JP2013197143A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 半導体装置であって、表面にトレンチが形成されている半導体基板と、トレンチの内面を覆っている絶縁膜と、トレンチ内に配置されている電極を有している。トレンチを横断する断面において、トレンチの壁面と底面とを繋ぐ曲線の曲がり具合が、電極の壁面と底面を繋ぐ曲線の曲がり具合よりもきつい。これによって、電極の角部近傍の絶縁膜に印加される電界が緩和されるとともに、電極の角部近傍の絶縁膜が厚く形成される。
【選択図】図2
Description
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
12:半導体基板
20:トレンチ
20a:壁面
20b:底面
20c:角部
22:ゲート絶縁膜
22c:角部
24:ゲート電極
24a:壁面
24b:底面
24c:角部
26:層間絶縁膜
30:ソース電極
32:ドレイン電極
40:ソース領域
42:ベース領域
44:ドリフト領域
46:ドレイン領域
Claims (2)
- 半導体装置であって、
表面にトレンチが形成されている半導体基板と、
トレンチの内面を覆っている絶縁膜と、
トレンチ内に配置されている電極、
を有しており、
トレンチを横断する断面において、トレンチの壁面と底面とを繋ぐ曲線の曲がり具合が、電極の壁面と底面を繋ぐ曲線の曲がり具合よりもきつい半導体装置。 - 半導体装置の製造方法であって、
半導体基板にトレンチを形成する工程と、
トレンチの底面及び壁面を覆う絶縁膜を形成する工程と、
絶縁膜を加熱することによって絶縁膜を流動させる工程と
絶縁膜を流動させた後に、トレンチ内に電極を形成する工程、
を有する製造方法。
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US6194741B1 (en) * | 1998-11-03 | 2001-02-27 | International Rectifier Corp. | MOSgated trench type power semiconductor with silicon carbide substrate and increased gate breakdown voltage and reduced on-resistance |
JP2010161241A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Toyota Motor Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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