JP2570878B2 - 高周波電力増幅器 - Google Patents
高周波電力増幅器Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は高周波電力増幅器に関し、特にテレビジョン
送信機等の高電力直線高周波電力増幅に用いられる高周
波電力増幅器に関する。
送信機等の高電力直線高周波電力増幅に用いられる高周
波電力増幅器に関する。
近年、高電力用半導体素子とその利用技術の発達によ
り、バイポーラトランジスタあるいは電界効果トランジ
スタ等の半導体素子がテレビジョン送信機等に広く用い
られるようになってきている。
り、バイポーラトランジスタあるいは電界効果トランジ
スタ等の半導体素子がテレビジョン送信機等に広く用い
られるようになってきている。
テレビジョン送信機等高ダイナミックレンジの映像信
号を扱う高周波電力増幅器は、直線性と高電力の双方の
特性を要求される。そのため、バイポーラトランジスタ
あるいは電界効果トランジスタいずれの半導体素子を用
いた場合も、その動作バイアス点はAB級とするのが一般
的である。
号を扱う高周波電力増幅器は、直線性と高電力の双方の
特性を要求される。そのため、バイポーラトランジスタ
あるいは電界効果トランジスタいずれの半導体素子を用
いた場合も、その動作バイアス点はAB級とするのが一般
的である。
また、このような高出力送信機は、送信機を並列動作
で使用するシステム等で、出力電力を、たとえば、２段
階に可変するということがしばしば要求される。この場
合、電力増幅器の出力を可変する方法としては、簡便
性、信頼性、総合効率等の観点から、電源電圧を可変す
ることが通常行なわれる。
で使用するシステム等で、出力電力を、たとえば、２段
階に可変するということがしばしば要求される。この場
合、電力増幅器の出力を可変する方法としては、簡便
性、信頼性、総合効率等の観点から、電源電圧を可変す
ることが通常行なわれる。
したがって、高周波電力増幅器としては、電源電圧を
可変することにより、出力のみが変化し、他のパラメー
タ、たとえば、直線性等は変化しないことが要求されて
いた。
可変することにより、出力のみが変化し、他のパラメー
タ、たとえば、直線性等は変化しないことが要求されて
いた。
従来の高周波電力増幅器の回路の一例を第３図に示
す。
す。
第３図を参照すると、従来の高周波電力増幅器は、バ
イアス回路１と電力増幅部２から構成されていた。
イアス回路１と電力増幅部２から構成されていた。
バイアス回路１は、電力増幅部２の電界効果トランジ
スタQ21に安定なバイアス電圧を供給するための、電圧
制御集積回路IC1とその関連のコンデンサC1、抵抗器R1
〜R6およびサーミスタR7からなる定電圧レギュレータ回
路11と、定電圧ダイオードD1と、コンデンサC2,C3,抵抗
器R8〜R10,ダイオードD2,定電圧ダイオードD3,D4からな
るバイアス出力回路12から構成されていた。
スタQ21に安定なバイアス電圧を供給するための、電圧
制御集積回路IC1とその関連のコンデンサC1、抵抗器R1
〜R6およびサーミスタR7からなる定電圧レギュレータ回
路11と、定電圧ダイオードD1と、コンデンサC2,C3,抵抗
器R8〜R10,ダイオードD2,定電圧ダイオードD3,D4からな
るバイアス出力回路12から構成されていた。
電力増幅部２は、コンデンサC21と整合回路E21,E22と
電界効果トランジスタQ21および高周波チョークコイルL
21,L22から構成されていた。
電界効果トランジスタQ21および高周波チョークコイルL
21,L22から構成されていた。
次に、第３図に示した従来の高周波電力増幅器の動作
について説明する。
について説明する。
入力端子TIから印加される高周波電力は、入力側の整
合回路E21によりインピーダンス整合がとられ、電界効
果トランジスタQ21によって電力増幅される。電界効果
トランジスタQ21の出力は、出力側の整合回路E22により
インピーダンス整合がとられ、出力端子TOより出力され
る。電源端子TDより電源が供給され高周波チョークコイ
ルL22を経て電界効果トランジスタQ21のドレインに印加
