JP2013201061A - アノード支持型の固体酸化物形燃料電池セル及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】アノードによる支持機能を保ったまま、アノードに使用するニッケルの量を低減することができるアノード支持型の固体酸化物形燃料電池セル及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】支持基板12、アノード13、電解質層14、及びカソード15を備えるアノード支持型の固体酸化物形燃料電池セル1であって、支持基板12は、厚さ方向に貫通する1個又は複数個の貫通孔16を有し、アノード13は、少なくとも貫通孔16を充填するように設けられ、電解質層14は、支持基板12とカソード15との間に設けられている。固体酸化物形燃料電池セル1は、厚さ方向に貫通する1個又は複数個の貫通孔を有する平板状支持体における少なくとも該貫通孔をアノード原料で充填する工程と、上記アノード原料を焼成してアノード13を形成する工程と、を含む製造方法により製造される。
【選択図】図1
【解決手段】支持基板12、アノード13、電解質層14、及びカソード15を備えるアノード支持型の固体酸化物形燃料電池セル1であって、支持基板12は、厚さ方向に貫通する1個又は複数個の貫通孔16を有し、アノード13は、少なくとも貫通孔16を充填するように設けられ、電解質層14は、支持基板12とカソード15との間に設けられている。固体酸化物形燃料電池セル1は、厚さ方向に貫通する1個又は複数個の貫通孔を有する平板状支持体における少なくとも該貫通孔をアノード原料で充填する工程と、上記アノード原料を焼成してアノード13を形成する工程と、を含む製造方法により製造される。
【選択図】図1
Description
本発明は、アノード支持型の固体酸化物形燃料電池セル及びその製造方法に関する。
平板型の固体酸化物形燃料電池セル(SOFCセル)は、アノード支持型、電解質層支持型、及びカソード支持型の3つのタイプに分類される。これらのタイプのうち、出力密度、作製の容易さ、耐久性等の観点から、アノード支持型のSOFCセルが多く採用されている。アノード支持型のSOFCセルでは、アノード、電解質層、及びカソードという3種の層のうち最も厚く形成されたアノードにより、電解質層及びカソードが支持されている(例えば、特許文献1参照)。
SOFCセルのアノードには、NiOが一般的に用いられている。そのため、アノード支持型のSOFCセルでは、アノードの形成に多くのニッケルを必要とするため、省資源化及び低コスト化を図りにくいという問題がある。これに対して、ニッケルの使用量を低減するためにアノードを薄くすると、アノードによる支持機能が低下し、SOFCセルの取り扱い性及び耐久性が損なわれてしまう。
本発明は、アノードによる支持機能を保ったまま、アノードに使用するニッケルの量を低減することができるアノード支持型の固体酸化物形燃料電池セル及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、支持基板、アノード、電解質層、及びカソードを備え、上記支持基板は、厚さ方向に貫通する1個又は複数個の貫通孔を有し、上記アノードは、少なくとも上記貫通孔を充填するように設けられ、上記電解質層は、上記支持基板と上記カソードとの間に設けられているアノード支持型の固体酸化物形燃料電池セルに関する。
上記アノードは、更に上記支持基板の上記電解質層側の主面を覆うように設けられていることが好ましい。
また、本発明は、アノード支持型の固体酸化物形燃料電池セルの製造方法であって、厚さ方向に貫通する1個又は複数個の貫通孔を有する平板状支持体における少なくとも該貫通孔をアノード原料で充填する工程と、上記アノード原料を焼成してアノードを形成する工程と、を含む製造方法に関する。
上記製造方法は、上記貫通孔を上記アノード原料で充填する工程に伴って、上記支持体の一方の主面に上記アノード原料を積層する工程を含むことが好ましい。
本発明によれば、アノードによる支持機能を保ったまま、アノードに使用するニッケルの量を低減することができるアノード支持型の固体酸化物形燃料電池セル及びその製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
<第1の実施形態>
[SOFCセルの構成]
