JP5316285B2 - 電力増幅器用バイアス回路 - Google Patents
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Description
第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電圧駆動バイアス回路と、
前記電圧駆動バイアス回路と並列に設けられ、前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電流駆動バイアス回路と、
前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じて、前記第1の増幅用トランジスタのベースに入力されるバイアス電流を制御するアイドル電流制御回路と、
を備え、
前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路は、外部からリファレンス電圧が与えられるリファレンス電圧入力端子に接続され、
前記電圧駆動バイアス回路は、前記第1の増幅用トランジスタのベースに前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのエミッタと前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間に第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが接地された第2のトランジスタと、
前記リファレンス電圧入力端子に第2の抵抗を介してベースが接続され、前記第2のトランジスタのベースに、前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第3のトランジスタと、を有し、
前記電流駆動バイアス回路は、一端が前記リファレンス電圧入力端子に接続され、他端が前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された第3の抵抗を有し、
前記アイドル電流制御回路は、前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間にコレクタが接続され、前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じた電流がベースに入力される第1の制御部トランジスタを有し、
前記アイドル電流制御回路が、さらに、コレクタが前記第1の制御部トランジスタのベースに接続し、ベースに前記第1の増幅用トランジスタの前記コレクタ電圧に応じた電圧が入力される第2の制御部トランジスタを備え、
前記アイドル電流制御回路が、さらに、前記コレクタ電圧に応じた電圧をゲートに受け、前記第2の制御部トランジスタのベースに前記コレクタ電圧に応じたバイアス電流を供給する第1の電界効果トランジスタを有することを特徴とする。
図1は、本発明の実施の形態1のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路を示す回路図である。本実施の形態1に係る電力増幅器およびそのバイアス回路の構成例が示されている。この回路は、GaAs−HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)を用いて構成されている。図25および図26に示した回路図と共通する構成については同一の符号を付し、説明を省略する。また、本実施の形態では2段増幅器の後段のバイアス回路を例に説明をするが、初段のバイアス回路に適用しても同等の効果を得られる。
図3は、本発明の実施の形態2のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図3の回路図は、本発明の実施の形態2のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものである。実施の形態2は、実施の形態1の電力増幅器用バイアス回路のうち、Vc2によるアイドル電流制御回路10のVc2端子側にFET(Field Effect Transistor:電界効果型トランジスタ)を追加した点に特徴を有している。以下、実施の形態2の構成のうち、実施の形態1の構成と異なる点を中心に説明を行う。
図5は、本発明の実施の形態3のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図5の回路図は、本発明の実施の形態3のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものである。実施の形態3は、実施の形態2の電力増幅器用バイアス回路のうち、Vc2によるアイドル電流制御回路10のVc2端子側にショットキーバリアダイオードDx3を追加したことを特徴とする(図5参照)。
図7は、本発明の実施の形態4のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図7の回路図は、本発明の実施の形態4のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものである。実施の形態4は、実施の形態2の電力増幅器用バイアス回路のうち、Vc2によるアイドル電流制御回路10のVc2端子側に接続されたFET(Fx1)のソースにシャント抵抗Rx8(以下、単に「Rx8」と記す)を追加したこと(図7)を特徴とする。
図9は、本発明の実施の形態5のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図9の回路図は、本発明の実施の形態5のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものである。図9において、Rx9、Rx10は薄膜金属(例えば、NiCr)で作られた抵抗、Rx11、Rx12は半導体層(例えばベース層)で作られた抵抗(以下「エピ抵抗」と呼ぶ)である。実施の形態5は、実施の形態1の電力増幅器用バイアス回路のうち、アイドル電流制御回路10の第1の制御部抵抗Rx1、第2の制御部抵抗Rx2を、それぞれ、エピ抵抗と薄膜金属抵抗を組み合わせて製作したことを特徴とする。
