JP2003282928A - フォトダイオード検出器及びその製造方法 - Google Patents
フォトダイオード検出器及びその製造方法Info
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
(57)【要約】
【課題】フォトダイオード検出器及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】フォトダイオード検出器は、ＩｎＰ基板
と、ＩｎＰ基板上に成長して積層されるｕ-Ｉｎ
０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層と、ｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ
０． ４７Ａｓ層の上部に積層されるｕ-ＩｎＰ層と、ｕ-
ＩｎＰ層の上部に積層されるＳｉＮｘ絶縁層と、ＳｉＮ
ｘ絶縁層の上部に追加して積層される絶縁層と、絶縁層
とＳｉＮｘ絶縁層との間の所定の位置に開口部を形成
し、開口部の下のｕ-ＩｎＰ層部分にＺｎ拡散を遂行す
ることによって形成されるＰ-ＩｎＰ層と、絶縁層の上
部に位置するＰ-金属層と、ＩｎＰ基板の下部に無反射
層とともに形成されるＮ-金属層と、から構成される。
供する。 【解決手段】フォトダイオード検出器は、ＩｎＰ基板
と、ＩｎＰ基板上に成長して積層されるｕ-Ｉｎ
０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層と、ｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ
０． ４７Ａｓ層の上部に積層されるｕ-ＩｎＰ層と、ｕ-
ＩｎＰ層の上部に積層されるＳｉＮｘ絶縁層と、ＳｉＮ
ｘ絶縁層の上部に追加して積層される絶縁層と、絶縁層
とＳｉＮｘ絶縁層との間の所定の位置に開口部を形成
し、開口部の下のｕ-ＩｎＰ層部分にＺｎ拡散を遂行す
ることによって形成されるＰ-ＩｎＰ層と、絶縁層の上
部に位置するＰ-金属層と、ＩｎＰ基板の下部に無反射
層とともに形成されるＮ-金属層と、から構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトダイオード
検出器(photodiode detector)に関し、特に、光通信シ
ステムにおいて受信する光を電気信号に変換するフォト
ダイオード検出器に関する。
検出器(photodiode detector)に関し、特に、光通信シ
ステムにおいて受信する光を電気信号に変換するフォト
ダイオード検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光電子集積回路に利用されるＩｎＧａＡ
ｓ／ＩｎＰ系のフォトダイオード検出器は、１．３μｍ
乃至１．５μｍの長波長領域で信号伝送手段として有用
に応用されている。光通信の発達は、単位秒当たりのデ
ータ伝送速度が速くなるにつれて急速に成長しており、
帯域幅(bandwidth)、雑音(noise)特性などが改善されて
きている。光通信システムにおいて、帯域幅は、伝送さ
れた最大信号の中間地点で測定される波長(Ｈｚ)として
定義されるが、このような帯域幅はキャパシタンス(cap
acitance)及び抵抗(resistance)の影響を受ける。全て
の素子が極小化する傾向にあるので、抵抗が帯域幅に与
える影響は無視することができる。このため、キャパシ
タンスが伝送速度に影響を与える重大な要因となってい
る。
ｓ／ＩｎＰ系のフォトダイオード検出器は、１．３μｍ
乃至１．５μｍの長波長領域で信号伝送手段として有用
に応用されている。光通信の発達は、単位秒当たりのデ
ータ伝送速度が速くなるにつれて急速に成長しており、
帯域幅(bandwidth)、雑音(noise)特性などが改善されて
きている。光通信システムにおいて、帯域幅は、伝送さ
れた最大信号の中間地点で測定される波長(Ｈｚ)として
定義されるが、このような帯域幅はキャパシタンス(cap
acitance)及び抵抗(resistance)の影響を受ける。全て
の素子が極小化する傾向にあるので、抵抗が帯域幅に与
える影響は無視することができる。このため、キャパシ
タンスが伝送速度に影響を与える重大な要因となってい
る。
【０００３】図１は、従来技術の一実施形態によるフォ
トダイオード検出器の垂直断面図であり、特に、メサ(m
esa)構造のフォトダイオード検出器を示す。
トダイオード検出器の垂直断面図であり、特に、メサ(m
esa)構造のフォトダイオード検出器を示す。
【０００４】図１に示すように、従来のフォトダイオー
ド検出器は、ＩｎＰ基板３、ｕ-ＩｎＧａＡｓ吸水層２
