JP5095755B2 - 再構成可能なパワーアンプおよび移動電話通信の多標準増幅段での使用 - Google Patents

再構成可能なパワーアンプおよび移動電話通信の多標準増幅段での使用 Download PDF

Info

Publication number
JP5095755B2
JP5095755B2 JP2009545982A JP2009545982A JP5095755B2 JP 5095755 B2 JP5095755 B2 JP 5095755B2 JP 2009545982 A JP2009545982 A JP 2009545982A JP 2009545982 A JP2009545982 A JP 2009545982A JP 5095755 B2 JP5095755 B2 JP 5095755B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
amplifier
circuit
power
power amplifier
amplification stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009545982A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010516214A (ja
Inventor
ベロ、ディディエ
ディヴァル、ヤン
デルティンプル、ナタリー
ケルエルブ、エリック
ジャリ、ピエール
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Original Assignee
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centre National de la Recherche Scientifique CNRS filed Critical Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Publication of JP2010516214A publication Critical patent/JP2010516214A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5095755B2 publication Critical patent/JP5095755B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0261Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
    • H03F1/0266Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A by using a signal derived from the input signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Transmitters (AREA)

Description

この発明は、高周波パワーアンプに関し、より具体的には再構成可能(reconfigurable)なパワーアンプ(電力増幅器)に関する。
このような増幅器の特に有用な用途は、移動電話通信のハンドセット(送受話器)の増幅段の設計に関係し、より具体的には、多標準に設定可能なパワーアンプ、言い換えると種々の電話通信標準の規格に適合することができる増幅器の設計に関係する。
このような再構成可能なパワーアンプはUMTS(WCDMA)標準にしたがって動作可能でなければならず、またGSM、DCS、PCSにしたがっても動作可能でなければならない。
再構成可能という表現は、これらの増幅器が、所与の瞬間において使用中の標準にしたがってその特性を動的に修正することができなければならず、またそれに適用される入力信号の電力レベルにしたがって最適の電力レベルで動作するようその特性を動的に修正することができなければならないことを示している。
実際、いくつかの標準、特にGSM標準およびGSM 1800(DCS)標準では、使用する変調の形式のため、信号の電力が比較的高く、このことはRF用途に対し特有の制約を生じる。
この発明は、課される制約に動的に応答するため、特に電力に関し再構成可能な増幅器を提供することを目的とする。
第1の観点によると、この発明の再構成可能なパワーアンプは、少なくとも一つの増幅回路と、加えられる入力信号にしたがってその動作を適合させるようこの増幅回路を制御する手段とを備える。
増幅器の概略の構成によると、制御手段は、増幅回路の圧縮点を修正し、この修正された圧縮点のために回路の電力を加えられた効率(power added efficiency, PAE)を増大させるよう、回路の利得を適合させるための手段を備える。
こうして、圧縮点は、増幅器の線形性を動作状態にしたがって適合させるよう変化すようにされ、PAEは、修正された圧縮点で最大のPAEを得るよう動的に修正される。増幅器の効率が最大のとき最大の出力電力が得られ、効率が低いとき出力電力のレベルが低いことが観測されている。
最大PAEを修正された圧縮点のレベルに調整すると、低電力において増幅器の効率が改善される。
この発明のもう一つの特徴によると、制御手段は、前記回路に加えられるバイアス電流のレベルを適合させる手段を備える。
パワーアンプは第1増幅段および第2増幅段を含む2段増幅器であるのがよい。そして制御手段は、第1および第2の増幅段の動作をそれぞれ適合させるための第1および第2の制御手段を含む。
こうして、たとえば、第1の制御手段は、第1増幅段の圧縮点を適合させるための手段を備える。
第2の制御手段は、第2の増幅段の利得を適合させるための手段を備えるのがよい。