図10は、本発明の実施の形態6のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図10の回路図は、本発明の実施の形態6のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものである。実施の形態6にかかるアイドル電流制御回路10は、実施の形態5にかかるアイドル電流制御回路10のうち、ダイオードDx1が削除されている。
図11は、本発明の実施の形態7のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図11の回路図は、本発明の実施の形態7のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものある。実施の形態7にかかるアイドル電流制御回路10の特徴的構成は、第3の制御部抵抗Rx14(以下、単に「Rx14」と記す)である。Rx14は、Trx2のエミッタと、第3の制御部トランジスタ(以下、単に「Trx3」と記す)のコレクタの間に介在している。Trx3のコレクタはTrx2のエミッタと接続し、Trx3のベースはVrefと接続している。
図13は、本発明の実施の形態8のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図13の回路図は、本発明の実施の形態8のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものである。実施の形態8は、実施の形態1の電力増幅器用バイアス回路のうち、Vc2によるアイドル電流制御回路10のVc2端子側にトランジスタと抵抗(Rx15)を追加したことを特徴とする。
図15は、本発明の実施の形態9のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図15の回路図は、本発明の実施の形態9のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものである。実施の形態9にかかるアイドル電流制御回路10は、実施の形態8の回路構成のうち、Trx2のコレクタとRx3の間に、第5の制御部抵抗Rx16(以下、単に「Rx16」と記す)と、第5の制御部トランジスタTrx5(以下、単に「Trx5」と記す)を追加したことを特徴とする。
図17は、本発明の実施の形態10のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図17の回路図は、本発明の実施の形態10のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものである。実施の形態10は、実施の形態6の電力増幅器用バイアス回路に対して、Rx1〜Rx3、Rx13、Trx1およびFx2で構成される回路をもう一組(「Rx1´〜Rx3´」「Rx13´」、「Trx1´」、「Fx2´」と記す)追加したことを特徴とする。
図19は、本発明の実施の形態11のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図19の回路図は、本発明の実施の形態11のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものである。実施の形態11にかかる電力増幅器用バイアス回路は、実施の形態10の電力増幅器用バイアス回路のVx1及びVx1´を印加していた端子を、Vx1´を省略しつつ切替電圧生成回路110に置換したことを特徴とする。実施の形態11では、Fx2、Fx2´のそれぞれのゲートへの電圧入力が、この切替電圧生成回路110によって実現される。
図21は、本発明の実施の形態12のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図21の回路図は、本発明の実施の形態12のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものである。図21において、Rx22〜Rx27は抵抗、Fx3〜Fx4はFETである。
図23は、本発明の実施の形態13のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路におけるアイドル電流制御回路を示す回路図である。図23の回路図は、本発明の実施の形態13のGaAs−HBT電力増幅器用バイアス回路の回路図のうち、増幅用トランジスタのコレクタ電圧Vc2によるアイドル電流制御回路10を抜き出したものである。図23において、Rx28〜Rx29は抵抗、Fx5はFETである。実施の形態13は、実施の形態6の電力増幅器用バイアス回路のうち、Trx1のエミッタ側にRx28、Fx5、Rx29を用いた回路を追加していることを特徴とする。
Trx1〜Trx5 トランジスタ(制御部トランジスタ)
Rx1〜Rx6 抵抗(制御部抵抗)
Fx1、Fx2、Fx3、Fx4 電界効果トランジスタ
Rx8 シャント抵抗
Dx1、Dx3 ショットキーバリアダイオード
Ic2 アイドル電流
Vc2 コレクタ電圧
Vref リファレンス電圧
Tr2a 増幅用トランジスタ
Tr2b 増幅用トランジスタ
Claims (13)
- 第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電圧駆動バイアス回路と、
前記電圧駆動バイアス回路と並列に設けられ、前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電流駆動バイアス回路と、
前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じて、前記第1の増幅用トランジスタのベースに入力されるバイアス電流を制御するアイドル電流制御回路と、
