JP2013214680A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】銅欠陥の発生を低減する。
【解決手段】半導体基板上に形成された溝を有する絶縁膜上に銅膜を被着する工程と、窒素を含む雰囲気中で半導体基板を熱処理する第1の熱処理工程と、絶縁膜上の銅膜を除去して溝内に銅膜を残す工程と、水素を含む雰囲気中で半導体基板を第1の熱処理工程の温度よりも高い温度である200℃以上300℃以下の範囲の温度で熱処理する第2の熱処理工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】図3
【解決手段】半導体基板上に形成された溝を有する絶縁膜上に銅膜を被着する工程と、窒素を含む雰囲気中で半導体基板を熱処理する第1の熱処理工程と、絶縁膜上の銅膜を除去して溝内に銅膜を残す工程と、水素を含む雰囲気中で半導体基板を第1の熱処理工程の温度よりも高い温度である200℃以上300℃以下の範囲の温度で熱処理する第2の熱処理工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】図3
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
半導体配線材料には従来から使用されてきたAl配線に代わり、低抵抗かつ高マイグレーション耐性のあるCu配線が使われるようになってきている。
特許文献1(特開平9−306915号公報)には、スパッタ法で銅を堆積し、H2雰囲気下で400℃、15分間で銅を埋め込み、銅のCMP処理後に還元雰囲気下で430℃、15分間のアニールを行い、銅表面の欠陥を低減することが開示されている。
特許文献2(米国特許第6391777号明細書)には、銅メッキ後,空気中で200〜250℃、1〜2分間のアニールを行い、銅のCMP処理後、N2またはH2/N2雰囲気下で350〜450℃、25〜35分間のアニールを行う、2段階のアニールによりヒロック(銅配線の表面に突起状の構造が発生すること)を防止することが開示されている。
しかしながら、特許文献1の方法では、H2の雰囲気下、400℃、15分間のアニールはCuを埋め込むための処理であり、銅のCMP処理後に銅埋め込み時の温度よりも高温の還元雰囲気下で430℃、15分間のアニールを行うことにより、銅表面の欠陥を低減していた。このため、このアニールだけでは、銅表面の欠陥を十分に低減することは不可能であった。
特許文献2の方法で行う1回目のアニールは空気雰囲気下で行うため、銅が酸化することとなっていた。また、この方法では、2回目のアニールを350〜450℃の高温で行うため、銅配線中にボイドの発生が多くなっていた。
以上のように、従来のアニール処理では、十分に銅配線の欠陥を低減することができなかった。
一実施形態は、
半導体基板上に形成された、溝を有する絶縁膜上に銅膜を被着する工程と、
窒素を含む雰囲気中で前記半導体基板を熱処理する第1の熱処理工程と、
前記絶縁膜上の銅膜を除去して前記溝内に銅膜を残す工程と、
水素を含む雰囲気中で、前記半導体基板を前記第1の熱処理工程の温度よりも高い温度である200℃以上300℃以下の範囲の温度で熱処理する第2の熱処理工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
半導体基板上に形成された、溝を有する絶縁膜上に銅膜を被着する工程と、
窒素を含む雰囲気中で前記半導体基板を熱処理する第1の熱処理工程と、
前記絶縁膜上の銅膜を除去して前記溝内に銅膜を残す工程と、
水素を含む雰囲気中で、前記半導体基板を前記第1の熱処理工程の温度よりも高い温度である200℃以上300℃以下の範囲の温度で熱処理する第2の熱処理工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
銅欠陥の発生を低減することができる。
本発明の半導体装置の製造方法の一例では、半導体基板上に形成された、溝を有する絶縁膜上に銅配線を被着する。次に、窒素を含む雰囲気で半導体基板を熱処理する(第1の熱処理工程)。この後、絶縁膜上の銅配線を除去して溝内に銅配線を残した後、水素を含む雰囲気で、半導体基板に対して第1の熱処理工程の温度よりも高い温度である200℃以上300℃以下の範囲で熱処理を行う(第2の熱処理工程)。
上記製造方法では、特定の条件下で2段階に分けて、半導体基板に対して熱処理を行う。第1の熱処理工程では、窒素を含む雰囲気中で比較的、低い温度(例えば、200℃未満)で半導体基板に対して熱処理を行うため、銅配線の酸化によるヒロックやボイド等の銅欠陥の発生を低減することができる。また、第2の熱処理工程では、水素を含む還元性の雰囲気中で、比較的高い温度(200℃以上300℃以下)で半導体基板に対して熱処理を行うため、銅欠陥の発生を抑制することができる。
第1の熱処理工程の温度は特に限定されないが、150℃以上200℃未満であることが好ましい。これらの温度とすることによって、銅配線の酸化による劣化を効果的に抑制することができる。
第1の熱処理工程における雰囲気は、さらに水素を含むことが好ましい。還元性物質である水素を雰囲気中に含むことで、銅配線の酸化による劣化を効果的に抑制することができる。
第1の熱処理工程の時間は特に限定されないが、1分以上30分以下の間、熱処理を行うことが好ましい。また、第2の熱処理工程の時間は特に限定されないが、5分以上90分以下の間、熱処理を行うことが好ましい。第1及び第2の熱処理工程の時間がこれらの範囲内にあることによって、銅配線の配線特性を維持しつつ、ボイドやヒロックの発生を低減することができる。
第2の熱処理工程における雰囲気は、さらに窒素を含むことが好ましい。第2の熱処理工程時に、雰囲気中に水素と、化学的に安定な窒素を含むことによって、銅配線の酸化を更に効果的に抑制することができる。
