JP5822332B2 - 半導体受光素子および半導体受光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
12 ノンドープInGaAs層
14 p型InP層
16 受光部
20a ダミーメサ部
20b ダミーメサ部
22 p電極パッド
24 n電極パッド
26 第1絶縁膜
28 樹脂膜
30 第2絶縁膜
32 p電極
33 p側配線
34 オーミック電極
36 n側配線
38 開口
40 レンズ
42 配線
46 配線
100 半導体受光素子
200 半導体受光素子
Claims (5)
- 半導体基板上に設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなる受光部と、
前記半導体基板上に前記受光部に隣接して設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなる電極接続部と、
前記受光部の側面、前記電極接続部の側面、および前記受光部と前記電極接続部との間の前記半導体基板を覆う第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上の前記受光部と前記電極接続部との間を埋め込む樹脂膜と、
前記受光部の上面と直接接し、かつ前記樹脂膜を覆い、前記受光部の上面に設けられた前記第1絶縁膜が除去された領域に設けられた第2絶縁膜と、を備えることを特徴とする半導体受光素子。 - 前記電極接続部の上面に設けられた電極パッドと、
前記電極パッドと前記受光部の上面との間を電気的に接続する配線と、を備えることを特徴とする請求項1記載の半導体受光素子。 - 前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜とは同じ材料からなることを特徴とする請求項1または2記載の半導体受光素子。
- 前記第1絶縁膜と前記第2絶縁膜とは窒化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜のうちのいずれかによって構成されてなることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の半導体受光素子。
- 半導体基板上に設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなる受光部の側面と、前記半導体基板上に前記受光部に隣接して設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなる電極接続部の側面と、前記受光部と前記電極接続部との間の前記半導体基板と、を覆う第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜上であって、前記受光部と前記電極接続部との間に樹脂膜を埋め込む工程と、
前記受光部の上面に形成された前記第1絶縁膜が除去された領域で前記受光部の上面と直接接し、かつ前記樹脂膜を覆う第2絶縁膜を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体受光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011091119A JP5822332B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | 半導体受光素子および半導体受光素子の製造方法 |
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Publications (2)
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JP2012227215A JP2012227215A (ja) | 2012-11-15 |
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JP2011091119A Active JP5822332B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-04-15 | 半導体受光素子および半導体受光素子の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5822332B2 (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6342166A (ja) * | 1986-08-07 | 1988-02-23 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JPS6469059A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Matsushita Electronics Corp | Integrated photodetector |
JPH01146562U (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | ||
JPH03171677A (ja) * | 1989-11-29 | 1991-07-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光集積回路及びその製造方法 |
JP2005129776A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体受光素子 |
JP4409484B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2010-02-03 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2006269891A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Victor Co Of Japan Ltd | 集積化受光素子の製造方法 |
-
2011
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012227215A (ja) | 2012-11-15 |
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