JPH01146562U - - Google Patents
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- JPH01146562U JPH01146562U JP4440588U JP4440588U JPH01146562U JP H01146562 U JPH01146562 U JP H01146562U JP 4440588 U JP4440588 U JP 4440588U JP 4440588 U JP4440588 U JP 4440588U JP H01146562 U JPH01146562 U JP H01146562U
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- JP
- Japan
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- substrate
- layer
- conductivity type
- impurity concentration
- concentration region
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Description
第１図ａ，ｂはこの考案の一実施例を示すもの
で、第１図ａは断面図、第１図ｂは上面図、第２
図はボンデイングパツドの形状・寸法を説明する
ための平面図、第３図及び第４図は変形例の断面
図、第５図は変形例の斜視図、第６図は従来例の
断面図である。 １…ｐ電極及びボンデイングパツド、２…ポリ
イミド層、３…メサエツチング領域、４…ＳｉＮ
膜、５…ｎ―ＩｎＰウインド層、６…ｐ＋領域、
７…ｎ−―ＩｎＧａＡｓ光吸収層、８…ｎ−―Ｉ
ｎＰバツフア層、９…ｎ＋―ＩｎＰ基板、１０…
ｎ電極、１１…反射防止膜、１２…ダイボンデイ
ングパツド、１３…入射光、１４…モノリシツク
レンズ、４０…フオトダイオードアレイ、４１…
平板マイクロレンズアレイ、６１…ｐ電極、６２
…ＳｉＮ膜、６３…ｐ＋領域、６４…ｎ―ＩｎＰ
ウインド層、６５…ｎ−―ＩｎＧａＡｓ光吸収層
、６６…ｎ−―ＩｎＰバツフア層、６７…ｎ＋―
ＩｎＰ基板、６８…ｎ電極。
で、第１図ａは断面図、第１図ｂは上面図、第２
図はボンデイングパツドの形状・寸法を説明する
ための平面図、第３図及び第４図は変形例の断面
図、第５図は変形例の斜視図、第６図は従来例の
断面図である。 １…ｐ電極及びボンデイングパツド、２…ポリ
イミド層、３…メサエツチング領域、４…ＳｉＮ
膜、５…ｎ―ＩｎＰウインド層、６…ｐ＋領域、
７…ｎ−―ＩｎＧａＡｓ光吸収層、８…ｎ−―Ｉ
ｎＰバツフア層、９…ｎ＋―ＩｎＰ基板、１０…
ｎ電極、１１…反射防止膜、１２…ダイボンデイ
ングパツド、１３…入射光、１４…モノリシツク
レンズ、４０…フオトダイオードアレイ、４１…
平板マイクロレンズアレイ、６１…ｐ電極、６２
…ＳｉＮ膜、６３…ｐ＋領域、６４…ｎ―ＩｎＰ
ウインド層、６５…ｎ−―ＩｎＧａＡｓ光吸収層
、６６…ｎ−―ＩｎＰバツフア層、６７…ｎ＋―
ＩｎＰ基板、６８…ｎ電極。
Claims (1)
- 一導電型の基板と、該基板の一表面上に順次結
晶成長させられた上記基板と同一導電型のバツフ
ア層、上記と同一導電型の光吸収層及びウインド
層と、上記ウインド層表面より設けられた上記と
は反対導電型の高不純物濃度領域と、該高不純物
濃度領域の周囲を囲むように上記表面側から設け
られた上記基板にまで到達する溝部と、該溝部を
埋め、且つ上記ウインド層上にも形成された比誘
電率の小さな絶縁層と、この絶縁層上に形成され
且つコンタクトホールを介して上記高不純物濃度
領域に接触する第１の電極及びボンデイングパツ
ドと、上記表面側より上記基板まで掘り下げられ
た部分において該基板に接触するように形成され
た第２の電極とからなるフオトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4440588U JPH01146562U (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4440588U JPH01146562U (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01146562U true JPH01146562U (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=31270764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4440588U Pending JPH01146562U (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01146562U (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282928A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-10-03 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトダイオード検出器及びその製造方法 |
| JP2009277942A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 受光素子アレイ |
| JP2011165848A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Hitachi Ltd | 面入射型フォトダイオード |
| JP2012227215A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体受光素子 |
| JP2013143403A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体受光装置 |
| JP2013211478A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| JP2016025095A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | 三菱電機株式会社 | 受光素子 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP4440588U patent/JPH01146562U/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003282928A (ja) * | 2002-01-08 | 2003-10-03 | Samsung Electronics Co Ltd | フォトダイオード検出器及びその製造方法 |
| JP2009277942A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 受光素子アレイ |
| JP2011165848A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Hitachi Ltd | 面入射型フォトダイオード |
| JP2012227215A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体受光素子 |
| JP2013143403A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体受光装置 |
| JP2013211478A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体受光素子及びその製造方法 |
| JP2016025095A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | 三菱電機株式会社 | 受光素子 |
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