JP2013218269A - レジストパターンの形成方法、パターン形成方法、太陽電池及びポジ型レジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のある態様のレジストパターンの形成方法は、ノボラック樹脂(A)と、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン骨格を有するフェノール類(B1)とキノンジアジド基含有スルホニル化合物(B2)とのエステル化合物を含む感光剤(B)と、を含有し、膜厚3μmのレジスト膜における波長365nmの光の透過率が10%以上であるポジ型レジスト組成物を太陽電池基板を含む支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、当該レジスト膜に選択的に光を照射して露光する工程と、露光後の当該レジスト膜をアルカリ溶液で現像して露光部分を除去する工程と、を含む。
【選択図】図2
Description
ノボラック樹脂(A)としては、下記に例示するフェノール類と、下記に例示するアルデヒド類とを塩酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、パラトルエンスルホン酸等の酸性触媒下で反応させて得られるノボラック樹脂などが挙げられる。
感光剤(B)は、トリスヒドロキシフェニルメタン骨格を有するフェノール類(B1)とキノンジアジド基含有スルホン酸(B2)とのエステル化合物を含む。より具体的には、感光剤(B)は、下記式(1)または(2)で表されるトリスヒドロキシフェニルメタン骨格を有するフェノール類(B1)と、ナフトキノンジアジド基含有スルホニル化合物(B2)とのエステル化合物を含む。
ポジ型レジスト組成物は、その他の成分として、溶剤(C)、増感剤(D)、界面活性剤(E)、その他の添加剤等を含有してもよい。
ポジ型レジスト組成物は、ノボラック樹脂(A)及び感光剤(B)を適当な溶剤(C)に溶解して、溶液の形で用いることが好ましい。このような溶剤(C)の例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、及びエチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールアルキルエーテル類;ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジプロピルエーテル、及びジエチレングリコールジブチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類;メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、及びジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールアルキルエーテルアセテート類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、及びプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等のプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、及びメチルアミルケトン等のケトン類;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類;ジオキサン等の環式エーテル類;並びに2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、蟻酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル、及びアセト酢酸エチル等のエステル類等を挙げることができる。これらの溶剤は、単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
ポジ型レジスト組成物は、増感剤(D)を含有してもよい。本実施の形態で用いることができる増感剤(D)は、特に限定されるものではなく、ポジ型レジスト組成物において通常用いられる増感剤の中から任意に選択することができる。このような増感剤(D)としては、骨格構造にトリメチルフェノールやカルバゾールを有し、ナフトキノンジアジド基含有スルホニル化合物とエステル化していないフェノール化合物が挙げられる。また、4−クロロフェノキシ酢酸(4CPA)のフェノール体(製品名TrisP−PA−MF(本州化学社製))等を挙げることができる。
実施の形態に係るポジ型レジスト組成物は、フッ素系、シリコン系又はアクリル系の界面活性剤(E)を含有してもよい。
実施の形態に係るポジ型レジスト組成物は、基板密着剤として2−ピリジンエタノール等のピリジン系化合物、2−メルカプトベンズイミダゾール等のイミダゾール系化合物を含有してもよい。
本実施の形態に係るポジ型レジスト組成物は、通常の方法で混合、撹拌することにより調製することができる。また、必要に応じて、更にメッシュ、メンブレンフィルター等を用いて濾過してもよい。
図1(A)〜図1(D)、図2(A)〜図2(D)及び図3(A)〜図3(C)を参照して、本実施の形態に係るレジストパターンの形成方法、当該レジストパターンを用いたパターン形成方法、及び当該パターン形成方法により形成されたパターンを有する太陽電池の製造方法の一例について説明する。図1(A)〜図1(D)、図2(A)〜図2(D)及び図3(A)〜図3(C)は、太陽電池の製造工程を説明するための工程断面図である。