される。また、バイアス回路１からのバイアス電圧は、
高周波チョークコイルL21を経て、電界効果トランジス
タQ21のゲートに印加される。
合回路E21によりインピーダンス整合がとられ、電界効
果トランジスタQ21によって電力増幅される。電界効果
トランジスタQ21の出力は、出力側の整合回路E22により
インピーダンス整合がとられ、出力端子TOより出力され
る。電源端子TDより電源が供給され高周波チョークコイ
ルL22を経て電界効果トランジスタQ21のドレインに印加
される。また、バイアス回路１からのバイアス電圧は、
高周波チョークコイルL21を経て、電界効果トランジス
タQ21のゲートに印加される。
バイアス回路１の定電圧レギュレータ回路11において
は、電源端子TDよりの電源電圧を、抵抗器R1と定電圧ダ
イオードD1により、電圧制御集積回路IC1に供給するた
めの動作に適した電圧まで降下させる。
は、電源端子TDよりの電源電圧を、抵抗器R1と定電圧ダ
イオードD1により、電圧制御集積回路IC1に供給するた
めの動作に適した電圧まで降下させる。
定電圧レギュレータ回路11の機能は、電界効果トラン
ジスタ21のバイアス電圧を安定に保つためのものであ
る。
ジスタ21のバイアス電圧を安定に保つためのものであ
る。
さらに、定電圧レギュレータ回路11の重要な機能は、
周囲温度の変化による電界効果トランジスタ21のバイア
ス点の変化を補償することである。
周囲温度の変化による電界効果トランジスタ21のバイア
ス点の変化を補償することである。
代表的な縦型構造の電界効果トランジスタの場合、ゲ
ート遮断電圧は−４〜−5mV/℃の温度特性を有する。こ
れを補償するため、温度検出素子としてサーミスタR7を
用い、電界効果トランジスタQ21に印加されるバイアス
電圧が、常にAB級の動作点を保持するようバイアス電圧
を制御する。
ート遮断電圧は−４〜−5mV/℃の温度特性を有する。こ
れを補償するため、温度検出素子としてサーミスタR7を
用い、電界効果トランジスタQ21に印加されるバイアス
電圧が、常にAB級の動作点を保持するようバイアス電圧
を制御する。
第４図に、電圧制御集積回路IC1の一例を示す。
電圧制御集積回路IC1は、２個の演算増幅器Q11,Q12
と、２個のトランジスタQ13,Q14と、定電流源Q15と、２
個の定電圧ダイオードD11,D12から構成される。端子T2
は電流制限端子、端子T3は電流出力端子、端子T4は逆相
入力端子、端子T5は正相入力端子、端子T6は基準電圧端
子、端子T7は負電源端子、端子T10,T11,T12は正電源端
子、端子T13は周波数特性補正端子である。この種の電
圧制御集積回路は周知のものであるとともに広く使われ
ているので、動作の詳細は冗長を避けるため省略する。
と、２個のトランジスタQ13,Q14と、定電流源Q15と、２
個の定電圧ダイオードD11,D12から構成される。端子T2
は電流制限端子、端子T3は電流出力端子、端子T4は逆相
入力端子、端子T5は正相入力端子、端子T6は基準電圧端
子、端子T7は負電源端子、端子T10,T11,T12は正電源端
子、端子T13は周波数特性補正端子である。この種の電
圧制御集積回路は周知のものであるとともに広く使われ
ているので、動作の詳細は冗長を避けるため省略する。
前述のサーミスタR7が抵抗器R6と直列接続され、可変
抵抗器R5と分圧回路を構成している。分圧回路の出力で
あるR6とR5との接続点は、電圧制御集積回路11の正相入
力端子T5に接続されているので、周囲温度が上昇する
と、サーミスタR7の抵抗値が低下し、分圧回路の分割比
が低下し、T5の入力電圧が低下する。したがって、電圧
制御集積回路IC1の出力端子T3の出力電圧が降下し、前
述の電界効果トランジスタQ21のゲート遮断電圧の低下
に対応するようバイアス電圧を降下させることになるも
のであった。可変抵抗器R5は、温度補償の係数設定用で
あった。
抵抗器R5と分圧回路を構成している。分圧回路の出力で
あるR6とR5との接続点は、電圧制御集積回路11の正相入
力端子T5に接続されているので、周囲温度が上昇する
と、サーミスタR7の抵抗値が低下し、分圧回路の分割比
が低下し、T5の入力電圧が低下する。したがって、電圧
