JP2013195985A - 液晶配向剤および液晶配向膜の形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
このような液晶セルにおいて、液晶を配向させる方法としては、基板表面に有機膜を形成し、その有機膜の表面をレーヨンなどの布材で一方向に擦る「ラビング」処理による方法;
基板表面に酸化珪素を斜方蒸着する方法;
ラングミュア・ブロジェット法(LB法)を用いて、長鎖アルキル基を有する単分子膜を形成する方法;
光異性化能を有する基を備えた感光性薄膜に偏光または非偏光の光を照射することによって液晶配向能を付与する光配向法(特許文献3〜5)などが知られている。
これらのうち、静電気やほこりを発生することなく均一な液晶配向を実現でき、かつ精密に液晶配向方向を制御できる光配向法の開発が進められている。この光配向法によると、放射線照射時にフォトマスクなどを使用することにより、1枚の基板上に液晶配向方向が異なる複数の領域を任意に形成することも可能となる。しかし、光配向法に適用される液晶配向膜材料として従来知られているものは、光に対する感度が不十分であるため、液晶配向性を付与するために多大な積算露光量が必要であるという不都合がある。また、上記の公知材料から得られる液晶配向膜の液晶配向性も十分とはいえない。さらに、このような液晶配向膜を備える液晶表示素子の電気的特性および残像特性は十分満足できるものではない。
下記式(I)で表される構造を有する重合体を含有することを特徴とする、液晶配向剤によって達成される。
本発明の上記目的および利点は、第2に、
(1)基板上に、上記の液晶配向剤を塗布して塗膜を形成する工程、および
(2)上記塗膜に偏光を照射する工程
を経由することを特徴とする、液晶配向膜の形成方法によって達成される。
本発明の液晶配向剤から形成された液晶配向膜を備える液晶表示素子は、優れた電気特性および残像特性を有するものである。
すなわち、上記式(I)におけるベンゼン環−チオメチレン基−ベンゼン環の連鎖は、光照射によって切断され易いと考えられる。上記式(I)で表される構造を有する重合体に偏光を照射すると、上記の連鎖のうちの偏光方向に平行の方向にあるもののみが切断されることとなり、その結果、液晶配向性が発現する。ここで、上記の連鎖の切断に要する光照射量は少なくてよいから、光配向法によって効率的・安価に液晶配向膜を形成することができるのであろう。
上式(I)中のn1が2以上であり(従って基Aが2個以上あり)、Aのうちの複数個が、それぞれ、−SCH2−または−CH2S−(チオメチレン基)である場合、該複数のチオメチレン基は式(I)中で同じ方向を向いていてもよく、逆方向を向いていてもよい。上記式(I)において、n1は1〜3の整数であることが好ましい。
上記式(I)で表される構造における結合手は、それぞれ、基Aに対してp位にあることが好ましい。
上記式(I)で表される構造の特に好ましい具体例としては、n1が1である場合として例えば下記式(I1−1)で表される構造などを;
n1が2である場合として例えば下記式(I2−1)および(I2−2)のそれぞれで表される構造などを;
n1が3である場合として例えば下記式(I3−1)で表される構造などを、それぞれあげることができる。
本発明の液晶配向剤に含有される特定重合体としては、上記式(I)で表される構造を主鎖に有するポリアミック酸およびそのイミド化重合体よりなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
上記ポリアミック酸は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを反応させることにより得ることができる。ただし、上記テトラカルボン酸二無水物およびジアミンのうちの少なくとも片方は、上記式(I)で表される構造を有する化合物を含むことが必要である。テトラカルボン酸二無水物と、上記式(I)で表される構造を有するジアミンを含むジアミンと、を反応させて得られるポリアミック酸であることが好ましい。
上記イミド化重合体は、上記ポリアミック酸を脱水閉環することにより、得ることができる。
上記脂肪族テトラカルボン酸二無水物としては、例えば1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,3−ジメチル−1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、1,3,3a,4,5,9b−ヘキサヒドロ−5−(テトラヒドロ−2,5−ジオキソ−3−フラニル)−ナフト[1,2−c]−フラン−1,3−ジオン、1,3,3a,4,5,9b−ヘキサヒドロ−8−メチル−5−(テトラヒドロ−2,5−ジオキソ−3−フラニル)−ナフト[1,2−c]−フラン−1,3−ジオン、1,3,3a,4,5,9b−ヘキサヒドロ−5,8−ジメチル−5−(テトラヒドロ−2,5−ジオキソ−3−フラニル)−ナフト[1,2−c]−フラン−1,3−ジオン、ビシクロ[2,2,2]−オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、3−オキサビシクロ[3.2.1]オクタン−2,4−ジオン−6−スピロ−3’−(テトラヒドロフラン−2’,5’−ジオン)、5−(2,5−ジオキソテトラヒドロ−3−フラニル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、3,5,6−トリカルボキシ−2−カルボキシメチルノルボルナン−2:3,5:6−二無水物、2,4,6,8−テトラカルボキシビシクロ[3.3.0]オクタン−2:4,6:8−二無水物、4,9−ジオキサトリシクロ[5.3.1.02,6]ウンデカン−3,5,8,10−テトラオン、1,4−ビス(2,6−ジオキソテトラヒドロ−4−ピラニル)ベンゼン、1,4−ビス(4−メチル−2,6−ジオキソテトラヒドロ−4−ピラニル)ベンゼン、4,4’−ビス(2,6−ジオキソテトラヒドロ−4−ピラニル)ビフェニル、1,4−ビス(2,5−ジオキソテトラヒドロ−4−フラニル)ベンゼンなどを;
上記式(t)で表される化合物の具体例としては、n2が1である化合物として、例えば下記式(t1−1)〜(t1−3)のそれぞれで表される化合物などを;
n2が2である化合物として、例えば下記式(t2−1)および(t2−2)のそれぞれで表される化合物などを、それぞれ挙げることができる。
上記ポリアミック酸を合成するために用いられるテトラカルボン酸二無水物は、脂環式テトラカルボン酸二無水物および上記式(t)で表される化合物のうちから選択される少なくとも1種のみからなるものであることが好ましい。
上記ポリアミック酸を合成するために用いられるジアミンは、上記式(I)で表される構造を有するジアミンを含むことが好ましい。上記式(I)で表される構造を有するジアミンとしては、上記式(I)で表される構造において「*」を付した2つの結合手にそれぞれアミノ基が結合してなる化合物、すなわち、下記式(d)で表される化合物であることが好ましい。
上記式(d)で表される化合物における2つのアミノ基は、それぞれ、基Aに対してp位にあることが好ましい。
上記式(d)で表される化合物の特に好ましい具体例としては、n1が1である場合として例えば下記式(d1−1)で表される化合物などを;
n1が2である場合として例えば下記式(d2−1)および(d2−2)のそれぞれで表される化合物などを;
n1が3である場合として例えば下記式(d3−1)で表される化合物などを、それぞれ挙げることができる。
ベンゼン環に結合したアミノ基は、例えばニトロベンゼンの水素化反応により生成することができる。従って、例えば上記式(d1−1)で表される化合物は、ニトロチオフェノールとニトロベンジルハライドとを反応させた後、ニトロ基を水素化する2段階反応により得ることができ;
例えば上記式(d3−1)で表される化合物は、ビフェニルジチオールと2倍当量のニトロベンジルハライドとを反応させた後、ニトロ基を水素化する2段階反応により得ることができる。上記2段階反応のさらに詳しい反応条件は、後述の実施例を参照されたい。
上記ポリアミック酸を合成するために用いられるジアミンとしては、上記式(d)で表される化合物のみを使用してもよく、あるいはこれとともにその他のジアミンを併用してもよい。
上記脂環式ジアミンとしては、例えば1,4−ジアミノシクロヘキサン、4,4’−メチレンビス(シクロヘキシルアミン)、1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサンなどを;
上記ジアミノオルガノシロキサンとしては、例えば1,3−ビス(3−アミノプロピル)−テトラメチルジシロキサンなどを、それぞれ挙げることができる。
上記ポリアミック酸を合成するために用いられるジアミンは、上記式(d)で表される化合物を、ジアミンの全量に対して、10モル%以上含むことが好ましく、30モル%以上含むことがより好ましく、さらに50モル%以上含むことが好ましい。
ポリアミック酸の合成反応は、有機溶媒中において行うことが好ましい。この有機溶媒としては、例えばN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルトリアミドなどの非プロトン性極性溶媒;
m−クレゾール、キシレノール、ハロゲン化フェノールなどのフェノール誘導体;
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン;
乳酸エチル、乳酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルメトキシプロピオネ−ト、エチルエトキシプロピオネ−ト、シュウ酸ジエチル、マロン酸ジエチル、イソアミルプロピオネート、イソアミルイソブチレートなどのエステル;
ジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン、1,4−ジクロロブタン、トリクロロエタン、クロルベンゼン、o−ジクロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素;
ベンゼン、トルエン、キシレンなどの炭化水素などを例示することができ、これらのうちから選択される1種以上を使用することができる。
ポリアミック酸の合成反応の反応温度は、−20〜150℃とすることが好ましく、0〜100℃とすることがより好ましい。反応時間は、0.5〜24時間とすることが好ましく、2〜12時間とすることがより好ましい。
ポリアミック酸の脱水閉環は、好ましくはポリアミック酸を加熱する方法により、またはポリアミック酸を有機溶媒に溶解し、この溶液中に脱水剤および脱水閉環触媒を添加し、必要に応じて加熱する方法により行われる。このうち後者の方法によることが特に好ましい。
上記ポリアミック酸の溶液中に脱水剤および脱水閉環触媒を添加する方法において、脱水剤としては、例えば無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフルオロ酢酸などの酸無水物を用いることができる。脱水剤の使用割合は、ポリアミック酸の有するアミック酸構造の1モルに対して0.01〜20モルとすることが好ましい。脱水閉環触媒としては、例えばピリジン、コリジン、ルチジン、トリエチルアミンなどの3級アミンを用いることができる。脱水閉環触媒の使用割合は、使用する脱水剤の1モルに対して0.01〜10モルとすることが好ましい。脱水閉環反応に用いられる有機溶媒としては、ポリアミック酸の合成に用いられるものとして上記に例示した有機溶媒を使用することができる。
脱水閉環反応の反応温度は好ましくは0〜180℃であり、より好ましくは10〜150℃である。反応時間は好ましくは1.0〜120時間であり、より好ましくは2.0〜30時間である。
本発明の液晶配向剤は、上記のような特定重合体を必須成分として含有するが、必要に応じてその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、例えば特定重合体以外のその他の重合体、分子内に少なくとも1つのエポキシ基を有する化合物(以下、「エポキシ化合物」ともいう)、官能性シラン化合物などを挙げることができる。
上記その他の重合体は、溶液特性および電気特性の改善のために使用することができる。かかるその他の重合体は、上記式(I)で表される構造を持たない重合体であり、例えばポリアミック酸、ポリアミック酸のイミド化重合体、ポリアミック酸エステル、ポリエステル、ポリアミド、ポリシロキサン、セルロース誘導体、ポリアセタール、ポリスチレン誘導体、ポリ(スチレン−フェニルマレイミド)誘導体およびポリ(メタ)アクリレートよりなる群から選択される1種以上であって、上記式(I)で表される構造を持たない重合体であることができる。
その他の重合体の使用割合としては、重合体の合計(特定重合体およびその他の重合体の合計をいう。以下同じ。)に対して、50重量%以下とすることが好ましく、40重量%以下とすることがより好ましく、30重量%以下とすることがさらに好ましい。
上記エポキシ化合物としては、例えばエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、2,2−ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、N,N,N’,N’−テトラグリシジル−m−キシレンジアミン、1,3−ビス(N,N−ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン、N,N,N’,N’−テトラグリシジル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン、N,N−ジグリシジル−ベンジルアミン、N,N−ジグリシジル−アミノメチルシクロヘキサン、N,N−ジグリシジル−シクロヘキシルアミンなどを挙げることができ、これらのうちから選択される1種以上を使用することができる。
これらエポキシ化合物の使用割合としては、重合体の合計100重量部に対して、好ましくは40重量部以下であり、より好ましくは0.1〜30重量部である。
