JP2006269891A - 集積化受光素子の製造方法 - Google Patents
集積化受光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006269891A JP2006269891A JP2005088060A JP2005088060A JP2006269891A JP 2006269891 A JP2006269891 A JP 2006269891A JP 2005088060 A JP2005088060 A JP 2005088060A JP 2005088060 A JP2005088060 A JP 2005088060A JP 2006269891 A JP2006269891 A JP 2006269891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light receiving
- receiving element
- insulating layer
- region
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【課題】 受光素子部の受光感度がばらつくことなく、また、良好な受光感度が得られる集積化受光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板1に受光素子部CとMOSトランジスタ部Dとを集積化した集積化受光素子20の製造方法において、受光部11上の絶縁層5aを除去する前に、受光素子部Cの受光素子10a,10bのpn接合部を完全に覆うように多結晶シリコン層12を形成する。また、受光部11上の絶縁層5aを除去した後に反射防止膜17を形成する。
【選択図】 図6
【解決手段】 半導体基板1に受光素子部CとMOSトランジスタ部Dとを集積化した集積化受光素子20の製造方法において、受光部11上の絶縁層5aを除去する前に、受光素子部Cの受光素子10a,10bのpn接合部を完全に覆うように多結晶シリコン層12を形成する。また、受光部11上の絶縁層5aを除去した後に反射防止膜17を形成する。
【選択図】 図6
Description
本発明は、DVD等の光デイスクに対して記録/再生を行う光ディスク装置の光ピックアップに用いられ、受光素子部とMOSトランジスタ部とを1チップに集積した、集積化受光素子の製造方法に関する。
DVD(Digital Versatile Disk),CD(Compact Disk)等の光ディスクに対して記録/再生を行う光ディスク装置の光ピックアップの受光素子として用いられ、受光素子部とこの受光素子部を駆動するMOSトランジスタ部とを集積化した集積化受光素子は、高速動作が可能であり、S/N比(情報信号/雑音信号)比が向上するなどの利点があることから活発に開発が行われている。
このような集積化受光素子の製造方法の一例が、特許文献1に記載されている。
このような集積化受光素子の製造方法の一例が、特許文献1に記載されている。
図7〜図9を用いて、従来の集積化受光素子の1例である特許文献1に記載の集積化受光素子の製造方法について説明する。図7は、その集積化受光素子の製造方法における第1工程を説明するための断面模式図である。図8は、その集積化受光素子の製造方法における第2工程を説明するための断面模式図である。図9は、その集積化受光素子の製造方法における第3工程を説明するための断面模式図であり、従来の集積化受光素子の構造例を示す断面模式図である。
(第1工程)[図7参照]
半導体基板21表面に、所定の間隔を有して、3つのフィールド酸化膜22a,22b,22cを形成し、これらのフィールド酸化膜22a,22b,22c間に位置する第1領域E及び第2領域Fの表面に絶縁層23a,23bを形成する。
第1領域Eにおける半導体基板21の表面近傍部に第1拡散層24a及び第2拡散層24bを形成し、第2領域Fにおける半導体基板21の表面近傍部に第3拡散層24c及び第4拡散層24dをそれぞれ互いに隔離して形成する。
その後、これらの拡散層24a,24b,24c,24dを活性化するために熱処理炉中で熱処理を行う。この熱処理により、第1領域Eは、第1拡散層24a及び第2拡散層24bと、これらの拡散層24a,24bに隣接する半導体基板21部とによってpn接合が形成された受光素子25a,25b及び受光部26を有する受光素子部Gとなる。
次に、第2領域Fにおける絶縁層23bの表面にゲート27を形成し、第1領域Eにおける絶縁層23a表面を覆うように多結晶シリコン層28を形成する。
第2領域Fは、上述の第1拡散層24c、第2拡散層24d、及びゲート27を有するMOSトランジスタ部Hとなる。
半導体基板21表面に、所定の間隔を有して、3つのフィールド酸化膜22a,22b,22cを形成し、これらのフィールド酸化膜22a,22b,22c間に位置する第1領域E及び第2領域Fの表面に絶縁層23a,23bを形成する。
第1領域Eにおける半導体基板21の表面近傍部に第1拡散層24a及び第2拡散層24bを形成し、第2領域Fにおける半導体基板21の表面近傍部に第3拡散層24c及び第4拡散層24dをそれぞれ互いに隔離して形成する。
