JP2013239677A5 - 配線基板の製造方法、配線基板製造用の構造体 - Google Patents

Description

配線基板の製造方法、配線基板製造用の構造体に関する。

本発明の一観点によれば、支持体に対して、第１のキャリア板の一面側に剥離層を介して第１の極薄金属箔が設けられ前記支持体の大きさより小さな第１のキャリア付金属箔を前記第１のキャリア板を前記支持体と対向して配置し、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きな第１の絶縁層を前記第１の極薄金属箔と対向して配置し、前記支持体と前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層を積層して前記支持体の周縁部と前記第１の絶縁層の周縁部とを直接接着する工程と、前記第１の絶縁層の表面に配線層を形成する工程と、前記第１の絶縁層の上に、前記配線層を覆う第２の絶縁層を配置し、第２のキャリア板の一面側に剥離層を介して第２の極薄金属箔が設けられた第２のキャリア付金属箔を前記第２の極薄金属箔を前記第２の絶縁層と対向するように配置し、前記第２の絶縁層と前記第２のキャリア付金属箔を前記第１の絶縁層の表面に積層して構造体を生成する工程と、前記第１のキャリア付金属箔の周縁に対応する位置にて前記構造体を切断する工程と、前記第１の極薄金属箔と前記第１のキャリア板を互いに分離し、前記第２の極薄金属箔と前記第２のキャリア板を互いに分離する工程とを有する。

次いで、極薄金属箔１１ｂ，２１ｂ及び金属膜８１を電極とする電解めっきによって、開口部６２ａ，７２ａから露出する金属膜８１に金属めっき層８２（図９（ａ）参照）が形成される。次いで、レジスト６２，７２が除去され、エッチング処理によって露出する金属膜８１及び極薄金属箔６１ｂ、７１ｂが除去される。これにより、図９（ａ）に示すように、絶縁層１２，２２の表面に導体層６４，７４を有する構造体２１２が得られる。

Claims (14)