図1は、本発明の第1の実施形態に係るアノード支持型のSOFCセルの縦断面図である。また、図2は、図1に示すSOFCセルをA−A線に沿って切断したときの切断面を示す横断面図である。図1に示すように、SOFCセル1は、支持基板12、アノード13、電解質層14、及びカソード15を備えている。支持基板12は、厚さ方向に貫通する複数個の貫通孔16を有している。アノード13は、少なくとも貫通孔16を充填するように設けられている。電解質層14は、貫通孔16がアノード13により充填された支持基板12と、カソード15との間に設けられている。厚さ方向において支持基板12と電解質層14との間には、アノード13は実質的に存在していない。
<第1の実施形態>
[SOFCセルの構成]
図1は、本発明の第1の実施形態に係るアノード支持型のSOFCセルの縦断面図である。また、図2は、図1に示すSOFCセルをA−A線に沿って切断したときの切断面を示す横断面図である。図1に示すように、SOFCセル1は、支持基板12、アノード13、電解質層14、及びカソード15を備えている。支持基板12は、厚さ方向に貫通する複数個の貫通孔16を有している。アノード13は、少なくとも貫通孔16を充填するように設けられている。電解質層14は、貫通孔16がアノード13により充填された支持基板12と、カソード15との間に設けられている。厚さ方向において支持基板12と電解質層14との間には、アノード13は実質的に存在していない。
SOFCセル1では、支持基板12及びアノード13は、一体となって強度を保ちながら、電解質層14及びカソード15を支持している。アノード13にはニッケルが用いられているが、支持基板12にはニッケルが用いられていない。そのため、SOFCセル1では、アノード単独で電解質層及びカソードを支持する従来のSOFCセルに比べ、ニッケルの使用量を大幅に減らすことができる。更に、支持基板12を厚さ方向に貫通する貫通孔16に充填されたアノード13を通じて電流が流れるため、複数のSOFCセル1を積層したときに、積層方向への導通が確保されるので、容易にSOFC積層体を作製することができる。
支持基板12は、厚さ方向に貫通する複数個の貫通孔16を有する。支持基板12の主面における開口率、即ち、支持基板12の主面において貫通孔16が占める面積の割合は、支持基板12の厚さにより変動するが、通常、10〜70%であるのが好ましく、20〜60%であるのが特に好ましい。上記開口率がこの範囲内であると、支持基板12及びアノード13によって電解質層14及びカソード15を十分な強度で支持することができるとともに、アノード13に使用するニッケルの量を十分に減らすことができる。
支持基板12は、例えば、MgO、Al2O3、CaZrO3、TiO2、CaO、BaTiO3、及びZrO2からなる群より選択される少なくとも1種の金属酸化物を含むセラミック焼成体又はSUS等の金属からなる。多孔質体として形成できることから、支持基板12はセラミック焼成体からなることが好ましい。支持基板12が多孔質体からなると、アノード13経由のみならず支持基板12経由でも、水素ガスがアノード13と電解質層14との界面まで到達することができるので、酸化物イオンと水素ガスとの反応が起こりやすくなり、SOFCセルの出力が向上しやすい。
支持基板12の厚さは、例えば、150〜1000μmである。
支持基板12の厚さは、例えば、150〜1000μmである。
アノード13は、貫通孔16を充填するように設けられている。アノード13は、例えば、ニッケルを含むセラミック焼成体、ニッケルとイットリア安定化ジルコニア及びスカンジア安定化ジルコニアからなる群より選択される少なくとも1種の安定化ジルコニアとを含むセラミック焼成体からなる。
電解質層14は、支持基板12とカソード15との間に設けられている。電解質層14は、酸化物イオン(O2−)伝導性を有する固体酸化物のセラミック焼成体からなる。上記固体酸化物としては、例えば、イットリア安定化ジルコニア、スカンジア安定化ジルコニア等が挙げられる。
電解質層14の厚さは、例えば、5〜20μmである。
電解質層14の厚さは、例えば、5〜20μmである。
カソード15は、例えば、LSCF(LaxSr1−xCoyFe1−yO3(式中、x及びyは、それぞれ0<x<1及び0<y<1を満たす数))、LSM(LazSr1−zMnO3(式中、zは、0<z<1を満たす数))等のペロブスカイト型酸化物を含むセラミック焼成体からなる。
カソード15の厚さは、例えば、10〜50μmである。
カソード15の厚さは、例えば、10〜50μmである。