その後、これらの拡散層24a,24b,24c,24dを活性化するために熱処理炉中で熱処理を行う。この熱処理により、第1領域Eは、第1拡散層24a及び第2拡散層24bと、これらの拡散層24a,24bに隣接する半導体基板21部とによってpn接合が形成された受光素子25a,25b及び受光部26を有する受光素子部Gとなる。
次に、第2領域Fにおける絶縁層23bの表面にゲート27を形成し、第1領域Eにおける絶縁層23a表面を覆うように多結晶シリコン層28を形成する。
第2領域Fは、上述の第1拡散層24c、第2拡散層24d、及びゲート27を有するMOSトランジスタ部Hとなる。
(第2工程)[図8参照]
多結晶シリコン層28、フィールド酸化膜22a,22b,22c、及びMOSトランジスタ部Hの表面に、層間絶縁層29を形成する。フォトリソ法によりレジストマスク30を受光素子部Gに相当する領域以外の層間絶縁層29表面に形成し、その後、受光素子部G上の層間絶縁層29を除去する。
(第3工程)[図9参照]
多結晶シリコン層28を除去後、レジストマスク30を除去する。次に、受光素子部G及び層間絶縁層29を覆うように反射防止膜31を形成する。
上述の工程により、同一の半導体基板21上に、受光素子部GとMOSトランジスタ部Hとを集積化した集積化受光素子40を得る。
特許第3506314号公報
多結晶シリコン層28、フィールド酸化膜22a,22b,22c、及びMOSトランジスタ部Hの表面に、層間絶縁層29を形成する。フォトリソ法によりレジストマスク30を受光素子部Gに相当する領域以外の層間絶縁層29表面に形成し、その後、受光素子部G上の層間絶縁層29を除去する。
(第3工程)[図9参照]
多結晶シリコン層28を除去後、レジストマスク30を除去する。次に、受光素子部G及び層間絶縁層29を覆うように反射防止膜31を形成する。
上述の工程により、同一の半導体基板21上に、受光素子部GとMOSトランジスタ部Hとを集積化した集積化受光素子40を得る。
ところで、上述の集積化受光素子40の受光素子部G上には、絶縁層23a及び反射防止膜31からなる2層の保護膜が形成されている。例えば、絶縁層23aが膜厚250nmの酸化シリコン膜からなり、反射防止膜31が膜厚80nmの窒化シリコン膜からなる。
しかしながら、このような保護膜においては、DVDに用いられるレーザ光の波長650nmにおけるその反射率は24%と大きく、CDに用いられるレーザ光の波長780nmにおける反射率も21%と大きい。受光素子部G上の保護膜の反射率が大きいと、受光素子部Gの受光感度が低下するため、この反射率を下げて受光感度を向上させる方向への改善の余地がある。
しかしながら、このような保護膜においては、DVDに用いられるレーザ光の波長650nmにおけるその反射率は24%と大きく、CDに用いられるレーザ光の波長780nmにおける反射率も21%と大きい。受光素子部G上の保護膜の反射率が大きいと、受光素子部Gの受光感度が低下するため、この反射率を下げて受光感度を向上させる方向への改善の余地がある。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、良好な受光感度が得られる集積化受光素子の製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本願発明は手段として次の手順を有する。
即ち、請求項1に係る発明は、半導体基板(1)上に、pn接合部を有する受光素子(10a,10b)を含む受光素子部(C)である第1の領域(A)と、前記受光素子(10a,10b)の出力を増幅しゲート(6)を有するトランジスタ部(D)である第2の領域(B)とを有する集積化受光素子(20)を製造する、集積化受光素子の製造方法において、前記半導体基板(1)の一面に、第1の絶縁層(5a,5b)を、前記第1の領域(A)及び前記第2の領域(B)としてそれぞれ独立に形成する第1絶縁層形成工程と、前記第2の領域(B)における前記第1の絶縁層(5b)の表面の一部に、前記ゲート(6)を形成するゲート形成工程と、前記半導体基板(1)の前記第1の領域(A)内の所定の範囲における前記一面を含む内部に、前記受光素子(10a,10b)を形成する受光素子形成工程と、この受光素子形成工程の後に、前記第1絶縁層(5a)の表面の前記受光素子(10a,10b)の前記pn接合部に対応する範囲に、この範囲を完全に覆う多結晶シリコン層(12)を形成するシリコン層形成工程と、前記ゲート(6)の近傍における前記半導体基板(1)の前記一面を含む内部に、互いに離隔する第1及び第2のイオン注入部(15a,15b)を形成する注入部形成工程と、この注入部形成工程の後に、前記第1の領域(A)及び前記第2の領域(B)を完全に覆う第2の絶縁層(16)を形成する第2絶縁層形成工程と、この第2絶縁層形成工程の後に、前記第1の領域(A)における、前記第2の絶縁層(16)及び前記多結晶シリコン層(12)で覆われていない範囲の前記第1の絶縁層(5a)を除去する除去工程と、前記除去工程の後に、少なくとも前記第1の領域(A)を覆う反射防止膜(17)を形成する反射防止膜形成工程と、を有することを特徴とする集積化受光素子(20)の製造方法である。