を備え、
前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路は、外部からリファレンス電圧が与えられるリファレンス電圧入力端子に接続され、
前記電圧駆動バイアス回路は、前記第1の増幅用トランジスタのベースに前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのエミッタと前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間に第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが接地された第2のトランジスタと、
前記リファレンス電圧入力端子に第2の抵抗を介してベースが接続され、前記第2のトランジスタのベースに、前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第3のトランジスタと、を有し、
前記電流駆動バイアス回路は、一端が前記リファレンス電圧入力端子に接続され、他端が前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された第3の抵抗を有し、
前記アイドル電流制御回路は、前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間にコレクタが接続され、前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じた電流がベースに入力される第1の制御部トランジスタを有し、
前記アイドル電流制御回路が、さらに、コレクタが前記第1の制御部トランジスタのベースに接続し、ベースに前記第1の増幅用トランジスタの前記コレクタ電圧に応じた電圧が入力される第2の制御部トランジスタを備え、
前記アイドル電流制御回路が、さらに、前記コレクタ電圧に応じた電圧をゲートに受け、前記第2の制御部トランジスタのベースに前記コレクタ電圧に応じたバイアス電流を供給する第1の電界効果トランジスタを有することを特徴とする電力増幅器用バイアス回路。 - 前記アイドル電流制御回路が、アノードが前記電界効果トランジスタのソースに接続し、カソードが前記第2の制御部トランジスタのベースに接続するショットキーバリアダイオードを有することを特徴とする請求項1に記載の電力増幅器用バイアス回路。
- 前記第1の電界効果トランジスタの前記ソースと接続するシャント抵抗を有することを特徴とする請求項1に記載の電力増幅器用バイアス回路。
- 前記第1の増幅用トランジスタと並列に設けられた第2の増幅用トランジスタのベースと、前記リファレンス電圧入力端子とを接続する第2増幅素子側抵抗を備え、
前記第2の増幅用トランジスタのベースには、前記リファレンス電圧入力端子から前記第2増幅素子側抵抗を介して電流が供給され、前記第2の増幅用トランジスタのベース電圧が前記第2の増幅用トランジスタの動作する閾値電圧以上である際には、前記第2の増幅用トランジスタがオンし、
さらに、前記アイドル電流制御回路が、
一端が前記第1の制御部トランジスタの前記コレクタに接続し、他端が前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間に接続する第1の制御部抵抗と、
一端が前記第1の制御部トランジスタの前記コレクタに接続し、他端が前記第2増幅素子側抵抗と前記第2の増幅用トランジスタのベースとの間に接続する第2の制御部抵抗と、
を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電力増幅器用バイアス回路。 - 前記第1の制御部抵抗と前記第2の制御部抵抗のうち少なくとも一方は、一端が前記第1の制御部トランジスタの前記コレクタに接続し他端が前記第1の増幅用トランジスタのベースと接続する薄膜金属抵抗と、前記第1の増幅用トランジスタまたは前記第2の増幅用トランジスタの半導体層の抵抗成分であるエピ抵抗と、の直列回路であることを特徴とする請求項4に記載の電力増幅器用バイアス回路。
- 第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電圧駆動バイアス回路と、
前記電圧駆動バイアス回路と並列に設けられ、前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電流駆動バイアス回路と、
前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じて、前記第1の増幅用トランジスタのベースに入力されるバイアス電流を制御するアイドル電流制御回路と、
を備え、
前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路は、外部からリファレンス電圧が与えられるリファレンス電圧入力端子に接続され、
前記電圧駆動バイアス回路は、前記第1の増幅用トランジスタのベースに前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのエミッタと前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間に第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが接地された第2のトランジスタと、
前記リファレンス電圧入力端子に第2の抵抗を介してベースが接続され、前記第2のトランジスタのベースに、前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第3のトランジスタと、を有し、
前記電流駆動バイアス回路は、一端が前記リファレンス電圧入力端子に接続され、他端が前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された第3の抵抗を有し、