SOFCセル1は、必要に応じ、支持基板12と電解質層14との間にアノード中間層を備えてもよく、また、電解質層14とカソード15との間にカソード中間層を備えてもよい。アノード中間層は、例えば、アノード13について例示したのと同様のセラミック焼成体からなる。アノード中間層を設ける場合、その厚さは、例えば、5〜50μmである。カソード中間層は、例えば、LSMとイットリア安定化ジルコニアとを含むセラミック焼成体からなる。カソード中間層を設ける場合、その厚さは、例えば、2〜15μmである。
なお、貫通孔16の形状及び配置は、図2に示すものに限定されない。図3は、支持基板12が有する貫通孔の形状のバリエーションを示す平面図である。図3(a)は、六角形の貫通孔16を有する支持基板12の一例を示す。図3(b)は、円形の貫通孔16を有する支持基板12の一例を示す。図3(c)は、長方形の貫通孔16を有する支持基板12の別の例を示す。図3(d)は、三角形の貫通孔16を有する支持基板12の一例を示す。
また、図1〜3は、支持基板12が複数個の貫通孔16を有する例を示しているが、支持基板12の有する貫通孔16の数は1個であってもよい。
また、図1〜3は、支持基板12が複数個の貫通孔16を有する例を示しているが、支持基板12の有する貫通孔16の数は1個であってもよい。
[SOFCセルの製造方法]
図1及び2に示すアノード支持型のSOFCセル1は、厚さ方向に貫通する複数個の貫通孔を有する平板状支持体における該貫通孔をアノード原料で充填する工程と、上記アノード原料を焼成してアノード13を形成する工程と、を含む製造方法により製造することができる。
図1及び2に示すアノード支持型のSOFCセル1は、厚さ方向に貫通する複数個の貫通孔を有する平板状支持体における該貫通孔をアノード原料で充填する工程と、上記アノード原料を焼成してアノード13を形成する工程と、を含む製造方法により製造することができる。
SOFCセル1は、より具体的には、例えば、(1)上記平板状支持体における上記貫通孔をアノード原料で充填する工程と、上記アノード原料を焼成してアノード13を形成する工程と、上記支持体の一方の主面に電解質層原料を積層する工程と、上記電解質層原料を焼成して電解質層14を形成する工程と、電解質層14にカソード原料を積層する工程と、上記カソード原料を焼成してカソード15を形成する工程と、を含む製造方法、(2)上記平板状支持体における上記貫通孔をアノード原料で充填する工程と、上記支持体の一方の主面に電解質層原料を積層する工程と、上記アノード原料及び上記電解質層原料を焼成してアノード13及び電解質層14を形成する工程と、電解質層14にカソード原料を積層する工程と、上記カソード原料を焼成してカソード15を形成する工程と、を含む製造方法により製造することができる。
上記平板状支持体において、貫通孔の形状、配置、開口率、及び個数は、支持基板12について説明したのと同様である。
上記平板状支持体は、アノード原料と同等の熱膨張率を有する材料からなるものであれば特に限定されず、例えば、MgO、Al2O3、CaZrO3、TiO2、CaO、BaTiO3、及びZrO2からなる群より選択される少なくとも1種の金属酸化物を含む未焼成セラミック原料、上記金属酸化物を含むセラミック焼成体、又はSUS等の金属からなる。上記平板状支持体は、上記未焼成セラミック原料からなる場合、焼成されて支持基板12となる。一方、上記平板状支持体は、上記セラミック焼成体又は上記金属からなる場合、そのまま支持基板12となる。
上記平板状支持体は、アノード原料と同等の熱膨張率を有する材料からなるものであれば特に限定されず、例えば、MgO、Al2O3、CaZrO3、TiO2、CaO、BaTiO3、及びZrO2からなる群より選択される少なくとも1種の金属酸化物を含む未焼成セラミック原料、上記金属酸化物を含むセラミック焼成体、又はSUS等の金属からなる。上記平板状支持体は、上記未焼成セラミック原料からなる場合、焼成されて支持基板12となる。一方、上記平板状支持体は、上記セラミック焼成体又は上記金属からなる場合、そのまま支持基板12となる。