上記官能性シラン化合物としては、例えば3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、2−アミノプロピルトリメトキシシラン、2−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、N−トリメトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、10−トリメトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、10−トリエトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、9−トリメトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテート、9−トリメトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテート、9−トリエトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテート、9−トリメトキシシリル−3,6−ジアザノナン酸メチル、9−トリエトキシシリル−3,6−ジアザノナン酸メチル、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、2―グリシドキシエチルトリメトキシシラン、2―グリシドキシエチルトリエトキシシラン、3―グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3―グリシドキシプロピルトリエトキシシランなどを挙げることができ、これらのうちから選択される1種以上を使用することができる。
これら官能性シラン化合物の使用割合は、重合体の合計100重量部に対して、好ましくは2重量部以下であり、より好ましくは0.02〜0.2重量部である。
本発明の液晶配向剤は、上記の特定重合体および必要に応じて任意的に使用されるその他の成分を、好ましくは有機溶媒中に溶解含有してなる溶液状の組成物として構成される。
本発明の液晶配向剤に使用される有機溶媒としては、例えばN−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、γ−ブチロラクタム、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、エチレングリコールモノメチルエーテル、乳酸ブチル、酢酸ブチル、メチルメトキシプロピオネ−ト、エチルエトキシプロピオネ−ト、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコール−n−プロピルエーテル、エチレングリコール−i−プロピルエーテル、エチレングリコール−n−ブチルエーテル(ブチルセロソルブ)、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジイソブチルケトン、イソアミルプロピオネート、イソアミルイソブチレート、ジイソペンチルエーテル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどを例示することができ、これらのうちから選択される1種以上を使用することができる。
特に好ましい固形分濃度の範囲は、基板上に液晶配向剤を塗布する際に用いる方法によって異なる。例えばスピンナー法による場合には固形分濃度1.5〜4.5重量%の範囲とすることが特に好ましい。印刷法による場合には、固形分濃度を3〜9重量%の範囲とすることが特に好ましい。インクジェット法による場合には、固形分濃度を1〜5重量%の範囲とすることが特に好ましい。
本発明の液晶配向剤を調製する際の温度は、好ましくは10〜50℃であり、より好ましくは20〜30℃である。
本発明の液晶配向剤を用いて例えば以下の工程を経由することにより、液晶配向膜を形成することができる。
(1)基板上に、本発明の液晶配向剤を塗布して塗膜を形成する工程(塗布工程)、および
(2)上記塗膜に光照射する工程(光照射工程)。
上記(2)光照射工程の後に、必要に応じて(3)清浄化工程を行ってもよい。
以下、上記の各工程について説明する。
本発明の液晶配向剤を、TN型またはSTN型の液晶セルを有する液晶表示素子に適用する場合、パターニングされた透明導電膜が設けられている基板2枚を一対として、その各透明性導電膜形成面上に、本発明の液晶配向剤を塗布して塗膜を形成する。一方、本発明の液晶配向剤を、IPS型またはFFS型の液晶セルを有する液晶表示素子に適用する場合には、片面に透明導電膜または金属膜が櫛歯状にパターニングされた電極の一対を有する基板と、電極が設けられていない対向基板とを一対とし、櫛歯状電極の形成面と、対向基板の片面とに、それぞれ本発明の液晶配向剤を塗布して塗膜を形成する。
上記いずれの場合も、基板としては、例えばフロートガラス、ソーダガラスなどのガラス;
ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネートなどのプラスチック
からなる透明基板などを用いることができる。上記透明導電膜としては、例えばIn2O3−SnO2からなるITO膜、SnO2からなるNESA(登録商標)膜などを用いることができる。上記金属膜としては、例えばクロムなどの金属からなる膜を使用することができる。透明導電膜および金属膜のパターニングには、例えばパターンなしの透明導電膜を形成した後にフォト・エッチング法、スパッタ法などによりパターンを形成する方法、透明導電膜を形成する際に所望のパターンを有するマスクを用いる方法などによることができる。
