JP2013200665A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御信号で制御される第一のトランジスタを備えた半導体装置であって、基準電流回路と、第一のトランジスタの電流をセンスし、基準電流回路の電流をミラーし、加算して電圧を発生させるセンス電圧発生回路と、基準電流回路の電流をミラーして電圧を発生させる基準電圧回路と、センス電圧発生回路で発生する電圧と基準電圧回路で発生する電圧を比較するアンプと、アンプの出力にゲートが接続され第一のトランジスタをオフすることができる第二のトランジスタで構成する。
【選択図】図1
Description
従来の半導体装置は、過電流検出部304と、サーマル・シャット・ダウン検出部(以下、TSD検出部)309と、NMOSトランジスタ301、302、306、307と、抵抗303、305、308と、グラウンド端子100と、外部端子321、322で構成されている。過電流検出部304と、抵抗303と、NMOSトランジスタ306で過電流保護回路331が構成されている。NMOSトランジスタ307と、TSD検出部309で過熱保護回路332が構成されている。
本発明は、上記課題に鑑みてなされ、半導体装置の許容損失特性に合わせて任意の過電流保護特性を設定できるようにする。
制御信号で制御される第一のトランジスタを備えた半導体装置であって、基準電流回路と、第一のトランジスタの電流をセンスし、基準電流回路の電流をミラーし、加算して電圧を発生させるセンス電圧発生回路と、基準電流回路の電流をミラーして電圧を発生させる基準電圧回路と、センス電圧発生回路で発生する電圧と基準電圧回路で発生する電圧を比較するアンプと、アンプの出力にゲートが接続され第一のトランジスタをオフすることができる第二のトランジスタで構成する。
<第一の実施形態>
図1は、第一の実施形態の半導体装置の回路図である。
制御端子102からLoの信号が入力されると、PMOSトランジスタ121は電流を流して負荷電流源126を駆動する。例えば、半導体装置がボルテージレギュレータであれば、制御端子102には差動増幅器の出力端子が接続され、負荷電流源126はその電圧で駆動される負荷回路である。
図2は、第二の実施形態の半導体装置の回路図である。図1の回路との違いは、基準電流回路110の構成を変更した点である。第二の実施形態の半導体装置は、PMOSトランジスタ215、216と、NMOSトランジスタ213、214と、PN接合素子211、212と、抵抗217で基準電流回路210を構成している。他は第一の実施形態と同じである。
101 電源端子
102 制御端子
110、210 基準電流回路
111、112、128、211、212 PN接合素子
113、130 アンプ
126 負荷電流源
141 センス電圧発生回路
142 基準電圧回路
304 過電流検出部
309 TSD検出部
Claims (4)
- 制御信号で制御される第一のトランジスタを備えた半導体装置であって、
基準電流を発生する基準電流回路と、
前記第一のトランジスタの電流に応じた電流と前記基準電流を加算した電流に基づくセンス電圧を発生するセンス電圧発生回路と、
前記基準電流に基づいて基準電圧を発生する基準電圧回路と、
前記センス電圧と前記基準電圧を比較するアンプと、
前記アンプの出力端子にゲートが接続され、前記センス電圧が前記基準電圧を上回ると前記第一のトランジスタをオフする第二のトランジスタと、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記センス電圧発生回路は、
前記第一のトランジスタに流れる電流をセンスする第三のトランジスタと、
前記基準電流をミラーする第四のトランジスタと、
前記第三のトランジスタに流れる電流と前記第四のトランジスタに流れる電流が流れる第一の抵抗と、
を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記基準電圧回路は、
前記基準電流をミラーする第五のトランジスタと、
前記第五のトランジスタに流れる電流が流れる、並列に接続された第一のPN接合素子と第二の抵抗と、
を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記基準電流回路は、
複数のPN接合素子を有し、前記複数のPN接合素子の順方向電圧の差に基づく電流を発生することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。
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