上記未焼成セラミック原料からなる上記平板状支持体は、例えば、(a)上記未焼成セラミック原料と水や有機溶剤等の溶媒とバインダー、分散剤等とを含むセラミックスラリーをスクリーン印刷法でポリマーシート上に、平板状支持体と同一の形状となるように塗布し乾燥させる方法、(b)平板状支持体の鋳型に上記セラミックスラリーを流し込み乾燥させ、乾燥物を上記鋳型から取り出す方法、(c)未焼成セラミック原料からなるセラミックシートを平板状支持体と同一の形状に切り抜く方法、(d)未焼成セラミック原料を含む半乾燥状態の紐状物(セラミックロープ)を編んで平板状支持体と同一の形状に成形し乾燥させる方法、(e)上記セラミックスラリーをインクジェット印刷法でポリマーシート上に、平板状支持体と同一の形状となるように塗布し乾燥させる方法、(f)筆やチューブ等の用具を用いて、未焼成セラミック原料を分散させたインクで平板状支持体と同一の形状を描画し、該インクを乾燥させる方法等で得ることができる。セラミック焼成体からなる平板状支持体は、例えば、未焼成セラミック原料からなる平板状支持体を、例えば、800〜1200℃の温度で0.5〜4時間程度焼成することにより得ることができる。上記金属からなる平板状支持体は、例えば、上記金属の平板に対して機械的処理(打ち抜き等)又は化学的処理(エッチング等)を施して貫通孔を形成させることにより得ることができる。
アノード原料としては、例えば、NiO、NiOとイットリア安定化ジルコニア及びスカンジア安定化ジルコニアからなる群より選択される少なくとも1種の安定化ジルコニアとの組み合わせが挙げられる。
上記貫通孔をアノード原料で充填する方法としては、例えば、アノード原料と水や有機溶剤等の溶媒とバインダー、可塑剤、分散剤等とを含むアノード原料スラリーを用いたドクターブレード法、ディップコート法、スクリーン印刷法等が挙げられる。
電解質層原料としては、例えば、イットリア安定化ジルコニア、スカンジア安定化ジルコニア等が挙げられる。
カソード原料としては、例えば、LSCF(LaxSr1−xCoyFe1−yO3(式中、x及びyは、それぞれ0<x<1及び0<y<1を満たす数))、LSM(LazSr1−zMnO3(式中、zは、0<z<1を満たす数))等のペロブスカイト型酸化物が挙げられる。
アノード中間層を設ける場合には、上記製造方法(1)において、電解質層原料の積層の直前にアノード中間層原料の積層と焼成とを行うか、上記製造方法(2)において、電解質層原料の積層の直前にアノード中間層原料の積層のみを行うことにより、アノード中間層を形成させることができる。上記のとおりアノード中間層原料の積層のみを行った場合には、該アノード中間層原料を、アノード原料及び電解質層原料とともに焼成する。
カソード中間層を設ける場合には、上記製造方法(1)及び(2)において、カソード原料の積層の直前に、カソード中間層原料の積層と焼成とを行うことにより、カソード中間層を形成させることができる。
アノード中間層原料としては、例えば、アノード原料について例示したのと同様の材料が挙げられる。カソード中間層原料しては、例えば、LSMとイットリア安定化ジルコニアとの組み合わせが挙げられる。
電解質層原料、カソード原料、アノード中間層原料、及びカソード中間層原料の積層方法としては、例えば、スクリーン印刷法、スプレーコート法、ディップコート法等が挙げられる。
上記平板状支持体の厚さは、支持基板12の厚さが所望の値となるように設定する。また、アノード原料、電解質層原料、カソード原料、アノード中間層原料、及びカソード中間層原料は、それぞれアノード13、電解質層14、カソード15、アノード中間層、及びカソード中間層が所望の厚さとなるように積層される。
アノード原料について、焼成温度は800〜1200℃が好ましく、焼成時間は0.5〜4時間程度でよい。
電解質層原料について、焼成温度は1300〜1500℃が好ましく、焼成時間は0.5〜2時間程度でよい。
カソード原料について、焼成温度は900〜1150℃が好ましく、焼成時間は0.5〜2時間程度でよい。
アノード中間層原料について、焼成温度は800〜1200℃が好ましく、焼成時間は1〜4時間程度でよい。
カソード中間層原料について、焼成温度は1000〜1250℃が好ましく、焼成時間は0.5〜2時間程度でよい。
ただし、アノード原料と、電解質層原料と、任意にアノード中間層原料とを共焼成する場合、焼成温度は1350〜1450℃が好ましく、1400℃がより好ましい。この場合、焼成時間は0.5〜2時間程度でよい。
電解質層原料について、焼成温度は1300〜1500℃が好ましく、焼成時間は0.5〜2時間程度でよい。
カソード原料について、焼成温度は900〜1150℃が好ましく、焼成時間は0.5〜2時間程度でよい。
アノード中間層原料について、焼成温度は800〜1200℃が好ましく、焼成時間は1〜4時間程度でよい。
カソード中間層原料について、焼成温度は1000〜1250℃が好ましく、焼成時間は0.5〜2時間程度でよい。
ただし、アノード原料と、電解質層原料と、任意にアノード中間層原料とを共焼成する場合、焼成温度は1350〜1450℃が好ましく、1400℃がより好ましい。この場合、焼成時間は0.5〜2時間程度でよい。
なお、上記平板状支持体が未焼成セラミック原料からなる場合、この平板状支持体は、上記製造方法(1)において、アノード原料と共焼成されることによって、又は、上記製造方法(2)において、アノード原料、電解質層原料、及び任意にアノード中間層原料と共焼成されることによって支持基板12となる。
・SOFCセル1の製造方法の具体例(製造例1)
以下に、SOFCセル1の製造方法の具体的な一例を示す。
MgO粉末、Al2O3粉末、有機溶剤、バインダー、及び分散剤からなるセラミックスラリーをスクリーン印刷法によりポリマーシート上に塗布し乾燥させて、厚さ方向に貫通する複数個の貫通孔を有する平板状支持体を形成させる。上記平板状支持体における貫通孔の形状及び配置は図2の支持基板12におけるものと同様である。NiO粉末、イットリア安定化ジルコニア粉末、有機溶剤、バインダー、可塑剤、及び分散剤からなるアノード原料スラリーを、ディップコート法及びドクターブレード法により、上記平板状支持体の貫通孔のみに充填し乾燥させる。上記平板状支持体と上記アノード原料スラリーの乾燥物とを1150℃で4時間加熱することにより、MgO粉末及びAl2O3粉末を焼成して支持基板12を形成させ、NiO粉末及びイットリア安定化ジルコニア粉末を焼成してアノード13を形成させる。支持基板12の一方の主面に、イットリア安定化ジルコニア粉末、有機溶剤、バインダー、及び分散剤からなる電解質層原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体を1400℃で2時間加熱することによりイットリア安定化ジルコニア粉末を焼成して電解質層14を形成させる。電解質層14上に、LSCF粉末、有機溶剤、バインダー、及び分散剤からなるカソード原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体を1100℃で2時間加熱することによりLSCF粉末を焼成してカソード15を形成させ、SOFCセル1を得る。なお、支持基板12の厚さは1mm、電解質層14の厚さは5μm、カソード15の厚さは30μmである。
以下に、SOFCセル1の製造方法の具体的な一例を示す。
MgO粉末、Al2O3粉末、有機溶剤、バインダー、及び分散剤からなるセラミックスラリーをスクリーン印刷法によりポリマーシート上に塗布し乾燥させて、厚さ方向に貫通する複数個の貫通孔を有する平板状支持体を形成させる。上記平板状支持体における貫通孔の形状及び配置は図2の支持基板12におけるものと同様である。NiO粉末、イットリア安定化ジルコニア粉末、有機溶剤、バインダー、可塑剤、及び分散剤からなるアノード原料スラリーを、ディップコート法及びドクターブレード法により、上記平板状支持体の貫通孔のみに充填し乾燥させる。上記平板状支持体と上記アノード原料スラリーの乾燥物とを1150℃で4時間加熱することにより、MgO粉末及びAl2O3粉末を焼成して支持基板12を形成させ、NiO粉末及びイットリア安定化ジルコニア粉末を焼成してアノード13を形成させる。支持基板12の一方の主面に、イットリア安定化ジルコニア粉末、有機溶剤、バインダー、及び分散剤からなる電解質層原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体を1400℃で2時間加熱することによりイットリア安定化ジルコニア粉末を焼成して電解質層14を形成させる。電解質層14上に、LSCF粉末、有機溶剤、バインダー、及び分散剤からなるカソード原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体を1100℃で2時間加熱することによりLSCF粉末を焼成してカソード15を形成させ、SOFCセル1を得る。なお、支持基板12の厚さは1mm、電解質層14の厚さは5μm、カソード15の厚さは30μmである。
<第2の実施形態>
[SOFCセルの構成]
図4は、本発明の第2の実施形態に係るアノード支持型のSOFCセルを示す縦断面図である。図4のSOFCセル2は、アノード13が、貫通孔16を充填するとともに、支持基板12の電解質層14側の主面を覆うように設けられている点を除いて、図1のSOFCセル1と同様の構成を有する。即ち、SOFCセル2は、支持基板12、アノード13、電解質層14、及びカソード15を備えている。支持基板12は、厚さ方向に貫通する複数個の貫通孔16を有している。アノード13は、少なくとも貫通孔16を充填するように設けられている。電解質層14は、支持基板12の電解質層14側の主面を覆うように設けられているアノード13と、カソード15との間に設けられている。