及びＰ-ＩｎＰ層１が順次に積層されており、ＳｉＮｘ
膜４を利用して絶縁している。ＳｉＮｘ膜４を形成する
ために、Ｐ-ＩｎＰ層１及びｕ-ＩｎＧａＡｓ吸水層２
は、その一部分がエッチングによって除去される。ま
た、Ｐ-ＩｎＰ層１の上部には、Ｐ-金属層５が積層され
ており、ＩｎＰ基板３の下部には、ＳｉＮｘ無反射層７
とともにＮ-金属層６が蒸着されている。
ド検出器は、ＩｎＰ基板３、ｕ-ＩｎＧａＡｓ吸水層２
及びＰ-ＩｎＰ層１が順次に積層されており、ＳｉＮｘ
膜４を利用して絶縁している。ＳｉＮｘ膜４を形成する
ために、Ｐ-ＩｎＰ層１及びｕ-ＩｎＧａＡｓ吸水層２
は、その一部分がエッチングによって除去される。ま
た、Ｐ-ＩｎＰ層１の上部には、Ｐ-金属層５が積層され
ており、ＩｎＰ基板３の下部には、ＳｉＮｘ無反射層７
とともにＮ-金属層６が蒸着されている。
【０００５】前述のメサ構造は、拡散工程が遂行されな
いで単結晶成長時にＰ-ＩｎＰ層を成長させるので、工
程が単純であるという長所がある。しかし、Ｐ-ＩｎＰ
層及びｕ-ＩｎＧａＡｓ層は、エッチング工程(etching
process)の途中で大気中に露出されて、絶縁膜であるＳ
ｉＮｘと接合される。この場合、小さなエネルギーバン
ドギャップ(energy band gap)を有するＩｎＧａＡｓ膜
が利用されると、漏れ電流が増加するのでフォトダイオ
ード検出器の信頼性が低下するという問題点が発生す
る。
いで単結晶成長時にＰ-ＩｎＰ層を成長させるので、工
程が単純であるという長所がある。しかし、Ｐ-ＩｎＰ
層及びｕ-ＩｎＧａＡｓ層は、エッチング工程(etching
process)の途中で大気中に露出されて、絶縁膜であるＳ
ｉＮｘと接合される。この場合、小さなエネルギーバン
ドギャップ(energy band gap)を有するＩｎＧａＡｓ膜
が利用されると、漏れ電流が増加するのでフォトダイオ
ード検出器の信頼性が低下するという問題点が発生す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、発明の目的
は、メサ構造の短所である漏れ電流を最大限に抑制する
ために、ダイオードの単結晶をエッチングしないフォト
ダイオード検出器及びその製造方法を提供することにあ
る。
は、メサ構造の短所である漏れ電流を最大限に抑制する
ために、ダイオードの単結晶をエッチングしないフォト
ダイオード検出器及びその製造方法を提供することにあ
る。
【０００７】本発明の他の目的は、高速信号を受信でき
る平坦型フォトダイオード検出器及びその製造方法を提
供することにある。
る平坦型フォトダイオード検出器及びその製造方法を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明のフォトダイオード検出器は、ＩｎＰ基
板と、ＩｎＰ基板上に成長して積層されるｕ-Ｉｎ
０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層と、ｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ
０．４７Ａｓ層の上部に積層されるｕ-ＩｎＰ層と、ｕ-
ＩｎＰ層の上部に積層されるＳｉＮｘ絶縁層と、ＳｉＮ
ｘ絶縁層の上部に追加して積層される絶縁層と、絶縁層
とＳｉＮｘ絶縁層との間の所定位置に開口部を形成し、
この開口部下のｕ-ＩｎＰ層部分にＺｎ拡散を遂行する
ことによって形成されるＰ-ＩｎＰ層と、絶縁層の上部
に位置するＰ-金属層と、ＩｎＰ基板の下部に無反射層
とともに形成されるＮ-金属層と、から構成される。
るための本発明のフォトダイオード検出器は、ＩｎＰ基
板と、ＩｎＰ基板上に成長して積層されるｕ-Ｉｎ
０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層と、ｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ
０．４７Ａｓ層の上部に積層されるｕ-ＩｎＰ層と、ｕ-
ＩｎＰ層の上部に積層されるＳｉＮｘ絶縁層と、ＳｉＮ
ｘ絶縁層の上部に追加して積層される絶縁層と、絶縁層
とＳｉＮｘ絶縁層との間の所定位置に開口部を形成し、
この開口部下のｕ-ＩｎＰ層部分にＺｎ拡散を遂行する
ことによって形成されるＰ-ＩｎＰ層と、絶縁層の上部
に位置するＰ-金属層と、ＩｎＰ基板の下部に無反射層
とともに形成されるＮ-金属層と、から構成される。
【０００９】この検出器でＳｉＮｘ絶縁層の上部に積層
される絶縁層は、相対的に低い誘電常数を有し、誘電膜
の厚さを厚くする性質を有するＢＣＢ系列の物質によっ
て形成されるようにするとよい。
される絶縁層は、相対的に低い誘電常数を有し、誘電膜
の厚さを厚くする性質を有するＢＣＢ系列の物質によっ