ノボラック樹脂(A)と、感光剤(B)と、増感剤(D)とを、溶剤(C)に溶解させて、実施例1,2及び比較例1,2のポジ型レジスト組成物を調製した。実施例1,2及び比較例1,2のポジ型レジスト組成物における各成分の含有量を表1に示す。各成分の含有量は、ポジ型レジスト組成物の全質量に対する割合(質量%)である。
各実施例及び各比較例のポジ型レジスト組成物を、スピンナーを用いてシリコン基板に塗布した。レジスト組成物が塗布されたシリコン基板を、ホットプレート上に載置して120℃で90秒間ベークし、膜厚3μmのレジスト膜を形成した。次いで、各レジスト膜に対して、分光エリプソメーター(型番VUV−VASE(ジェー・エー・ウーラム・ジャパン株式会社製))を用いて、波長365nm(I線)、405nm(H線)、436nm(G線)付近の光をそれぞれ選択的に照射し、各光線の透過率(%)を測定した。得られた結果を表2に示す。
各実施例及び各比較例のポジ型レジスト組成物について、上述した方法と同様にして3μmのレジスト膜と8μmのレジスト膜とを形成した。次いで、I線露光機(Nikon NSR−2205i14E)により、0〜2000msecの範囲で複数の異なる露光量を設定し、各レジスト膜に波長365nm(I線)の光を照射した。各露光量におけるレジスト膜の溶解速度(nm/sec)を、溶解速度解析装置
(型番RDA−808RB(リソテックジャパン株式会社製))を用いて測定した。そして、膜厚8μmのレジスト膜における溶解速度の最大値を、膜厚3μmのレジスト膜における溶解速度の最大値で除して、各レジスト膜の溶解速度指数を算出した。この結果から、各実施例及び各比較例における抜け性を評価した。評価は、溶解速度指数が0.70以上である場合を良好(A)とし、溶解速度指数が0.70未満である場合を不良(B)とした。得られた結果を表2に示す。
ノボラック樹脂(A)と、感光剤(B)と、増感剤(D)とを、溶剤(C)に溶解させて、表3に記載の配合量で実施例3〜7及び比較例3のポジ型レジスト組成物を調製した。各成分の含有量は、ポジ型レジスト組成物の全質量に対する割合(質量%)である。
(A−2):上記式(5)で表される構造を有し(ただしm:p=60:40である。)Mwが3000である化合物(A3)
(A−3):上記化合物(A3)と、上記式(5)で表される構造を有し(ただしm:p=36:64である。)Mwが2150である化合物(A4)とが40:60(質量比)で混合された樹脂
(A−4):上記化合物(A3)と(A4)とが50:50(質量比)で混合された樹脂
(A−5):上記化合物(A3)と(A4)とが60:40(質量比)で混合された樹脂
(A−6):上記化合物(A3)と(A4)とが80:20(質量比)で混合された樹脂
各実施例及び各比較例のポジ型レジスト組成物について、上述した方法と同様にして波長365nm(I線)の透過率を測定した。得られた結果を表4に示す。
各実施例及び各比較例のポジ型レジスト組成物について、上述した方法と同様にして溶解速度指数を測定した。得られた結果を表4に示す。
各実施例及び各比較例のポジ型レジスト組成物を、Si基板上に塗布し、120℃90秒でベーク処理をし、3μm、4μm、4.5μmのレジスト膜をそれぞれ形成した。次いで、I線露光機(Nikon NSR−2205i14E)により、0〜2000msecの範囲で露光量を段階的に変更して露光を行い、2.38%TMAH水溶液を用いて90秒間現像処理を行った。露光部が完全に溶解するときの露光量を各膜厚について測定し、露光量(感度)の膜厚依存性を観測した。各膜厚における露光量の変化量が±5mJ/cm2の範囲だったものをA、±30mJ/cm2の範囲を超えたものをBとした。
Claims (6)
- ノボラック樹脂(A)と、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン骨格を有するフェノール類(B1)とキノンジアジド基含有スルホニル化合物(B2)とのエステル化合物を含む感光剤(B)と、を含有し、膜厚3μmのレジスト膜における波長365nmの光の透過率が10%以上であるポジ型レジスト組成物を太陽電池基板を含む支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に選択的に光を照射して露光する工程と、
露光後の前記レジスト膜をアルカリ溶液で現像して露光部分を除去する工程と、
を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のレジストパターンの形成方法により形成されたレジストパターンをマスクとして、太陽電池基板を含む支持体を部分的にエッチングする工程を含む、パターン形成方法。
- 請求項4に記載のパターン形成方法により形成されたパターンを含む太陽電池。
- ノボラック樹脂(A)と、
トリスヒドロキシフェニルメタン骨格を有するフェノール類(B1)とキノンジアジド基含有スルホニル化合物(B2)とのエステル化合物を含む感光剤(B)と、
を含み、
膜厚3μmのレジスト膜における波長365nmの光の透過率が10%以上であり、
太陽電池の製造に用いられることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
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