JP2013225591A - 電子デバイスおよび電子機器 - Google Patents
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- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 36
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 29
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 10
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- -1 silver halide Chemical class 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N trilithium borate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[O-]B([O-])[O-] RIUWBIIVUYSTCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N30/874—Interconnections, e.g. connection electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices embedded within piezoelectric or electrostrictive material, e.g. via connections
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- G01C19/5628—Manufacturing; Trimming; Mounting; Housings
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- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
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- G01C19/5783—Mountings or housings not specific to any of the devices covered by groups G01C19/5607 - G01C19/5719
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
【課題】パッケージ内を減圧、不活性ガス封入等するための貫通孔によるパッケージの機械的強度の低下を抑制するとともに、小型化を図ることができる電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】センサーデバイス１は、ＩＣチップ３と、ＩＣチップ３が設置され、平面視にてＩＣチップ３と重なる位置に貫通孔４１４が形成されたベース４１を有し、ＩＣチップ３を収納するパッケージ４と、ＩＣチップ３とベース４１との間に設けられ、ＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップ３に対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間Ｓ１を形成するスペーサ５とを備える。
【選択図】図１
【解決手段】センサーデバイス１は、ＩＣチップ３と、ＩＣチップ３が設置され、平面視にてＩＣチップ３と重なる位置に貫通孔４１４が形成されたベース４１を有し、ＩＣチップ３を収納するパッケージ４と、ＩＣチップ３とベース４１との間に設けられ、ＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップ３に対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間Ｓ１を形成するスペーサ５とを備える。
【選択図】図１
Description
本発明は、電子デバイスおよび電子機器に関する。
パッケージ内に実装部品を収納した電子デバイスとしては、例えば、特許文献１に記載されているような圧電デバイス（センサーデバイス）が知られている。
特許文献１に記載の圧電デバイスは、圧電振動片と、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップと、圧電振動片およびＩＣチップを収納するパッケージとを備える。
この圧電デバイスのパッケージは、凹部を有するパッケージベースと、そのパッケージベースの凹部の開口を覆ってパッケージベースに接合されたリッドとを有する。
特許文献１に記載の圧電デバイスは、圧電振動片と、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップと、圧電振動片およびＩＣチップを収納するパッケージとを備える。
この圧電デバイスのパッケージは、凹部を有するパッケージベースと、そのパッケージベースの凹部の開口を覆ってパッケージベースに接合されたリッドとを有する。
そして、このパッケージベースには、内外を貫通する封止孔が形成されている。この封止孔は、その開口がＩＣチップに覆われないように、ＩＣチップの設置領域に対してずれて配置されている。これにより、パッケージ内に圧電振動片およびＩＣチップを収納し、パッケージベースとリッドを接合した後、その封止孔を減圧下でＡｕ−Ｇｅ合金のような金属で構成された封止材で塞ぐことにより、パッケージ内を減圧状態とすることができる。
しかし、このような圧電デバイスでは、平面視でＩＣチップと重ならない位置に封止孔が設けられているため、パッケージの大型化を招くという問題があった。また、パッケージベースの中心に対して大きくずれた位置に封止孔を設けなければならないため、パッケージの機械的強度の低下をもたらすという問題もあった。
しかし、このような圧電デバイスでは、平面視でＩＣチップと重ならない位置に封止孔が設けられているため、パッケージの大型化を招くという問題があった。また、パッケージベースの中心に対して大きくずれた位置に封止孔を設けなければならないため、パッケージの機械的強度の低下をもたらすという問題もあった。
本発明の目的は、パッケージ内を減圧、不活性ガス封入等するための貫通孔によるパッケージの機械的強度の低下を抑制するとともに、小型化を図ることができる電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の電子デバイスは、実装部品と、
前記実装部品が設置され、平面視にて前記実装部品と重なる位置に貫通孔が設けられたベースを有し、前記実装部品を収納するパッケージと、
前記実装部品と前記ベースとの間に設けられ、前記実装部品を収納する収納空間と前記貫通孔とを連通させるスペーサとを備えることを特徴とする。
このように構成された電子デバイスによれば、パッケージのベースに実装部品を設置した状態で、貫通孔を通じてパッケージ内を減圧したり不活性ガスを封入したりすることができる。
特に、貫通孔が平面視にて実装部品と重なる位置に形成されているので、パッケージの小型化、ひいては、電子デバイスの小型化を図ることができる。
また、貫通孔をベースの中央部側に設けることができるので、貫通孔によるパッケージの機械的強度の低下を抑制することができる。
［適用例１］
本発明の電子デバイスは、実装部品と、
前記実装部品が設置され、平面視にて前記実装部品と重なる位置に貫通孔が設けられたベースを有し、前記実装部品を収納するパッケージと、
前記実装部品と前記ベースとの間に設けられ、前記実装部品を収納する収納空間と前記貫通孔とを連通させるスペーサとを備えることを特徴とする。
このように構成された電子デバイスによれば、パッケージのベースに実装部品を設置した状態で、貫通孔を通じてパッケージ内を減圧したり不活性ガスを封入したりすることができる。
特に、貫通孔が平面視にて実装部品と重なる位置に形成されているので、パッケージの小型化、ひいては、電子デバイスの小型化を図ることができる。
また、貫通孔をベースの中央部側に設けることができるので、貫通孔によるパッケージの機械的強度の低下を抑制することができる。
［適用例２］
本発明の電子デバイスでは、前記スペーサは、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の突起部を有することが好ましい。
これにより、複数の突起部の高さに応じて実装部品とベースとの間の距離が規制されるとともに、互いに周方向に隣り合う２つの突起部同士の間に隙間が形成される。そのため、実装部品とベースとの間にパッケージ内における実装部品に対してベースとは反対側の空間と貫通孔とを連通させる隙間を形成することができる。
本発明の電子デバイスでは、前記スペーサは、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の突起部を有することが好ましい。
これにより、複数の突起部の高さに応じて実装部品とベースとの間の距離が規制されるとともに、互いに周方向に隣り合う２つの突起部同士の間に隙間が形成される。そのため、実装部品とベースとの間にパッケージ内における実装部品に対してベースとは反対側の空間と貫通孔とを連通させる隙間を形成することができる。
［適用例３］
本発明の電子デバイスでは、前記複数の突起部の少なくとも一つは、前記ベースに設けられた金属層で構成され、
前記実装部品は、接着剤を介して前記複数の突起部の少なくとも一つに接合されていることが好ましい。
このように金属層で構成された突起部は、公知の成膜法を用いて簡単かつ高精度に形成することができる。また、接着剤により実装部品と突起部とを簡単かつ強固に接合することができる。
本発明の電子デバイスでは、前記複数の突起部の少なくとも一つは、前記ベースに設けられた金属層で構成され、
前記実装部品は、接着剤を介して前記複数の突起部の少なくとも一つに接合されていることが好ましい。
このように金属層で構成された突起部は、公知の成膜法を用いて簡単かつ高精度に形成することができる。また、接着剤により実装部品と突起部とを簡単かつ強固に接合することができる。
［適用例４］
本発明の電子デバイスでは、前記実装部品と前記ベースとの間に設けられ、前記ベースを平面視したときに、前記スペーサと前記貫通孔との間に位置する壁部を有することが好ましい。
これにより、スペーサに供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを壁部により防止することができる。
本発明の電子デバイスでは、前記実装部品と前記ベースとの間に設けられ、前記ベースを平面視したときに、前記スペーサと前記貫通孔との間に位置する壁部を有することが好ましい。
これにより、スペーサに供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを壁部により防止することができる。
［適用例５］
本発明の電子デバイスでは、前記壁部は、前記スペーサの高さよりも低いことが好ましい。
これにより、実装部品とベースとの間にパッケージ内における実装部品に対してベースとは反対側の空間と貫通孔とを連通させる隙間を形成しつつ、スペーサに供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを壁部により防止することができる。
本発明の電子デバイスでは、前記壁部は、前記スペーサの高さよりも低いことが好ましい。
これにより、実装部品とベースとの間にパッケージ内における実装部品に対してベースとは反対側の空間と貫通孔とを連通させる隙間を形成しつつ、スペーサに供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを壁部により防止することができる。
［適用例６］
本発明の電子デバイスでは、前記壁部は、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体を含むことが好ましい。
これにより、実装部品とベースとの間にパッケージ内における実装部品に対してベースとは反対側の空間と貫通孔とを連通させる隙間を形成しつつ、各突起部に供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを複数の壁体により防止することができる。
本発明の電子デバイスでは、前記壁部は、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体を含むことが好ましい。
これにより、実装部品とベースとの間にパッケージ内における実装部品に対してベースとは反対側の空間と貫通孔とを連通させる隙間を形成しつつ、各突起部に供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを複数の壁体により防止することができる。
［適用例７］
本発明の電子デバイスでは、前記複数の壁体は、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体からなる第１の壁部と、前記ベースを平面視したときに、前記第１の壁部の内側に設けられ、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体からなる第２の壁部とを含み、
前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔を中心とする径方向において、前記第１の壁部の壁体および前記第２の壁部の壁体の少なくとも一方が配置されていることが好ましい。
これにより、接着剤が流れ込む経路の長さを長くすることができる。そのため、より確実に、各突起部に供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを複数の第１の壁体および複数の第２の壁体により防止することができる。
本発明の電子デバイスでは、前記複数の壁体は、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体からなる第１の壁部と、前記ベースを平面視したときに、前記第１の壁部の内側に設けられ、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体からなる第２の壁部とを含み、
前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔を中心とする径方向において、前記第１の壁部の壁体および前記第２の壁部の壁体の少なくとも一方が配置されていることが好ましい。
これにより、接着剤が流れ込む経路の長さを長くすることができる。そのため、より確実に、各突起部に供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを複数の第１の壁体および複数の第２の壁体により防止することができる。
［適用例８］
本発明の電子デバイスでは、前記実装部品は、ＩＣチップであることが好ましい。
近年、ＩＣチップが多機能化等に伴って大型化する傾向にある一方、電子デバイスの小型化が求められている。したがって、実装部品がＩＣチップである場合、本発明を適用することによる効果が顕著となる。
本発明の電子デバイスでは、前記実装部品は、ＩＣチップであることが好ましい。
近年、ＩＣチップが多機能化等に伴って大型化する傾向にある一方、電子デバイスの小型化が求められている。したがって、実装部品がＩＣチップである場合、本発明を適用することによる効果が顕著となる。
［適用例９］
本発明の電子デバイスでは、前記ＩＣチップは、能動面とは反対側の面が前記スペーサを介して前記ベースに固定されていることが好ましい。
これにより、貫通孔を封止材により封止する際のスプラッシュがＩＣチップの能動面に悪影響を与えるのを防止することができる。
本発明の電子デバイスでは、前記ＩＣチップは、能動面とは反対側の面が前記スペーサを介して前記ベースに固定されていることが好ましい。
これにより、貫通孔を封止材により封止する際のスプラッシュがＩＣチップの能動面に悪影響を与えるのを防止することができる。
［適用例１０］
本発明の電子デバイスでは、前記パッケージに収納されたセンサー素子を備え、
前記ＩＣチップは、前記センサー素子を駆動する機能を有することが好ましい。
センサー素子を収納するパッケージでは、一般に、パッケージ内を減圧状態としたり不活性ガス封入状態としたりする。そのため、本発明を適用することによる効果が顕著となる。また、平面視にて実装部品（ＩＣチップ）と重なる位置に貫通孔が形成されているため、貫通孔を封止材により封止する際のスプラッシュがセンサー素子に悪影響を与えるのを防止することができる。また、貫通孔をパッケージのベースの中央部に形成することができるので、パッケージに生じる応力を低減することができ、その結果、センサー素子の検出感度を優れたものとすることができる。
本発明の電子デバイスでは、前記パッケージに収納されたセンサー素子を備え、
前記ＩＣチップは、前記センサー素子を駆動する機能を有することが好ましい。
センサー素子を収納するパッケージでは、一般に、パッケージ内を減圧状態としたり不活性ガス封入状態としたりする。そのため、本発明を適用することによる効果が顕著となる。また、平面視にて実装部品（ＩＣチップ）と重なる位置に貫通孔が形成されているため、貫通孔を封止材により封止する際のスプラッシュがセンサー素子に悪影響を与えるのを防止することができる。また、貫通孔をパッケージのベースの中央部に形成することができるので、パッケージに生じる応力を低減することができ、その結果、センサー素子の検出感度を優れたものとすることができる。
［適用例１１］
本発明の電子デバイスでは、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周囲を全周に亘って囲んでいる環状壁体を有することが好ましい。
これにより、スペーサに供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを環状壁体により防止することができる。
［適用例１２］
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを有することを特徴とする。
これにより、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
本発明の電子デバイスでは、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周囲を全周に亘って囲んでいる環状壁体を有することが好ましい。
これにより、スペーサに供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを環状壁体により防止することができる。
［適用例１２］
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを有することを特徴とする。
これにより、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
以下、本発明の電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。なお、以下では、本発明の電子デバイスをセンサーデバイスに適用した場合を例に説明するが、本発明は、これに限定されるものではなく、パッケージ内に実装部品を収納する各種電子デバイスに適用可能である。