[SOFCセルの構成]
図4は、本発明の第2の実施形態に係るアノード支持型のSOFCセルを示す縦断面図である。図4のSOFCセル2は、アノード13が、貫通孔16を充填するとともに、支持基板12の電解質層14側の主面を覆うように設けられている点を除いて、図1のSOFCセル1と同様の構成を有する。即ち、SOFCセル2は、支持基板12、アノード13、電解質層14、及びカソード15を備えている。支持基板12は、厚さ方向に貫通する複数個の貫通孔16を有している。アノード13は、少なくとも貫通孔16を充填するように設けられている。電解質層14は、支持基板12の電解質層14側の主面を覆うように設けられているアノード13と、カソード15との間に設けられている。
SOFCセル2は、SOFCセル1と同様の効果を奏する。それに加えて、SOFCセル2では、SOFCセル1と比較して、アノード13と電解質層14との接触面積が広く、酸化物イオンと水素ガスとの反応が起こりやすいことから、出力の向上が期待できる。
SOFCセル2において、支持基板12、アノード13、電解質層14、カソード15、貫通孔16、アノード中間層、及びカソード中間層は、SOFCセル1について説明したのと同様である。ただし、支持基板12の電解質層14側の主面を覆うように設けられているアノード13の厚さは、例えば、50〜300μmである。また、アノード中間層が設けられている場合、その位置は、支持基板12の電解質層14側の主面を覆うように設けられているアノード13と電解質層14との間である。
[SOFCセルの製造方法]
図4に示すアノード支持型のSOFCセル2は、SOFCセル1の上記製造方法において、上記貫通孔を上記アノード原料で充填する工程に伴って、上記支持体の一方の主面に上記アノード原料を積層する工程を含む製造方法により製造することができる。
図4に示すアノード支持型のSOFCセル2は、SOFCセル1の上記製造方法において、上記貫通孔を上記アノード原料で充填する工程に伴って、上記支持体の一方の主面に上記アノード原料を積層する工程を含む製造方法により製造することができる。
SOFCセル2は、より具体的には、例えば、(3)上記平板状支持体における上記貫通孔をアノード原料で充填するとともに、上記支持体の一方の主面に上記アノード原料を積層する工程と、上記アノード原料を焼成してアノード13を形成する工程と、上記支持体の一方の主面に形成されたアノード13に電解質層原料を積層する工程と、上記電解質層原料を焼成して電解質層14を形成する工程と、上記電解質層14にカソード原料を積層する工程と、上記カソード原料を焼成してカソード15を形成する工程と、を含む製造方法、(4)上記平板状支持体における上記貫通孔をアノード原料で充填するとともに、上記支持体の一方の主面に上記アノード原料を積層する工程と、上記支持体の一方の主面に積層された上記アノード原料に電解質層原料を積層する工程と、上記アノード原料及び上記電解質層原料を焼成してアノード13及び電解質層14を形成する工程と、電解質層14にカソード原料を積層する工程と、上記カソード原料を焼成してカソード15を形成する工程と、を含む製造方法により製造することができる。
SOFCセル2の製造方法において、平板状支持体、アノード原料、電解質層原料、カソード原料、アノード中間層原料、及びカソード中間層原料に関する事項は、SOFCセル1の製造方法について説明したとおりである。ただし、SOFCセル2の製造方法では、上記貫通孔をアノード原料で充填するとともに、上記支持体の一方の主面にアノード原料を積層する。その方法は、SOFCセル1の製造方法において、貫通孔をアノード原料で充填する方法と同様である。
また、アノード中間層を設ける場合には、上記製造方法(3)において、電解質層原料の積層の直前に、アノード中間層原料の積層と焼成とを行うか、上記製造方法(4)において、電解質層原料の積層の直前に、アノード中間層原料の積層のみを行うことにより、アノード中間層を形成させることができる。上記のとおりアノード中間層原料の積層のみを行った場合には、該アノード中間層原料を、アノード原料及び電解質層原料とともに焼成する。更に、カソード中間層を設ける場合には、上記製造方法(3)及び(4)において、カソード原料の積層の直前に、カソード中間層原料の積層と焼成とを行うことにより、カソード中間層を形成させることができる。
