JP2013232691A - パワーモジュール用基板の製造中間体およびパワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
パワーモジュール用基板の製造中間体およびパワーモジュール用基板の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】パワーモジュール用基板の製造工程において、セラミックス基板11と、ろう材19によってセラミックス基板11の表面に接合されている金属板15とを有し、金属板15には、セラミックス基板11から面方向に突出する突出部15aが形成され、突出部15aのセラミックス基板11側の表面に、セラミックス基板11と金属板15との間から漏出したろう材19の余剰分が保持されている製造中間体を用いる。
【選択図】 図3
Description
しかしながら、ろう材の量を少なくした場合には、金属板とセラミックス基板との間でろう材が不足する箇所が生じたり、またセラミックス基板の反りによって接合部分が剥離したりして、後工程で形成した回路層がはがれる等の問題が生じるおそれがある。また、金属板全面にろう材が付着せず、セラミックス基板に対して金属板を確実に接合できないおそれがある。さらに、接合が十分でない場合、温度変化を繰り返す温度サイクル条件下において剥離が生じてしまう場合もある。
また、セラミックス基板は、搬送する際の衝突時、チャックによる基板保持の時、余剰ろう材の除去作業時等に、端部が欠損するおそれがあり、これにより強度が低下する場合もある。
このパワーモジュール用基板の製造中間体によれば、この突出部をつかんで搬送することができる。また、ろう材の余剰分が金属板の突出部に保持されているので、セラミックス基板と金属板とが確実に接合されるとともに、金属板の表面すなわち回路形成面へのろう材の付着を確実に阻止することができる。
この場合、突出部が対向していることにより、より確実にろう材の余剰分がこれら突部間に保持される。また、両突出部間でろう材に表面張力が作用するので、ろう材は両突出部間から金属板表面に回り込みにくい。したがって、回路形成面へのろう材の付着を、より確実に阻止することができる。
この場合、突出部の面積が十分に大きいことにより、確実にろう材の余剰分が突出部に保持されるので、回路形成面にろう材の付着がない製造中間体を得ることができる。
この製造方法によれば、セラミックス基板の表面全面に対してろう材を接触させるので、十分な量のろう材によってセラミックス基板と金属板とを確実に接合することができる。また、セラミックス基板と金属板との間にはみ出したろう材の余剰分をこの突出部に保持させることができる。そして、余剰分を保持した突出部を除去することにより、回路形成面にろう材の付着がないパワーモジュール用基板を容易に形成することができる。
この製造方法において、前記セラミックス基板を搬送する際に、前記突出部をチャックすることが好ましい。
本発明に係るパワーモジュール用基板が用いられるパワーモジュール10を図1に示す。パワーモジュール10は、表面に回路パターンが形成されたパワーモジュール用基板12と、このパワーモジュール用基板12の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品13と、パワーモジュール用基板12の裏面に接合される冷却器14とから構成されている。
冷却器14は、アルミニウム合金の押し出し成形によって形成され、その長さ方向に沿って冷却水を流通させるための多数の流路14aが形成されている。この冷却器14とパワーモジュール用基板12との間は、ろう付け、はんだ付け、ボルト等によって接合される。
なお、セラミックス基板11は、例えばAlN(窒化アルミニウム)、Si3N4(窒化珪素)等の窒化物系セラミックス、若しくはAl2O3(アルミナ)等の酸化物系セラミックスを母材として形成されている。ここで、セラミックス基板11の表面に接合される金属板15は、エッチング処理によって回路パターンとなる回路層用金属板15であり、純アルミニウム若しくはアルミニウム合金により形成されている。セラミックス基板11の裏面に接合される金属板16は、冷却器14が接合される放熱層用金属板16であり、純度99.0wt%以上の純アルミニウムにより形成されている。ろう材19は、Al−Si系、Al−Ge系、Al−Cu系、Al−Mg系またはAl−Mn系等により形成されている。
〈積層工程〉
まず、図4に示すように、セラミックス基板11と金属板15,16とを、これらの間にろう材19を配置した状態で積層する。ろう材19は、セラミックス基板11と同形状であり、ろう付けにおいて若干余剰分が生じる量を有する箔状である。このとき、各金属板15,16は、各突出部15a,16aがセラミック基板11の4辺から面方向に突出して互いに対向するように積層される。