て形成されるようにするとよい。
【００１０】また、本発明ではフォトダイオード検出器
の製造方法をも提案する。すなわち、この製造方法は、
ＩｎＰ基板上にｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層を
成長させて積層する段階と、ｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ０．
４７Ａｓ層の上部にｕ-ＩｎＰ層を成長させて積層する
段階と、ｕ-ＩｎＰ層の上部にＳｉＮｘ絶縁層を蒸着す
る段階と、ＳｉＮｘ絶縁層の上部に所定の絶縁層を形成
する段階と、絶縁層とＳｉＮｘ絶縁層との間の所定位置
に開口部を形成し、開口部下のｕ-ＩｎＰ層部分にＺｎ
拡散を遂行することによってＰ-ＩｎＰ層を形成する段
階と、ＩｎＰ基板の下部に無反射層とともにＮ-金属層
を形成する段階と、を含むことを特徴とする。
の製造方法をも提案する。すなわち、この製造方法は、
ＩｎＰ基板上にｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層を
成長させて積層する段階と、ｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ０．
４７Ａｓ層の上部にｕ-ＩｎＰ層を成長させて積層する
段階と、ｕ-ＩｎＰ層の上部にＳｉＮｘ絶縁層を蒸着す
る段階と、ＳｉＮｘ絶縁層の上部に所定の絶縁層を形成
する段階と、絶縁層とＳｉＮｘ絶縁層との間の所定位置
に開口部を形成し、開口部下のｕ-ＩｎＰ層部分にＺｎ
拡散を遂行することによってＰ-ＩｎＰ層を形成する段
階と、ＩｎＰ基板の下部に無反射層とともにＮ-金属層
を形成する段階と、を含むことを特徴とする。
【００１１】この製造方法におけるＳｉＮｘ絶縁層の上
部に積層される絶縁層は、相対的に低い誘電常数を有
し、誘電膜の厚さを厚く形成する性質を有するＢＣＢ系
列の物質によって形成されると好ましい。
部に積層される絶縁層は、相対的に低い誘電常数を有
し、誘電膜の厚さを厚く形成する性質を有するＢＣＢ系
列の物質によって形成されると好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に従う好適な実施形
態について添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記の
説明において、本発明の要旨のみを明確にする目的で、
関連した公知機能または構成に関する具体的な説明は省
略する。
態について添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記の
説明において、本発明の要旨のみを明確にする目的で、
関連した公知機能または構成に関する具体的な説明は省
略する。
【００１３】図１に示す従来のフォトダイオード検出器
は、表面に不連続区間が形成され、このメサ構造のフォ
トダイオード検出器を製造するためには、エッチング過
程が要求される。しかしながら、図１に示すような突出
部分または凹部分を形成するためのエッチング溶液(etc
hing solution)を制御することは非常に困難で、さら
に、フォトダイオード検出器表面の不連続区間、特に、
突出部分は、損傷しやすくなるなど、工程安定性が低下
する。
は、表面に不連続区間が形成され、このメサ構造のフォ
トダイオード検出器を製造するためには、エッチング過
程が要求される。しかしながら、図１に示すような突出
部分または凹部分を形成するためのエッチング溶液(etc
hing solution)を制御することは非常に困難で、さら
に、フォトダイオード検出器表面の不連続区間、特に、
突出部分は、損傷しやすくなるなど、工程安定性が低下
する。
【００１４】本発明による平坦型フォトダイオード検出
器の製造方法においては、エッチング工程が不要であ
り、フォトダイオード検出器の表面が均一であるので、
工程安定性を向上させることができるようになる。
器の製造方法においては、エッチング工程が不要であ
り、フォトダイオード検出器の表面が均一であるので、
工程安定性を向上させることができるようになる。
【００１５】図２は、本発明の好適な一実施形態による
フォトダイオード検出器の垂直断面図であり、ＩｎＰ基
板２１上にｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層２２を
成長させた後、ｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層２
２の上部にｕ-ＩｎＰ層２３を成長させる。その後、ｕ-
ＩｎＰ層２３の上部にＳｉＮｘ絶縁層２５をＰＥＣＶＤ