この発明のもう一つの面によると、増幅器は、前記増幅回路の増幅クラス(級)を修正するための手段を備える。
一実施形態では、これらの手段は、回路の出力ネットワークの等価インピーダンスを修正するための手段を備える。
たとえば、増幅器は、回路の出力に並列に構成されたキャパシタおよびインダクタを選択的に接続するためのスイッチ手段を備える。
バイアス電流のレベルを適合させるための手段に関する限り、一実施形態では、これは互いに並列に選択的に接続することができる電流源の組を備える。
この発明のその他の特徴および利点は、以下の説明および図面から明らかになる。ただし、これらの説明および図面は発明の例に関するものであって、発明を制限するものではない。
種々の電話通信標準(GSM、DCSおよびUMTS)の規格を示す。 この発明の再構成可能なパワーアンプの概略構造を示す回路図。 図2の増幅器で行われる動的補償の概念を示す図。 図2の増幅器の増幅回路におけるバイアス電流の生成を示す回路図。 図2の増幅器における第1増幅段の圧縮点の変化を示す図。 図2の増幅器における第1増幅段の圧縮点の変化を示す図表。 図2の増幅器のr.m.s.を加えた電力の変化を示す図。 図2の増幅器のr.m.s.を加えた電力の変化を示す図表。
図1を参照すると、再構成可能なパワーアンプは、それが準拠する電話通信標準に固有のいくつかの要求を満足しなければならない。
実際、現在の標準は異なる形式の変調を使用し、このことは、搬送するRF信号の形に違いがあることを意味している。
たとえば、GSMおよびGSM 1800 (DCS)標準はGMSK(Gaussian Minimum Shift Keying)形式の変調を使用するのに対し、UMTS標準は、QPSK(Quaternary Phase Shift Keying)変調を使用する。
UMTS標準に関しては、送信された信号は一定でない包絡線を持ち、このことは、RF信号の包絡線が時間の関数として変化することを意味する。しかし、それが有する情報が変えられるのを防ぐために保存されなければならない。したがって、信号の処理に使われるRF増幅器は、増幅中に包絡線にひずみが生じるのを防止するため良好な線形特性を持つ必要がある。しかし、出力電力の面での要求はそれほど厳しくない。
対照的にGSM標準およびGSM 1800 (DCS)標準では、使用するGMSK変調に依存して包絡線は比較的一定なので、非常に良好な線形特性での増幅は必要ない。一方、図1の図表が示すように、出力電力は比較的高くなければならない。移動電話のハンドセット(送受話器)用の再構成可能なパワーアンプの生産にとって比較的厳しい基準であるが、電力消費を低減するため、増幅器は十分高い動作、電力効率を持たねばならない。
この理由で、特にA級、B級またはAB級のパワーアンプでは、UMTS標準に従って動作するよう設計された電話通信装置の電力段の製造に、その優れた線形特性の故に正弦曲線級の動作が一般に使われている。一方、F級のパワーアンプは、GMS、DCS、またはPCS標準で動作する電話通信装置の電力段の設計に使用されている。
図2は、各標準に固有の制約を満足し、特に使用する標準によって線形性基準または効率基準を優先させることができる再構成可能なパワーアンプを示している。
この後詳しく説明するように、この高周波パワーアンプは、使用する一つまたは複数の増幅段の圧縮点(compression point, CP)を動的に修正し、増幅器の線形性を改善するためまたはその効率を改善するために、これらの段の増幅の級を修正するよう設計されている。
図2に示す実施例では、増幅器は増幅段E1および増幅段E2を備えており、増幅段E1が駆動段(E1)を形成し、増幅段E2が電力段(E2)を形成している。
各段は、トランジスタQd、Qpをそれぞれ備えている。第1段E1のトランジスタQdは2つのインダクタL11、L12に接続され、L11は直流(DC)電圧Vccに接続され、L12は接地されている。
同様にトランジスタQpは2つのインダクタL21、L22に接続され、L21は電圧Vccに接続され、L22は接地されている。
第1段のトランジスタQdの制御電極は入力整合回路網(input matching network)1を介して高周波信号RFinを受けとる。
トランジスタQdとインダクタL11との間の共通ノードは、段間の整合回路網(matching network)2を介して第2段のトランジスタQpの制御電極に接続されている。
インダクタL21とトランジスタQpの間の共通ノードは、本質的にRLC回路網を含む出力回路3を介して増幅された信号Sを供給する。
さらに各段は、トランジスタQd、Qpをバイアスするためのバイアス回路4および5を備えている。
増幅器は、信号RFinを入力とし、入力信号の関数として増幅段E1およびE2のトランジスタQdおよびQpをバイアスするためにバイアス回路4および5を駆動する処理ユニット6を備えている。
より具体的には、第1段E1の第1バイアス回路4は、トランジスタQdの制御電極に圧縮点(CP)を変えるために加えられるバイアス電流Ibiasdを生成するよう設計されている。
第2段E2の第2バイアス回路5は、第2のトランジスタQpのためのバイアス電流Ibiaspを生成するよう設計されている。さらに処理ユニット6は、出力回路網3の等価インピーダンスを修正して電力段の動作クラスを修正するために、出力回路網3に作用する。
こうして、図2の増幅器は、線形性を改善するため、または電力を加えられた効率(power added efficiency、PAE)を改善するために、本質的に増幅器の圧縮点を修正するものである。
この動作パラメータPAEは、加算された電力の間の比率によって実際に形成される。換言すると、所望のRF周波数において、各段を流れる電流の和と直流電圧Vccとの積に対する、出力電力と入力電力との間の線形差によって形成される。
言い換えると、2段増幅器についてPAEは次の式で与えられる。

