JP2013246868A - 不揮発性メモリ装置のプログラム方法及びそれのメモリシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の実施形態による不揮発性メモリ装置の駆動方法は、前記不揮発性メモリ装置で第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルの一部をプログラムするためのプログラム動作の間に発生されたエラーを検出する段階を含み、前記エラーを検出する段階は前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセル及び前記プログラム動作の間に検証されたフォース−ビット(force−bit)データベクトル(vector)を読み出す段階によって遂行され、前記フォース−ビットデータベクトルは前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルの中でいずれかがエラー可能(erroneous)データを包含するか否かを支持するためのことである。
【選択図】図1
Description
ターゲット状態が第3プログラム状態P3であるメモリセルに対応するページバッファの場合には、上位ビットラッチMLは‘1’を格納し、下位ビットラッチLLは‘0’を格納し、フォーシングビットラッチFLは‘1’を格納する。
ターゲット状態が第1プログラム状態P1であるメモリセルに対応するページバッファの場合には、上位ビットラッチMLのデータは‘0’から‘1’に変更され、下位ビットラッチLLは‘1’を維持し、フォーシングビットラッチFLのデータは‘1’から‘0’に変更される。第1プログラム状態P1へのメモリセルのプログラム動作がパスされたので、上位ビットラッチML及び下位ビットラッチMLは消去状態Eに対応するデータパターン‘11’を格納する。また、ビットラインフォーシングが遂行されたので、フォーシングビットラッチFLは‘0’を格納する。
データ復旧動作が完了された後に、復旧されたターゲットデータを利用して新しい物理ページにコピーバックプログラム動作が遂行される(S550)。したがって、プログラム動作が完了される。
本発明によるマルチ−ビットプログラム方法は、データ復旧命令に応答して復旧基準ビットRRBと少なくとも1つの読出し動作を通じて利用してターゲットデータを復旧することができる。
図25は本発明の実施形態にメモリシステムのデータ復旧動作に対する第1実施形態を示すフローチャートである。図25を参照すれば、データ復旧動作は次の通りである。ここで、メモリシステムは、少なくとも1つの不揮発性メモリ装置及びそれを制御するメモリ制御器を含む。メモリ制御器はプログラム動作が遂行された少なくとも1つの不揮発性メモリ装置からプログラムされたデータを読み出す(S610)。メモリ制御器は読み出されたデータに対するエラー訂正動作を遂行する(S620)。この時、メモリ制御器はエラー訂正が可能であるか否かを判別する(S630)。もし、エラーが訂正できなければ、プログラムされたデータを復旧するためのデータ復旧動作を遂行するS650段階へ進入する。ここで、S650段階のデータ復旧動作は、図1乃至図24で説明されたことを利用することができる。反面に、エラーが訂正できれば、メモリ制御器はエラーの個数が所定の値より大きいか否かを判別する(S640)。もし、エラーの個数が所定の値より大きければ、プログラムされたデータの信頼性を確保するためにS650段階へ進入する。反面に、エラーの個数が所定の値より多くなければ、データ復旧動作が完了される。
本発明によるデータ復旧動作は、プログラムされたデータを読出し、読み出されたデータのエラーに基づいてデータ復旧動作の可否を決定する。
図26は本発明の実施形態によるメモリシステムのデータ復旧動作に対する第2実施形態を示すフローチャートである。図26を参照すれば、データ復旧動作は次の通りである。
メモリ制御器1200はエラー訂正コード(error correction code:ECC)にしたがって、データのエラーを訂正するエラー訂正回路1230を含む。エラー訂正回路1230は書込み動作でプログラムされるデータのエラー訂正コード値を計算し、読出し動作で読み出されたデータをエラー訂正コード値に基づいてエラー訂正し、データ復旧動作で不揮発性メモリ装置1100から復旧されたデータのエラーを訂正できる。メモリ制御器1200はデータ復旧動作で復旧されたデータを他の物理的なページにプログラムさせるように不揮発性メモリ装置1100へプログラム命令を伝送することができる。
DL0〜DLk・・・データラッチ
AL・・・追加ラッチ
ML・・・上位ビットラッチ
LL・・・下位ビットラッチ
FL・・・フォーシングビットラッチ
SL・・・感知ラッチ
MC・・・メモリセル
TD・・・ターゲットデータ
RRB・・・復旧基準ビット
BFB・・・ビットラインフォーシングビット
MSB・・・上位ビット
LSB・・・下位ビット
RD、RD1、RD2、RD3・・・読出しレベル
PVR1、PVR2、PVR3・・・プリ検証レベル
VR1、VR2、VR3・・・検証レベル
BLPV・・・ビットラインプログラム電圧
BLFV・・・ビットラインフォーシング電圧
BLIV・・・ビットラインプログラム禁止電圧
100・・・不揮発性メモリ装置
110・・・メモリセルアレイ
120・・・アドレスデコーダー
130・・・入出力回路
140・・・制御ロジック
Claims (22)
- 不揮発性メモリ装置の駆動方法において、