なお、上記平板状支持体が未焼成セラミック原料からなる場合、この平板状支持体は、上記製造方法(3)において、アノード原料と共焼成されることによって、又は、上記製造方法(4)において、アノード原料、電解質層原料、及び任意にアノード中間層原料と共焼成されることによって支持基板12となる。
・SOFCセル2の製造方法の具体例(製造例2)
以下に、SOFCセル2の製造方法の具体的な一例を示す。
製造例1と同様にして平板状支持体を形成させる。製造例1記載のアノード原料スラリーを、ディップコート法及びドクターブレード法により、上記平板状支持体の貫通孔に充填するとともに、該平板状支持体の主面に積層し、乾燥させる。上記平板状支持体と上記アノード原料スラリーの乾燥物とについて製造例1と同様にして加熱及び焼成を行って、支持基板12及びアノード13を形成させる。アノード13は、支持基板12の貫通孔を充填し、かつ、支持基板12の一方の主面を覆う。支持基板12の一方の主面を覆うアノード13上に、製造例1記載の電解質層原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体について製造例1と同様にして加熱及び焼成を行って電解質層14を形成させる。電解質層14上に、製造例1と同様にしてカソード15を形成させ、SOFCセル2を得る。なお、支持基板12の厚さは1mm、支持基板12上に積層されるアノード13の厚さは50μm、電解質層14の厚さは5μm、カソード15の厚さは30μmである。
以下に、SOFCセル2の製造方法の具体的な一例を示す。
製造例1と同様にして平板状支持体を形成させる。製造例1記載のアノード原料スラリーを、ディップコート法及びドクターブレード法により、上記平板状支持体の貫通孔に充填するとともに、該平板状支持体の主面に積層し、乾燥させる。上記平板状支持体と上記アノード原料スラリーの乾燥物とについて製造例1と同様にして加熱及び焼成を行って、支持基板12及びアノード13を形成させる。アノード13は、支持基板12の貫通孔を充填し、かつ、支持基板12の一方の主面を覆う。支持基板12の一方の主面を覆うアノード13上に、製造例1記載の電解質層原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体について製造例1と同様にして加熱及び焼成を行って電解質層14を形成させる。電解質層14上に、製造例1と同様にしてカソード15を形成させ、SOFCセル2を得る。なお、支持基板12の厚さは1mm、支持基板12上に積層されるアノード13の厚さは50μm、電解質層14の厚さは5μm、カソード15の厚さは30μmである。
・更にアノード中間層及びカソード中間層を備えるSOFCセル2の製造方法の具体例(製造例3)
製造例2と同様にして支持基板12及びアノード13を形成させる。支持基板12の一方の主面を覆うアノード13上に、NiO粉末、イットリア安定化ジルコニア粉末、有機溶剤、バインダー、可塑剤、及び分散剤からなるアノード中間層原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体を1150℃で4時間加熱することによりNiO粉末及びイットリア安定化ジルコニア粉末を焼成してアノード中間層を形成させる。アノード中間層上に、製造例1記載の電解質層原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体について製造例1と同様にして加熱及び焼成を行って電解質層14を形成させる。電解質層14上に、LSM粉末、イットリア安定化ジルコニア粉末、有機溶剤、バインダー、及び分散剤からなるカソード中間層原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体を1200℃で2時間加熱することによりLSM粉末及びイットリア安定化ジルコニア粉末を焼成してカソード中間層を形成させる。カソード中間層上に、製造例1記載のカソード原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体について製造例1と同様にして加熱及び焼成を行ってカソード15を形成させる。これにより、アノード13と電解質層14との間にアノード中間層を更に備え、電解質層14とカソード15との間にカソード中間層を更に備えるSOFCセル2を得る。なお、支持基板12の厚さは1mm、支持基板12上に積層されるアノード13の厚さは50μm、アノード中間層の厚さは10μm、電解質層14の厚さは5μm、カソード中間層の厚さは5μm、カソード15の厚さは30μmである。