即ち、請求項1に係る発明は、半導体基板(1)上に、pn接合部を有する受光素子(10a,10b)を含む受光素子部(C)である第1の領域(A)と、前記受光素子(10a,10b)の出力を増幅しゲート(6)を有するトランジスタ部(D)である第2の領域(B)とを有する集積化受光素子(20)を製造する、集積化受光素子の製造方法において、前記半導体基板(1)の一面に、第1の絶縁層(5a,5b)を、前記第1の領域(A)及び前記第2の領域(B)としてそれぞれ独立に形成する第1絶縁層形成工程と、前記第2の領域(B)における前記第1の絶縁層(5b)の表面の一部に、前記ゲート(6)を形成するゲート形成工程と、前記半導体基板(1)の前記第1の領域(A)内の所定の範囲における前記一面を含む内部に、前記受光素子(10a,10b)を形成する受光素子形成工程と、この受光素子形成工程の後に、前記第1絶縁層(5a)の表面の前記受光素子(10a,10b)の前記pn接合部に対応する範囲に、この範囲を完全に覆う多結晶シリコン層(12)を形成するシリコン層形成工程と、前記ゲート(6)の近傍における前記半導体基板(1)の前記一面を含む内部に、互いに離隔する第1及び第2のイオン注入部(15a,15b)を形成する注入部形成工程と、この注入部形成工程の後に、前記第1の領域(A)及び前記第2の領域(B)を完全に覆う第2の絶縁層(16)を形成する第2絶縁層形成工程と、この第2絶縁層形成工程の後に、前記第1の領域(A)における、前記第2の絶縁層(16)及び前記多結晶シリコン層(12)で覆われていない範囲の前記第1の絶縁層(5a)を除去する除去工程と、前記除去工程の後に、少なくとも前記第1の領域(A)を覆う反射防止膜(17)を形成する反射防止膜形成工程と、を有することを特徴とする集積化受光素子(20)の製造方法である。
本発明によれば、受光素子部において、受光素子のpn接合部を多結晶シリコン層で覆い、受光部の表面を反射防止膜のみで覆うことにより、受光素子部の受光感度が安定し、良好な受光感度が得られるという効果を奏する。
本発明の実施の形態を、好ましい実施例及び変形例により図1〜図6,図10,及び図11を用いて説明する。
図1は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第1工程を説明するための断面模式図である。
図2は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第2工程を説明するための断面模式図である。
図3は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第3工程を説明するための断面模式図である。
図4は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第4工程を説明するための断面模式図である。
図5は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第5工程を説明するための断面模式図である。
図6は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第6工程を説明するための断面模式図であり、本発明の集積化受光素子の構造例を表す断面模式図である。
図10は、本発明の集積化受光素子の製造方法の実施例で製造した集積化受光素子における反射防止膜の膜厚に対する反射率の関係をシミュレーションにより表したグラフである。
図1は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第1工程を説明するための断面模式図である。
図2は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第2工程を説明するための断面模式図である。
図3は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第3工程を説明するための断面模式図である。
図4は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第4工程を説明するための断面模式図である。
図5は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第5工程を説明するための断面模式図である。
図6は、本発明の集積化受光素子の製造方法例における第6工程を説明するための断面模式図であり、本発明の集積化受光素子の構造例を表す断面模式図である。
図10は、本発明の集積化受光素子の製造方法の実施例で製造した集積化受光素子における反射防止膜の膜厚に対する反射率の関係をシミュレーションにより表したグラフである。
以下に、DVD及びCDの光ディスクに対応できるコンボドライブタイプの光ディスク装置の光ピックアップ用の受光素子として用いられる集積化受光素子20の製造方法について説明する。この集積化受光素子20は、DVD及びCDの双方に対して好適に共用できるものである。
(第1工程)[図1参照]
n型シリコン基板1の一面側に形成されたn型シリコンエピタキシャル層2の表面に、所定の間隔を有した3つのフィールド酸化膜3a,3b,3cと、この3つのフィールド酸化膜3a,3b,3c間に位置する第1領域A及び第2領域Bに犠牲酸化膜4a,4bと、を予め一体化させて形成したものを用意する。