前記アイドル電流制御回路は、前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間にコレクタが接続され、前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じた電流がベースに入力される第1の制御部トランジスタを有し、
前記アイドル電流制御回路が、さらに、コレクタが前記第1の制御部トランジスタのベースに接続し、ベースに前記第1の増幅用トランジスタの前記コレクタ電圧に応じた電圧が入力される第2の制御部トランジスタを備え、
前記アイドル電流制御回路が、さらに、ゲートが前記リファレンス電圧入力端子に接続し、ソースおよびドレインを介して前記第1の制御部トランジスタのベースと前記第2の制御部トランジスタの前記コレクタとを接続させる第2の電界効果トランジスタを有することを特徴とする電力増幅器用バイアス回路。 - 第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電圧駆動バイアス回路と、
前記電圧駆動バイアス回路と並列に設けられ、前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電流駆動バイアス回路と、
前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じて、前記第1の増幅用トランジスタのベースに入力されるバイアス電流を制御するアイドル電流制御回路と、
を備え、
前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路は、外部からリファレンス電圧が与えられるリファレンス電圧入力端子に接続され、
前記電圧駆動バイアス回路は、前記第1の増幅用トランジスタのベースに前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのエミッタと前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間に第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが接地された第2のトランジスタと、
前記リファレンス電圧入力端子に第2の抵抗を介してベースが接続され、前記第2のトランジスタのベースに、前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第3のトランジスタと、を有し、
前記電流駆動バイアス回路は、一端が前記リファレンス電圧入力端子に接続され、他端が前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された第3の抵抗を有し、
前記アイドル電流制御回路は、前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間にコレクタが接続され、前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じた電流がベースに入力される第1の制御部トランジスタを有し、
前記アイドル電流制御回路が、さらに、コレクタが前記第1の制御部トランジスタのベースに接続し、ベースに前記第1の増幅用トランジスタの前記コレクタ電圧に応じた電圧が入力される第2の制御部トランジスタを備え、
前記アイドル電流制御回路が、さらに、
コレクタが前記第2の制御部トランジスタのエミッタと接続し、ベースが前記リファレンス電圧入力端子に接続する第3の制御部トランジスタと、
一端が前記第2の制御部トランジスタの前記エミッタと接続し、他端が前記第3の制御部トランジスタの前記コレクタと接続する第3の制御部抵抗と、
を有することを特徴とする電力増幅器用バイアス回路。 - 第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電圧駆動バイアス回路と、
前記電圧駆動バイアス回路と並列に設けられ、前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電流駆動バイアス回路と、
前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じて、前記第1の増幅用トランジスタのベースに入力されるバイアス電流を制御するアイドル電流制御回路と、
を備え、
前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路は、外部からリファレンス電圧が与えられるリファレンス電圧入力端子に接続され、
前記電圧駆動バイアス回路は、前記第1の増幅用トランジスタのベースに前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのエミッタと前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間に第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが接地された第2のトランジスタと、
前記リファレンス電圧入力端子に第2の抵抗を介してベースが接続され、前記第2のトランジスタのベースに、前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第3のトランジスタと、を有し、
前記電流駆動バイアス回路は、一端が前記リファレンス電圧入力端子に接続され、他端が前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された第3の抵抗を有し、
前記アイドル電流制御回路は、前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間にコレクタが接続され、前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じた電流がベースに入力される第1の制御部トランジスタを有し、