製造例2と同様にして支持基板12及びアノード13を形成させる。支持基板12の一方の主面を覆うアノード13上に、NiO粉末、イットリア安定化ジルコニア粉末、有機溶剤、バインダー、可塑剤、及び分散剤からなるアノード中間層原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体を1150℃で4時間加熱することによりNiO粉末及びイットリア安定化ジルコニア粉末を焼成してアノード中間層を形成させる。アノード中間層上に、製造例1記載の電解質層原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体について製造例1と同様にして加熱及び焼成を行って電解質層14を形成させる。電解質層14上に、LSM粉末、イットリア安定化ジルコニア粉末、有機溶剤、バインダー、及び分散剤からなるカソード中間層原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体を1200℃で2時間加熱することによりLSM粉末及びイットリア安定化ジルコニア粉末を焼成してカソード中間層を形成させる。カソード中間層上に、製造例1記載のカソード原料スラリーをスクリーン印刷法により積層し、乾燥させる。得られる積層体について製造例1と同様にして加熱及び焼成を行ってカソード15を形成させる。これにより、アノード13と電解質層14との間にアノード中間層を更に備え、電解質層14とカソード15との間にカソード中間層を更に備えるSOFCセル2を得る。なお、支持基板12の厚さは1mm、支持基板12上に積層されるアノード13の厚さは50μm、アノード中間層の厚さは10μm、電解質層14の厚さは5μm、カソード中間層の厚さは5μm、カソード15の厚さは30μmである。
1 SOFCセル
2 SOFCセル
12 支持基板
13 アノード
14 電解質層
15 カソード
16 貫通孔
2 SOFCセル
12 支持基板
13 アノード
14 電解質層
15 カソード
16 貫通孔
Claims (4)
- 支持基板、アノード、電解質層、及びカソードを備え、
前記支持基板は、厚さ方向に貫通する1個又は複数個の貫通孔を有し、
前記アノードは、少なくとも前記貫通孔を充填するように設けられ、
前記電解質層は、前記支持基板と前記カソードとの間に設けられている
アノード支持型の固体酸化物形燃料電池セル。 - 前記アノードは、更に前記支持基板の前記電解質層側の主面を覆うように設けられている請求項1に記載の固体酸化物形燃料電池セル。
- アノード支持型の固体酸化物形燃料電池セルの製造方法であって、
厚さ方向に貫通する1個又は複数個の貫通孔を有する平板状支持体における少なくとも該貫通孔をアノード原料で充填する工程と、
前記アノード原料を焼成してアノードを形成する工程と、
を含む製造方法。 - 前記貫通孔を前記アノード原料で充填する工程に伴って、前記支持体の一方の主面に前記アノード原料を積層する工程を含む請求項3に記載の製造方法。
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JP2012069613A JP2013201061A (ja) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | アノード支持型の固体酸化物形燃料電池セル及びその製造方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2016024995A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 固体酸化物形燃料電池セルおよびその製造方法 |
WO2020166202A1 (ja) * | 2019-02-13 | 2020-08-20 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 膜電極接合体および燃料電池 |
CN112952170A (zh) * | 2021-02-09 | 2021-06-11 | 广东省科学院新材料研究所 | 一种燃料电池/电解池多孔金属支撑体及其增材制备方法 |
-
2012
- 2012-03-26 JP JP2012069613A patent/JP2013201061A/ja active Pending
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