基板上への液晶配向剤の塗布は、好ましくはオフセット印刷法、スピンコート法、ロールコーター法、インクジェット印刷法などの適宜の塗布方法により行うことができる。塗布後、塗布面を予備加熱(プレベーク)し、次いで焼成(ポストベーク)することにより塗膜を形成することができる。プレベークの条件は、例えば40〜120℃の加熱温度において0.1〜5分の加熱時間であり、ポストベークの条件は、例えば120〜300℃、好ましくは150〜250℃の加熱温度において、例えば5〜200分、好ましくは10〜100分の加熱時間である。ポストベーク後の塗膜の膜厚は、0.001〜1μmとすることが好ましく、0.005〜0.5μmとすることがより好ましい。
上記のようにして形成された塗膜に対して、次いで偏光した光を照射することにより、塗膜に液晶配向能を付与して液晶配向膜とすることができる。ここで照射する光としては、例えば150〜800nmの波長の光を含む紫外線、可視光線などを用いることができる。200〜400nmの波長の光を含む紫外線が好ましい。
使用する光源としては、例えば低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、重水素ランプ、メタルハライドランプ、アルゴン共鳴ランプ、キセノンランプ、Hg−Xeランプ、エキシマーレーザーなどを使用することができる。上記の好ましい波長領域の紫外線は、上記光源を、例えばフィルター、回折格子などと併用する手段などにより得ることができる。
本発明の液晶配向剤を用いると、従来技術において10,000J/m2以上の光照射が必要であったのを、8,000J/m2以下の低い照射量としても良好な液晶配向能を付与することができ、液晶表示素子の生産性向上と製造コストの削減に資する。
次いで、上記(2)光照射工程を経由した後の塗膜(液晶配向膜)に対して、任意的に清浄化工程を行ってもよい。
塗膜を構成する重合体の一部が上記(2)光照射工程によって切断され、低分子量の分解物が生成する場合がある。このよう低分子量の分解物が塗膜中に残存すると、液晶表示素子の電気特性に悪影響を及ぼすことがある。
このような分解物は清浄化工程によって除去することができるから、該正常化工程の実施によって得られる液晶表示素子の電気特性をより高いものとすることができる場合がある。
この任意的な清浄化工程では、(2)光照射工程を経由した後の塗膜に対して、加熱処理、減圧処理および洗浄処理のうちから選択される少なくとも1種の処理が行われる。これらのうちの2種以上の処理を行う場合には、各処理を順次に行ってもよく、同時に行ってもよい。
清浄化工程における加熱処理は、好ましくは150〜300℃、より好ましくは200〜290℃の温度において、好ましくは5〜60分、より好ましくは15〜60分の時間行われる。
清浄化工程における減圧処理は、絶対圧が、好ましくは2×104Pa以下、より好ましくは1×100〜2×104Pa以下、の圧力において、好ましくは1分以下、より好ましくは1〜30秒の時間行われる。
上記界面活性剤としては、例えば公知の非イオン系界面活性剤を好ましく使用することができる。
洗浄方法としては、塗膜に上記洗浄液を流下する方法、塗膜を上記洗浄液中に浸漬する方法、これらとブラシ洗浄とを併用する方法、塗膜を上記洗浄液中に浸漬したうえで超音波を印可する方法などを挙げることができ、これらのうちから選択される1種以上を行うことができる。
清浄化工程における処理方法としては、加熱処理および減圧処理を同時に行うか、あるいは洗浄処理のみを単独で行うことが好ましい。
上記のようにして形成された液晶配向膜を有する基板を用いて、以下のようにして液晶表示素子を製造することができる。
上記のようにして液晶配向膜が形成された一対の基板を準備し、この一対の基板間に液晶が狭持された構成の液晶セルを製造する。液晶セルを製造するには、例えば以下の2つの方法を挙げることができる。
第1の方法として、各液晶配向膜が対向するように間隙(セルギャップ)を介して一対の基板を対向配置し、該一対の基板の周辺部をシール剤を用いて貼り合わせ、基板表面およびシール剤により区画されたセルギャップ内に液晶を注入充填した後、注入孔を封止することにより、液晶セルを製造する方法を挙げることができる。
第2の方法として、液晶配向膜を形成した2枚の基板のうちの一方の基板上の所定の場所に例えば紫外光硬化性のシール材を塗布し、さらに液晶配向膜面上の所定の数カ所に液晶を滴下した後、液晶配向膜が対向するように他方の基板を貼り合わせるとともに液晶を基板面に押し広げ、次いで基板の全面に紫外光を照射してシール剤を硬化することにより、液晶セルを製造する方法を挙げることができる。この第2の方法は、ODF(One Drop Fill)方式と呼ばれる手法である。