（電子デバイス）
＜第１実施形態＞
まず、本発明の電子デバイスの第１実施形態について説明する。
（電子デバイス）
＜第１実施形態＞
まず、本発明の電子デバイスの第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るセンサーデバイス（電子デバイス）の概略構成を示す断面図、図２は、図１に示すセンサーデバイスのセンサー素子を説明するための平面図、図３は、図１に示すセンサーデバイスのＩＣチップ（実装部品）を説明するための平面図、図４は、図１に示すセンサーデバイスのパッケージのベースを説明するための平面図である。
なお、図１〜４では、説明の便宜上、互いに直交する３軸として、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸を図示しており、その図示した矢印の先端側を「＋側」、基端側を「−側」とする。また、以下では、ｘ軸に平行な方向を「ｘ軸方向」と言い、ｙ軸に平行な方向を「ｙ軸方向」と言い、ｚ軸に平行な方向を「ｚ軸方向」と言い、＋ｚ側（図１中の上側）を「上」、−ｚ側（図１中の下側）を「下」と言う。
図１および図２に示すセンサーデバイス１（電子デバイス）は、角速度を検出するジャイロセンサーである。このセンサーデバイス１は、センサー素子２と、ＩＣチップ３（実装部品）と、センサー素子２およびＩＣチップ３を収納するパッケージ４とを有している。
図１および図２に示すセンサーデバイス１（電子デバイス）は、角速度を検出するジャイロセンサーである。このセンサーデバイス１は、センサー素子２と、ＩＣチップ３（実装部品）と、センサー素子２およびＩＣチップ３を収納するパッケージ４とを有している。
（センサー素子）
センサー素子２は、ｚ軸まわりの角速度を検出する「面外検出型」のセンサー素子（振動片）である。このセンサー素子２は、図２に示すように、複数の振動腕を有する振動体２０と、振動体２０の表面に設けられた複数の駆動電極（図示せず）、複数の検出電極（図示せず）および複数の端子２９とを備える。
センサー素子２は、ｚ軸まわりの角速度を検出する「面外検出型」のセンサー素子（振動片）である。このセンサー素子２は、図２に示すように、複数の振動腕を有する振動体２０と、振動体２０の表面に設けられた複数の駆動電極（図示せず）、複数の検出電極（図示せず）および複数の端子２９とを備える。
以下、センサー素子２を構成する各部を順次詳細に説明する。
［振動片］
まず、振動体２０について説明する。
振動体２０は、いわゆるダブルＴ型と呼ばれる構造を有する。
具体的に説明すると、振動体２０は、基部２１と、基部２１から延出した２つの検出用振動腕（第２の振動腕）２３、２４および４つの駆動用振動腕（第１の振動腕）２５〜２８とを有する。
［振動片］
まず、振動体２０について説明する。
振動体２０は、いわゆるダブルＴ型と呼ばれる構造を有する。
具体的に説明すると、振動体２０は、基部２１と、基部２１から延出した２つの検出用振動腕（第２の振動腕）２３、２４および４つの駆動用振動腕（第１の振動腕）２５〜２８とを有する。
基部２１は、本体部２１１と、本体部２１１からｘ軸方向に沿って互いに反対方向へ延出する１対の連結腕２１２、２１３とを有する。
検出用振動腕２３、２４は、基部２１の本体部２１１からｙ軸方向に沿って互いに反対方向へ延出している。
駆動用振動腕２５、２６は、基部２１の連結腕２１２の先端部からｙ軸方向に沿って互いに反対方向へ延出している。
検出用振動腕２３、２４は、基部２１の本体部２１１からｙ軸方向に沿って互いに反対方向へ延出している。
駆動用振動腕２５、２６は、基部２１の連結腕２１２の先端部からｙ軸方向に沿って互いに反対方向へ延出している。
駆動用振動腕２７、２８は、基部２１の連結腕２１３の先端部からｙ軸方向に沿って互いに反対方向へ延出している。
このような振動体２０は、圧電体材料で構成され、図示しないが、検出用振動腕２３、２４には、それぞれ、検出用振動腕２３、２４の屈曲振動に伴って生じる電荷を検出する複数の検出電極（検出信号電極および検出接地電極）が設けられ、また、駆動用振動腕２５〜２８には、それぞれ、通電により駆動用振動腕２５〜２８を屈曲振動させる複数の駆動電極（駆動信号電極および駆動接地電極）が設けられる。
このような振動体２０は、圧電体材料で構成され、図示しないが、検出用振動腕２３、２４には、それぞれ、検出用振動腕２３、２４の屈曲振動に伴って生じる電荷を検出する複数の検出電極（検出信号電極および検出接地電極）が設けられ、また、駆動用振動腕２５〜２８には、それぞれ、通電により駆動用振動腕２５〜２８を屈曲振動させる複数の駆動電極（駆動信号電極および駆動接地電極）が設けられる。
かかる圧電体材料としては、例えば、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ホウ酸リチウム、チタン酸バリウム等が挙げられる。特に、振動体２０を構成する圧電体材料としては水晶（Ｘカット板、ＡＴカット板、Ｚカット板等）が好ましい。水晶で振動体２０を構成すると、振動体２０の振動特性（特に周波数温度特性）を優れたものとすることができる。また、エッチングにより高い寸法精度で振動体２０を形成することができる。
なお、振動体２０をシリコン、石英等の非圧電体材料で構成することもできる。この場合、検出用振動腕２３、２４に、それぞれ、検出用振動腕２３、２４の屈曲振動に伴って生じる電荷を検出する圧電体素子を設け、また、駆動用振動腕２５〜２８に、それぞれ、通電により駆動用振動腕２５〜２８を屈曲振動させる圧電体素子を設ければよい。
なお、振動体２０をシリコン、石英等の非圧電体材料で構成することもできる。この場合、検出用振動腕２３、２４に、それぞれ、検出用振動腕２３、２４の屈曲振動に伴って生じる電荷を検出する圧電体素子を設け、また、駆動用振動腕２５〜２８に、それぞれ、通電により駆動用振動腕２５〜２８を屈曲振動させる圧電体素子を設ければよい。
［端子］
複数の端子２９は、前述した基部２１の本体部２１１上に設けられている。
本実施形態では、本体部２１１上に６つの端子２９が設けられている。図示しないが、この６つの端子２９のうちの２つの端子２９は、各駆動用振動腕２５〜２８の複数の駆動電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続されている。また、残りの４つの端子２９は、２つの端子２９が検出用振動腕２３の複数の検出電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続され、他の２つの端子２９が検出用振動腕２４の複数の検出用電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続されている。
複数の端子２９は、前述した基部２１の本体部２１１上に設けられている。
本実施形態では、本体部２１１上に６つの端子２９が設けられている。図示しないが、この６つの端子２９のうちの２つの端子２９は、各駆動用振動腕２５〜２８の複数の駆動電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続されている。また、残りの４つの端子２９は、２つの端子２９が検出用振動腕２３の複数の検出電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続され、他の２つの端子２９が検出用振動腕２４の複数の検出用電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続されている。
また、各端子２９および配線（図示せず）等は、例えば、金（Ａｕ）、金合金、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金、クロム（Ｃｒ）、クロム合金、銅（Ｃｕ）、モリブデンン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属材料やＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明電極材料により形成することができる。また、これらは、検出電極および駆動電極と同時に一括形成することができる。
このように構成されたセンサー素子２は、次のようにしてｚ軸まわりの角速度ωを検出する。
このように構成されたセンサー素子２は、次のようにしてｚ軸まわりの角速度ωを検出する。
まず、駆動電極（駆動信号電極）に駆動信号を印加することにより、駆動用振動腕２５と駆動用振動腕２７とを互いに接近・離間するように屈曲振動（駆動振動）させるとともに、駆動用振動腕２６と駆動用振動腕２８とを上記屈曲振動と同方向に互いに接近・離間するように屈曲振動（駆動振動）させる。
このとき、センサー素子２に角速度が加わらないと、駆動用振動腕２５、２６と駆動用振動腕２７、２８とは、中心点（重心）を通るｙｚ平面に対して面対称の振動を行っているため、基部２１（本体部２１１および連結腕２１２、２１３）および検出用振動腕２３、２４は、ほとんど振動しない。
このように駆動用振動腕２５〜２８を駆動振動させた状態で、センサー素子２にその重心を通る法線まわりの角速度ωが加わると、駆動用振動腕２５〜２８には、それぞれ、コリオリ力が働く。これにより、連結腕２１２、２１３が屈曲振動し、これに伴いこの屈曲振動を打ち消すように、検出用振動腕２３、２４の屈曲振動（検出振動）が励振される。
このように駆動用振動腕２５〜２８を駆動振動させた状態で、センサー素子２にその重心を通る法線まわりの角速度ωが加わると、駆動用振動腕２５〜２８には、それぞれ、コリオリ力が働く。これにより、連結腕２１２、２１３が屈曲振動し、これに伴いこの屈曲振動を打ち消すように、検出用振動腕２３、２４の屈曲振動（検出振動）が励振される。