前記不揮発性メモリ装置で第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルの一部をプログラムするためのプログラム動作の間に発生されたエラーを検出する段階を含み、
前記エラーを検出する段階は前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセル及び前記プログラム動作の間に検証されたフォース−ビット(force−bit)データベクトル(vector)を読み出す段階によって遂行され、
前記フォース−ビットデータベクトルは前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルの中でいずれかがエラー可能(erroneous)データを含むか否かを指示するためのことである駆動方法。 - 前記エラーを検出する段階は、前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルが実質的に高い閾値電圧を有する消去されたセルであるか否かを識別するために、前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルに連関されたページバッファからデータを読み出す段階をさらに含む請求項1に記載の駆動方法。
- 前記プログラム動作は等価データ値を有する初期フォース−ビットデータベクトルを検証する段階を含む請求項1に記載の駆動方法。
- 前記プログラム動作は等価第1データ値を有する初期フォース−ビットデータベクトルを検証する段階を含み、
前記検証する段階は前記初期フォース−ビットベクトルを維持する段階或いは前記初期フォース−ビットベクトルを複数の第2データ値を有する変形されたフォース−ビットデータベクトルに変形する段階を含み、
前記第2データ値は前記プログラム動作の間に少なくとも部分プログラミングを経験した前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルの各々を識別する請求項1に記載の駆動方法。 - 前記プログラム動作は、
前記検証する段階は前記初期フォース−ビットベクトルを維持する段階或いは前記初期フォース−ビットベクトルを複数の第2データ値を有する変形されたフォース−ビットデータベクトルに変形する段階と、
前記プログラム動作の間に前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルの少なくとも1つの成功的なプログラミングに応答して前記ページバッファにデータをアップデートする段階と、を含み、
前記第2データ値は前記プログラム動作の間に少なくとも部分プログラミングを経験した前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルの各々を識別する請求項2に記載の駆動方法。 - 不揮発性メモリ装置の駆動方法において、
前記不揮発性メモリ装置でマルチ−ビット不揮発性メモリセルの選択されたページをプログラムするためのプログラム動作の間に発生されたエラーを検出する段階を含み、
前記エラーを検出する段階は、
前記選択されたページで前記マルチ−ビット不揮発性メモリセルの中でいずれかが実質的に高い閾値電圧を有するか、消去されたメモリセルであるかを識別するために、(i)前記選択されたページから読み出されたデータ、(ii)前記プログラム動作の間に変形されたフォース−ビットデータベクトル、及び(iii)前記選択されたページに連関されたページバッファでデータを評価段階を含む駆動方法。 - 前記プログラム動作は等価第1データ値を有する初期フォース−ビットデータベクトルを複数の第2データ値を有する変形されたフォース−ビットデータベクトルに変形する段階を含み、
前記複数の第2データ値は前記選択されたページで前記マルチ−ビット不揮発性メモリセルの各々を識別し、
前記選択されたページは前記プログラム動作の間に少なくとも部分プログラミングを経験する請求項6に記載の駆動方法。 - 前記プログラム動作は前記プログラム動作の間に前記選択されたページで前記マルチ−ビット不揮発性メモリセルの少なくとも1つの成功的なプログラミングに応答して前記ページバッファで前記データの少なくとも幾つかのデフォルト値に再設定する段階をさらに含む請求項7に記載の駆動方法。
- 不揮発性メモリ装置の駆動方法において、
プログラム動作の間に第1マルチ−ビット不揮発性メモリセルが第1プログラム状態に有効にプログラムされたか否かを検証する段階に応答して、前記不揮発性メモリ装置で前記第1マルチ−ビット不揮発性メモリセルの第1プログラム状態に連関された第1マルチ−ビットデータ値を前記第1マルチ−ビット不揮発性メモリセルの消去された状態に連関された第2マルチ−ビットデータ値に変更する段階と、
前記第1マルチ−ビット不揮発性メモリセルに連関された前記第2マルチ−ビットデータ値が精密にプログラムされたセルを反映することを確認するために、前記プログラム動作の間に変形されたフォース−ビットデータを読み出す段階と、を含む駆動方法。 - 前記プログラム動作はページバッファで前記第1マルチ−ビットデータ値を前記第2マルチ−ビットデータ値に再設定する段階を含む請求項9に記載の駆動方法。
- 前記読み出す段階は、