1. 支持体に対して、第１のキャリア板の一面側に剥離層を介して第１の極薄金属箔が設けられ前記支持体の大きさより小さな第１のキャリア付金属箔を前記第１のキャリア板を前記支持体と対向して配置し、前記第１のキャリア付金属箔の大きさより大きな第１の絶縁層を前記第１の極薄金属箔と対向して配置し、前記支持体と前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層を積層して前記支持体の周縁部と前記第１の絶縁層の周縁部とを直接接着する工程と、
   前記第１の絶縁層の表面に配線層を形成する工程と、
   前記第１の絶縁層の上に、前記配線層を覆う第２の絶縁層を配置し、第２のキャリア板の一面側に剥離層を介して第２の極薄金属箔が設けられた第２のキャリア付金属箔を前記第２の極薄金属箔を前記第２の絶縁層と対向するように配置し、前記第２の絶縁層と前記第２のキャリア付金属箔を前記第１の絶縁層の表面に積層して構造体を生成する工程と、
   前記第１のキャリア付金属箔の周縁に対応する位置にて前記構造体を切断する工程と、
   前記第１の極薄金属箔と前記第１のキャリア板を互いに分離し、前記第２の極薄金属箔と前記第２のキャリア板を互いに分離する工程と、
   を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記支持体及び前記第１の絶縁層は半硬化状態の熱硬化性樹脂であり、前記支持体と前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層を加熱及び加圧して積層すること、
   を特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記配線層を形成する工程において、前記第１の絶縁層の表面に金属箔を対向配置して積層し、
   更に、
   前記金属箔をエッチングして前記配線層を形成する工程を含むこと
   を特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記配線層を形成する工程において、前記第１の絶縁層の表面に第３のキャリア板の一面側に剥離層を介して第３の極薄金属箔が設けられた第３のキャリア付金属箔を、前記第３の極薄金属箔を前記第１の絶縁層と対向するように積層し、
   更に、
   前記第３のキャリア板を剥離する工程と、
   前記第３の極薄金属箔の表面に金属膜を形成する工程と、
   前記金属膜の上に開口部を有するレジストを形成する工程と、
   前記金属膜を利用する電解めっきにより前記レジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
   前記レジストを除去する工程と、
   前記金属めっき層をマスクとして前記金属膜と前記第３の極薄金属箔をエッチングすることにより前記配線層を形成する工程と
   を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記配線層を形成する工程において、前記第１の絶縁層の表面に第３のキャリア板の一面側に剥離層を介して第３の極薄金属箔が設けられた第３のキャリア付金属箔を、前記第３の極薄金属箔を前記第１の絶縁層と対向するように積層し、
   更に、
   前記第３のキャリア板を剥離する工程と、
   前記第３の極薄金属箔を除去する工程と、
   前記第１の絶縁層の表面に金属膜を形成する工程と、
   前記金属膜の上に開口部を有するレジストを形成する工程と、
   前記金属膜を利用する電解めっきにより前記レジストの開口部に金属めっき層を形成する工程と、
   前記レジストを除去する工程と、
   前記金属めっき層をマスクとして前記金属膜をエッチングすることにより前記配線層を形成する工程と
   を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記金属膜を形成する工程と前記レジストを形成する工程との間に、
   前記金属膜と前記第１の絶縁層を貫通し前記第１の極薄金属箔と接続されるビアを形成する工程を含むこと、
   を特徴とする請求項４又は５に記載の配線基板の製造方法。
7. 前記第１の極薄金属箔と前記第２の極薄金属箔の前記剥離層が形成されている面と反対側の面にはプライマー層が形成されたことを特徴とする請求項１又は４に記載の配線基板の製造方法。
8. 前記第３の極薄金属箔の前記剥離層が形成されている面と反対側の面にはプライマー層が形成され、
   前記第３の極薄金属箔を除去した後に、前記第１の絶縁層上にはプライマー層が形成された状態であること、
   を特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
9. 前記支持体の両面に前記第１のキャリア付金属箔、前記第１の絶縁層、前記配線層、前記第２の絶縁層、及び第２のキャリア付金属箔をそれぞれ有する前記構造体を生成し、
   前記第１のキャリア付金属箔の周縁に対応する位置にて前記構造体を切断し、
   前記第１の極薄金属箔と前記第１のキャリア板を互いに分離し、前記第２の極薄金属箔と前記第２のキャリア板を互いに分離し、前記第１の極薄金属箔、前記第１の絶縁層、前記配線層、前記第２の絶縁層、及び前記第２の極薄金属箔をそれぞれ有する２枚の基板を得ること、
   を特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
10. 支持体と、
    前記支持体上に積層された、前記支持体より小さな第１のキャリア付金属箔と、
    前記第１のキャリア付金属箔上に積層された、前記第１のキャリア付金属箔より大きな第１の絶縁層と、
    を含み、
    前記第１のキャリア付金属箔は、第１のキャリア板の一面側に剥離層を介して第１の極薄金属箔が設けられ、前記第１のキャリア板を前記支持体に向けて積層され、
    前記第１の絶縁層の周縁部と前記支持体の周縁部とが直接接していること、
    を特徴とする配線基板製造用の構造体。
11. 前記支持体と、前記第１キャリア付金属箔及び前記第１の絶縁層とが直接接着されていること、
    を特徴とする請求項１０に記載の配線基板製造用の構造体。
12. 前記支持体の両面に、前記第１のキャリア付金属箔と前記第１の絶縁層とをそれぞれ有すること、を特徴とする請求項１０または１１に記載の配線基板製造用の構造体。
13. 前記第１の絶縁層上に積層された金属箔を有すること、
    を特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の配線基板製造用の構造体。
14. 前記第１の絶縁層上に積層された、第２のキャリア付金属箔を有し、
    前記第２のキャリア付金属箔は、第２のキャリア板と、前記第２のキャリア板の一面側に剥離層を介して設けられた第２の極薄金属箔とを含み、前記第２の極薄金属箔が前記第１の絶縁層側に向けられたこと、
    を特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の配線基板製造用の構造体。