上記いずれの方法による場合でも、次いで、液晶セルを、用いた液晶が等方相をとる温度まで加熱した後、室温まで徐冷することにより、液晶充填時の流動配向を除去することが望ましい。
上記シール剤としては、例えばスペーサーとしての酸化アルミニウム球および硬化剤を含有するエポキシ樹脂などを用いることができる。
上記液晶としては、例えばネマティック型液晶、スメクティック型液晶などを用いることができる。ネマティック型液晶を形成する正の誘電異方性を有するものが好ましく、例えばビフェニル系液晶、フェニルシクロヘキサン系液晶、エステル系液晶、ターフェニル系液晶、ビフェニルシクロヘキサン系液晶、ピリミジン系液晶、ジオキサン系液晶、ビシクロオクタン系液晶、キュバン系液晶などが用いられる。また上記液晶に、例えばコレスチルクロライド、コレステリルノナエート、コレステリルカーボネートなどのコレステリック液晶;
商品名「C−15」、「CB−15」(以上、メルク社製)として販売されているようなカイラル剤;
p−デシロキシベンジリデン−p−アミノ−2−メチルブチルシンナメートなどの強誘電性液晶などをさらに添加して使用してもよい。
液晶セルの外側に使用される偏光板としては、ポリビニルアルコールを延伸配向させながらヨウ素を吸収させた「H膜」と呼ばれる偏光膜を酢酸セルロース保護膜で挟んだ偏光板、またはH膜そのものからなる偏光板などを挙げることができる。このようにして製造された本発明の液晶表示素子は、表示特性、電気特性などの諸性能に優れるものである。
<化合物(d)の合成>
合成例d−1
下記スキーム1に従って、化合物(d1−1)を合成した。
温度計および窒素導入管を備えた5Lの三口フラスコに、4−ニトロチオフェノール171g、炭酸カリウム180gおよびN,N−ジメチルホルムアミド2Lを仕込んだ後、4−ニトロベンジルブロミド216gを加えて室温で2時間反応を行った。反応終了後、反応混合物に酢酸エチル10Lを加えて希塩酸および水で順次に分液洗浄を行った。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて溶媒を除去して得られた固体をエタノールで再結晶することにより、化合物(d1−1A)を247g得た。
(2)化合物(d1−1)の合成
温度計および窒素導入管を備えた5Lの三口フラスコに、上記で得た化合物(d1−1A)145g、亜鉛粉末650g、塩化アンモニウム107g、テトラヒドロフラン1.5Lおよびエタノール500mLを仕込んだ後、水270mLをゆっくり加えて室温で18時間反応を行った。反応終了後、反応混合物をろ過して得られたろ液に酢酸エチル5Lを加えて2.5Lの水で3回分液洗浄を行った。次いで、有機層から減圧にて溶媒を除去して得られた固体をエタノールで再結晶することにより、橙色結晶状の化合物(d1−1)を90g得た。
下記スキーム2に従って、化合物(d2−1)を合成した。
温度計および窒素導入管を備えた1Lの三口フラスコに、1,4−ベンゼンジチオール14.2g、炭酸カリウム30.4gおよびN,N−ジメチルホルムアミド500mLを仕込んだ後、4−ニトロベンジルブロミド30.4gを加えて室温で2時間反応を行った。反応終了後、反応混合物に酢酸エチル1Lを加えて希塩酸および水で順次に分液洗浄を行った。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて溶媒を除去して得られた固体をエタノールで再結晶することにより、化合物(d2−1A)を37g得た。
(2)化合物(d2−1)の合成
温度計および窒素導入管を備えた1Lの三口フラスコに、上記で得た化合物(d2−1A)37g、亜鉛粉末118g、塩化アンモニウム19.3g、テトラヒドロフラン270mLおよびエタノール90mLを仕込んだ後、水49mLをゆっくり加えて室温で18時間反応を行った。反応終了後、反応混合物をろ過して得られたろ液に酢酸エチル1Lを加えて500mLの水で3回分液洗浄を行った。次いで、有機層から減圧にて溶媒を除去して得られた固体をエタノールで再結晶することにより、橙色結晶状の化合物(d2−1)を20g得た。
下記スキーム3に従って、化合物(d2−2)を合成した。
温度計および窒素導入管を備えた1Lの三口フラスコに、4−ニトロチオフェノール34.1g、炭酸カリウム30.4gおよびN,N−ジメチルホルムアミド500mLを仕込んだ後、1,4−ビス(ブロモメチル)ベンゼン26.4gを加えて室温で2時間反応を行った。反応終了後、反応混合物に酢酸エチル1Lを加えて希塩酸および水で順次に分液洗浄を行った。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧にて溶媒を除去して得られた固体をエタノールで再結晶することにより、化合物(d2−2A)を37g得た。
(2)化合物(d2−2)の合成