制御集積回路IC1の出力端子T3の出力電圧が降下し、前
述の電界効果トランジスタQ21のゲート遮断電圧の低下
に対応するようバイアス電圧を降下させることになるも
のであった。可変抵抗器R5は、温度補償の係数設定用で
あった。
バイアス出力回路12の可変抵抗器R8は、電界効果トラ
ンジスタQ21のバイアス電圧設定用であった。ダイオー
ドD2,定電圧ダイオードD3,D4,抵抗器R9,R10,コンデンサ
C2,C3から構成される回路は、電界効果トランジスタQ21
のゲート保護用のサージ吸収回路であった。
ンジスタQ21のバイアス電圧設定用であった。ダイオー
ドD2,定電圧ダイオードD3,D4,抵抗器R9,R10,コンデンサ
C2,C3から構成される回路は、電界効果トランジスタQ21
のゲート保護用のサージ吸収回路であった。
上述した従来の高周波電力増幅器は、回路設計を、標
準とする１つの電圧値で実施し、電源電圧を可変して出
力を可変する場合の特性の変化に対する考慮はされてい
なかった。
準とする１つの電圧値で実施し、電源電圧を可変して出
力を可変する場合の特性の変化に対する考慮はされてい
なかった。
電界効果トランジスタは、一定のゲート・ソース間電
圧を保持した状態でドレイン・ソース間電圧VDSを変化
させると、一般に、ドレイン電流は正方向に変化する。
したがって、バイアス電圧はそのままで、ドレイン電圧
のみを変えて出力を可変する従来の高周波電力増幅器で
は、設計した標準の電圧値と異なる電圧値で動作する場
合、AB級動作のバイアス電圧によるアイドル電流が変化
する。
圧を保持した状態でドレイン・ソース間電圧VDSを変化
させると、一般に、ドレイン電流は正方向に変化する。
したがって、バイアス電圧はそのままで、ドレイン電圧
のみを変えて出力を可変する従来の高周波電力増幅器で
は、設計した標準の電圧値と異なる電圧値で動作する場
合、AB級動作のバイアス電圧によるアイドル電流が変化
する。
一般的には、電源電圧を低下した場合、アイドル電流
も減少するので、入力信号が低レベルのとき歪が増加す
る。その結果、高周波電力増幅器の入出力特性は、電源
電圧を低下した場合、直線性が劣化するという欠点があ
った。
も減少するので、入力信号が低レベルのとき歪が増加す
る。その結果、高周波電力増幅器の入出力特性は、電源
電圧を低下した場合、直線性が劣化するという欠点があ
った。
半導体素子をAB級の直線電力増幅素子として用い電源
電圧を第１およびこの第１の電圧より低い第２の電圧の
いずれか一方に切替ることにより対応する第１および第
２の出力電力のいずれか一方に切替る電力可変型の電力
増幅部と、前記電力増幅部に所定のバイアス電圧を供給
するバイアス回路とを備える高周波電力増幅器におい
て、前記バイアス回路が、前記電源の電圧が前記第２の
電圧であることを検出し電圧検出信号を出力する電源電
圧検出手段と、前記電圧検出信号の供給がないときに前
記第１の電圧に対応する第１のバイアス電圧を発生し前
記電圧検出信号の供給に応答して前記第２の電圧に対応
し前記第１のバイアス電圧より高い第２のバイアス電圧
を発生するバイアス電圧調整手段と備えるものである。
電圧を第１およびこの第１の電圧より低い第２の電圧の
いずれか一方に切替ることにより対応する第１および第
２の出力電力のいずれか一方に切替る電力可変型の電力
増幅部と、前記電力増幅部に所定のバイアス電圧を供給
するバイアス回路とを備える高周波電力増幅器におい
て、前記バイアス回路が、前記電源の電圧が前記第２の
電圧であることを検出し電圧検出信号を出力する電源電
圧検出手段と、前記電圧検出信号の供給がないときに前
記第１の電圧に対応する第１のバイアス電圧を発生し前
記電圧検出信号の供給に応答して前記第２の電圧に対応
し前記第１のバイアス電圧より高い第２のバイアス電圧
を発生するバイアス電圧調整手段と備えるものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の第一の実施例を示す回路図であ
る。
る。
第１図において、高周波電力増幅器は、バイアス回路
１と電力増幅部２から構成されている。
１と電力増幅部２から構成されている。