なお、p型シリコン基板の一面側にp型シリコンエピタキシャル層が形成されたものを用いても構わない。
(第1工程)[図1参照]
n型シリコン基板1の一面側に形成されたn型シリコンエピタキシャル層2の表面に、所定の間隔を有した3つのフィールド酸化膜3a,3b,3cと、この3つのフィールド酸化膜3a,3b,3c間に位置する第1領域A及び第2領域Bに犠牲酸化膜4a,4bと、を予め一体化させて形成したものを用意する。
なお、p型シリコン基板の一面側にp型シリコンエピタキシャル層が形成されたものを用いても構わない。
(第2工程)[図2参照]
犠牲酸化膜4a,4bをエッチングで除去した後、n型シリコン基板1を900℃に加熱した酸素雰囲気の熱処理炉中で熱酸化させて、第1領域A及び第2領域Bに絶縁層5a,5bを形成する。
次に、フィールド酸化膜3a,3b,3c及び絶縁層5a,5b表面に、リン(P)を拡散した多結晶シリコン膜を形成した後、フォトリソ法によるエッチングを行って、絶縁層5b上にゲート6を形成する。
犠牲酸化膜4a,4bをエッチングで除去した後、n型シリコン基板1を900℃に加熱した酸素雰囲気の熱処理炉中で熱酸化させて、第1領域A及び第2領域Bに絶縁層5a,5bを形成する。
次に、フィールド酸化膜3a,3b,3c及び絶縁層5a,5b表面に、リン(P)を拡散した多結晶シリコン膜を形成した後、フォトリソ法によるエッチングを行って、絶縁層5b上にゲート6を形成する。
(第3工程)[図3参照]
フォトリソ法により、絶縁層5a上の所定位置に開口部7a,7bが形成されるように、フィールド酸化膜3a,3b,3c、絶縁層5a,5b、及びゲート6表面にレジストパターン8を形成する。
次に、絶縁層5a側からn型シリコンエピタキシャル層2の表面近傍部に向かってボロン(B)をイオン注入し、第1領域Aにおけるn型シリコンエピタキシャル層2の表面近傍部にp型第1注入部9a及びp型第2注入部9bを形成する。
このとき、ボロン(B)は、絶縁層5aを透過してn型シリコンエピタキシャル層2の表面近傍部にイオン注入される。こうして、p型の第1及び第2注入部9a,9bと、この第1及び第2注入部9a,9bに隣接するn型のシリコンエピタキシャル層2部との境界面でpn接合が形成されることで、pn接合部を有する受光素子10a,10bを得る。また、受光素子10a,10b以外の第1領域Aは受光部11となる。
上述により、第1領域Aは、受光素子10a,10bと受光部11とを有する受光素子部Cとなる。
なお、本実施例では、2つの受光素子10a,10bを形成したが、これに限定されるものではなく、形成する受光素子は、単一でもよいし、複数でもよい。
しかしながら、外部の発光素子と組み合わせて用いる際、発光素子の光出力が常に一定となるように制御を行うためには、複数個の受光素子を形成することが望ましい。
フォトリソ法により、絶縁層5a上の所定位置に開口部7a,7bが形成されるように、フィールド酸化膜3a,3b,3c、絶縁層5a,5b、及びゲート6表面にレジストパターン8を形成する。
次に、絶縁層5a側からn型シリコンエピタキシャル層2の表面近傍部に向かってボロン(B)をイオン注入し、第1領域Aにおけるn型シリコンエピタキシャル層2の表面近傍部にp型第1注入部9a及びp型第2注入部9bを形成する。
このとき、ボロン(B)は、絶縁層5aを透過してn型シリコンエピタキシャル層2の表面近傍部にイオン注入される。こうして、p型の第1及び第2注入部9a,9bと、この第1及び第2注入部9a,9bに隣接するn型のシリコンエピタキシャル層2部との境界面でpn接合が形成されることで、pn接合部を有する受光素子10a,10bを得る。また、受光素子10a,10b以外の第1領域Aは受光部11となる。
上述により、第1領域Aは、受光素子10a,10bと受光部11とを有する受光素子部Cとなる。
なお、本実施例では、2つの受光素子10a,10bを形成したが、これに限定されるものではなく、形成する受光素子は、単一でもよいし、複数でもよい。
しかしながら、外部の発光素子と組み合わせて用いる際、発光素子の光出力が常に一定となるように制御を行うためには、複数個の受光素子を形成することが望ましい。
(第4工程)[図4参照]
レジストパターン8を除去した後、フィールド酸化膜3a,3b,3c、絶縁層5a,5b、及びゲート6表面に、多結晶シリコン膜を形成する。その後、フォトリソ法によるエッチングを行って、少なくとも絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部を完全に覆うように絶縁層5a表面に多結晶シリコン層12を形成する。
より詳しくは、後述する絶縁層5aのエッチング除去によって、絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部がダメージを受けないように、絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部において、その絶縁層5a表面を完全に覆うように、その絶縁層5a表面に多結晶シリコン層12を形成する。本実施例では、受光素子10a,10b形成領域よりも広い領域に多結晶シリコン層12を絶縁層5a表面に形成した。