(plasma-enhanced chemical vapor deposition)によっ
て蒸着した後、フォトリソグラフィ(photolithography)
技法によってｕ-ＩｎＰ層２３の選択面にＺｎ拡散を遂
行することでＰ-ＩｎＰ層２４を形成する。そして、素
子の通電性を確保するために所定の金属膜２７を形成す
る。次に、ＳｉＮｘ絶縁層２５の上部に所定の追加絶縁
層２６を積層する。追加絶縁層２６は、工程安定性を有
し、且つ、湿気に対する耐性を有する物質、例えば、Ｂ
ＣＢ(Benzocyclobutene)系列の物質を使用することがで
きる。
フォトダイオード検出器の垂直断面図であり、ＩｎＰ基
板２１上にｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層２２を
成長させた後、ｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層２
２の上部にｕ-ＩｎＰ層２３を成長させる。その後、ｕ-
ＩｎＰ層２３の上部にＳｉＮｘ絶縁層２５をＰＥＣＶＤ
(plasma-enhanced chemical vapor deposition)によっ
て蒸着した後、フォトリソグラフィ(photolithography)
技法によってｕ-ＩｎＰ層２３の選択面にＺｎ拡散を遂
行することでＰ-ＩｎＰ層２４を形成する。そして、素
子の通電性を確保するために所定の金属膜２７を形成す
る。次に、ＳｉＮｘ絶縁層２５の上部に所定の追加絶縁
層２６を積層する。追加絶縁層２６は、工程安定性を有
し、且つ、湿気に対する耐性を有する物質、例えば、Ｂ
ＣＢ(Benzocyclobutene)系列の物質を使用することがで
きる。
【００１６】その後、追加絶縁層２６とＳｉＮｘ絶縁層
２５との間の所定位置にフォトリソグラフィ(photolith
ography)技法を利用して金属膜２７まで開口部を形成
し、さらに、フォトリソグラフィ工程を利用してワイヤ
ーボンディング(wire bonding)ができるパッド(Ｐ-金属
層)２８を形成する。次に、ＩｎＰ基板２１の下部にウ
エハーの加工性のためにシニング(thinning)工程を遂行
した後、無反射コーティングを施してＳｉＮｘ無反射層
３０を設け、フォトリソグラフィ技法を通してＮ-金属
層２９を形成する。
２５との間の所定位置にフォトリソグラフィ(photolith
ography)技法を利用して金属膜２７まで開口部を形成
し、さらに、フォトリソグラフィ工程を利用してワイヤ
ーボンディング(wire bonding)ができるパッド(Ｐ-金属
層)２８を形成する。次に、ＩｎＰ基板２１の下部にウ
エハーの加工性のためにシニング(thinning)工程を遂行
した後、無反射コーティングを施してＳｉＮｘ無反射層
３０を設け、フォトリソグラフィ技法を通してＮ-金属
層２９を形成する。
【００１７】本発明は、既存の平坦型検出器の構造を採
用しつつ、高速信号の伝送を可能にする。これを達成す
るため受光面積(light reception area)(Ｐ-ＩｎＰ)を
小さくしながら検出した信号を回路に伝達することので
きる正極(positive electrode)を形成する必要がある。
このためＳｉＮｘ絶縁層２５における膜の誘電常数より
も小さい誘電常数を有する物質をパッド(Ｐ-金属層)２
８の下に形成し誘電(dielectric)膜として使用すること
により低い静電容量を得ることができるようになる。
用しつつ、高速信号の伝送を可能にする。これを達成す
るため受光面積(light reception area)(Ｐ-ＩｎＰ)を
小さくしながら検出した信号を回路に伝達することので
きる正極(positive electrode)を形成する必要がある。
このためＳｉＮｘ絶縁層２５における膜の誘電常数より
も小さい誘電常数を有する物質をパッド(Ｐ-金属層)２
８の下に形成し誘電(dielectric)膜として使用すること
により低い静電容量を得ることができるようになる。
【００１８】一般的に、静電容量(capacitance)は、数
式１によって表現することができる。
式１によって表現することができる。
【数１】
ここで、Ｃは静電容量、εは誘電常数、Ａは活性面積、
ｄは誘電膜の厚さを示す。
ｄは誘電膜の厚さを示す。
【００１９】数式１によると、誘電常数εを小さくする
か、活性面積を減少するか、または、厚さｄを厚くする
と、静電容量Ｃが減少することが分かる。従って、Ｓｉ
Ｎｘ膜の上部に、誘電常数が小さく、且つ、誘電膜の厚
さを相対的に厚く形成する物質を使用するようにすれば
よく、本発明においてはＢＣＢ(Benzocyclobutene)系列
の物質を使用する。
か、活性面積を減少するか、または、厚さｄを厚くする