そして、検出用振動腕２３、２４の屈曲振動によって生じた電荷が検出電極（検出信号電極）から出力される。
このように検出電極から出力された電荷に基づいて、センサー素子２に加わった角速度ωを求めることができる。
このようなセンサー素子２の複数の端子２９は、それぞれ、図１に示す導電性のバンプ８３を介して、図１に示す支持部材９の配線９２に電気的に接続されている。そして、センサー素子２は、支持部材９を介してパッケージ４に固定・支持されている。
このように検出電極から出力された電荷に基づいて、センサー素子２に加わった角速度ωを求めることができる。
このようなセンサー素子２の複数の端子２９は、それぞれ、図１に示す導電性のバンプ８３を介して、図１に示す支持部材９の配線９２に電気的に接続されている。そして、センサー素子２は、支持部材９を介してパッケージ４に固定・支持されている。
（ＩＣチップ）
図１および図３に示すＩＣチップ３は、前述したセンサー素子２を駆動する機能と、センサー素子２からの出力（センサー出力）を検出する機能とを有する電子部品（実装部品）である。
このようなＩＣチップ３は、図示しないが、センサー素子２を駆動する駆動回路と、センサー素子２からの出力（電荷）を検出する検出回路とを備える。この駆動回路および検出回路は、ＩＣチップ３の能動面３２（上面）に設けられている。
また、ＩＣチップ３の能動面３２（上面）には、複数の接続端子３１が設けられている。
図１および図３に示すＩＣチップ３は、前述したセンサー素子２を駆動する機能と、センサー素子２からの出力（センサー出力）を検出する機能とを有する電子部品（実装部品）である。
このようなＩＣチップ３は、図示しないが、センサー素子２を駆動する駆動回路と、センサー素子２からの出力（電荷）を検出する検出回路とを備える。この駆動回路および検出回路は、ＩＣチップ３の能動面３２（上面）に設けられている。
また、ＩＣチップ３の能動面３２（上面）には、複数の接続端子３１が設けられている。
（パッケージ）
パッケージ４は、センサー素子２およびＩＣチップ３を収納するものである。
図１に示すように、パッケージ４は、上面に開放する凹部４１１を有するベース４１と、ベース４１の凹部４１１の開口を塞ぐようにベース４１に接合されているリッド４２（蓋体）とを有している。このようなパッケージ４は、その内側に収納空間Ｓを有しており、この収納空間Ｓ内に、センサー素子２およびＩＣチップ３が気密的に収納、設置されている。
パッケージ４は、センサー素子２およびＩＣチップ３を収納するものである。
図１に示すように、パッケージ４は、上面に開放する凹部４１１を有するベース４１と、ベース４１の凹部４１１の開口を塞ぐようにベース４１に接合されているリッド４２（蓋体）とを有している。このようなパッケージ４は、その内側に収納空間Ｓを有しており、この収納空間Ｓ内に、センサー素子２およびＩＣチップ３が気密的に収納、設置されている。
本実施形態では、ベース４１を平面視したときに、センサー素子２およびＩＣチップ３が重なるように配置されている。すなわち、センサー素子２およびＩＣチップ３は、ｚ軸方向に並んだ状態で、パッケージ４内に収納されている。
このようにセンサー素子２およびＩＣチップ３が配置されている場合、パッケージ４のｘ軸方向およびｙ軸方向での寸法を小さくし、センサーデバイス１の小型化を図ることができる。
このようにセンサー素子２およびＩＣチップ３が配置されている場合、パッケージ４のｘ軸方向およびｙ軸方向での寸法を小さくし、センサーデバイス１の小型化を図ることができる。
また、センサー素子２は、ＩＣチップ３に対してベース４１とは反対側に設けられている。これにより、後述する貫通孔４１４を封止材４３で封止する際にスプラッシュがセンサー素子２に悪影響を与えるのを防止することができる。
ベース４１の凹部４１１の側面は、階段状に形成されている。
このようなベース４１は、例えば、平板状の第１の基板と、枠状の第２の基板と、第２の基板の開口よりも大きい開口を有する枠状の第３の基板とをこの順で積層することにより構成されている。
ベース４１の凹部４１１の側面は、階段状に形成されている。
このようなベース４１は、例えば、平板状の第１の基板と、枠状の第２の基板と、第２の基板の開口よりも大きい開口を有する枠状の第３の基板とをこの順で積層することにより構成されている。
ベース４１の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、酸化アルミニウム等の各種セラミックスを用いることができる。
また、ベース４１には、収納空間Ｓ内を減圧または不活性ガス封入する際に用いる貫通孔４１４が形成されている。この貫通孔４１４は、封止材４１５により封止されている。
例えば、収納空間Ｓ内を減圧する場合、まず、封止材４１５により封止される前の貫通孔４１４を介して収納空間Ｓ内の空気を除去し、その状態を維持したまま、次いで、封止材４１５となる金属ボールを貫通孔４１４内に載置し、この金属ボールをレーザーにより溶融させることにより封止材４１５を形成し、貫通孔４１４を封止する。
また、ベース４１には、収納空間Ｓ内を減圧または不活性ガス封入する際に用いる貫通孔４１４が形成されている。この貫通孔４１４は、封止材４１５により封止されている。
例えば、収納空間Ｓ内を減圧する場合、まず、封止材４１５により封止される前の貫通孔４１４を介して収納空間Ｓ内の空気を除去し、その状態を維持したまま、次いで、封止材４１５となる金属ボールを貫通孔４１４内に載置し、この金属ボールをレーザーにより溶融させることにより封止材４１５を形成し、貫通孔４１４を封止する。
この貫通孔４１４は、平面視にてＩＣチップ３と重なる位置に設けられている。
具体的には、貫通孔４１４は、凹部４１１の底面４１２に開口するように、ベース４１を厚さ方向に貫通している。そして、ベース４１の凹部４１１の底面４１２には、スペーサ５を介してＩＣチップ３が設置されている。
スペーサ５は、ＩＣチップ３とベース４１との間に設けられている。そして、スペーサ５は、ＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップに対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間Ｓ１を形成する。
具体的には、貫通孔４１４は、凹部４１１の底面４１２に開口するように、ベース４１を厚さ方向に貫通している。そして、ベース４１の凹部４１１の底面４１２には、スペーサ５を介してＩＣチップ３が設置されている。
スペーサ５は、ＩＣチップ３とベース４１との間に設けられている。そして、スペーサ５は、ＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップに対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間Ｓ１を形成する。
これにより、パッケージ４のベース４１にＩＣチップ３を設置した状態で、貫通孔４１４と収納空間Ｓとを連通させ、貫通孔４１４を通じてパッケージ４内を減圧したり不活性ガスを封入したりすることができる。
特に、貫通孔４１４が平面視にてＩＣチップ３と重なる位置に形成されているので、パッケージ４の小型化、ひいては、センサーデバイス１の小型化を図ることができる。
特に、貫通孔４１４が平面視にてＩＣチップ３と重なる位置に形成されているので、パッケージ４の小型化、ひいては、センサーデバイス１の小型化を図ることができる。
また、貫通孔４１４をベース４１の中央部側に設けることができるので、貫通孔４１４によるパッケージ４の機械的強度の低下を抑制することができる。
近年、ＩＣチップが多機能化等に伴って大型化する傾向にある一方、電子デバイスの小型化が求められている。したがって、前述したように貫通孔４１４が平面視にてＩＣチップ３と重なる位置に形成された場合、本発明を適用することによる効果（スペーサ５により隙間Ｓ１を形成することによる効果）が顕著となる。
近年、ＩＣチップが多機能化等に伴って大型化する傾向にある一方、電子デバイスの小型化が求められている。したがって、前述したように貫通孔４１４が平面視にてＩＣチップ３と重なる位置に形成された場合、本発明を適用することによる効果（スペーサ５により隙間Ｓ１を形成することによる効果）が顕著となる。
また、本実施形態では、ＩＣチップ３の能動面３２とは反対側の面（裏面３３）がスペーサ５を介してベース４１に固定されている。これにより、貫通孔４１４を封止材４１５により封止する際のスプラッシュがＩＣチップ３の能動面３２に悪影響を与えるのを防止することができる。
また、一般に、センサー素子を収納するパッケージでは、パッケージ内を減圧状態としたり不活性ガス封入状態としたりする。そのため、センサーデバイス１は、本発明を適用することによる効果が顕著となる。また、平面視にてＩＣチップ３と重なる位置に貫通孔４１４が形成されているため、貫通孔４１４を封止材４１５により封止する際のスプラッシュがセンサー素子２に悪影響を与えるのを防止することができる。また、貫通孔４１４をパッケージ４のベース４１の中央部に形成することができるので、パッケージ４に生じる応力を低減することができ、その結果、センサー素子２の検出感度を優れたものとすることができる。
また、一般に、センサー素子を収納するパッケージでは、パッケージ内を減圧状態としたり不活性ガス封入状態としたりする。そのため、センサーデバイス１は、本発明を適用することによる効果が顕著となる。また、平面視にてＩＣチップ３と重なる位置に貫通孔４１４が形成されているため、貫通孔４１４を封止材４１５により封止する際のスプラッシュがセンサー素子２に悪影響を与えるのを防止することができる。また、貫通孔４１４をパッケージ４のベース４１の中央部に形成することができるので、パッケージ４に生じる応力を低減することができ、その結果、センサー素子２の検出感度を優れたものとすることができる。