バイアス回路１は、前述の従来例と同様の、電力増幅
部２の電界効果トランジスタ21に安定なバイアス電圧を
供給するための定電圧レギュレータ回路11と、バイアス
出力回路12に、さらに、電圧検出回路13が加えられてい
る。
部２の電界効果トランジスタ21に安定なバイアス電圧を
供給するための定電圧レギュレータ回路11と、バイアス
出力回路12に、さらに、電圧検出回路13が加えられてい
る。
電圧検出回路13は、トランジスタQ1と、定電圧ダイオ
ードD5と抵抗器R11〜R14とからなる。Q1のコレクタに
は、従来例では接地されていた定電圧レギュレータ回路
11のサーミスタR7が接続されている。
ードD5と抵抗器R11〜R14とからなる。Q1のコレクタに
は、従来例では接地されていた定電圧レギュレータ回路
11のサーミスタR7が接続されている。
電力増幅部２は、コンデンサC21と整合回路E21,E22と
電界効果トランジスタQ21および高周波チョークコイルL
21,L22から構成されており、前述の従来の技術の例と同
様である。
電界効果トランジスタQ21および高周波チョークコイルL
21,L22から構成されており、前述の従来の技術の例と同
様である。
次に、本実施例の動作について説明する。
ここで、従来例と同様の構成部分、すなわち、バイア
ス回路１の定電圧レギュレータ回路11とその周辺回路、
バイアス出力回路、および電力増幅部１の動作について
は、従来の技術の列で示したものと共通であり、説明が
重複するのでここでは省略する。
ス回路１の定電圧レギュレータ回路11とその周辺回路、
バイアス出力回路、および電力増幅部１の動作について
は、従来の技術の列で示したものと共通であり、説明が
重複するのでここでは省略する。
したがって、電圧検出回路13の動作について重点的に
説明をする。
説明をする。
トランジスタQ1のベースは、抵抗器R12,R13,R14と定
電圧ダイオードD5からなる分圧回路に接続され、分圧回
路の電源側であるR14を経て電源電圧が分圧されて印加
されている。このとき、電源電圧が十分高くて、R13とR
14の接続点、すなわち、D5の入力側において、D5のしき
い値電圧を越え、さらに、トランジスタQ1のベース・エ
ミッタ間電圧約0.6Vを保持できる場合、トランジスタQ1
はオンすなわち、導通状態となる。前述の通り、Q1のコ
レクタには、定電圧レギュレータ回路11のサーミスタR7
が接続されており、これは、Q1を経て接地されことにな
る。したがって、この場合、バイアス電圧に関しては従
来の例と全く同様の条件とみなしうる。
電圧ダイオードD5からなる分圧回路に接続され、分圧回
路の電源側であるR14を経て電源電圧が分圧されて印加
されている。このとき、電源電圧が十分高くて、R13とR
14の接続点、すなわち、D5の入力側において、D5のしき
い値電圧を越え、さらに、トランジスタQ1のベース・エ
ミッタ間電圧約0.6Vを保持できる場合、トランジスタQ1
はオンすなわち、導通状態となる。前述の通り、Q1のコ
レクタには、定電圧レギュレータ回路11のサーミスタR7
が接続されており、これは、Q1を経て接地されことにな
る。したがって、この場合、バイアス電圧に関しては従
来の例と全く同様の条件とみなしうる。
次に、電源電圧を降下し、分圧回路の電圧が低下し
て、定電圧ダイオードD5のしきい値電圧以下となる場合
は、トランジスタQ1はオフ、すなわち非導通状態とな
る。したがって、定電圧レギュレータ回路11のサーミス
タR7の接地側には、可変抵抗器R11が直列に挿入される
ことになる。すると、定電圧レギュレータ回路11の電圧
制御集積回路IC1の基準電圧端子T6を分圧しているR5,R
6,R7からなる分圧回路の分圧比は、R11が加わった分だ
け増加し、したがって、電圧制御集積回路IC1の正相入
力端子T5の入力電圧を上昇させる。結果として、電力増
幅部２の電界効果トランジスタ21のゲート印加されるバ
イアス電圧を上昇させることになる。この上昇率は、可
変抵抗器R11により任意に設定できる。
て、定電圧ダイオードD5のしきい値電圧以下となる場合
は、トランジスタQ1はオフ、すなわち非導通状態とな