Figure 0005095755
この式において、PRF(out)は、このRF周波数における増幅器の出力電力を示し、PRF(in)は、入力信号RFinの電力を示す。I1およびI2は、QdおよびQpを流れる電流を示す。
先に述べたようにA級、B級、AB級、C級の増幅器のような正弦曲線級の増幅器は、良好な線形性を示すが、比較的に効率が低い。
対照的に、トランジスタがスイッチング・モードで動作するD級、E級およびF級のスイッチング・トランジスタは、線形性は悪いが効率は高い。
このため、UMTS標準では、駆動段にA級増幅器が一般に使われ、電力段にAB級の増幅器が使われ、GSM、DCSまたはPCS標準では、駆動段にAB級増幅器が使われ、電力段に高効率増幅器(F級)が使われる。
多標準モードで増幅器が動作することができるようにするためには、A級/AB級構成をAB級/F級に切り替えることができることが望まれる。
このことは、2段増幅器の構成をA/AB級からAB/F級に動的に切り替えることができることを意味すると考える。しかし、この発明は同様に、その他の電話通信標準に従って動作する電力増幅器の再構成にも適用することができる。
AB級およびF級のトランジスタの構造は比較的似ている。本質的な相違は、バイアス点および出力インピーダンスだけである。
したがって、バイアス電流IbiasdおよびIbiaspに作用し、出力段の構成を修正することによって、各トランジスタQdおよびQpが動作する級を修正することができる。
図3を参照すると、曲線Iは、入力電力Pinの関数として出力電力Poutの変化を示し、曲線IIは、入力電力の関数としてPAEの変化を表す。増幅器、特に第1段E1のバイアス回路4は、動作点(Pout, a; Pin, a)に対応する圧縮点(飽和点)CP1を、矢印Fで示すように動作点(Pout, b; Pin, b)に対応する動作点CP1’に向けて低下させるようトランジスタQdのバイアス電流Ibiasdを修正する。
しかし、それ自体は知られているように、PAEは最大出力電力で最大であり、低い電力レベルでは効率は低い。
したがって、圧縮点の修正は、修正された圧縮点CP1’で最大のPAEを得るようPAE曲線を調整するために、利得補償と組み合わされる。
図4、図5、図6において、OCP1およびICP1は、1dBにおける圧縮点での出力電力および入力電力をそれぞれ示し、先に示したように圧縮点の変化はバイアス電流Ibiasdを修正することにより達成される。
たとえば、バイアス回路4は、並列に配置され、スイッチC1、C2、C3、….CNと関連する電流源I1、I2、….Inの連続により形成することができる。このスイッチC1、C2、C3、….CNは、トランジスタQdに加えるバイアス電流Ibiasdを生成するよう信号RFinの関数として処理ユニット6によって制御される。
この目的のため、処理ユニット6は、たとえば入力電力が減少するとき圧縮点を下げるために入力信号RFinの電力レベルを検出する検出器を備えている。図5を参照すると、これは、バイアス電流Ibiasdを入力電力レベルの関数として増加または減少させることによって達成される。
同様に図7および図8を参照すると、PAEは、バイアス電流Ibiasdを増加または減少させることにより修正することができる。
再び図2を参照すると、増幅器、特に第2段E2の増幅級の修正は、出力網3の等価インピーダンスを修正することによって達成される。
図2に示すように、第2段E2の出力網3は、第2段E2の出力において2つのスイッチ7および8に関連したインダクタL’およびキャパシタC’の並列接続によって形成される共振器を備えている。スイッチ7は、減結合(decoupling、デカプリング)キャパシタC’’と共振器L’C’との間に配置されている。スイッチ8は、共振器L’C’と出力網3の出力インピーダンスRLCとの間に配置されている。
スイッチ7および8は、共振器LCをバイパス線9によって短絡させるよう中央処理ユニット6によって制御される。このように出力網3は、たとえば検出される入力信号RFinの電力レベルに依存して、AB級のトランジスタの形で、またはF級のトランジスタの形で、電力段2を構成設定するよう、中央処理ユニット6の制御の下に選択的に構成設定される。

