JP2013207277A - 半導体製造装置および半導体製造方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】実施の形態の半導体製造装置は、基板が収容される反応室と、反応室の上部に配置され、ソースガスを含む第1のプロセスガスを供給するためのガス供給部と、第1のプロセスガスを基板上に整流状態で供給するための整流板と、反応室の残留ガスを排気するためのガス排出部と、基板を加熱するための加熱部と、基板を支持するための支持部材と、基板を回転させるための回転駆動機構と、を備える。そして、整流板上に、第1のプロセスガスの量を制御可能な第1の制御手段を備えている
【選択図】図1
Description
本実施の形態の半導体製造装置は、基板が収容される反応室と、反応室の上部に配置され、ソースガスを含む第1のプロセスガスを供給するためのガス供給部と、第1のプロセスガスを基板上に整流状態で供給するための整流板と、反応室の残留ガスを排気するためのガス排出部と、基板を加熱するための加熱部と、基板を支持するための支持部材と、基板を回転させるための回転駆動機構と、を備える。そして、整流板上に、第1のプロセスガスの量を制御可能な第1の制御手段を備えている。
このシリコンエピタキシャル層の成長時における処理炉11内は、約2×103Pa(15Torr)〜約9.3×104Pa(700Torr)の範囲で所望の圧力に設定される。また、回転体ユニット16の回転は、例えば900〜1500rpmの範囲で所望の回転数に設定される。
本実施の形態の半導体製造装置は、第1の制御手段に加えて、整流板上の外周部に設けられ、希釈ガス、成膜反応抑制ガスあるいはクリーニングガスのいずれかを含む第2のプロセスガスの量を制御可能な第2の制御手段を備える点で第1の実施の形態と異なっている。以下、第1の実施の形態と重複する内容については記述を省略する。
図7は本実施の形態の半導体製造装置の模式断面図である。第1の実施の形態に加え、ガス供給部12と、遮蔽板32との間にガス排出部(第2のガス排出部)60が設けられている。その他は、第1の実施の形態と同様である。したがって、第1の実施の形態と重複する内容については記述を省略する。
12 ガス供給部
14 整流板
16 ガス排出部
18 環状ホルダー(支持部材)
22 ヒーター(加熱部)
26 回転駆動機構
32 遮蔽板
Claims (5)
- 基板が収容される反応室と、
前記反応室の上部に配置され、ソースガスを含む第1のプロセスガスを供給するためのガス供給部と、
前記第1のプロセスガスを前記基板上に整流状態で供給するための整流板と、
前記反応室の残留ガスを排気するためのガス排出部と、
前記基板を加熱するための加熱部と、
前記基板を支持するための支持部材と、
前記基板を回転させるための回転駆動機構と、
を備えた半導体製造装置において、
前記整流板上に、第1のプロセスガスの量を制御可能な第1の制御手段を備えていることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記第1の制御手段は、反復移動する閉開機構であることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置。
- 前記第1の制御手段は、前記整流板に設けられた孔に対応する位置に孔を有する遮蔽板であることを特徴とする請求項2記載の半導体製造装置。
- 前記整流板上の外周部に設けられ、希釈ガス、成膜反応抑制ガスあるいはクリーニングガスのいずれかを含む第2のプロセスガスの量を制御可能な第2の制御手段を備えていることを特徴とする請求項1ないし請求項3いずれか一項記載の半導体製造装置。
- 反応室内に基板を搬入し、
前記基板を、反応室に収納された支持部材上に載置し、
前記基板の表面に、ソースガスを含む第1のプロセスガスを、整流板を用いて整流状態で供給し、
前記反応室の残留ガスを排出すると共に、前記反応室内を所定の圧力となるように調整し、
前記基板を回転させながら加熱して、前記基板の表面に成膜する半導体製造方法において、
前記整流板上に設けられる、第1のプロセスガスの量を制御可能な制御手段によって、第1のプロセスガスの量を制御することを特徴とする半導体製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101552667B1 (ko) * | 2014-03-13 | 2015-09-11 | 피에스케이 주식회사 | 배플 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
JP2015204325A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
KR20160088405A (ko) * | 2013-12-25 | 2016-07-25 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 저온다결정실리콘박막의 예정세척방법 및 그 제조방법, 제작시스템 |
JP2016163025A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体デバイスの製造方法 |
US20170062202A1 (en) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image processing apparatus with improved slide printout based on layout data |
KR20180080075A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN110850098A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-02-28 | 中国人民解放军西部战区总医院 | 用于Western blot实验的自动洗膜装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110042369A (zh) * | 2019-03-26 | 2019-07-23 | 云谷(固安)科技有限公司 | 等离子体增强化学气相沉积的腔室结构及具有其的设备 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01156477A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | プラズマcvd装置用シャワー電極 |
JPH0845910A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Nippon Steel Corp | プラズマ処理装置 |
JPH0936050A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 常圧cvd装置 |
JP2001053065A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-02-23 | Nec Kyushu Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2009105328A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