スペーサ５についてより具体的に説明すると、このスペーサ５は、ベース４１を平面視したときに、貫通孔４１４の周方向に間隔を隔てて並んで設けられた複数の突起部５１を有する。これにより、複数の突起部５１の高さに応じてＩＣチップ３とベース４１との間の距離が規制されるとともに、互いに周方向に隣り合う２つの突起部５１同士の間に隙間が形成される。そのため、ＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップ３に対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間Ｓ１を形成することができる。
この各突起部５１は、ベース４１に設けられた金属層で構成されている。そして、ＩＣチップ３は、接着剤５２を介して各突起部５１に接合されている。
このように金属層で構成された各突起部５１は、公知の成膜法を用いて簡単かつ高精度に形成することができる。また、接着剤５２によりＩＣチップ３と各突起部５１とを簡単かつ強固に接合することができる。
このように金属層で構成された各突起部５１は、公知の成膜法を用いて簡単かつ高精度に形成することができる。また、接着剤５２によりＩＣチップ３と各突起部５１とを簡単かつ強固に接合することができる。
各突起部５１の構成材料としては、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、後述する内部端子７１、７２と同一材料で構成されているのが好ましい。これにより、複数の突起部５１を内部端子７１、７２と一括して形成することができる。
また、各突起部５１の厚さ（高さ）は、用いる接着剤５２の粘度、使用量、使用箇所等によって異なるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であるのが好ましい。
接着剤５２は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を含んで構成されている。
また、各突起部５１の厚さ（高さ）は、用いる接着剤５２の粘度、使用量、使用箇所等によって異なるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０１ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であるのが好ましい。
接着剤５２は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を含んで構成されている。
また、底面４１２には、貫通孔４１４の周囲に壁部６が設けられている。
この壁部６は、ＩＣチップ３とベース４１との間に設けられている。そして、壁部６は、ベース４１を平面視したときに、複数の突起部５１と貫通孔４１４との間に位置する。これにより、各突起部５１とＩＣチップ３とを接着剤５２を介して接合する際に、各突起部５１に供給された接着剤５２が貫通孔４１４に流れ込むのを壁部６により防止することができる。
この壁部６は、ＩＣチップ３とベース４１との間に設けられている。そして、壁部６は、ベース４１を平面視したときに、複数の突起部５１と貫通孔４１４との間に位置する。これにより、各突起部５１とＩＣチップ３とを接着剤５２を介して接合する際に、各突起部５１に供給された接着剤５２が貫通孔４１４に流れ込むのを壁部６により防止することができる。
また、壁部６は、各突起部５１の高さよりも低く形成され、ベース４１を平面視したときに、貫通孔４１４の周囲を全周に亘って囲んで形成された環状壁体６１で構成されている。
これにより、ＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップ３に対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間Ｓ１を形成しつつ、各突起部５１に供給された接着剤５２が貫通孔４１４に流れ込むのを環状壁体６１により防止することができる。
これにより、ＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップ３に対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間Ｓ１を形成しつつ、各突起部５１に供給された接着剤５２が貫通孔４１４に流れ込むのを環状壁体６１により防止することができる。
環状壁体６１の厚さ（高さ）は、各突起部５１の厚さ（高さ）よりも薄ければ（低ければ）よいが、各突起部５１の厚さに対して１／３〜２／３程度であるのが好ましい。
また、環状壁体６１は、金属層で構成されている。
環状壁体６１の構成材料としては、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、後述する内部端子７１、７２と同一材料で構成されているのが好ましい。これにより、環状壁体６１を内部端子７１、７２と一括して形成することができる。
また、環状壁体６１は、金属層で構成されている。
環状壁体６１の構成材料としては、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、後述する内部端子７１、７２と同一材料で構成されているのが好ましい。これにより、環状壁体６１を内部端子７１、７２と一括して形成することができる。
また、凹部４１１の側面に形成された段差部４１３には、複数の内部端子７１および複数の内部端子７２が設けられている。そして、段差部４１３には、複数の内部端子７１および支持部材９を介してセンサー素子２が設置されている。
この複数の内部端子７１には、図１に示すように、半田、銀ペースト、導電性接着剤（樹脂材料中に金属粒子などの導電性フィラーを分散させた接着剤）等で構成された導電性固定部材８１を介して、支持部材９が固定されている。
この複数の内部端子７１には、図１に示すように、半田、銀ペースト、導電性接着剤（樹脂材料中に金属粒子などの導電性フィラーを分散させた接着剤）等で構成された導電性固定部材８１を介して、支持部材９が固定されている。
支持部材９は、センサー素子２を支持するとともに、センサー素子２と複数の内部端子７１とを電気的に接続する機能を有する。
この支持部材９は、絶縁性のフィルム９１と、このフィルム９１上に接合された複数の配線９２とを有するいわゆるＴＡＢテープで構成されている。
フィルム９１は、例えば、ポリイミド等の樹脂材料で構成されている。また、各配線９２は、例えば銅等の金属材料で構成されている。
この支持部材９は、絶縁性のフィルム９１と、このフィルム９１上に接合された複数の配線９２とを有するいわゆるＴＡＢテープで構成されている。
フィルム９１は、例えば、ポリイミド等の樹脂材料で構成されている。また、各配線９２は、例えば銅等の金属材料で構成されている。
フィルム９１の中央部には、デバイスホール９１１が形成され、各配線９２は、フィルム９１上からこのデバイスホール９１１側に延出し、その延出した部分がフィルム９１側（ＩＣチップ３とは反対側）に折り曲げられている。
複数の配線９２は、前述したセンサー素子２の複数の端子２９および複数の内部端子７１に対応して設けられている。そして、各配線９２の基端部は、対応する内部端子７１に対して導電性固定部材８１を介して接合されている。また、各配線９２の先端部は、対応する端子２９に対してバンプ８３を介して接合されている。このようにして、センサー素子２の各端子２９が対応するバンプ８３、配線９２および導電性固定部材８１を介して内部端子７１に電気的に接続されるとともに、センサー素子２が支持部材９を介してベース４１に支持されている。
複数の配線９２は、前述したセンサー素子２の複数の端子２９および複数の内部端子７１に対応して設けられている。そして、各配線９２の基端部は、対応する内部端子７１に対して導電性固定部材８１を介して接合されている。また、各配線９２の先端部は、対応する端子２９に対してバンプ８３を介して接合されている。このようにして、センサー素子２の各端子２９が対応するバンプ８３、配線９２および導電性固定部材８１を介して内部端子７１に電気的に接続されるとともに、センサー素子２が支持部材９を介してベース４１に支持されている。
この複数の内部端子７１は、図示しない配線を介して、複数の内部端子７２に電気的に接続されている。
複数の内部端子７２には、それぞれ、例えばボンディングワイヤーで構成された配線８２を介して、前述したＩＣチップ３の複数の接続端子３１が電気的に接続されている。
また、ベース４１の下面（パッケージ４の底面）には、センサーデバイス１が組み込まれる機器（外部機器）に実装される際に用いられる複数の外部端子７３が設けられている。
複数の内部端子７２には、それぞれ、例えばボンディングワイヤーで構成された配線８２を介して、前述したＩＣチップ３の複数の接続端子３１が電気的に接続されている。
また、ベース４１の下面（パッケージ４の底面）には、センサーデバイス１が組み込まれる機器（外部機器）に実装される際に用いられる複数の外部端子７３が設けられている。
この複数の外部端子７３は、図示しない内部配線を介して、前述した内部端子７２に電気的に接続されている。
このような各内部端子７１、７２等は、それぞれ、例えば、タングステン（Ｗ）等のメタライズ層にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の被膜をメッキ等により積層した金属被膜からなる。