Claims (8)

  1. 少なくとも一つの増幅回路(E1、E2)、および前記増幅回路への入力信号(RFin)に従って該回路の動作を適合させるよう該回路を制御するための手段(6)を有する再構成可能な電力増幅器であって、
    制御手段が、前記増幅回路の圧縮点(CP1、CP1’)を修正し、該修正された圧縮点のために該回路の電力加算された効率(PAE)を増大させるよう該回路の利得を適合させるための手段(4)と、
    前記増幅回路の動作級を修正するための手段と、を備え、
    前記動作級を修正するための手段が、前記回路の出力網(3)の等価インピーダンスを修正するための手段を備える、再構成可能な電力増幅器。
  2. 前記制御手段が前記回路に加えられるバイアス電流(Ibiasd)のレベルを適合させるための手段を備える、請求項1に記載の電力増幅器。
  3. 前記電力増幅器が、第1増幅段(E1)および第2増幅段(E2)を備え、前記制御手段が、該第1増幅段および第2増幅段の動作をそれぞれ適合させるための第1および第2の手段(4、5)を備える、請求項1または2に記載の電力増幅器。
  4. 第1制御手段が第1増幅段(E1)の圧縮点を適合させるための手段を備える、請求項3に記載の電力増幅器。
  5. 第2制御手段が前記第2増幅段の利得を適合させるための手段(5)を備える、請求項3または4に記載の電力増幅器。
  6. 前記電力増幅器が前記回路の出力に並列に構成されたキャパシタ(C’)およびインダクタ(L’)を選択的に接続するための切り替え手段(7、8)を備える、請求項に記載の電力増幅器。
  7. 前記制御手段が前記増幅回路に加えられるバイアス電流のレベルを適合させるための手段を備え、該バイアス電流のレベルを適合させるための手段が、互いに並列に選択的に接続されることができる電力源の組(I1、I2、……In)からなる、請求項1から6のいずれかに記載の電力増幅器。
  8. 請求項1からのいずれかに記載される電力増幅器を用いた移動電話通信のハンドセット用の多標準増幅段。
JP2009545982A 2007-01-16 2008-01-14 再構成可能なパワーアンプおよび移動電話通信の多標準増幅段での使用 Expired - Fee Related JP5095755B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0752699A FR2911447B1 (fr) 2007-01-16 2007-01-16 Amplificateur de puissance reconfigurable et utilisation d'un tel amplificateur pour la realisation d'un etage d'amplification multistandard pour la telephonie mobile
FR0752699 2007-01-16
PCT/FR2008/050059 WO2008099113A2 (fr) 2007-01-16 2008-01-14 Amplificateur de puissance reconfigurable et utilisation d'un tel amplificateur pour la realisation d'un etage d'amplification multistandard pour la telephonie mobile

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010516214A JP2010516214A (ja) 2010-05-13
JP5095755B2 true JP5095755B2 (ja) 2012-12-12

Family

ID=38283897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009545982A Expired - Fee Related JP5095755B2 (ja) 2007-01-16 2008-01-14 再構成可能なパワーアンプおよび移動電話通信の多標準増幅段での使用