る。したがって、定電圧レギュレータ回路11のサーミス
タR7の接地側には、可変抵抗器R11が直列に挿入される
ことになる。すると、定電圧レギュレータ回路11の電圧
制御集積回路IC1の基準電圧端子T6を分圧しているR5,R
6,R7からなる分圧回路の分圧比は、R11が加わった分だ
け増加し、したがって、電圧制御集積回路IC1の正相入
力端子T5の入力電圧を上昇させる。結果として、電力増
幅部２の電界効果トランジスタ21のゲート印加されるバ
イアス電圧を上昇させることになる。この上昇率は、可
変抵抗器R11により任意に設定できる。
以上説明したトランジスタQ1のオン・オフ電圧の設定
は、抵抗器R13とR14の比を選ぶことにより任意にでき
る。
は、抵抗器R13とR14の比を選ぶことにより任意にでき
る。
以上のようにして、出力の変更を電源電圧を可変して
行なう高周波電力増幅器において、標準の高電圧による
高出力動作の場合は、トランジスタQ1がオンとなり、電
源電圧を降下した低出力動作の場合は、Q1をオフとする
よう設定することにより、いずれの動作においても、常
に最適なバイアス電圧を印加することができ、直線性の
優れた高周波電力増幅器が得られる。
行なう高周波電力増幅器において、標準の高電圧による
高出力動作の場合は、トランジスタQ1がオンとなり、電
源電圧を降下した低出力動作の場合は、Q1をオフとする
よう設定することにより、いずれの動作においても、常
に最適なバイアス電圧を印加することができ、直線性の
優れた高周波電力増幅器が得られる。
次に、本発明の第二の実施例について説明する。
第２図は、本発明の第二の実施例を示す回路図であ
る。
る。
本発明の第二の実施例は、第２図に示すように、バイ
アス回路11の電圧検出回路13の構成を、第１図の第一の
実施例におけるトランジスタQ1の１段の代りにトランジ
スタQ1,Q2の２段としたことである。さらに、定電圧レ
ギュレータ回路11のサーミスタR7は、Q1のコレクタに接
続する代りに直接接地され、同時に、Q1のコレクタは、
R3,R4からなる分圧回路の接地側に接続され定電圧レギ
ュレータ回路11の電圧制御集積回路IC1の逆相入力端子T
4にその出力が印加されるようになっている。
アス回路11の電圧検出回路13の構成を、第１図の第一の
実施例におけるトランジスタQ1の１段の代りにトランジ
スタQ1,Q2の２段としたことである。さらに、定電圧レ
ギュレータ回路11のサーミスタR7は、Q1のコレクタに接
続する代りに直接接地され、同時に、Q1のコレクタは、
R3,R4からなる分圧回路の接地側に接続され定電圧レギ
ュレータ回路11の電圧制御集積回路IC1の逆相入力端子T
4にその出力が印加されるようになっている。
この結果、トランジスタQ2は、第一の実施例のQ1と同
様にオフ・オンされ、トランジスタQ1のオン・オフ動作
は、トランジスタQ2のオフ・オンにより制御される。こ
れは、第一の実施例と逆相となるが、Q1の出力は電圧制
御集積回路IC1の逆相端子T4に入力されるので、結局電
源電圧との関係は同一となる。
様にオフ・オンされ、トランジスタQ1のオン・オフ動作
は、トランジスタQ2のオフ・オンにより制御される。こ
れは、第一の実施例と逆相となるが、Q1の出力は電圧制
御集積回路IC1の逆相端子T4に入力されるので、結局電
源電圧との関係は同一となる。
本実施例では、定電圧レギュレータ回路11のサーミス
タR7が直接接地できるので、電力増幅部の電界効果トラ
ンジスタの近傍に配置することが容易となり、より正確
な温度検出ができる。
タR7が直接接地できるので、電力増幅部の電界効果トラ
ンジスタの近傍に配置することが容易となり、より正確
な温度検出ができる。
また、電圧検出回路のトランジスタを２段とすること
により、検出感度も向上する。
により、検出感度も向上する。
以上、第一および第二の実施例では、電力増幅部21の
高周波電力増幅用トランジスタは、電界効果トランジス
タを用いるものを例として取り上げたが、バイポーラト
ランジスタでも同様に実施できることは勿論である。
高周波電力増幅用トランジスタは、電界効果トランジス
タを用いるものを例として取り上げたが、バイポーラト
