JP5488319B2 - 電力増幅器 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る電力増幅器を示す図である。増幅用トランジスタRFTr1,RFTr2は、電力増幅用のヘテロ接合バイポーラトランジスタであり、それぞれ初段、終段トランジスタである。バイアス回路10は、増幅用トランジスタRFTr1,RFTr2にバイアス電流を供給する。増幅用トランジスタRFTr1,RFTr2のコレクタは、それぞれインダクタL1,L2を介してコレクタ電圧端子Vcに接続されている。
本発明の実施の形態2に係る電力増幅器は、実施の形態1とはバイアス回路の構成が異なる。図5は、本発明の実施の形態2に係るバイアス回路を示す図である。実施の形態2のバイアス回路では、実施の形態1の可変容量18及び抵抗R2の代わりに、電源端子VcbとトランジスタTr1のコレクタとの間に可変抵抗22が接続されている。可変抵抗22は、並列接続された抵抗R9,R10と、抵抗R10に直列接続されたトランジスタFET1とを有する。また、実施の形態2のロジック回路20には、実施の形態1のトランジスタTr3及び抵抗R8が無い。
図6は、本発明の実施の形態3に係る電力増幅器を示す図である。実施の形態1の段間整合回路14の代わりに増幅用トランジスタRFTr1と増幅用トランジスタRFTr2との間に可変容量24が設けられ、この可変容量24の容量値を制御するロジック回路20が設けられている。
図8は、本発明の実施の形態4に係る電力増幅器を示す図である。実施の形態1の出力整合回路16の代わりに増幅用トランジスタRFTr2と出力端子OUTとの間に可変容量24が設けられ、この可変容量24の容量値を制御するロジック回路20が設けられている。
18,24 可変容量
20 ロジック回路
22 可変抵抗
D1 ダイオード
RFTr1,RFTr2 増幅用トランジスタ
Tr1 トランジスタ
Vc コレクタ電圧端子
Vcb 電源端子
Vref 参照電圧端子
Claims (3)
- 増幅用トランジスタと、
前記増幅用トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路と、
前記増幅用トランジスタのコレクタに接続されたコレクタ電圧端子とを備え、
前記バイアス回路は、
参照電圧が入力される参照電圧端子と、
電源に接続される電源端子と、
前記参照電圧端子に接続された制御端子と、前記電源端子に接続された第1端子と、接地された第2端子とを持ち、前記増幅用トランジスタに前記参照電圧に応じたバイアス電流を供給するトランジスタと、
前記トランジスタの前記第1端子と接地点との間に接続された可変容量と、
前記可変容量の容量値を制御するロジック回路とを有し、
前記ロジック回路は、前記コレクタ電圧端子に印加されたコレクタ電圧が所定電圧より高い場合に、前記コレクタ電圧が所定電圧以下の場合よりも前記可変容量の容量値を大きくすることを特徴とする電力増幅器。 - 前記ロジック回路は、前記コレクタ電圧端子に印加されたコレクタ電圧が所定電圧より高い場合にHigh電圧を出力し、前記コレクタ電圧が所定電圧以下の場合にLow電圧を出力し、
前記可変容量は、接地されたアノードと、前記ロジック回路の出力及び前記トランジスタの前記第1端子に接続されたカソードとを持つダイオードを有することを特徴とする請求項1に記載の電力増幅器。 - 増幅用トランジスタと、
前記増幅用トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路と、
前記増幅用トランジスタのコレクタに接続されたコレクタ電圧端子とを備え、
前記バイアス回路は、
参照電圧が入力される参照電圧端子と、
電源に接続される電源端子と、
前記参照電圧端子に接続された制御端子と、前記電源端子に接続された第1端子と、接地された第2端子とを持ち、前記増幅用トランジスタに前記参照電圧に応じたバイアス電流を供給するトランジスタと、
前記電源端子と前記トランジスタの前記第1端子との間に接続された可変抵抗と、
前記可変抵抗の抵抗値を制御するロジック回路とを有し、
前記ロジック回路は、前記コレクタ電圧端子に印加されたコレクタ電圧が所定電圧より高い場合に、前記コレクタ電圧が所定電圧以下の場合よりも前記可変抵抗の抵抗値を高くすることを特徴とする電力増幅器。
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