JP5897336B2 - 半導体受光装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 127
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
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- Light Receiving Elements (AREA)
Description
11 レンズ
20 受光素子
21 下部メサ
22 上部メサ
23 上部電極
24 下部電極
25 n型半導体層
26 i型半導体層
27 p型半導体層
28 コンタクト層
29 パッシベーション膜
30a〜30d ダミーメサ
31 下部メサ
32 上部メサ
33 上部電極
34 電極パッド
35 n型半導体層
36 i型半導体層
37 p型半導体層
38 パッシベーション膜
40a〜40d 引出配線
60 絶縁膜
100 半導体受光装置
Claims (4)
- メサ構造をなし、一導電型半導体領域および反対導電型半導体領域を有する受光素子と、
メサ構造を有する電極接続部と、
前記受光素子の前記メサ構造の上面における前記反対導電型半導体領域に接続された電極と、
前記受光素子と前記電極接続部との間を埋め込む樹脂膜と、
前記樹脂膜上に形成され、前記受光素子の前記電極から前記電極接続部上にまで延在する配線と、
前記電極接続部上の前記配線上に設けられた電極パッドと、を備え、
前記樹脂膜は、前記受光素子の前記メサ構造の上面周縁の領域に延在して設けられ、前記電極パッド下には延在しておらず、前記配線は前記延在した樹脂膜上に設けられてなる、半導体受光装置。 - 一導電型の半導体が、前記受光素子のメサ構造上面の周縁に設けられてなる、請求項1記載の半導体受光装置。
- 前記受光素子の前記メサ構造の側面には、意図して不純物を導入しない半導体からなるパッシベーション膜が設けられてなる、請求項1記載の半導体受光装置。
- 前記受光素子の前記メサ構造の上面における反対導電型半導体領域は、一導電型半導体領域に選択的に設けられてなる、請求項1記載の半導体受光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012001470A JP5897336B2 (ja) | 2012-01-06 | 2012-01-06 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012001470A JP5897336B2 (ja) | 2012-01-06 | 2012-01-06 | 半導体受光装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013143403A JP2013143403A (ja) | 2013-07-22 |
JP2013143403A5 JP2013143403A5 (ja) | 2015-01-15 |
JP5897336B2 true JP5897336B2 (ja) | 2016-03-30 |
Family
ID=49039833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012001470A Active JP5897336B2 (ja) | 2012-01-06 | 2012-01-06 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5897336B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01146562U (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | ||
JPH05291605A (ja) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
JP3670740B2 (ja) * | 1996-01-10 | 2005-07-13 | 日本オプネクスト株式会社 | 化合物半導体受光素子 |
JP2005129689A (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体受光素子及び光受信モジュール |
JP2011035114A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Renesas Electronics Corp | メサ型フォトダイオード及びその製造方法 |
JP5942068B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2016-06-29 | アイアールスペック株式会社 | 化合物半導体受光素子アレイ |
-
2012
- 2012-01-06 JP JP2012001470A patent/JP5897336B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013143403A (ja) | 2013-07-22 |
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