複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルで消去されたセルが収容できない高い閾値電圧を有するか否かを識別するために、前記ページバッファ、前記プログラム動作の間に変形された前記フォース−ビットデータ、及び前記不揮発性メモリ装置で前記複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルを読み出す段階を含む請求項10に記載の駆動方法。 - 前記プログラム動作の間に変形されたフォース−ビットデータを前記読み出す段階は等価の論理値のマルチ−ビットフォース−ビットベクトルをフォース−ビットレジスターへローディングすることによって、進行される請求項9に記載の駆動方法。
- 前記不揮発性メモリ装置で複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルがISPPプログラミング技術を利用して増加型プログラミングを経験したか否かを識別するために、前記プログラム動作の間に前記フォース−ビットレジスターで前記マルチ−ビットフォース−ビットベクトルの少なくとも一部を変形する段階をさらに含む請求項12に記載の駆動方法。
- 不揮発性メモリ装置の駆動方法において、
マルチ−ビット不揮発性メモリセルの中でいずれかが収容できない高い閾値電圧を有する消去されたセルであるか否かを識別するために、ページバッファからポスト−プログラムデータ及び前記マルチ−ビット不揮発性メモリセルのローのプログラミングの間に使用されたフォース−ビットデータを読み出す段階と共に前記マルチ−ビット不揮発性メモリセルを読み出す段階によって前記不揮発性メモリ装置で前記マルチ−ビット不揮発性メモリセルのローにエラー検出動作を遂行する段階を包含する駆動方法。 - 前記エラー検出動作を遂行する段階は、
前記ページバッファへデータの複数のページをローディングする段階と、
前記ページバッファから前記複数のページと共に前記マルチ−ビット不揮発性メモリセルの前記ローをプログラムする段階と、によって進行される請求項14に記載の駆動方法。 - 前記マルチ−ビット不揮発性メモリセルの前記ローをプログラムする段階は、前記ローでマルチ−ビット不揮発性メモリセルの対応するプログラム状態として前記ページバッファで前記データの少なくとも一部を再設定する段階を含む請求項15に記載の駆動方法。
- 前記マルチ−ビット不揮発性メモリセルの前記ローをプログラムする段階は、前記ロー内で対応するマルチ−ビット不揮発性メモリセルへプログラム動作の情報を指示するためにプリ−ロードされたフォース−ビットベクトルのビットを変更する段階を含む請求項16に記載の駆動方法。
- 前記マルチ−ビット不揮発性メモリセルの前記ローをプログラムする段階は、前記ロー内で対応するISPPプログラム動作の遂行を指示するためにプリ−ロードされたフォース−ビットベクトルのビットを変更する段階を含む請求項16に記載の駆動方法。
- メモリシステムにおいて、
少なくとも1つの不揮発性メモリ装置と、
前記少なくとも1つの不揮発性メモリ装置に電気的に連結されたメモリ制御器と、を含み、
前記メモリ制御器は中央処理回路及びECC回路を含み、
前記ECC回路はプログラム動作の間に前記少なくとも1つの不揮発性メモリ装置にプログラムされたデータに対してデータ復元動作を遂行し、
前記データ復元動作は前記少なくとも1つの不揮発性メモリ装置で第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルそして前記プログラム動作の間に変形されたフォース−ビットデータベクトルを読み出すことを通じて遂行され、
前記フォース−ビットデータベクトルは前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルのいずれかがエラー可能であるデータを含むか否かを識別するためのことであるメモリシステム。 - 前記データ復元動作は、前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルが実質的に高い閾値電圧を有する消去されたセルであるか否かを識別するために、前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルに連関されたページバッファからデータを読み出すことを含む請求項19に記載のメモリシステム。
- 前記プログラム動作は等価第1データ値を有する初期フォース−ビットデータベクトルを複数の第2データ値を有する変形されたフォース−ビットデータベクトルに変形することを含み、
前記複数の第2データ値は、前記プログラム動作の間に少なくとも部分プログラミングを経験した前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルの各々を識別することである請求項19に記載のメモリシステム。 - 前記プログラム動作は、
等価第1データ値を有する初期フォース−ビットデータベクトルを複数の第2データ値を有する変形されたフォース−ビットデータベクトルに変形することと、
前記プログラム動作の間に前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルの少なくとも1つの成功的なプログラミングに応答して前記ページバッファでデータをアップデートすることと、を含み、
前記複数の第2データ値は、前記プログラム動作の間に少なくとも部分プログラミングを経験した前記第1複数のマルチ−ビット不揮発性メモリセルの各々を識別することである請求項20に記載のメモリシステム。
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