また、第1及び第2の熱処理工程は、枚葉式の加熱装置又は加熱炉の何れを使用して行っても良い。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施例について詳細に説明する。なお、これらの実施例は、本発明のより一層の深い理解のために示される具体例であって、本発明は、これらの具体例に何ら限定されるものではない。
(実施例1)
図1Aに示すように、シリコン半導体基板(以下、「基板」と記載する)1の表面に、厚さが300nmの層間絶縁膜2及び厚さが200nmの第1の配線3を順次、形成した。
図1Aに示すように、シリコン半導体基板(以下、「基板」と記載する)1の表面に、厚さが300nmの層間絶縁膜2及び厚さが200nmの第1の配線3を順次、形成した。
図1Bに示すように、基板1上に、厚さが320nmのCVD酸化膜を成膜した後、CVD法により厚さが55nmのSiCN膜、厚さが25nmのSiN膜を順次、成膜した。これにより、これらの膜からなる層間絶縁膜4を形成した。リソグラフィー技術とドライエッチング技術により、層間絶縁膜4内に、第2の配線用の溝7aと、ビアホール用の溝7bからなる溝7を形成した。溝7の底部には、第1の配線3が露出した。
図2Aに示すように、溝7を含む層間絶縁膜4上の全面に、厚さが5nmの窒化チタン(TiN)膜、厚さが15nmのタンタル(Ta)膜を順次、堆積させることにより、これらの膜からなるバリア膜5を形成した。
図2Bに示すように、スパッタ法を用いて、溝7を含む層間絶縁膜4上の全面に、シード膜として50nmの銅膜6を形成した。
図3Aに示すように、メッキ法により、溝7内が埋め込まれるように、750nmの銅メッキ膜8を形成した。次に、窒素(N2)雰囲気中で、銅メッキ膜8を設けた基板1に対して1分間、165℃の熱処理を行った(第1の熱処理工程)。
図3Bに示すように、銅メッキ膜8に対してCMP処理を行い、層間絶縁膜4上の銅メッキ膜8を除去して平坦化させた。次に、水素(H2):窒素(N2)=20vol%:80vol%の雰囲気中で、銅メッキ膜8を設けた基板1に対して30分間、300℃の熱処理を行った(第2の熱処理工程)。これにより、銅ビアプラグ8bと銅配線8aを形成した。
上記のようにして形成した銅メッキ膜の電子顕微鏡写真を撮影した。この電子顕微鏡写真の所定の面積内に発生したヒロックとボイドの数をカウントしたところ、632個であった。
(比較例1)
図3Bの第2の熱処理工程における温度を400℃に設定した以外は、実施例1と同様にして、銅ビアプラグと銅配線を形成した。実施例1と同様にして、銅メッキ膜の電子顕微鏡写真の所定の面積内に発生したヒロックとボイドの数をカウントしたところ、25490個であった。
図3Bの第2の熱処理工程における温度を400℃に設定した以外は、実施例1と同様にして、銅ビアプラグと銅配線を形成した。実施例1と同様にして、銅メッキ膜の電子顕微鏡写真の所定の面積内に発生したヒロックとボイドの数をカウントしたところ、25490個であった。
実施例1及び比較例1の結果より、本発明のように、特定の条件下で2段階の熱処理工程を行うことにより、銅欠陥(ヒロックとボイド)の発生を大幅に低減できることを確認できた。
1 半導体基板
2、4 層間絶縁膜
3 第1の配線
5 バリア膜
6 シード膜
7 溝
7a 配線用の溝
7b ビアホール
8 銅メッキ膜
8a 銅配線
8b 銅ビアプラグ
2、4 層間絶縁膜
3 第1の配線
5 バリア膜
6 シード膜
7 溝
7a 配線用の溝
7b ビアホール
8 銅メッキ膜
8a 銅配線
8b 銅ビアプラグ
Claims (10)
- 半導体基板上に形成された、溝を有する絶縁膜上に銅膜を被着する工程と、
窒素を含む雰囲気中で前記半導体基板を熱処理する第1の熱処理工程と、
前記絶縁膜上の銅膜を除去して前記溝内に銅膜を残す工程と、
水素を含む雰囲気中で、前記半導体基板を前記第1の熱処理工程の温度よりも高い温度である200℃以上300℃以下の範囲の温度で熱処理する第2の熱処理工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の熱処理工程の温度は、150℃以上200℃未満であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の熱処理工程における雰囲気は、さらに水素を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1の熱処理工程の熱処理を、1分以上30分以下の間、行うことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の熱処理工程の熱処理を、5分以上90分以下の間、行うことを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の熱処理工程における雰囲気は、さらに窒素を含むことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記銅膜を被着する工程の前に更に、
前記溝を有する絶縁膜上にバリア膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記銅膜を被着する工程は、
前記溝を有する絶縁膜上にシード膜を形成する工程と、
前記シード膜上に銅メッキ膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記溝は、配線用の溝とビアホール用の溝であることを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜上の銅膜を除去して前記溝内に銅膜を残す工程は、CMP処理により、前記絶縁膜上の銅膜を除去する工程であることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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