JP2013211478A - 半導体受光素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 12
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】半導体受光素子は、InP基板10上に設けられ、n型InP層22aとp型InP層26とを含む積層構造を備えたメサ状の受光部20と、InP基板上に設けられ、受光部と同じ積層構造を含むメサ状の電極接続部30a〜30dと、電極接続部30aと受光部との間に埋め込まれた樹脂膜16と、樹脂膜上を延在して設けられ、p電極パッド40とp型InP層26とを電気的に接続させるp電極配線42及びp側配線44と、受光部における樹脂膜の下に延在したn型InP層22aとn電極パッド50とを電気的に接続させるn電極配線54及びn側配線56と、電極接続部30aにおけるn型InP層32とn型InP層22aとを電気的に分離する溝38aと、を具備し、n電極配線54及びn側配線56の下部には、延在領域全てに渡ってn型InP層22aが設けられてなる。
【選択図】図4
Description
12 レンズ
14 第1絶縁膜
16 樹脂膜
18 第2絶縁膜
20 受光部
22、22a n型InP層
24 ノンドープInGaAs層
26 p型InP層
30a〜30d 電極接続部
32 n型InP層
34 ノンドープInGaAs層
36 p型InP層
38、38a、38b 溝
40 p電極パッド
42 p電極配線
44 p側配線
50 n電極パッド
52 オーミック電極
54 n電極配線
56 n側配線
60 マスク層
Claims (4)
- 半絶縁性基板上に設けられ、第1導電型半導体層と前記第1導電型半導体層と反対導電型の第2導電型半導体層とを含む積層構造を備えたメサ状の受光部と、
前記半絶縁性基板上に設けられ、前記受光部と同じ積層構造を含むメサ状の第1電極接続部およびメサ状の第2電極接続部と、
前記第1電極接続部と前記受光部との間に埋め込まれた樹脂膜と、
前記樹脂膜上を延在して設けられ、前記第1電極接続部上の電極パッドと前記受光部における前記第2導電型半導体層とを電気的に接続させる第1配線と、
前記受光部における前記樹脂膜の下に延在した前記第1導電型半導体層と、前記第2電極接続部上の電極パッドと、を電気的に接続させる第2配線と、
前記第1電極接続部における第1導電型半導体層と前記受光部における前記第1導電型半導体層とを電気的に分離する溝と、を具備し、
前記第2配線の下部には、前記第2配線の延在領域全てに渡って前記第1導電型半導体層が設けられてなることを特徴とする半導体受光素子。 - 前記樹脂膜は、前記溝を埋め込んでなることを特徴とする請求項1記載の半導体受光素子。
- 前記溝は、前記第1電極接続部の周囲を囲んでいることを特徴とする請求項1または2記載の半導体受光素子。
- 半絶縁性基板上に、第1導電型半導体層と前記第1導電型半導体層と反対導電型の第2導電型半導体層とを含む積層構造を形成する工程と、
前記積層構造に対してエッチングを施し、メサ状の受光部、メサ状の第1電極接続部、およびメサ状の第2電極接続部を形成する工程と、
前記第1電極接続部における前記第1導電型半導体層を前記受光部における前記第1導電型半導体層から電気的に分離するパターンの開口を備え、且つ、前記第2電極接続部と前記受光部との間の領域における前記第1導電型半導体層を被覆するパターンを備えるマスク層を形成する工程と、
前記マスク層から露出した前記第1導電型半導体層をエッチングすることによって溝を形成する工程と、
一端が前記受光部における前記第1導電型半導体層に接続され、前記受光部と前記第2電極接続部との間の前記第1導電型半導体層上を延在して、前記第2電極接続部上に引き出されてなる第2配線を形成する工程と、
前記第1電極接続部と前記受光部との間に樹脂膜を埋め込む工程と、
一端が前記受光部における前記第2導電型半導体層に接続され、前記樹脂膜上を延在して、前記第1電極接続部上に引き出されてなる第1配線を形成する工程と、
前記第1電極接続部上に前記第1配線に接続される電極パッドを形成し、前記第2電極接続部上に前記第2配線に接続される電極パッドを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体受光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012081964A JP6094011B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012081964A JP6094011B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013211478A true JP2013211478A (ja) | 2013-10-10 |
JP2013211478A5 JP2013211478A5 (ja) | 2015-04-30 |
JP6094011B2 JP6094011B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=49529052
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012081964A Active JP6094011B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 半導体受光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6094011B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2020184566A (ja) * | 2019-05-07 | 2020-11-12 | 日本ルメンタム株式会社 | 半導体受光素子及び半導体受光素子の製造方法 |
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- 2012-03-30 JP JP2012081964A patent/JP6094011B2/ja active Active
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US11705528B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-07-18 | Lumentum Japan, Inc. | Semiconductor light-receiving element and manufacturing method of semiconductor light-receiving element |
JP7361490B2 (ja) | 2019-05-07 | 2023-10-16 | 日本ルメンタム株式会社 | 半導体受光素子及び半導体受光素子の製造方法 |
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