温度計および窒素導入管を備えた1Lの三口フラスコに、上記で得た化合物(d2−2A)37g、亜鉛粉末118g、塩化アンモニウム19.3g、テトラヒドロフラン270mLおよびエタノール90mLを仕込んだ後、水49mLをゆっくり加えて室温で18時間反応を行った。反応終了後、反応混合物をろ過して得られたろ液に酢酸エチル1Lを加えて500mLの水で3回分液洗浄を行った。有機層から減圧にて溶媒を除去して得られた固体をエタノールで再結晶することにより、橙色結晶状の化合物(d2−2)を21g得た。
合成例p−1
2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物9.76gおよび上記合成例d−1で得た化合物(d1−1)10.2gをN−メチル−2−ピロリドン80gに溶解し、60℃で4時間反応を行うことにより、ポリアミック酸(P−1)を20重量%含有する溶液を得た。この溶液の溶液粘度は2,050mPa・sであった。
合成例p−2
2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物3.84gおよび上記合成例d−2で得た化合物(d2−1)6.16gをN−メチル−2−ピロリドン90gに溶解し、60℃で4時間反応を行うことにより、ポリアミック酸(P−2)を10重量%含有する溶液を得た。この溶液の溶液粘度は120mPa・sであった。
2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物3.84gおよび上記合成例d−3で得た化合物(d2−1)6.16gをN−メチル−2−ピロリドン90gに溶解し、60℃で4時間反応を行うことにより、ポリアミック酸(P−3)を10重量%含有する溶液を得た。この溶液の溶液粘度は140mPa・sであった。
合成例p−4
ピロメリット酸二無水物9.63gおよび上記合成例d−1で得た化合物(d1−1)10.4gをN−メチル−2−ピロリドン80gに溶解し、室温で4時間反応を行うことにより、ポリアミック酸(P−4)を20重量%含有する溶液を得た。この溶液の溶液粘度は2,300mPa・sであった。
シクロブタンテトラカルボン酸二無水物9.10gおよび上記合成例d−1で得た化合物(d1−1)10.9gをN−メチル−2−ピロリドン80gに溶解し、室温で4時間を行うことにより、ポリアミック酸(P−5)を20重量%含有する溶液を得た。この溶液の溶液粘度は2,000mPa・sであった。
合成例p−6
上記式(t1−1)で表される化合物6.61gおよび上記合成例d−1で得た化合物(d1−1)3.39gをN−メチル−2−ピロリドン90gに溶解し、室温で4時間反応を行うことにより、ポリアミック酸(P−6)を10重量%含有する溶液を得た。この溶液の溶液粘度は200mPa・sであった。
上記式(t2−1)で表される化合物7.00gと上記合成例d−1で得た化合物(d1−1)3.00gをN−メチル−2−ピロリドン90gに溶解し、室温で4時間反応を行うことにより、ポリアミック酸(P−7)を10重量%含有する溶液を得た。この溶液の溶液粘度は210mPa・sであった。
合成例p−8
2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物4.88gおよび上記合成例d−1で得た化合物(d1−1)5.12gをN−メチル−2−ピロリドン40gに溶解し、60℃で4時間反応を行って、ポリアミック酸を含有する溶液(溶液粘度2050mPa・s)を得た。
得られたポリアミック酸溶液に、N−メチル−2−ピロリドン50g、ピリジン1.72gおよび無水酢酸2.22gを加えて110℃で4時間反応を行った。反応終了後、減圧にて反応液を80gまで濃縮した後、N−メチル−2−ピロリドン100gを加え、再度減圧にて80gまで濃縮することにより、イミド化率51%のポリイミド(P−8)を12.0重量%含有する溶液を得た。
2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物10.5gおよび4,4’−ジアミノジフェニルメタン9.49gをN−メチル−2−ピロリドン80gに溶解し、60℃で4時間反応を行うことにより、ポリアミック酸(R−1)を20重量%含有する溶液を得た。この溶液の溶液粘度は2,200mPa・sであった。
比較合成例2
2,3,5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物10.1gおよび下記式(r−1)で表される化合物9.92gをN−メチル−2−ピロリドン80gに溶解し、60℃で4時間反応を行うことにより、ポリアミック酸(R−2)を20重量%含有する溶液を得た。この溶液の溶液粘度は2,300mPa・sであった。
実施例1
重合体として、上記合成例p−1で得たポリアミック酸(P−1)を含有する溶液(ポリアミック酸の固形分に換算して100重量部に当たる量)にN−メチル−2−ピロリドン(NMP)およびブチルセロソルブ(BC)を加え、さらにエポキシ化合物としてN,N,N’,N’−テトラグリシジル−4,4’−ジアミノジフェニルメタンを20重量部加えて十分に撹拌し、溶媒組成がNMP:BC=60:40(重量比)、固形分濃度2.5重量%の溶液とした。この溶液を孔径1μmのフィルターを用いて濾過することにより、液晶配向剤(A−1)を調製した。
