撹拌子4の羽部4bの直径を25mm程度とし、高さを40mmとした。撹拌子4を回転させることにより、洗浄液に霧状の気泡が発生した。この時点でイメージインテンシファイアユニットによる観察をしたところ、ソノルミネッセンスの発生が確認された。当該霧状の気泡が発生した液体に洗浄対象物である二酸化ケイ素粒子が付着したウエハWを浸漬し、10分間の洗浄を実施し、その後ウエハWをスピンドライヤーで2分間乾燥した。
(比較例)
次に、比較例に係る洗浄方法について説明する。まず、溶存窒素濃度が7.1ppmに調整された洗浄液が準備された。当該洗浄液に照射手段30から超音波が照射された。照射される超音波の周波数を750kHzとし、出力を1200Wとした。超音波は洗浄液に継続的に照射された。比較例の洗浄方法は、本発明例の洗浄方法とは異なり、撹拌子4によって洗浄液を撹拌しなかった。イメージインテンシファイアユニットによる観察をしたところ、ソノルミネッセンスが発生していないことが確認された。当該液体に洗浄対象物である二酸化ケイ素粒子が付着したウエハWを浸漬し、10分間の洗浄を実施し、その後ウエハWをスピンドライヤーで2分間乾燥した。
(パーティクル除去率)
次に、パーティクル除去率の結果を説明する。比較例の洗浄方法によるパーティクル除去率は18.8%であった。一方、本発明例の洗浄方法によるパーティクル除去率は30.0%であった。この実験により、洗浄液に超音波を照射しながら洗浄液を撹拌することにより、パーティクル除去率が向上することを確認した。
本実験の目的は、洗浄液に霧状の気泡が発生するための溶存窒素濃度の範囲を調べることである。
まず、溶存窒素濃度が1.9ppm、4.9ppm、6.0ppm、7.8ppm、9.6ppm、11.0ppm、15.7ppmの7種類の洗浄液を準備した。当該7種類の洗浄液の各々に対して超音波を照射しながら撹拌子4を回転させることにより洗浄液を撹拌した。撹拌子4の回転数を1400rpmとした。照射される超音波の周波数を750kHzとし、出力を1200Wとした。洗浄液を撹拌した後、洗浄液に霧状の気泡が発生するかどうかを観察した。
本実験の結果を、図4を参照して説明する。なお、本明細書において洗浄液に霧状の気泡が発生している状態をMode−Aと呼び、洗浄液に霧状の気泡が発生していない状態をMode−Bと呼ぶ。またMode−Aはパーティクル除去率が30.0%程度と高い状態のことであり、Mode−Bはパーティクル除去率が18.8%程度と低い状態のことである。
溶存窒素濃度が4.9ppm以下の場合、洗浄液には霧状の気泡が観測されなかった(Mode−B)。また、溶存窒素濃度が6.0ppm以上9.6ppm以下の場合、撹拌子4で洗浄液を撹拌する前は洗浄液に霧状の気泡が発生しなかった(Mode−B)が、撹拌子4で洗浄液を撹拌した後は洗浄液に霧状の気泡が発生した(Mode−A)。さらに、溶存窒素濃度が11.0ppm以上15.7ppm以下の場合、撹拌子4で洗浄液を撹拌する前後において洗浄液に霧状の気泡が発生していた(Mode−A)。以上の実験により、洗浄液の溶存窒素濃度が、5ppm以上11ppm未満の場合において、洗浄液を撹拌することによって、洗浄液の状態をMode−BからMode−Aに変化することができると考えられる。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態および実施例ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 液体、2 気体、3 気泡、4 撹拌子、4a 胴体部、4b 羽部、10 供給手段、11 第1供給弁、12 第2供給弁、20 洗浄槽、21 間接水槽、22 保持部、23 液導入管、30 照射手段、40 モニタリング手段、41 抽出管、42 ポンプ、43 溶存窒素濃度計、50 暗室、60 発光検出装置、61 画像処理装置、100 超音波洗浄装置、W ウエハ。

Claims (5)

  1. 気体が溶存された液体に超音波を照射することにより前記液体中の洗浄対象物を洗浄するための超音波洗浄方法であって、
    前記気体が溶存された前記液体を準備する工程と、
    前記液体に超音波を照射しながら前記液体を撹拌して、前記液体に溶存した前記気体を含む気泡が発生し続ける状態を実現する工程と、
    前記気体を含む気泡が発生し続ける状態において前記洗浄対象物を洗浄する工程とを備えた、超音波洗浄方法。
  2. 前記気体を含む気泡が発生し続ける状態を実現する工程は、前記液体中において撹拌子を駆動することをきっかけとして行われる、請求項1に記載の超音波洗浄方法。
  3. 前記洗浄対象物を洗浄する工程は、ソノルミネッセンスが発生する工程を含む、請求項1または2に記載の超音波洗浄方法。
  4. 前記気体は窒素であり、前記液体の溶存気体濃度は5ppm以上11ppm未満である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の超音波洗浄方法。
  5. 気体が溶存された液体に超音波を照射することにより前記液体中の洗浄対象物を洗浄するための超音波洗浄装置であって、
    前記液体に超音波を照射するための照射手段と、
    前記液体を収容するための容器と、
    前記液体を撹拌するための機構とを備えた、超音波洗浄装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5872382B2 (ja) * 2012-05-24 2016-03-01 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG 超音波洗浄方法
FR3006209B1 (fr) * 2013-05-31 2016-05-06 Michel Bourdat Dispositif et procede de nettoyage d'objets en forme de plaque
US10994311B2 (en) 2013-05-31 2021-05-04 Michel Bourdat Specific device for cleaning electronic components and/or circuits
CN106311665A (zh) * 2016-11-18 2017-01-11 吕刚 一种电池片生产用单晶硅棒清洗原料调制设备
JP6673527B2 (ja) * 2017-03-16 2020-03-25 日本製鉄株式会社 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
CN108950630B (zh) * 2018-09-20 2023-09-12 江苏金曼科技有限责任公司 一种电镀件超声波清洗装置
WO2020067227A1 (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 日本製鉄株式会社 金属管の洗浄方法及び洗浄装置
KR102379163B1 (ko) 2020-01-31 2022-03-25 에스케이실트론 주식회사 제1 세정 장치, 이를 포함하는 세정 장비 및 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6224987U (ja) * 1985-07-26 1987-02-16
JPH02125792U (ja) * 1989-03-23 1990-10-17
JPH10109072A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Puretetsuku:Kk 高周波洗浄装置
JP2003057164A (ja) * 2001-08-16 2003-02-26 National Institute Of Advanced Industrial & Technology キャビテーション気泡観察装置およびキャビテーション気泡観察方法
JP2005296868A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Tokyo Electron Ltd 超音波洗浄処理方法及びその装置
JP2011119514A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Toshiba Corp 基板の洗浄方法及び基板の洗浄装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1112406A (en) * 1963-11-13 1968-05-08 Mini Of Technology Improvements in or relating to stirring devices
JPS60113719A (ja) 1983-11-24 1985-06-20 Mazda Motor Corp 暖房装置
US5017281A (en) * 1984-12-21 1991-05-21 Tar Sands Energy Ltd. Treatment of carbonaceous materials
JPH0426639Y2 (ja) 1988-07-29 1992-06-25
JP3742451B2 (ja) 1996-01-17 2006-02-01 昌之 都田 洗浄方法
US6058945A (en) * 1996-05-28 2000-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface
TW355815B (en) * 1996-05-28 1999-04-11 Canon Kasei Kk Cleaning methods of porous surface and semiconductor surface
TW496786B (en) 2000-12-16 2002-08-01 Metal Ind Redearch & Amp Dev C Liquidized gas cleaning system
JP3453366B2 (ja) 2001-01-25 2003-10-06 株式会社半導体先端テクノロジーズ 基板の洗浄装置および洗浄方法
JP2003031535A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置の超音波洗浄方法
GB2384185B (en) 2001-12-06 2003-12-17 Barrie Mellor Cleaning process
JP2005093873A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Ebara Corp 基板処理装置
JP4352880B2 (ja) * 2003-12-02 2009-10-28 セイコーエプソン株式会社 洗浄方法および洗浄装置
US7443079B2 (en) * 2004-09-17 2008-10-28 Product Systems Incorporated Method and apparatus for cavitation threshold characterization and control
US20060060991A1 (en) 2004-09-21 2006-03-23 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for controlled transient cavitation
US7392814B2 (en) * 2004-12-24 2008-07-01 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and method
JP4159574B2 (ja) * 2005-06-21 2008-10-01 株式会社カイジョー 脱気装置およびこれを用いた超音波洗浄装置
JP4999338B2 (ja) 2006-03-15 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
JP4869957B2 (ja) 2006-03-22 2012-02-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7691388B2 (en) * 2006-03-24 2010-04-06 Ocean Nutrition Canada Limited Compositions comprising Porphyra and methods of making and using thereof
JP4599321B2 (ja) * 2006-03-30 2010-12-15 富士フイルム株式会社 磁気記録媒体の製造方法
JP4705517B2 (ja) * 2006-05-19 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
JP5015717B2 (ja) 2007-10-15 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
US8147619B2 (en) * 2009-05-16 2012-04-03 Heiko Ackermann Chemical cavitation and cleaning process
US8026496B2 (en) 2009-07-02 2011-09-27 Raytheon Company Acoustic crystal sonoluminescent cavitation devices and IR/THz sources
US20110272836A1 (en) * 2010-04-12 2011-11-10 Selecta Biosciences, Inc. Eccentric vessels
JP2012081430A (ja) 2010-10-13 2012-04-26 Hitachi Kokusai Denki Engineering:Kk 超音波洗浄装置
JP5526118B2 (ja) * 2011-12-26 2014-06-18 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト 超音波洗浄方法
JP5872382B2 (ja) * 2012-05-24 2016-03-01 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG 超音波洗浄方法
JP5453487B2 (ja) * 2012-05-24 2014-03-26 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト 超音波洗浄方法および超音波洗浄装置
JP5894858B2 (ja) * 2012-05-24 2016-03-30 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG 超音波洗浄方法
JP5453488B2 (ja) * 2012-05-24 2014-03-26 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト 超音波洗浄方法および超音波洗浄装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6224987U (ja) * 1985-07-26 1987-02-16
JPH02125792U (ja) * 1989-03-23 1990-10-17
JPH10109072A (ja) * 1996-10-04 1998-04-28 Puretetsuku:Kk 高周波洗浄装置
JP2003057164A (ja) * 2001-08-16 2003-02-26 National Institute Of Advanced Industrial & Technology キャビテーション気泡観察装置およびキャビテーション気泡観察方法
JP2005296868A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Tokyo Electron Ltd 超音波洗浄処理方法及びその装置
JP2011119514A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Toshiba Corp 基板の洗浄方法及び基板の洗浄装置

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