このような各内部端子７１、７２等は、それぞれ、例えば、タングステン（Ｗ）等のメタライズ層にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）等の被膜をメッキ等により積層した金属被膜からなる。
このようなベース４１には、リッド４２が気密的に接合されている。これにより、パッケージ４内が気密封止されている。
このリッド４２は、例えば、ベース４１と同材料、または、コバール、４２アロイ、ステンレス鋼等の金属で構成されている。
ベース４１とリッド４２との接合方法としては、特に限定されず、例えば、ろう材、硬化性樹脂等で構成された接着剤による接合方法、シーム溶接、レーザー溶接等の溶接方法等を用いることができる。
このリッド４２は、例えば、ベース４１と同材料、または、コバール、４２アロイ、ステンレス鋼等の金属で構成されている。
ベース４１とリッド４２との接合方法としては、特に限定されず、例えば、ろう材、硬化性樹脂等で構成された接着剤による接合方法、シーム溶接、レーザー溶接等の溶接方法等を用いることができる。
以上説明したような第１実施形態に係るセンサーデバイス１によれば、スペーサ５がＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップに対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間Ｓ１を形成するので、パッケージ４のベース４１にＩＣチップ３を設置した状態で、貫通孔４１４を通じてパッケージ４内を減圧したり不活性ガスを封入したりすることができる。
特に、貫通孔４１４が平面視にてＩＣチップ３と重なる位置に形成されているので、パッケージ４の小型化、ひいては、センサーデバイス１の小型化を図ることができる。
また、貫通孔４１４をベース４１の中央部側に設けることができるので、貫通孔４１４によるパッケージ４の機械的強度の低下を抑制することができる。
特に、貫通孔４１４が平面視にてＩＣチップ３と重なる位置に形成されているので、パッケージ４の小型化、ひいては、センサーデバイス１の小型化を図ることができる。
また、貫通孔４１４をベース４１の中央部側に設けることができるので、貫通孔４１４によるパッケージ４の機械的強度の低下を抑制することができる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の電子デバイスの第２実施形態について説明する。
図５は、本発明の第２実施形態に係るセンサーデバイス（電子デバイス）のパッケージのベースを説明するための平面図である。
以下、第２実施形態の電子デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
次に、本発明の電子デバイスの第２実施形態について説明する。
図５は、本発明の第２実施形態に係るセンサーデバイス（電子デバイス）のパッケージのベースを説明するための平面図である。
以下、第２実施形態の電子デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第２実施形態に係る電子デバイスは、パッケージのベースと実装部品との間に設けられたスペーサおよび壁部の構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
本実施形態のセンサーデバイス（電子デバイス）は、図５に示すように、スペーサ５Ａおよび壁部６Ａを有する。
本実施形態のセンサーデバイス（電子デバイス）は、図５に示すように、スペーサ５Ａおよび壁部６Ａを有する。
スペーサ５Ａは、ＩＣチップ３とベース４１との間に設けられている。このスペーサ５Ａは、ベース４１を平面視したときに、貫通孔４１４の周方向に間隔を隔てて並んで設けられた複数の突起部５１Ａを有する。そして、ＩＣチップ３は、接着剤５２Ａを介して各突起部５１Ａに接合されている。
このようなスペーサ５Ａは、ＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップに対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間を形成する。
このようなスペーサ５Ａは、ＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップに対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間を形成する。
壁部６Ａは、ベース４１を平面視したときに、貫通孔４１４の周方向に間隔を隔てて並んで形成された環状壁体６１および複数の壁体６２、６３を含む。これにより、ＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップ３に対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間を形成しつつ、各突起部５１Ａに供給された接着剤５２Ａが貫通孔４１４に流れ込むのを環状壁体６１および複数の壁体６２、６３により防止することができる。
複数の壁体６２（第１の壁部）は、ベース４１を平面視したときに、貫通孔４１４の周方向に間隔を隔てて並んで設けられ、複数の壁体６３（第２の壁部）は、ベース４１を平面視したときに、複数の壁体６２の内側に設けられ、貫通孔４１４の周方向に並んで設けられている。
そして、複数の壁体６２および複数の壁体６３は、互いに周方向に隣り合う２つの壁体６２同士の間の隙間と、互いに周方向に隣り合う２つの壁体６３同士の間の隙間とが互いに周方向に重ならないように配置されている。すなわち、ベース４１を平面視したときに、貫通孔４１４を中心とする径方向において、壁体６２および壁体６３の少なくとも一方の壁体が配置されている。
そして、複数の壁体６２および複数の壁体６３は、互いに周方向に隣り合う２つの壁体６２同士の間の隙間と、互いに周方向に隣り合う２つの壁体６３同士の間の隙間とが互いに周方向に重ならないように配置されている。すなわち、ベース４１を平面視したときに、貫通孔４１４を中心とする径方向において、壁体６２および壁体６３の少なくとも一方の壁体が配置されている。
このように複数の壁体６２、６３を配置することにより、接着剤５２Ａが流れ込む経路の長さを長くすることができる。そのため、より確実に、各突起部５１Ａに供給された接着剤５２Ａが貫通孔４１４に流れ込むのを複数の壁体６２、６３により防止することができる。
各壁体６２、６３の厚さ（高さ）は、各突起部５１Ａの厚さ（高さ）と等しいかまたはそれよりも若干厚い（高い）のが好ましい。これにより、ＩＣチップ３とベース４１との間の距離を複数の壁体６２、６３により規制することができる。そのため、接着剤５２Ａにより各突起部５１ＡとＩＣチップ３とを接着する際に、貫通孔４１４側へ流れ込む接着剤５２Ａの量を抑えることができる。
各壁体６２、６３の厚さ（高さ）は、各突起部５１Ａの厚さ（高さ）と等しいかまたはそれよりも若干厚い（高い）のが好ましい。これにより、ＩＣチップ３とベース４１との間の距離を複数の壁体６２、６３により規制することができる。そのため、接着剤５２Ａにより各突起部５１ＡとＩＣチップ３とを接着する際に、貫通孔４１４側へ流れ込む接着剤５２Ａの量を抑えることができる。
また、各壁体６２、６３は、金属層で構成されている。
壁体６２、６３の構成材料としては、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、内部端子７１、７２と同一材料で構成されているのが好ましい。これにより、壁体６２、６３を内部端子７１、７２と一括して形成することができる。
以上説明したような第２実施形態のセンサーデバイスによっても、パッケージ内を減圧、不活性ガス封入等するための貫通孔によるパッケージの機械的強度の低下を抑制するとともに、小型化を図ることができる。
壁体６２、６３の構成材料としては、特に限定されず、各種金属材料を用いることができるが、内部端子７１、７２と同一材料で構成されているのが好ましい。これにより、壁体６２、６３を内部端子７１、７２と一括して形成することができる。
以上説明したような第２実施形態のセンサーデバイスによっても、パッケージ内を減圧、不活性ガス封入等するための貫通孔によるパッケージの機械的強度の低下を抑制するとともに、小型化を図ることができる。
＜第３実施形態＞
次に、本発明の電子デバイスの第３実施形態について説明する。
図６は、本発明の第３実施形態に係るセンサーデバイス（電子デバイス）の概略構成を示す断面図である。
以下、第３実施形態の電子デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
次に、本発明の電子デバイスの第３実施形態について説明する。
図６は、本発明の第３実施形態に係るセンサーデバイス（電子デバイス）の概略構成を示す断面図である。
以下、第３実施形態の電子デバイスについて、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第３実施形態に係る電子デバイスは、実装部品をフェイスダウン実装し、これに伴う、パッケージの構成、および、パッケージのベースと実装部品との間に設けられたスペーサの構成が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
本実施形態のセンサーデバイス（電子デバイス）１Ｂは、図６に示すように、センサー素子２およびＩＣチップ３を収納するパッケージ４Ｂを有する。
本実施形態のセンサーデバイス（電子デバイス）１Ｂは、図６に示すように、センサー素子２およびＩＣチップ３を収納するパッケージ４Ｂを有する。
パッケージ４Ｂは、上面に開放する凹部４１１を有するベース４１Ｂと、ベース４１Ｂの凹部４１１の開口を塞ぐようにベース４１Ｂに接合されているリッド４２（蓋体）とを有している。