次に、ろう材19が挟まれているセラミックス基板11および金属板15,16を、加熱状態で厚さ方向に圧縮し、これらを接合(ろう付け)して製造中間体20とする。
具体的には、セラミックス基板11の両面に、ろう材19を介在させて各金属板15,16を積層して一つのユニットとし、そのユニットを間にカーボン等を介在させた状態で複数ユニット積層した状態に組み立てる。この積層体(図示略)を熱処理炉の中に入れ、不活性ガス雰囲気、還元ガス雰囲気又は真空雰囲気において積層方向に加圧した状態で加熱し、ろう材19を溶融させることによって両金属板15,16をセラミックス基板11にろう付けする。
次に、製造中間体20の回路層用金属板15をエッチングすることにより、回路パターンを形成するとともに、放熱層用金属板16もエッチングすることにより、必要な大きさ、形状に成形される。
また、回路を形成した後、回路パターン表面のメッキ被膜17を形成する。
なお、この段階では、製造中間体20の周辺部を残してパワーモジュール用基板としての製品部分のみエッチングすることにより、突出部15a,16aは残された状態となっており、搬送等の際には、図3に示すようにこの突出部15a,16aを搬送装用チャック30で把持して取り扱うことができる。
〈除去工程・分割工程〉
次に、回路パターンが形成された製造中間体20をレーザー加工やダイシング加工によって切断し、各突出部15a,16aを除去する(除去工程)とともに、回路パターンに合わせた個片に分割し(分割工程)、各個片をパワーモジュール用基板12とする。この切断加工の位置基準として、回路パターンの位置を利用することができる。
例えば、前記回路形成工程において、突出部を除去する除去工程を同時に行うこともできる。すなわち、各突出部15a,16aおよびこれらの間に保持されているろう材19の余剰分を回路形成と同時にエッチングによって除去してもよい。
また、前記実施形態では、セラミックス基板11の4辺において両面から突出部15a,16aを突出させているが、例えば、冷却器14をセラミックス基板11に直接接合する場合等、図5(a)に示すように放熱層用金属板16を設けない場合には、回路層用金属板15にその面積の4%以上を占めるように突出部が設けられているだけでもよい。この場合、図5(b)に示すように、金属板15の突出部15aを搬送装用チャック31でつかむことができる。
11 セラミックス基板
12 パワーモジュール用基板
13 電子部品
14 冷却器
14a 流路
15 回路層用金属板
16 放熱層用金属板
15a〜15f,16a 突出部
17 めっき被膜
18 はんだ材
19 ろう材
20 製造中間体
30,31 搬送装用チャック
Claims (4)
- パワーモジュール用基板の製造中間体であって、
セラミックス基板と、該セラミックス基板の表面にろう材によって接合されている金属板とを有し、
前記金属板には、前記セラミックス基板から面方向に突出する突出部が形成され、
前記金属板の前記突出部における前記セラミックス基板側の表面に、前記セラミックス基板と前記金属板との間から漏出した前記ろう材の余剰分が保持されていることを特徴とするパワーモジュール用基板の製造中間体。 - 前記セラミックス基板の両面にそれぞれ前記金属板が接合され、これら金属板の前記突出部が互いに対向していることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール用基板の製造中間体。
- 前記突出部の表面の面積が、前記金属板の表面の面積の4%以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のパワーモジュール用基板の製造中間体。
- 請求項1に記載のパワーモジュール用基板の製造中間体の製造方法であって、
セラミックス基板上に、外形がこのセラミックス基板よりも大きく該セラミックス基板から面方向に突出する突出部を有する金属板をろう材を介して重ねる積層工程と、
前記セラミックス基板と前記金属板とを加熱状態で厚さ方向に圧縮して、前記セラミックス基板と前記金属板との間から前記ろう材の余剰分を漏出させて前記突出部の表面に保持させ、前記セラミックス基板と前記金属板とを前記ろう材によって接合する加熱圧縮工程と、
を有することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造中間体の製造方法。
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JP2005286100A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス二層回路基板 |
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