JP2013197599A - 電力増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】増幅素子Tr1は、外部から入力された入力信号を増幅する。増幅素子Tr2は増幅素子Tr1の出力信号を増幅する。増幅素子Tr3は入力信号を増幅する。スイッチSW1がTr1の出力とTr2の入力との間に接続されている。スイッチSW2がTr1の出力とTr3の出力との間に接続されている。スイッチSW3がTr1の出力とTr2の出力との間に接続されている。参照電圧発生回路1は参照電圧を発生する。バイアス回路2は、参照電圧に基づいたバイアス電流をTr1,Tr2,Tr3の入力に供給する。制御回路3は、SW1,SW2,SW3と参照電圧発生回路1を制御する。制御回路3は、SW1をオフ、SW2,SW3をオンにした低出力時に、参照電圧発生回路1を停止させる。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る電力増幅器を示すブロック図である。増幅素子Tr1は、外部から入力された入力信号を増幅する。増幅素子Tr2は増幅素子Tr1の出力信号を増幅する。増幅素子Tr3は入力信号を増幅する。スイッチSW1が増幅素子Tr1の出力と増幅素子Tr2の入力との間に接続されている。スイッチSW2が増幅素子Tr1の出力と増幅素子Tr3の出力との間に接続されている。スイッチSW3が増幅素子Tr1の出力と増幅素子Tr2の出力との間に接続されている。
図6は、本発明の実施の形態2に係る参照電圧発生回路を示す回路図である。本実施の形態では、参照電圧発生回路1の動作を切り替えるスイッチFETv5をTrv6のコレクタ側に挿入している。FETv5の動作は実施の形態1と同様である。電圧Vxを出力電力に応じて制御すれば、低出力時に参照電圧発生回路1の消費電流を削減することができ、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
図7は、本発明の実施の形態3に係る参照電圧発生回路を示す回路図である。FETv6はFET、Rv10〜Rv12は抵抗、Vx1,Vx2はそれぞれFETv5,FETv6を制御するための信号端子である。
図8は、本発明の実施の形態4に係る参照電圧発生回路を示す回路図である。抵抗Rv13がFETv5及びRv3に直列に接続されている。抵抗Rv14がFETv6及びRv11に直列に接続されている。Rv3,Rv11は薄膜金属(例えばNiCr)で作られた抵抗、Rv13,Rv14は半導体層(例えばベース層)で作られた抵抗である。
Claims (4)
- 外部から入力された入力信号を増幅する第1の増幅素子と、
前記第1の増幅素子の出力信号を増幅する第2の増幅素子と、
前記入力信号を増幅する第3の増幅素子と、
前記第1の増幅素子の出力と前記第2の増幅素子の入力との間に接続された第1のスイッチと、
前記第1の増幅素子の出力と前記第3の増幅素子の出力との間に接続された第2のスイッチと、
前記第1の増幅素子の出力と前記第2の増幅素子の出力との間に接続された第3のスイッチと、
参照電圧を発生する参照電圧発生回路と、
前記参照電圧に基づいたバイアス電流を前記第1、第2、及び第3の増幅素子の入力に供給するバイアス回路と、
前記第1、第2、及び第3のスイッチと前記参照電圧発生回路を制御する制御回路とを備え、
前記制御回路は、前記第1のスイッチをオフ、前記第2及び第3のスイッチをオンにした場合に、前記参照電圧発生回路を停止させることを特徴とする電力増幅器。 - 前記参照電圧発生回路は、
前記参照電圧を出力する出力端子と、
前記出力端子と接地点の間に接続された第4のスイッチとを有し、
前記制御回路は、前記第4のスイッチのオン・オフを制御することを特徴とする請求項1に記載の電力増幅器。 - 前記参照電圧発生回路は、
前記第4のスイッチに直列に接続された第1の抵抗と、
前記第4のスイッチに並列に接続された第5のスイッチと、
前記第5のスイッチに直列に接続された第2の抵抗とを更に有し、
前記制御回路は、前記第5のスイッチのオン・オフを制御することを特徴とする請求項2に記載の電力増幅器。 - 前記参照電圧発生回路は、
前記第4のスイッチ及び前記第1の抵抗に直列に接続された第3の抵抗と、
前記第5のスイッチ及び前記第2の抵抗に直列に接続された第4の抵抗とを更に有し、
前記第1及び第2の抵抗は半導体抵抗であり、前記第3及び第4の抵抗は薄膜金属抵抗であることを特徴とする請求項3に記載の電力増幅器。
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