前記アイドル電流制御回路が、さらに、コレクタが前記第1の制御部トランジスタのベースに接続し、ベースに前記第1の増幅用トランジスタの前記コレクタ電圧に応じた電圧が入力される第2の制御部トランジスタを備え、
前記アイドル電流制御回路が、
前記コレクタ電圧に応じた電圧をコレクタおよびベースに受け、かつ、該コレクタおよび該ベースが前記第2の制御部トランジスタのベースと接続する第4の制御部トランジスタと、
一端が前記第4の制御部トランジスタのコレクタおよびベースと接続し、他端に前記コレクタ電圧を受ける第4の制御部抵抗と、
を有することを特徴とする電力増幅器用バイアス回路。 - 第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電圧駆動バイアス回路と、
前記電圧駆動バイアス回路と並列に設けられ、前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電流駆動バイアス回路と、
前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じて、前記第1の増幅用トランジスタのベースに入力されるバイアス電流を制御するアイドル電流制御回路と、
を備え、
前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路は、外部からリファレンス電圧が与えられるリファレンス電圧入力端子に接続され、
前記電圧駆動バイアス回路は、前記第1の増幅用トランジスタのベースに前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのエミッタと前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間に第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが接地された第2のトランジスタと、
前記リファレンス電圧入力端子に第2の抵抗を介してベースが接続され、前記第2のトランジスタのベースに、前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第3のトランジスタと、を有し、
前記電流駆動バイアス回路は、一端が前記リファレンス電圧入力端子に接続され、他端が前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された第3の抵抗を有し、
前記アイドル電流制御回路は、前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間にコレクタが接続され、前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じた電流がベースに入力される第1の制御部トランジスタを有し、
前記アイドル電流制御回路が、さらに、コレクタが前記第1の制御部トランジスタのベースに接続し、ベースに前記第1の増幅用トランジスタの前記コレクタ電圧に応じた電圧が入力される第2の制御部トランジスタを備え、
前記アイドル電流制御回路が、
前記第2の制御部トランジスタの前記コレクタと、前記第1の制御部トランジスタのベースと、の間に直列に設けられた第5の制御部抵抗と、
コレクタおよびベースが前記第5の制御部抵抗と前記第1の制御部トランジスタのベースの間に接続する第5の制御部トランジスタと、
を有することを特徴とする電力増幅器用バイアス回路。 - 第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電圧駆動バイアス回路と、
前記電圧駆動バイアス回路と並列に設けられ、前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電流駆動バイアス回路と、
前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じて、前記第1の増幅用トランジスタのベースに入力されるバイアス電流を制御するアイドル電流制御回路と、
を備え、
前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路は、外部からリファレンス電圧が与えられるリファレンス電圧入力端子に接続され、
前記電圧駆動バイアス回路は、前記第1の増幅用トランジスタのベースに前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのエミッタと前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間に第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが接地された第2のトランジスタと、
前記リファレンス電圧入力端子に第2の抵抗を介してベースが接続され、前記第2のトランジスタのベースに、前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第3のトランジスタと、を有し、
前記電流駆動バイアス回路は、一端が前記リファレンス電圧入力端子に接続され、他端が前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された第3の抵抗を有し、
前記アイドル電流制御回路は、前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間にコレクタが接続され、前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じた電流がベースに入力される第1の制御部トランジスタを有し、
前記アイドル電流制御回路が、さらに、コレクタが前記第1の制御部トランジスタのベースに接続し、ベースに前記第1の増幅用トランジスタの前記コレクタ電圧に応じた電圧が入力される第2の制御部トランジスタを備え、
前記アイドル電流制御回路が、