上記実施例1において、重合体としてのポリアミック酸(P−1)の代わりに、表1に記載した重合体を用いたほかは実施例1と同様にして、液晶配向剤(A−2)〜(A−8)ならびに(B−1)および(B−2)をそれぞれ調製した。
上記の実施例および比較例で調製した液晶配向剤のそれぞれを用いて、以下のようにして液晶表示素子を製造して評価した。
すべての結果は表1に示した。
ITO膜からなる透明電極付きガラス基板の透明電極面上に、スピンナーを用いて上記で調製した各液晶配向剤を塗布し、80℃のホットプレートで1分間加熱(プレベーク)した後、200℃のクリーンオーブンで1時間加熱(ポストベーク)して、膜厚0.1μmの塗膜を形成した。この塗膜表面に、Hg−Xeランプを用いて254nmの輝線を含む偏光の紫外線8,000J/m2を、基板法線方向から照射して、基板上に液晶配向膜を形成した。この操作を繰り返し、液晶配向膜を有する基板を一対(2枚)得た。
上記で得た一対の基板のうちの1枚について、液晶配向膜を形成した面の縁に液晶注入口を残して直径5.5μmの酸化アルミニウム球入りエポキシ樹脂接着剤をスクリーン印刷塗布した後、液晶配向膜面が相対し、且つ紫外線照射時の偏光軸の基板への投影方向が互いに平行となるように一対の基板を重ね合わせて圧着し、150℃において1時間加熱して接着剤を熱硬化した。次いで、一対の基板間に液晶注入口からネマティック型液晶(メルク社製、MLC−7028)を充填した後、エポキシ系接着剤で液晶注入口を封止した。さらに、液晶注入時の流動配向を除くために150℃まで加熱してから室温まで徐冷した。次に、基板の外側両面に、偏光板を貼り合わせることにより、液晶表示素子を製造した。
上記において、紫外線の照射量を10,000J/m2および20,000J/m2にそれぞれ変更したほかは上記と同様に実施して、紫外線照射量の異なる液晶表示素子を、合計3個製造した。
(1)液晶配向性の評価
3個の液晶表示素子について、それぞれ、電圧をオン・オフ(印加・解除)したときの異常ドメインの有無を観察した。異常ドメインがなかった場合を液晶配向性「良好」、異常ドメインがひとつでもあった場合を液晶配向性「不良」と判定した。
(2)電圧保持率の評価
外線照射量を8,000J/m2として製造した液晶表示素子に、5Vの電圧を60マイクロ秒の印加時間、167ミリ秒のスパンで印加した後、印加解除から167ミリ秒後の電圧保持率を測定した。測定装置としては(株)東陽テクニカ製、型式「VHR−1」を使用した。
基板として、図1に示した櫛歯状にパターニングされたクロムからなる2系統の金属電極、電極A(101)および電極B(102)を片面に有するガラス基板と、電極が設けられていない対向ガラス基板とを一対として用いた以外は、上記<液晶配向性および電圧保持率評価用液晶表示素子の製造>における、紫外線照射量が8,000J/m2の場合と同様にして横電界方式の液晶表示素子を製造した。
この横電界方式液晶表示素子を25℃、1気圧の環境下に置き、電極Bには電圧をかけずに、電極Aに交流電圧3.5Vおよび直流電圧5Vの合成電圧を2時間印加した。その直後、電極Aおよび電極Bの双方に交流4Vの電圧を印加した。両電極に交流4Vの電圧を印加し始めた時点から、電極Aおよび電極Bの各領域の光透過性の差が目視で確認できなくなるまでの時間を測定した。この時間が100秒未満であった場合の残像特性を「良好」、100秒以上150秒未満であった場合の残像特性を「可」、そして150秒を超えた場合の残像特性を「不良」として評価した。
なお、比較例1および2で製造した残像特性評価用液晶表示素子は、いずれも異常ドメインが多数存在し、液晶配向性が不良であったため、残像特性の評価は行わなかった。
以上の結果より、本発明の液晶配向剤は、光感度に優れ、低照射量の光照射によっても優れた液晶配向性を示す液晶配向膜を形成できることが確認された。本発明の液晶配向剤から形成された液晶配向膜を備える液晶表示素子は、優れた電気特性および残像特性を有することも確認された。
102. 電極B
Claims (9)
- (1)基板上に、請求項1〜3のいずれか一項に記載の液晶配向剤を塗布して塗膜を形成する工程、および
(2)上記塗膜に偏光を照射する工程
を経由することを特徴とする、液晶配向膜の形成方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の液晶配向剤から形成されたことを特徴とする、液晶配向膜。
- 請求項5に記載の液晶配向膜を具備することを特徴とする、液晶表示素子。
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