なお、受光部11上に多結晶シリコン層12が存在すると、外部のレーザ光を多結晶シリコン層12が遮断して受光部11がレーザ光を受光できなくなってしまうため、受光部11上には多結晶シリコン層12を形成しないようにする。
レジストパターン8を除去した後、フィールド酸化膜3a,3b,3c、絶縁層5a,5b、及びゲート6表面に、多結晶シリコン膜を形成する。その後、フォトリソ法によるエッチングを行って、少なくとも絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部を完全に覆うように絶縁層5a表面に多結晶シリコン層12を形成する。
より詳しくは、後述する絶縁層5aのエッチング除去によって、絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部がダメージを受けないように、絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部において、その絶縁層5a表面を完全に覆うように、その絶縁層5a表面に多結晶シリコン層12を形成する。本実施例では、受光素子10a,10b形成領域よりも広い領域に多結晶シリコン層12を絶縁層5a表面に形成した。
なお、受光部11上に多結晶シリコン層12が存在すると、外部のレーザ光を多結晶シリコン層12が遮断して受光部11がレーザ光を受光できなくなってしまうため、受光部11上には多結晶シリコン層12を形成しないようにする。
次に、フォトリソ法により、ゲート6の両側近傍の絶縁層5b上に開口部13a,13bが形成されるように、フィールド酸化膜3a,3b,3c、絶縁層5a、多結晶シリコン層12、及びゲート6の表面にレジストパターン14を形成する。
さらに、絶縁層5b側からn型シリコンエピタキシャル層2の表面近傍部に向かってイオン注入を行い、第2領域Bにおけるn型シリコンエピタキシャル層2の表面近傍部のゲート6の両側近傍位置に第3注入部15a及び第4注入部15bを形成する。本実施例では、第3注入部15aにはAsを、第4注入部15bにはBF2をイオン注入した。
上述により、第2領域Bは、第3及び第4注入部15a,15bとゲート6とを有するMOSトランジスタ部Dとなる。
さらに、絶縁層5b側からn型シリコンエピタキシャル層2の表面近傍部に向かってイオン注入を行い、第2領域Bにおけるn型シリコンエピタキシャル層2の表面近傍部のゲート6の両側近傍位置に第3注入部15a及び第4注入部15bを形成する。本実施例では、第3注入部15aにはAsを、第4注入部15bにはBF2をイオン注入した。
上述により、第2領域Bは、第3及び第4注入部15a,15bとゲート6とを有するMOSトランジスタ部Dとなる。
(第5工程)[図5参照]
レジストパターン14を除去した後、第3及び第4注入部15a,15bを活性化させるために熱処理炉を用いて、熱処理を行う。
次に、フィールド酸化膜3a,3b,3c、受光素子部C、及びMOSトランジスタ部D表面に層間絶縁層16を形成する。
さらに、フォトリソ法によるエッチングを行って、受光素子部C上の層間絶縁層16と、多結晶シリコン層12で覆われていない部分の受光素子部C上の絶縁層5aとを連続して除去する。このとき、絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部は、多結晶シリコン層12によって保護されているため、エッチングによるダメージを受けない。即ち、受光素子10a,10bのpn接合部がダメージを受けると、受光素子10a,10bの受光感度がばらつく場合があるが、多結晶シリコン層12でpn接合部を保護することによって、このような問題が発生しないようにしている。
したがって、受光素子10a,10bは、安定した受光感度を得ることができる。
レジストパターン14を除去した後、第3及び第4注入部15a,15bを活性化させるために熱処理炉を用いて、熱処理を行う。
次に、フィールド酸化膜3a,3b,3c、受光素子部C、及びMOSトランジスタ部D表面に層間絶縁層16を形成する。
さらに、フォトリソ法によるエッチングを行って、受光素子部C上の層間絶縁層16と、多結晶シリコン層12で覆われていない部分の受光素子部C上の絶縁層5aとを連続して除去する。このとき、絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部は、多結晶シリコン層12によって保護されているため、エッチングによるダメージを受けない。即ち、受光素子10a,10bのpn接合部がダメージを受けると、受光素子10a,10bの受光感度がばらつく場合があるが、多結晶シリコン層12でpn接合部を保護することによって、このような問題が発生しないようにしている。
したがって、受光素子10a,10bは、安定した受光感度を得ることができる。
(第6工程)[図6参照]
