JP2013232691A5 - パワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
パワーモジュール用基板の製造方法 Download PDFInfo
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Description
本発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられるパワーモジュール用基板の製造方法に関する。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、回路面へのろう材の付着がなく、金属板とセラミックス基板とが確実に接合されるパワーモジュール用基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明のパワーモジュール用基板の製造方法においては、次のような製造中間体を用いるとよい。その製造中間体は、セラミックス基板と、このセラミックス基板の表面にろう材によって接合されている金属板とを有し、前記金属板には、前記セラミックス基板から面方向に突出する突出部が形成され、前記金属板の前記突出部における前記セラミックス基板側の表面に、前記セラミックス基板と前記金属板との間から漏出した前記ろう材の余剰分が保持されている。
このパワーモジュール用基板の製造中間体によれば、この突出部をつかんで搬送することができる。また、ろう材の余剰分が金属板の突出部に保持されているので、セラミックス基板と金属板とが確実に接合されるとともに、金属板の表面すなわち回路形成面へのろう材の付着を確実に阻止することができる。
このパワーモジュール用基板の製造中間体によれば、この突出部をつかんで搬送することができる。また、ろう材の余剰分が金属板の突出部に保持されているので、セラミックス基板と金属板とが確実に接合されるとともに、金属板の表面すなわち回路形成面へのろう材の付着を確実に阻止することができる。
本発明は、パワーモジュール用基板の製造方法であって、セラミックス基板上に、外形がこのセラミックス基板よりも大きく該セラミックス基板から面方向に突出する突出部を有する金属板をセラミックス基板と同形状のろう材を介して重ねる積層工程と、前記セラミックス基板と前記金属板とを加熱状態で厚さ方向に圧縮してこれらを前記ろう材によって接合する加熱圧縮工程と、前記突出部を除去する除去工程と、を有することを特徴とする。
本発明において、前記加熱圧縮工程において、前記セラミックス基板と前記金属板との間から前記ろう材の余剰分を漏出させて前記突出部の表面に保持させ、前記除去工程において、前記突出部に保持された前記ろう材の余剰分を除去するとよい。
本発明において、前記除去工程の前に前記金属板をエッチングして回路パターンを形成する回路形成工程と、前記回路パターンを位置基準として、互いに接合された前記セラミックス基板および前記金属板を所定寸法のパワーモジュール用基板に分割する分割加工工程と、を有するとよい。
本発明において、前記加熱圧縮工程の後に前記金属板をエッチングして回路パターンを形成する回路形成工程を有し、この回路形成工程は前記除去工程を含み、前記回路パターンの形成時に前記突出部および前記余剰分を前記エッチングにより除去する工程であるとよい。
この製造方法によれば、セラミックス基板の表面全面に対してろう材を接触させるので、十分な量のろう材によってセラミックス基板と金属板とを確実に接合することができる。また、セラミックス基板と金属板との間にはみ出したろう材の余剰分をこの突出部に保持させることができる。そして、余剰分を保持した突出部を除去することにより、回路形成面にろう材の付着がないパワーモジュール用基板を容易に形成することができる。
この製造方法において、前記セラミックス基板を搬送する際に、前記突出部をチャックすることが好ましい。
本発明において、前記加熱圧縮工程において、前記セラミックス基板と前記金属板との間から前記ろう材の余剰分を漏出させて前記突出部の表面に保持させ、前記除去工程において、前記突出部に保持された前記ろう材の余剰分を除去するとよい。
本発明において、前記除去工程の前に前記金属板をエッチングして回路パターンを形成する回路形成工程と、前記回路パターンを位置基準として、互いに接合された前記セラミックス基板および前記金属板を所定寸法のパワーモジュール用基板に分割する分割加工工程と、を有するとよい。
本発明において、前記加熱圧縮工程の後に前記金属板をエッチングして回路パターンを形成する回路形成工程を有し、この回路形成工程は前記除去工程を含み、前記回路パターンの形成時に前記突出部および前記余剰分を前記エッチングにより除去する工程であるとよい。
この製造方法によれば、セラミックス基板の表面全面に対してろう材を接触させるので、十分な量のろう材によってセラミックス基板と金属板とを確実に接合することができる。また、セラミックス基板と金属板との間にはみ出したろう材の余剰分をこの突出部に保持させることができる。そして、余剰分を保持した突出部を除去することにより、回路形成面にろう材の付着がないパワーモジュール用基板を容易に形成することができる。
この製造方法において、前記セラミックス基板を搬送する際に、前記突出部をチャックすることが好ましい。
Claims (4)
- パワーモジュール用基板の製造方法であって、
セラミックス基板上に、外形がこのセラミックス基板よりも大きく該セラミックス基板から面方向に突出する突出部を有する金属板を前記セラミックス基板と同形状のろう材を介して重ねる積層工程と、
前記セラミックス基板と前記金属板とを加熱状態で厚さ方向に圧縮してこれらを前記ろう材によって接合する加熱圧縮工程と、
前記突出部を除去する除去工程と、
を有することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 前記加熱圧縮工程において、前記セラミックス基板と前記金属板との間から前記ろう材の余剰分を漏出させて前記突出部の表面に保持させ、
前記除去工程において、前記突出部に保持された前記ろう材の余剰分を除去することを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。 - 前記除去工程の前に前記金属板をエッチングして回路パターンを形成する回路形成工程と、
前記回路パターンを位置基準として、互いに接合された前記セラミックス基板および前記金属板を所定寸法のパワーモジュール用基板に分割する分割加工工程と、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。 - 前記加熱圧縮工程の後に前記金属板をエッチングして回路パターンを形成する回路形成工程を有し、
この回路形成工程は前記除去工程を含み、前記回路パターンの形成時に前記突出部および前記余剰分を前記エッチングにより除去する工程であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2013169938A JP5708733B2 (ja) | 2013-08-19 | 2013-08-19 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2013169938A JP5708733B2 (ja) | 2013-08-19 | 2013-08-19 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
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| JP2008283759A Division JP2010114166A (ja) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | パワーモジュール用基板の製造中間体およびパワーモジュール用基板の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2013169938A Active JP5708733B2 (ja) | 2013-08-19 | 2013-08-19 | パワーモジュール用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP5708733B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005213107A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Dowa Mining Co Ltd | セラミックス−金属接合基板の製造方法 |
| JP4376106B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2009-12-02 | 電気化学工業株式会社 | セラミックス二層回路基板 |
| JP2008198905A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス基板及びセラミックス回路基板の製造方法並びに集合基板と半導体モジュール |
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2013
- 2013-08-19 JP JP2013169938A patent/JP5708733B2/ja active Active
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