と、静電容量Ｃが減少することが分かる。従って、Ｓｉ
Ｎｘ膜の上部に、誘電常数が小さく、且つ、誘電膜の厚
さを相対的に厚く形成する物質を使用するようにすれば
よく、本発明においてはＢＣＢ(Benzocyclobutene)系列
の物質を使用する。
【００２０】ＢＣＢ物質２６は、相対的に低い誘電常数
(low dielectric constant)を有し、低い高速発進損失
率(low loss at high frequency)、優れた耐湿性(low m
oisture absorption)、低い工程温度(low cure tempera
ture)、高い平坦度(high degree of planarization)、
優れた熱的安定性(good thermal stability)及び優れた
化学的抵抗(excellent chemical resistance)などの特
性を有する物質として知られている。従って、本発明で
はＳｉＮｘ絶縁層２５の上部に積層される物質２６は、
相対的に低い誘電常数を有するとともに、厚さを厚く形
成することのできるＢＣＢ系列の物質２６を使用するよ
うになる。
(low dielectric constant)を有し、低い高速発進損失
率(low loss at high frequency)、優れた耐湿性(low m
oisture absorption)、低い工程温度(low cure tempera
ture)、高い平坦度(high degree of planarization)、
優れた熱的安定性(good thermal stability)及び優れた
化学的抵抗(excellent chemical resistance)などの特
性を有する物質として知られている。従って、本発明で
はＳｉＮｘ絶縁層２５の上部に積層される物質２６は、
相対的に低い誘電常数を有するとともに、厚さを厚く形
成することのできるＢＣＢ系列の物質２６を使用するよ
うになる。
【００２１】図３は、本発明によるＢＣＢ物質として追
加的に絶縁層を形成した時の入出力比(INPUT-OUTPUT RA
TIO[ｄＢ])と周波数(FREQUENCY[ＧＨｚ])との関係を示
すグラフであり、入出力比は、入力された光パワー対出
力パワー比を示す。
加的に絶縁層を形成した時の入出力比(INPUT-OUTPUT RA
TIO[ｄＢ])と周波数(FREQUENCY[ＧＨｚ])との関係を示
すグラフであり、入出力比は、入力された光パワー対出
力パワー比を示す。
【００２２】一般的に、１０ＧＨｚ級の検出器から要求
される静電容量は、０．２ｐＦ程度であるが、本発明の
ようにＢＣＢ物質を使用して追加絶縁層を形成する場合
には、０．２ｐＦより小さい０．１３ｐＦの静電容量を
得ることができ、最大１７．５ＧＨｚ以上まで作動する
検出器を製作することができるようになる。
される静電容量は、０．２ｐＦ程度であるが、本発明の
ようにＢＣＢ物質を使用して追加絶縁層を形成する場合
には、０．２ｐＦより小さい０．１３ｐＦの静電容量を
得ることができ、最大１７．５ＧＨｚ以上まで作動する
検出器を製作することができるようになる。
【００２３】前述の如く、本発明の詳細な説明では具体
的な一実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発
明の範囲は前述の一実施形態に限られるべきではなく、
本発明の範囲内で様々な変形が可能であるということ
は、当該技術分野における通常の知識を持つ者には明ら
かである。
的な一実施形態を参照して詳細に説明してきたが、本発
明の範囲は前述の一実施形態に限られるべきではなく、
本発明の範囲内で様々な変形が可能であるということ
は、当該技術分野における通常の知識を持つ者には明ら
かである。
【００２４】
【発明の効果】本発明によるフォトダイオード検出器
は、ＳｉＮｘ絶縁層の上部に低誘電率のＢＣＢ物質を比
較的に厚く形成することによって、所望する静電容量を
得ることができるようになる。従って、本発明によるフ
ォトダイオード検出器は、平坦型検出器構造を依然とし
て使用しながら高速動作することができる構成となり、
従来のメサ構造のフォトダイオード検出器の単結晶エッ
チング過程が不要になるといった有利な効果がある。
は、ＳｉＮｘ絶縁層の上部に低誘電率のＢＣＢ物質を比
較的に厚く形成することによって、所望する静電容量を
得ることができるようになる。従って、本発明によるフ
ォトダイオード検出器は、平坦型検出器構造を依然とし
て使用しながら高速動作することができる構成となり、
従来のメサ構造のフォトダイオード検出器の単結晶エッ
チング過程が不要になるといった有利な効果がある。
【図１】 従来技術の一実施形態によるフォトダイオー
ド検出器の垂直断面図。
ド検出器の垂直断面図。
【図２】 本発明の好適な一実施形態によるフォトダイ
オード検出器の垂直断面図。
オード検出器の垂直断面図。
【図３】 本発明によるＢＣＢ物質によって追加絶縁層
を形成した場合の入出力比(ｄＢ)対周波数(ＧＨｚ)の関
係を示すグラフ。
を形成した場合の入出力比(ｄＢ)対周波数(ＧＨｚ)の関
係を示すグラフ。
２１ ＩｎＰ基板
２２ ｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層
２３ ｕ-ＩｎＰ層
２４ Ｐ-ＩｎＰ層
２５ ＳｉＮｘ絶縁層
２６ 追加絶縁層
２７ 金属膜
２８ パッド（Ｐ-金属層）
２９ Ｎ-金属層
３０ ＳｉＮｘ無反射層
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩｎＰ基板と、 前記ＩｎＰ基板上に成長して積層されるｕ-Ｉｎ
０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層と、 前記ｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層の上部に積層
されるｕ-ＩｎＰ層と、 前記ｕ-ＩｎＰ層の上部に積層されるＳｉＮｘ絶縁層
と、 前記ＳｉＮｘ絶縁層の上部に追加して積層される絶縁層
と、 前記絶縁層と前記ＳｉＮｘ絶縁層との間の所定位置に開
口部を形成し、前記開口部下のｕ-ＩｎＰ層部分にＺｎ
拡散を遂行することによって形成されるＰ-ＩｎＰ層
と、 前記絶縁層の上部に位置するＰ-金属層と、 前記ＩｎＰ基板の下部に無反射層とともに形成されるＮ
-金属層と、から構成されることを特徴とするフォトダ
イオード検出器。 - 【請求項２】 前記ＳｉＮｘ絶縁層の上部に積層される
絶縁層は、低い誘電常数を有し、誘電膜の厚さを厚くす
る性質を有するＢＣＢ系列の物質によって形成される請
求項１記載のフォトダイオード検出器。 - 【請求項３】 ＩｎＰ基板上にｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ
０．４７Ａｓ層を成長させて積層する段階と、 前記ｕ-Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ層の上部にｕ-Ｉ
ｎＰ層を成長させて積層する段階と、 前記ｕ-ＩｎＰ層の上部にＳｉＮｘ絶縁層を蒸着する段
階と、 前記ＳｉＮｘ絶縁層の上部に絶縁層を形成する段階と、 前記絶縁層と前記ＳｉＮｘ絶縁層との間の所定位置に開
口部を形成し、前記開口部下のｕ-ＩｎＰ層部分にＺｎ
拡散を遂行することによってＰ-ＩｎＰ層を形成する段
階と、 前記ＩｎＰ基板の下部に無反射層とともにＮ-金属層を
形成する段階と、を含むことを特徴とするフォトダイオ
ード検出器の製造方法。 - 【請求項４】 前記ＳｉＮｘ絶縁層の上部に積層される
絶縁層は、低い誘電常数を有し、誘電膜の厚さを厚く形
成する性質を有するＢＣＢ系列の物質によって形成され
る請求項３記載のフォトダイオード検出器の製造方法。
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|---|---|---|---|
| KR2002-958 | 2002-01-08 | ||
| KR10-2002-0000958A KR100464367B1 (ko) | 2002-01-08 | 2002-01-08 | 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003282928A true JP2003282928A (ja) | 2003-10-03 |
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ID=19718263
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP (1) | JP2003282928A (ja) |
| KR (1) | KR100464367B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US20070066762A1 (en) * | 2005-09-22 | 2007-03-22 | Acosta Erick J | Triazole-containing fluorinated polymers |
| US9087926B2 (en) * | 2009-12-23 | 2015-07-21 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Low capacitance semiconductor device |
| CN109738792B (zh) * | 2018-12-16 | 2020-06-12 | 深圳先进技术研究院 | SiPM阵列的信号读出方法、装置及SiPM阵列模块 |
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| JPH07142759A (ja) * | 1993-11-18 | 1995-06-02 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体受光素子 |
| JP2001267622A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-09-28 | Lucent Technol Inc | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
| JP2001308306A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその駆動方法 |
Family Cites Families (9)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0258878A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Nec Corp | 半導体受光素子アレイ |
| US5114866A (en) * | 1989-02-10 | 1992-05-19 | Hitachi, Ltd. | Fabricating an avalanche photo diode having a step-like distribution |
| JP2952906B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1999-09-27 | 株式会社島津製作所 | フォトダイオード |
| JPH04111478A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
| JPH0621503A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光検出装置とその製造方法 |
| KR970024322A (ko) * | 1995-10-13 | 1997-05-30 | 김주용 | 포토 다이오드 및 그 제조방법 |
| JP3031238B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2000-04-10 | 日本電気株式会社 | 半導体受光素子 |
| EP1138726B1 (en) * | 2000-03-27 | 2005-01-12 | Shipley Company LLC | Polymer remover |
| US20030047791A1 (en) * | 2001-09-13 | 2003-03-13 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Optoelectronic device doped to augment an optical power threshold for bandwidth collapse and a method of manufacture therefor |
-
2002
- 2002-01-08 KR KR10-2002-0000958A patent/KR100464367B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-12-10 US US10/315,586 patent/US6780532B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-06 JP JP2003000234A patent/JP2003282928A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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|---|---|
| US20030129781A1 (en) | 2003-07-10 |
| KR20030060309A (ko) | 2003-07-16 |
| KR100464367B1 (ko) | 2005-01-03 |
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