JP2010037157A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 単結晶成膜方法 |
US20110177644A1 (en) * | 2008-10-28 | 2011-07-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Plasma cvd apparatus, method for manufacturing semiconductor film, method for manufacturing thin-film solar cell, and method for cleaning plasma cvd apparatus |
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012078358A patent/JP5964107B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01156477A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | プラズマcvd装置用シャワー電極 |
JPH0845910A (ja) * | 1994-07-29 | 1996-02-16 | Nippon Steel Corp | プラズマ処理装置 |
JPH0936050A (ja) * | 1995-07-25 | 1997-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 常圧cvd装置 |
JP2001053065A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-02-23 | Nec Kyushu Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2009105328A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Nuflare Technology Inc | 半導体製造方法および半導体製造装置 |
JP2010037157A (ja) * | 2008-08-06 | 2010-02-18 | Central Res Inst Of Electric Power Ind | 単結晶成膜方法 |
US20110177644A1 (en) * | 2008-10-28 | 2011-07-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Plasma cvd apparatus, method for manufacturing semiconductor film, method for manufacturing thin-film solar cell, and method for cleaning plasma cvd apparatus |
JP5225389B2 (ja) * | 2008-10-28 | 2013-07-03 | 三菱電機株式会社 | プラズマcvd装置、半導体膜の製造方法、薄膜太陽電池の製造方法およびプラズマcvd装置のクリーニング方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160088405A (ko) * | 2013-12-25 | 2016-07-25 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 저온다결정실리콘박막의 예정세척방법 및 그 제조방법, 제작시스템 |
JP2017511592A (ja) * | 2013-12-25 | 2017-04-20 | シェンツェン チャイナ スター オプトエレクトロニクス テクノロジー カンパニー リミテッドShenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 低温ポリシリコン薄膜の予備洗浄方法及びその製造方法、製造システム |
KR101944598B1 (ko) | 2013-12-25 | 2019-01-31 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 저온다결정실리콘박막의 예정세척방법 및 그 제조방법, 제작시스템 |
KR101552667B1 (ko) * | 2014-03-13 | 2015-09-11 | 피에스케이 주식회사 | 배플 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치 |
JP2015204325A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP2016163025A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置および半導体デバイスの製造方法 |
US20170062202A1 (en) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image processing apparatus with improved slide printout based on layout data |
US9953829B2 (en) * | 2015-08-27 | 2018-04-24 | Toshiba Memory Corporation | Image processing apparatus with improved slide printout based on layout data |
KR20180080075A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101966812B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2019-04-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
CN110850098A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-02-28 | 中国人民解放军西部战区总医院 | 用于Western blot实验的自动洗膜装置 |
CN110850098B (zh) * | 2019-11-21 | 2023-11-14 | 中国人民解放军西部战区总医院 | 用于Western blot实验的自动洗膜装置 |
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Publication number | Publication date |
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