受光素子部C及び層間絶縁層16の表面に、窒化シリコン膜をプラズマCVD法により形成する。この窒化シリコン膜は、受光素子部Cにおける反射防止膜17として機能する。本実施例で作製する集積化受光素子は、DVD及びCDの双方に対して好適に共用できるものであるため、DVD及びCDそれぞれに用いられるレーザ光の波長650nm及び780nmにおけるそれぞれの反射率が十分に小さくなるように、反射防止膜17の膜厚を設定する必要がある。そこで、波長650nm及び780nmにおいて、反射防止膜17の膜厚に対する反射率の関係をシミュレーションしたグラフを図10に示す。図10から、波長650nm及び780nmにおいて、反射防止膜17の反射率が共に小さくなるように、本実施例では、反射防止膜17の膜厚を87nmとした。
受光素子部C及び層間絶縁層16の表面に、窒化シリコン膜をプラズマCVD法により形成する。この窒化シリコン膜は、受光素子部Cにおける反射防止膜17として機能する。本実施例で作製する集積化受光素子は、DVD及びCDの双方に対して好適に共用できるものであるため、DVD及びCDそれぞれに用いられるレーザ光の波長650nm及び780nmにおけるそれぞれの反射率が十分に小さくなるように、反射防止膜17の膜厚を設定する必要がある。そこで、波長650nm及び780nmにおいて、反射防止膜17の膜厚に対する反射率の関係をシミュレーションしたグラフを図10に示す。図10から、波長650nm及び780nmにおいて、反射防止膜17の反射率が共に小さくなるように、本実施例では、反射防止膜17の膜厚を87nmとした。
上述の工程により、同一のシリコン基板1上に、受光素子10a,10bを有する受光素子部Cと、この受光素子10a,10bの出力を増幅するMOSトランジスタ部Dとを集積化した集積化受光素子20を得る。
以上、詳述したように、絶縁層5aをエッチング除去するときに、多結晶シリコン層12が絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部において、その絶縁層5a表面を完全に覆うように保護しているため、pn接合部はエッチングによるダメージを受けない。
よって、受光素子10a,10bは、安定した受光感度が得られる。また、受光部11上には低反射率の反射防止膜17のみが形成されているため、その膜厚を最適化することで良好な受光感度を有する集積化受光素子20を得ることができる。
また、第3及び第4注入部15a,15b中の不純物が熱処理によって飛散する場合があったとしても、多結晶シリコン層12は受光素子10a,10bのpn接合部を完全に覆うように保護しているため、この飛散した不純物が受光素子10a,10bのpn接合部に入り込めない。従って、受光素子の受光感度に悪影響を及ぼすことを防止できる。
同様に、多結晶シリコン層12は、第1及び第2注入部9a,9b中の不純物が熱処理によって飛散することを防止できるため、MOSトランジスタ部DのMOSトランジスタは、安定したしきい値電圧を得ることができる。
よって、受光素子10a,10bは、安定した受光感度が得られる。また、受光部11上には低反射率の反射防止膜17のみが形成されているため、その膜厚を最適化することで良好な受光感度を有する集積化受光素子20を得ることができる。
また、第3及び第4注入部15a,15b中の不純物が熱処理によって飛散する場合があったとしても、多結晶シリコン層12は受光素子10a,10bのpn接合部を完全に覆うように保護しているため、この飛散した不純物が受光素子10a,10bのpn接合部に入り込めない。従って、受光素子の受光感度に悪影響を及ぼすことを防止できる。
同様に、多結晶シリコン層12は、第1及び第2注入部9a,9b中の不純物が熱処理によって飛散することを防止できるため、MOSトランジスタ部DのMOSトランジスタは、安定したしきい値電圧を得ることができる。
一般的に、集積化受光素子の受光部上の反射防止膜の反射率は10%以下が好ましく、より好ましくは7%以下である。
上述により作製した集積化受光素子20の受光部11上の反射防止膜17の反射率は、その膜厚が87nmのとき、DVDに用いられるレーザ光の波長650nmに対して4%、CDに用いられるレーザ光の波長780nmに対して4%と、図10に示すシミュレーション結果と合致する、良好な結果を得た。
本実施例では反射防止膜17の膜厚をこのように87nmとしたが、図10に示すように、好ましい条件である反射率が10%以下となるためには、その膜厚は76〜96nmの範囲であればよい。また、より好ましい条件である反射率が7%以下となるためには、その膜厚は81〜92nmの範囲であればよい。
上述により作製した集積化受光素子20の受光部11上の反射防止膜17の反射率は、その膜厚が87nmのとき、DVDに用いられるレーザ光の波長650nmに対して4%、CDに用いられるレーザ光の波長780nmに対して4%と、図10に示すシミュレーション結果と合致する、良好な結果を得た。
本実施例では反射防止膜17の膜厚をこのように87nmとしたが、図10に示すように、好ましい条件である反射率が10%以下となるためには、その膜厚は76〜96nmの範囲であればよい。また、より好ましい条件である反射率が7%以下となるためには、その膜厚は81〜92nmの範囲であればよい。