前記第1の制御部トランジスタと並列に接続するように、前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間の第1接続点と、前記第1の制御部トランジスタのベースと前記第2の制御部トランジスタの前記コレクタとの間の第2接続点とに接続する並列回路を有し、
前記並列回路は、
コレクタが前記第1接続点と接続し且つベースが前記第2接続点と接続する、少なくとも1つの並列接続制御部トランジスタと、
前記少なくとも1つの前記並列接続制御部トランジスタのベースと、前記第2接続点との間にそれぞれ設けられ、外部信号に応じて前記ベースと前記第2接続点との間の電気的接続を切り替えるスイッチング素子と、
を有することを特徴とする電力増幅器用バイアス回路。 - 第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電圧駆動バイアス回路と、
前記電圧駆動バイアス回路と並列に設けられ、前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された電流駆動バイアス回路と、
前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じて、前記第1の増幅用トランジスタのベースに入力されるバイアス電流を制御するアイドル電流制御回路と、
を備え、
前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路は、外部からリファレンス電圧が与えられるリファレンス電圧入力端子に接続され、
前記電圧駆動バイアス回路は、前記第1の増幅用トランジスタのベースに前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのエミッタと前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間に第1の抵抗を介してコレクタが接続され、エミッタが接地された第2のトランジスタと、
前記リファレンス電圧入力端子に第2の抵抗を介してベースが接続され、前記第2のトランジスタのベースに、前記リファレンス電圧に応じたバイアス電流を供給する第3のトランジスタと、を有し、
前記電流駆動バイアス回路は、一端が前記リファレンス電圧入力端子に接続され、他端が前記第1の増幅用トランジスタのベースに接続された第3の抵抗を有し、
前記アイドル電流制御回路は、前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間にコレクタが接続され、前記第1の増幅用トランジスタのコレクタ電圧に応じた電流がベースに入力される第1の制御部トランジスタを有し、
前記アイドル電流制御回路が、
コレクタが前記第1の制御部トランジスタのベースに接続し、ベースに前記第1の増幅用トランジスタの前記コレクタ電圧に応じた電圧が入力される第2の制御部トランジスタと、
ソースおよびドレインを介して前記第1の制御部トランジスタのベースと前記第2の制御部トランジスタの前記コレクタとを接続させる制御部電界効果トランジスタと、
前記第1の制御部トランジスタと並列に接続するように、前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間の第1接続点と、前記第1の制御部トランジスタのベースと前記第2の制御部トランジスタの前記コレクタとの間の第2接続点とに接続する並列回路と、を有し、
前記並列回路は、
コレクタが前記第1接続点と接続し且つベースが前記第2接続点と接続する、少なくとも1つの並列接続制御部トランジスタと、
前記少なくとも1つの前記並列接続制御部トランジスタのベースと、前記第2接続点との間にそれぞれ設けられ、ゲートに入力される電圧に応じて前記ベースと前記第2接続点との間の電気的接続を切り替える切替用電界効果トランジスタと、を有し、
さらに、
外部から電圧信号を入力可能な信号入力端子と、
ベースが前記信号入力端子と接続し、コレクタが前記リファレンス電圧入力端子および前記制御部電界効果トランジスタのゲートに接続する第1の切替電圧生成用トランジスタと、
コレクタが前記リファレンス電圧入力端子および前記切替用電界効果トランジスタの前記ゲートに接続する第2の切替電圧生成用トランジスタと、
ベースが前記信号入力端子と接続し、コレクタが前記リファレンス電圧入力端子および前記第2の切替電圧生成用トランジスタのベースに接続する第3の切替電圧生成用トランジスタと、
を備えることを特徴とする電力増幅器用バイアス回路。 - 前記第1の制御部抵抗は、直列接続する複数の抵抗であって前記第1の制御部トランジスタの前記コレクタと前記電圧駆動バイアス回路および前記電流駆動バイアス回路の並列回路と前記第1の増幅用トランジスタのベースとの間を接続する第1抵抗群を含み、
前記第2の制御部抵抗は、直列接続する複数の抵抗であって前記第1の制御部トランジスタの前記コレクタと前記第2増幅素子側抵抗と前記第2の増幅用トランジスタのベースとの間を接続する第2抵抗群を含み、
かつ、
ソースおよびドレインが前記第1抵抗群の一部の抵抗に並列に接続する第1切替用電界効果トランジスタと、
ソースおよびドレインが前記第2抵抗群の一部の抵抗に並列に接続する第2切替用電界効果トランジスタと、
をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の電力増幅器用バイアス回路。 - 前記アイドル電流制御回路は、
一端が前記第1の制御部トランジスタのエミッタに接続し、他端が接地された第6の制御部抵抗と、
ソースおよびドレインが前記第6の制御部抵抗に並列に接続する第3切替用電界効果トランジスタと、
をさらに備えることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の電力増幅器用バイアス回路。
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