ベース４１Ｂには、パッケージ４Ｂ内を減圧または不活性ガス封入する際に用いる貫通孔４１４が形成されている。
ベース４１Ｂには、パッケージ４Ｂ内を減圧または不活性ガス封入する際に用いる貫通孔４１４が形成されている。
また、ベース４１Ｂの凹部４１１の底面４１２には、スペーサ５Ｂを介してＩＣチップ３が設置されている。このスペーサ５Ｂは、ＩＣチップ３とベース４１との間にパッケージ４内におけるＩＣチップに対してベース４１とは反対側の空間と貫通孔４１４とを連通させる隙間を形成する。
本実施形態では、ＩＣチップ３の能動面がスペーサ５Ｂを介してベース４１に固定されている。
本実施形態では、ＩＣチップ３の能動面がスペーサ５Ｂを介してベース４１に固定されている。
スペーサ５Ｂは、複数の内部端子５１Ｂおよび複数のバンプ５２Ｂを有する。
この複数の内部端子５１Ｂは、ＩＣチップ３の複数の接続端子に対応して、互いに離間して設けられている。そして、各内部端子５１Ｂは、対応するＩＣチップ３の接続端子に対して、バンプ５２Ｂを介して電気的に接続されている。
この複数の内部端子５１Ｂは、図示しない配線を介して、一部が複数の内部端子７１に電気的に接続され、残部が複数の外部端子７３に電気的に接続されている。
以上説明したような第３実施形態のセンサーデバイス１Ｂによっても、パッケージ内を減圧、不活性ガス封入等するための貫通孔によるパッケージの機械的強度の低下を抑制するとともに、小型化を図ることができる。
この複数の内部端子５１Ｂは、ＩＣチップ３の複数の接続端子に対応して、互いに離間して設けられている。そして、各内部端子５１Ｂは、対応するＩＣチップ３の接続端子に対して、バンプ５２Ｂを介して電気的に接続されている。
この複数の内部端子５１Ｂは、図示しない配線を介して、一部が複数の内部端子７１に電気的に接続され、残部が複数の外部端子７３に電気的に接続されている。
以上説明したような第３実施形態のセンサーデバイス１Ｂによっても、パッケージ内を減圧、不活性ガス封入等するための貫通孔によるパッケージの機械的強度の低下を抑制するとともに、小型化を図ることができる。
（電子機器）
以上説明したようなセンサーデバイス（電子デバイス）は、各種電子機器に組み込むことにより、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
以下、本発明の電子デバイスを備える電子機器の一例について、図７〜図９に基づき、詳細に説明する。
以上説明したようなセンサーデバイス（電子デバイス）は、各種電子機器に組み込むことにより、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
以下、本発明の電子デバイスを備える電子機器の一例について、図７〜図９に基づき、詳細に説明する。
図７は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピュータ１１００には、ジャイロセンサーとして機能する前述したセンサーデバイス１が内蔵されている。
図８は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。
図８は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、ジャイロセンサーとして機能する前述したセンサーデバイス１が内蔵されている。
図９は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
図９は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、ジャイロセンサーとして機能する前述したセンサーデバイス１が内蔵されている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、ジャイロセンサーとして機能する前述したセンサーデバイス１が内蔵されている。
なお、本発明の電子機器は、図７のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図８の携帯電話機、図９のディジタルスチルカメラの他にも、電子デバイスの種類に応じて、例えば、車体姿勢検出装置、ポインティングデバイス、ヘッドマウントディスプレイ、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、ナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲームコントローラー、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
以上、本発明の電子デバイスおよび電子機器を図示の各実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、本発明の電子デバイスは、前記各実施形態のうち、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、前述した実施形態では、センサー素子がＴＡＢテープで構成された支持部材を介してパッケージに支持されている例を説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば、センサー素子がパッケージに対して直接的に支持されてもよい。
また、前述した実施形態では、ダブルＴ型のセンサー素子を用いた場合を例に説明したが、センサー素子は、これに限定されず、例えば、二脚音叉、Ｈ型音叉、三脚音叉、くし歯型、直交型、角柱型等、種々のセンサー素子（ジャイロ素子）であってもよい。
また、前述した実施形態では、ダブルＴ型のセンサー素子を用いた場合を例に説明したが、センサー素子は、これに限定されず、例えば、二脚音叉、Ｈ型音叉、三脚音叉、くし歯型、直交型、角柱型等、種々のセンサー素子（ジャイロ素子）であってもよい。
また、前述した実施形態では、パッケージのベースにスペーサを介して設置する実装部品がＩＣチップである場合を例に説明したが、これに限定されず、例えば、かかる実装部品は、センサー素子であってもよい。
また、前述した実施形態では、ＩＣチップとセンサー素子とが平面視にて重なるように配置された場合を例に説明したが、ＩＣチップとセンサー素子とが平面視にて並んで配置されたセンサーデバイスであっても本発明の効果（センサーデバイスの小型化、パッケージの機械的強度の低下防止）を発揮することができる。
また、前述した実施形態では、ＩＣチップとセンサー素子とが平面視にて重なるように配置された場合を例に説明したが、ＩＣチップとセンサー素子とが平面視にて並んで配置されたセンサーデバイスであっても本発明の効果（センサーデバイスの小型化、パッケージの機械的強度の低下防止）を発揮することができる。
１‥‥センサーデバイス １Ｂ‥‥センサーデバイス ２‥‥センサー素子 ３‥‥ＩＣチップ ４‥‥パッケージ ４Ｂ‥‥パッケージ ５‥‥スペーサ ５Ａ‥‥スペーサ ５Ｂ‥‥スペーサ ６‥‥壁部 ６Ａ‥‥壁部 ９‥‥支持部材 ２０‥‥振動体 ２１‥‥基部 ２３‥‥検出用振動腕 ２４‥‥検出用振動腕 ２５‥‥駆動用振動腕 ２６‥‥駆動用振動腕 ２７‥‥駆動用振動腕 ２８‥‥駆動用振動腕 ２９‥‥端子 ３１‥‥接続端子 ３２‥‥能動面 ３３‥‥裏面 ４１‥‥ベース ４１Ｂ‥‥ベース ４２‥‥リッド ４３‥‥封止材 ５１‥‥突起部 ５１Ａ‥‥突起部 ５１Ｂ‥‥内部端子 ５２‥‥接着剤 ５２Ａ‥‥接着剤 ５２Ｂ‥‥バンプ ６１‥‥環状壁体 ６２‥‥壁体 ６３‥‥壁体 ７１‥‥内部端子 ７２‥‥内部端子 ７３‥‥外部端子 ８１‥‥導電性固定部材 ８２‥‥配線 ８３‥‥バンプ ９１‥‥フィルム ９２‥‥配線 １００‥‥表示部 ２１１‥‥本体部 ２１２‥‥連結腕 ２１３‥‥連結腕 ４１１‥‥凹部 ４１２‥‥底面 ４１３‥‥段差部 ４１４‥‥貫通孔 ４１５‥‥封止材 ９１１‥‥デバイスホール １１００‥‥パーソナルコンピュータ １１０２‥‥キーボード １１０４‥‥本体部 １１０６‥‥表示ユニット １２００‥‥携帯電話機 １２０２‥‥操作ボタン １２０４‥‥受話口 １２０６‥‥送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥メモリ １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ Ｓ‥‥収納空間 Ｓ１‥‥隙間 ω‥‥角速度
［適用例７］
本発明の電子デバイスでは、前記複数の壁体は、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体からなる第１の壁部と、前記ベースを平面視したときに、前記第１の壁部の内側に設けられ、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体からなる第２の壁部とを含み、
前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔を中心とする径方向において、前記第１の壁部の壁体および前記第２の壁部の壁体の少なくとも一方が配置されていることが好ましい。
これにより、接着剤が流れ込む経路の長さを長くすることができる。そのため、より確実に、各突起部に供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを第１の壁部および第２の壁部により防止することができる。
本発明の電子デバイスでは、前記複数の壁体は、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体からなる第１の壁部と、前記ベースを平面視したときに、前記第１の壁部の内側に設けられ、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体からなる第２の壁部とを含み、
前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔を中心とする径方向において、前記第１の壁部の壁体および前記第２の壁部の壁体の少なくとも一方が配置されていることが好ましい。
これにより、接着剤が流れ込む経路の長さを長くすることができる。そのため、より確実に、各突起部に供給された接着剤が貫通孔に流れ込むのを第１の壁部および第２の壁部により防止することができる。
［端子］
複数の端子２９は、前述した基部２１の本体部２１１上に設けられている。
本実施形態では、本体部２１１上に６つの端子２９が設けられている。図示しないが、この６つの端子２９のうちの２つの端子２９は、各駆動用振動腕２５〜２８の複数の駆動電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続されている。また、残りの４つの端子２９は、２つの端子２９が検出用振動腕２３の複数の検出電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続され、他の２つの端子２９が検出用振動腕２４の複数の検出電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続されている。
複数の端子２９は、前述した基部２１の本体部２１１上に設けられている。
本実施形態では、本体部２１１上に６つの端子２９が設けられている。図示しないが、この６つの端子２９のうちの２つの端子２９は、各駆動用振動腕２５〜２８の複数の駆動電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続されている。また、残りの４つの端子２９は、２つの端子２９が検出用振動腕２３の複数の検出電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続され、他の２つの端子２９が検出用振動腕２４の複数の検出電極に振動体２０上の配線を介して電気的に接続されている。
また、各端子２９および配線（図示せず）等は、例えば、金（Ａｕ）、金合金、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銀（Ａｇ）、銀合金、クロム（Ｃｒ）、クロム合金、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の金属材料やＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明電極材料により形成することができる。また、これらは、検出電極および駆動電極と同時に一括形成することができる。
このように構成されたセンサー素子２は、次のようにしてｚ軸まわりの角速度ωを検出する。
このように構成されたセンサー素子２は、次のようにしてｚ軸まわりの角速度ωを検出する。
Claims (12)
- 実装部品と、
前記実装部品が設置され、平面視にて前記実装部品と重なる位置に貫通孔が設けられたベースを有し、前記実装部品を収納するパッケージと、
前記実装部品と前記ベースとの間に設けられ、前記実装部品を収納する収納空間と前記貫通孔とを連通させるスペーサとを備えることを特徴とする電子デバイス。 - 前記スペーサは、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の突起部を有する請求項１に記載の電子デバイス。
- 前記複数の突起部の少なくとも一つは、前記ベースに設けられた金属層で構成され、
前記実装部品は、接着剤を介して前記複数の突起部の少なくとも一つに接合されている請求項２に記載の電子デバイス。 - 前記実装部品と前記ベースとの間に設けられ、前記ベースを平面視したときに、前記スペーサと前記貫通孔との間に位置する壁部を有する請求項１ないし３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 前記壁部は、前記スペーサの高さよりも低い請求項４に記載の電子デバイス。
- 前記壁部は、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体を含む請求項４または５に記載の電子デバイス。
- 前記複数の壁体は、前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体からなる第１の壁部と、前記ベースを平面視したときに、前記第１の壁部の内側に設けられ、前記貫通孔の周方向に間隔を隔てて設けられた複数の壁体からなる第２の壁部とを含み、
前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔を中心とする径方向において、前記第１の壁部の壁体および前記第２の壁部の壁体の少なくとも一方が配置されている請求項６に記載の電子デバイス。 - 前記実装部品は、ＩＣチップである請求項１ないし７のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 前記ＩＣチップは、能動面とは反対側の面が前記スペーサを介して前記ベースに固定されている請求項８に記載の電子デバイス。
- 前記パッケージに収納されたセンサー素子を備え、
前記ＩＣチップは、前記センサー素子を駆動する機能を有する請求項８または９に記載の電子デバイス。 - 前記ベースを平面視したときに、前記貫通孔の周囲を全周に亘って囲んでいる環状壁体を有する請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の電子デバイスを有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012096954A JP6051577B2 (ja) | 2012-04-20 | 2012-04-20 | 電子デバイスおよび電子機器 |
| US13/864,470 US9123881B2 (en) | 2012-04-20 | 2013-04-17 | Electronic device and electronic apparatus |
| CN2013101384678A CN103378285A (zh) | 2012-04-20 | 2013-04-19 | 电子装置和电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012096954A JP6051577B2 (ja) | 2012-04-20 | 2012-04-20 | 電子デバイスおよび電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013225591A true JP2013225591A (ja) | 2013-10-31 |
| JP6051577B2 JP6051577B2 (ja) | 2016-12-27 |
Family
ID=49379940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012096954A Expired - Fee Related JP6051577B2 (ja) | 2012-04-20 | 2012-04-20 | 電子デバイスおよび電子機器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9123881B2 (ja) |
| JP (1) | JP6051577B2 (ja) |
| CN (1) | CN103378285A (ja) |
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3677109B2 (ja) | 1996-01-16 | 2005-07-27 | 東洋通信機株式会社 | パッケージの封止方法及びその構造 |
| JP3523502B2 (ja) | 1998-09-28 | 2004-04-26 | 京セラ株式会社 | 圧電振動子用容器ならびに圧電振動子およびその製造方法 |
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| JP5440148B2 (ja) | 2009-12-18 | 2014-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電デバイスの製造方法 |
-
2012
- 2012-04-20 JP JP2012096954A patent/JP6051577B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-04-17 US US13/864,470 patent/US9123881B2/en active Active
- 2013-04-19 CN CN2013101384678A patent/CN103378285A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6051577B2 (ja) | 2016-12-27 |
| CN103378285A (zh) | 2013-10-30 |
| US9123881B2 (en) | 2015-09-01 |
| US20130279136A1 (en) | 2013-10-24 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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