また、図10からもわかるように、受光するレーザ光の波長に応じて、反射防止膜17の膜厚を最適化することにより、低反射率の良好な反射防止膜を得ることが可能である。本実施例では、DVD及びCDの双方に対して好適に共用できるように、その膜厚を87nmとしたが、例えば、DVDに用いられるレーザ光の波長650nmのみを受光する場合、その膜厚を特性における最小反射率となる80nmに設定すればよいし、また、CDに用いられるレーザ光の波長780nmのみを受光する場合、その膜厚を特性における最小反射率となる96nmに設定すればよい。また、次世代光ディスクに用いられるレーザ光の波長405nmに対しても、同様に膜厚を最適化することにより、低反射率の良好な反射防止膜を得ることが可能である。
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
例えば、図11を用いて、本実施例の変形例について説明する。図11は、本発明の集積化受光素子の変形例を表す断面模式図である。
<変形例>[図11参照]
本変形例の集積化受光素子60は、上述した実施例における多結晶シリコン層12を、絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部のみを完全に覆うように形成したことを特徴とする。
例えば、図11を用いて、本実施例の変形例について説明する。図11は、本発明の集積化受光素子の変形例を表す断面模式図である。
<変形例>[図11参照]
本変形例の集積化受光素子60は、上述した実施例における多結晶シリコン層12を、絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部のみを完全に覆うように形成したことを特徴とする。
この集積化受光素子60の製造方法について、以下に説明する。
まず、上述の第3工程までは、実施例と同様である。
次に、第4工程において、フオトリソ法によるエッチングを行って、多結晶シリコン層12aを、絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部のみを完全に覆うように形成する。それ以外は実施例と同様である。
以降、実施例と同様に、第5工程及び第6工程を行う。
以上により、本変形例の集積化受光素子60を得る。
まず、上述の第3工程までは、実施例と同様である。
次に、第4工程において、フオトリソ法によるエッチングを行って、多結晶シリコン層12aを、絶縁層5aと接する受光素子10a,10bのpn接合部のみを完全に覆うように形成する。それ以外は実施例と同様である。
以降、実施例と同様に、第5工程及び第6工程を行う。
以上により、本変形例の集積化受光素子60を得る。
集積化受光素子60の受光素子10a,10bのpn接合部は、多結晶シリコン層12aによって保護されているため、上述のエッチングによるダメージを受けない。よって、受光素子10a,10bは安定した受光感度が得られる。
1 n型シリコン基板 , 2 n型シリコンエピタキシャル層 , 3a,3b,3c,22a,22b,22c フィールド酸化膜 , 4a,4b 犠牲酸化膜 , 5a,5b,23a,23b 絶縁層 , 6,27 ゲート , 7a,7b,13a,13b 開口部 , 8,14 レジストパターン , 9a 第1注入部 , 9b 第2注入部 , 10a,10b,25a,25b 受光素子 , 11,26 受光部 , 12,28 多結晶シリコン層 , 15a 第3注入部 , 15b 第4注入部 , 16,29 層間絶縁層 , 17,31 反射防止膜 , 20,40 集積化受光素子 , 21 半導体基板 , 24a 第1拡散層 , 24b 第2拡散層 , 24c 第3拡散層 , 24d 第4拡散層 , A,E 第1領域 , B,F 第2領域 , C,G 受光素子部 , D,H MOSトランジスタ部
Claims (1)
- 半導体基板上に、pn接合部を有する受光素子を含む受光素子部である第1の領域と、前記受光素子の出力を増幅しゲートを有するトランジスタ部である第2の領域とを有する集積化受光素子を製造する、集積化受光素子の製造方法において、
前記半導体基板の一面に、第1の絶縁層を、前記第1の領域及び前記第2の領域としてそれぞれ独立に形成する第1絶縁層形成工程と、
前記第2の領域における前記第1の絶縁層の表面の一部に、前記ゲートを形成するゲート形成工程と、
前記半導体基板の前記第1の領域内の所定範囲における前記一面を含む内部に、前記受光素子を形成する受光素子形成工程と、
この受光素子形成工程の後に、前記第1の絶縁層の表面の前記受光素子の前記pn接合部に対応する範囲に、この範囲を完全に覆う多結晶シリコン層を形成するシリコン層形成工程と、
前記ゲートの近傍における前記半導体基板の前記一面を含む内部に、互いに離隔する第1及び第2のイオン注入部を形成する注入部形成工程と、
この注入部形成工程の後に、前記第1の領域及び前記第2の領域を完全に覆う第2の絶縁層を形成する第2絶縁層形成工程と、
この第2絶縁層形成工程の後に、前記第1の領域における、前記第2の絶縁層及び前記多結晶シリコン層で覆われていない範囲の前記第1の絶縁層を除去する除去工程と、
前記除去工程の後に、少なくとも前記第1の領域を覆う反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、
を有することを特徴とする集積化受光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005088060A JP2006269891A (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 集積化受光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005088060A JP2006269891A (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 集積化受光素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006269891A true JP2006269891A (ja) | 2006-10-05 |
Family
ID=37205504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005088060A Pending JP2006269891A (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 集積化受光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006269891A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012227215A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体受光素子 |
-
2005
- 2005-03-25 JP JP2005088060A patent/JP2006269891A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012227215A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体受光素子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6433374B1 (en) | Light receiving device with built-in circuit | |
JP5366396B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法、半導体装置の製造方法、光電変換装置、及び撮像システム | |
JP5063875B2 (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
JP5007614B2 (ja) | Pinフォトダイオード | |
JP2009239053A (ja) | 半導体装置 | |
JP2007317768A (ja) | 光半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006278620A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US6492702B2 (en) | Circuit-incorporating light receiving device | |
EP2023405A1 (en) | Optical semiconductor device and method for manufacturing same | |
JP2009049317A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006269891A (ja) | 集積化受光素子の製造方法 | |
JP2010098091A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
KR20050001077A (ko) | 수광소자 및 증폭소자가 일체 형성된 반도체 장치 및 그제조방법 | |
JP2010034181A (ja) | Pinフォトダイオードおよびその製造方法 | |
JP4375741B2 (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008028123A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2007242676A (ja) | 半導体装置製造方法 | |
JP2003051589A (ja) | 受光素子内蔵型半導体装置の製造方法及び受光素子内蔵型半導体装置 | |
JP2004103704A (ja) | 半導体受光装置およびこれを備えた光学装置 | |
JP2008187081A (ja) | 受光素子 | |
KR100927417B1 (ko) | 노이즈를 저감시키기 위한 핑거 타입 포토다이오드 및 그제조방법 | |
JP2009253235A (ja) | 半導体装置 | |
JP5488030B2 (ja) | 受光素子 | |
KR100596789B1 (ko) | 증폭 회로 소자의 제조 방법 | |
JP2009010267A (ja) | 受光素子の製造方法及び受光素子 |