ランジスタでも同様に実施できることは勿論である。
また、検出回路もバイポーラトランジスタをを用いる
もの例としたが、MOSトランジスタやそれらの集積回路
によるインバータ回路等、様々な変形が考えられ、これ
らは本発明の主旨を逸脱しない限り適用できることは勿
論である。
もの例としたが、MOSトランジスタやそれらの集積回路
によるインバータ回路等、様々な変形が考えられ、これ
らは本発明の主旨を逸脱しない限り適用できることは勿
論である。
以上説明したように本発明は、電源電圧の制御により
出力を可変する高周波電力増幅器の電源電圧の標準値か
らの変化を検出し、その検出結果により、高周波電力増
幅用半導体素子の動作点を設定するバイアス電圧を自動
的に最適に制御することができるので、高低いずれの出
力条件においても、直線性が優れた高周波電力増幅器を
抵抗できるという効果がある。
出力を可変する高周波電力増幅器の電源電圧の標準値か
らの変化を検出し、その検出結果により、高周波電力増
幅用半導体素子の動作点を設定するバイアス電圧を自動
的に最適に制御することができるので、高低いずれの出
力条件においても、直線性が優れた高周波電力増幅器を
抵抗できるという効果がある。
第１図は本発明の第一の実施例を示す回路図、第２図は
本発明の第二の実施例を示す回路図、第３図は従来の受
信制御回路の一例を示す回路図、第４図は第３図で示し
た回路における電圧制御集積回路の一例を示す回路図で
ある。 １……バイアス回路、２……電力増幅器、11……定電圧
レギュレータ回路、12……バイアス出力回路、13……電
圧検出回路。
本発明の第二の実施例を示す回路図、第３図は従来の受
信制御回路の一例を示す回路図、第４図は第３図で示し
た回路における電圧制御集積回路の一例を示す回路図で
ある。 １……バイアス回路、２……電力増幅器、11……定電圧
レギュレータ回路、12……バイアス出力回路、13……電
圧検出回路。
Claims (5)
- 【請求項１】半導体素子をAB級の直線電力増幅素子とし
て用い電源電圧を第１およびこの第１の電圧より低い第
２の電圧のいずれか一方に切替ることにより対応する第
１および第２の出力電力のいずれか一方に切替る電力可
変型の電力増幅部と、前記電力増幅部に所定のバイアス
電圧を供給するバイアス回路とを備える高周波電力増幅
器において、 前記バイアス回路が、前記電源の電圧が前記第２の電圧
であることを検出し電圧検出信号を出力する電源電圧検
出手段と、 前記電圧検出信号の供給がないときに前記第１の電圧に
対応する第１のバイアス電圧を発生し前記電圧検出信号
の供給に応答して前記第２の電圧に対応し前記第１のバ
イアス電圧より高い第２のバイアス電圧を発生するバイ
アス電圧調整手段と備えることを特徴とする高周波電力
増幅器。 - 【請求項２】前記半導体素子が高周波電力増幅用のバイ
ポーラトランジスタであることを特徴とする請求項１記
載の高周波増幅器。 - 【請求項３】前記半導体素子が高周波電力用の電界効果
トランジスタであることを特徴とする請求項１記載の高
周波増幅器。 - 【請求項４】前記電圧検出手段が、一端が前記電源に接
続した抵抗器を含み分圧電圧を出力する分圧回路と、ベ
ースに前記分圧電圧の供給を受けエミッタを接地に接続
しコレクタ電流の導通・遮断に対応する前記電圧検出信
号を出力するトランジスタとを含むスイッチ回路を備え
ることを特徴とする請求項１記載の高周波増幅器。 - 【請求項５】前記バイアス電圧調整手段が、前記第１の
バイアス電圧対応の第１の設定電圧を生成する定電圧源
と、前記電圧検出信号の供給に応答して前記第１の設定
電圧を予め定めた極性および割合で増加して前記第２の
バイアス電圧対応の第２の設定電圧を出力するバイアス
設定電圧生成手段とを備えることを特徴とする請求項１
記載の高周波増幅器。
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| JP2024110A JP2570878B2 (ja) | 1990-02-01 | 1990-02-01 | 高周波電力増幅器 |
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