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8115547B2 (ja)
EP (1) EP2102981A2 (ja)
JP (1) JP5095755B2 (ja)
FR (1) FR2911447B1 (ja)
WO (1) WO2008099113A2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8350627B2 (en) * 2008-09-01 2013-01-08 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Hybrid class amplifier
US8344801B2 (en) * 2010-04-02 2013-01-01 Mks Instruments, Inc. Variable class characteristic amplifier
EP2501035B1 (en) * 2011-03-15 2020-09-30 Nxp B.V. Amplifier
US9143204B2 (en) * 2011-06-17 2015-09-22 Tensorcom, Inc. Direct coupled biasing circuit for high frequency applications
JP2019068404A (ja) * 2017-10-04 2019-04-25 株式会社村田製作所 電力増幅回路
CN110311640B (zh) * 2019-06-27 2024-04-09 杭州电子科技大学 宽带混合f/j类功率放大器及其设计方法
CN112821874B (zh) * 2020-12-30 2022-10-28 Oppo(重庆)智能科技有限公司 压缩点的调节方法及装置、及功放供电电路
US11888454B2 (en) * 2021-07-20 2024-01-30 The Chinese University Of Hong Kong, Shenzhen Blocking signal cancellation low noise amplifier system

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000174559A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波電力増幅装置
US6684064B2 (en) * 2000-03-29 2004-01-27 Interdigital Technology Corp. Dynamic bias for RF power amplifiers
US6529080B1 (en) * 2001-09-11 2003-03-04 Sirenza Microdevices, Inc. TOI and power compression bias network
JP2004356729A (ja) * 2003-05-27 2004-12-16 Toshiba Corp 高周波回路および通信装置
JP3841416B2 (ja) * 2003-10-07 2006-11-01 松下電器産業株式会社 送信装置、送信出力制御方法、および無線通信装置
EP1526636A1 (en) * 2003-10-23 2005-04-27 Broadcom Corporation High linearity, high efficiency power amplifier with DSP assisted linearity optimization
US7768345B2 (en) * 2004-01-05 2010-08-03 Nec Corporation Amplifier
JP2005217562A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Renesas Technology Corp 高周波電力増幅回路
JP2007005996A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Renesas Technology Corp 通信用半導体集積回路および無線通信装置
KR100880448B1 (ko) * 2007-08-10 2009-01-29 한국전자통신연구원 저소비전력 혼합모드 전력증폭장치
US7564311B2 (en) * 2007-09-28 2009-07-21 Intel Corporation Method and apparatus to enhance linearity and efficiency in an RF power amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
US8115547B2 (en) 2012-02-14
EP2102981A2 (fr) 2009-09-23
WO2008099113A3 (fr) 2009-01-15
FR2911447A1 (fr) 2008-07-18
JP2010516214A (ja) 2010-05-13
FR2911447B1 (fr) 2011-12-16
WO2008099113A2 (fr) 2008-08-21
US20100109770A1 (en) 2010-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5095755B2 (ja) 再構成可能なパワーアンプおよび移動電話通信の多標準増幅段での使用
EP2216901B1 (en) Efficient composite amplifier
US9806673B2 (en) Class-E outphasing power amplifier with efficiency and output power enhancement circuits and method
EP2321901B1 (en) Hybrid class amplifier
JP6680235B2 (ja) 電力増幅回路および高周波モジュール
US20030006845A1 (en) Low bias current/temperature compensation current mirror for linear power amplifier
US20060238245A1 (en) RF amplifier employing active load linearization
CN101677229B (zh) 功率放大器、功率放大器的控制方法以及无线通信装置
EP2044687B1 (en) A method for controlling a linear amplifier and power amplifier arrangement
WO2012061244A1 (en) Matching network for transmission circuitry
EP1201024A1 (en) High-efficiency modulating rf amplifier
JP2007036973A (ja) 電力増幅器および通信装置
JP2006500883A (ja) 複数の出力電力レベルを有する線形電力増幅器
US11894808B2 (en) Power amplifier with variable bias impedance
US20140285264A1 (en) Reconfigurable Output Matching Network for Multiple Power Mode Power Amplifiers
US20230020495A1 (en) Load-modulated push-pull power amplifier
JP2008125044A (ja) 増幅器
JP2003338711A (ja) 動作点の調整が可能な電力増幅器
JP2007019585A (ja) 高周波電力増幅器および無線通信装置
JP2010283556A (ja) 高周波増幅器及びそれを用いた高周波モジュール
JP2005045440A (ja) 電力増幅器及びこれを用いた無線通信装置
JP2019522406A (ja) 広帯域電力増幅器及び広帯域電力増幅器回路網を設計する方法
JP2004134823A (ja) 高周波増幅器
JP2021083010A (ja) 電力増幅回路
JP2005086620A (ja) バランス型の電力増幅器および高周波通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110111

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111003

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111018

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120117

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120412

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120821

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120919

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5095755

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees