JP2013195203A - 観察方法および観察装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】被観察物に生じる微小な時間変化を、テラヘルツ波を用いて広いダイナミックレンジで検出する。
【解決手段】被検出物15と相互作用した第1のテラヘルツ波パルスと、テラヘルツ波パルスよりも波長の短いプローブパルスとを時間的に重ねて電気光学結晶14に照射し、電気光学結晶14との相互作用によるプローブパルスの偏光状態の変化を検出する。調整ステップにおいて、電気光学結晶14と相互作用したプローブパルスの偏光状態に変調を加え、検出される変調後のプローブパルスの偏光状態の変化を小さくするように調整し、検出ステップにおいて、電気光学結晶14と相互作用したプローブパルスの偏光状態に、調整ステップにより調整された変調を加えた状態で、該変調後のプローブパルスの偏光状態の変化を検出することにより、偏光状態の変化の時間変化を検出する。
【選択図】図1
【解決手段】被検出物15と相互作用した第1のテラヘルツ波パルスと、テラヘルツ波パルスよりも波長の短いプローブパルスとを時間的に重ねて電気光学結晶14に照射し、電気光学結晶14との相互作用によるプローブパルスの偏光状態の変化を検出する。調整ステップにおいて、電気光学結晶14と相互作用したプローブパルスの偏光状態に変調を加え、検出される変調後のプローブパルスの偏光状態の変化を小さくするように調整し、検出ステップにおいて、電気光学結晶14と相互作用したプローブパルスの偏光状態に、調整ステップにより調整された変調を加えた状態で、該変調後のプローブパルスの偏光状態の変化を検出することにより、偏光状態の変化の時間変化を検出する。
【選択図】図1
Description
本発明は、テラヘルツ波を利用した試料の観察方法および観察装置に関するものである。
近年、透明な物質(例えば、水)のセンシング技術やイメージング技術として、テラヘルツ波を利用する技術が開発されている。テラヘルツ波は、生体材料中のイオン濃度や水の温度変化など生体活動に関わる情報を、非接触且つ無染色に検出することが可能であり、生体材料の新しいセンシング技術として期待されている(たとえば、非特許文献1、2参照)。
例えば、非特許文献1では、テラヘルツ波を利用して、ミミズの神経細胞の無染色イメージングを行っている。神経細胞はカリウムイオン濃度が高く、また、テラヘルツ波はカリウムイオンによる吸収が大きいことから、被観察物を透過後のテラヘルツ波信号強度を空間的にマッピングすることで、細胞のイメージを取得している。しかし、この方法では、被観察物を空間的に走査することでイメージングを行っており、イメージングに時間を要する。特に、生体材料は時々刻々と状態が変化するため、短時間で測定を行えることが望ましい。例えば、心筋細胞では、拍動している最中の極短い時間にだけ細胞中のカルシウムイオン濃度が急激に高まることが知られているが、このような現象にテラヘルツ波による無染色イメージングを適用しようとした場合、空間走査によるイメージング方法では被観察物の時間変化に追随してイメージングを行うことは非常に困難である。このような要望に対し、CCDカメラを利用したテラヘルツ波リアルタイムイメージング技術が報告されている(例えば、非特許文献3参照)。
図8は、非特許文献3における観察装置の概略構成を示すものである。この文献では、テラヘルツ波の時間領域分光法をイメージングに応用した技術が開示されている。図8において、レーザ光源101から出射された近赤外フェムト秒レーザパルスがビームスプリッタ102で分岐されて、ポンプパルスとプローブパルスとに分かれる。ポンプパルスは光路長調整光学系(Delay Line)103を経由した後、テラヘルツ波発生素子104に入射し、テラヘルツ波が発生する。発生したテラヘルツ波は被観察物105を透過し、結像光学系106によって電気光学結晶であるZnTe結晶107に結像される。なお、ここで、被観察物105とZnTe結晶107とが光学的に共役な位置関係となる。
一方、プローブパルスはビームエキスパンダ108でビーム径が拡大された後に、偏光板109を透過し、ペリクルビームスプリッタ110によってテラヘルツ波と同軸になり、ZnTe結晶107に入射する。ここで、偏光板109はプローブパルスが特定方向の直線偏光となるように使用される。ZnTe結晶107を透過したプローブパルスは検光板111を介してCCDカメラ112に入射する。検光板111はその前に配置されている偏光板109とその偏光方向が直交する向きに配置されており(クロスニコル配置)、直線偏光のままZnTe結晶107を透過したプローブパルスは検光板111でカットされ、CCDカメラ112には入射しない。
ZnTeなどの電気光学結晶は電場が印加されるとその電場振幅に比例して複屈折が生じる性質(ポッケルス効果)を有している。この結晶にテラヘルツ波が入射すると、テラヘルツ波の電場によって、結晶内に複屈折が生じる。複屈折はテラヘルツ波電場が結晶内を透過している瞬間にのみ生じ、テラヘルツ波が透過後には瞬時に消失する。
この複屈折が生じている瞬間(テラヘルツ波が結晶を透過している瞬間)に、同時にプローブパルスが結晶を透過すると、その複屈折によってプローブパルスの偏光状態が変化する。即ち、直線偏光であったプローブパルスの偏光が楕円偏光となる。この場合、偏光状態が変化したプローブパルスは検光板111を透過する偏光成分を有するようになり、その像がCCDカメラ112によって撮像される。検光板111を透過するプローブパルスの空間分布はZnTe結晶中107に生じる複屈折の空間分布を反映しており、その複屈折の空間分布は被観察物105を透過後のテラヘルツ波電場の空間分布を反映している。即ち、CCDカメラ112で検出される像は、被観察物105を透過したテラヘルツ波の像となる。
ここで、テラヘルツ波のパルス幅は一般的に数ピコ秒、プローブパルスのパルス幅は100フェムト秒程度であり、テラヘルツ波電場によって誘起されるZnTe結晶107中の複屈折はテラヘルツ波透過後には瞬時に消失するため、検出されるテラヘルツ波電場はプローブパルスと同時にZnTe結晶107に入射する時間成分のみとなる。そして、光路長調整光学系によってテラヘルツ波とプローブパルスのZnTe結晶107への入射タイミングを変化させることにより、テラヘルツ波電場を時間分解測定することができ、テラヘルツ波電場の時間変化を捉えることができる。
このように、図8の構成において、テラヘルツ波が検出されている状態でCCDカメラ112による画像取得を連続的に行うことで、被観察物の時間変化をリアルタイムにイメージングすることができる。
J.-B. Masson, M.-P. Sauviat, J.-L. Martin, and G. Gallot, Proc. Natl. Acad. Sci. USA 103, 4808 (2006)
H. Yada, M. Nagai, and K. Tanaka, Chem. Phys. Lett. 464, 166 (2008)
M. Usami, T. Iwamoto, R. Fukasawa, M. Tani, M. Watanabe, and K. Sakai, Phys. Med. Biol. 47, 3749(2002)
しかしながら、上述のような従来技術により観察を行う場合、被観察物に状態変化が無い状態であっても、電気光学結晶に対するテラヘルツ波パルスの同時照射により、電気光学結晶を透過したプローブパルスは、常に偏光状態の変化を受けた状態となる。この定常的に加えられるテラヘルツ波電場の大きさに対して、被観察物の状態変化により生じるテラヘルツ電場の時間変化部分が小さいと、その状態変化を検出することは難しい。
図9は、取得したテラヘルツ波イメージのある画素での信号強度の時間変化の例である。この例では、イメージングを行っているあるタイミングにおいて被観察物の状態が変化し、それによって信号強度が減少した様子を示している。このときの被観察物の状態変化前の信号強度をI、被観察物の状態変化による信号強度の変化をΔI、CCDカメラのダイナミックレンジをDRとする。仮に、信号値IがCCDカメラの検出可能な信号レベルの最大値となっている場合、このΔIの信号強度変化を分解できる実効的なダイナミックレンジDR’は、
DR’= DR・ΔI/I (1)
となる。即ち、ΔIの信号強度の検出にはカメラのダイナミックレンジを最大限に利用することができない。もしΔIが非常に小さい場合、DR’も小さい値となり、その信号強度変化を観測することは難しくなる。特にDR’<1の場合においては、ΔIの検出は不可能である。
DR’= DR・ΔI/I (1)
となる。即ち、ΔIの信号強度の検出にはカメラのダイナミックレンジを最大限に利用することができない。もしΔIが非常に小さい場合、DR’も小さい値となり、その信号強度変化を観測することは難しくなる。特にDR’<1の場合においては、ΔIの検出は不可能である。
例えば、心筋細胞の拍動時のカルシウムイオン濃度の変化をテラヘルツ波で検出することを考える。非特許文献1には、テラヘルツ波透過測定による幾つかのイオン溶液の吸収スペクトルが示されており、水に対する信号強度比は次式で表せられることが述べられている。
T/T0=exp(ε・C・l) (2)
ここで、TとT0はそれぞれイオン溶液と水を透過した際のテラヘルツ波の振幅強度を示し、εは振幅モル吸収係数、Cはイオン濃度、lは被観察物の厚さをそれぞれ示す。
T/T0=exp(ε・C・l) (2)
ここで、TとT0はそれぞれイオン溶液と水を透過した際のテラヘルツ波の振幅強度を示し、εは振幅モル吸収係数、Cはイオン濃度、lは被観察物の厚さをそれぞれ示す。
非特許文献1によれば、カルシウムイオンではε=5(mM−1・cm−1)、心筋細胞の拍動時のカルシウムイオン濃度は約10μM程度であることからC=10μM、心筋細胞の厚さが10μm程度であることからl=10μmとすると、T/T0=1.00005となる。ここで、偏光板と検光板をクロスニコル配置にした場合に検出される信号はテラヘルツ波の振幅強度ではなく、その二乗に比例した信号となるため(非特許文献3参照)、カルシウムイオン溶液と水との信号強度比は(T/T0)2≒1.0001となる。即ち、この心筋細胞の静止状態のテラヘルツ波信号強度と拍動時の信号強度変化の比ΔI/Iは、0.0001であると言える。例えば、CCDカメラとしてダイナミックレンジが10bit(DR=1024)のものを使用した場合、この拍動時の変化を観測するための実効的なダイナミックレンジはDR’<1となり、この状態では心筋細胞拍動時のカルシウムイオン濃度変化をイメージングすることは不可能であると言える。
このように、非特許文献3に開示されているテラヘルツ波イメージング方法では、電気光学結晶に照射されるテラヘルツ波のうち、被観察物の状態変化によるテラヘルツ波の時間変化部分が、テラヘルツ波の全体の大きさと比べて小さい場合に、その検出を行うことが難しいという課題がある。
したがって、これらの点に着目してなされた本発明の目的は、被観察物に生じる微小な時間変化を、テラヘルツ波を用いて広いダイナミックレンジで検出することが可能な被観察物の観察方法および観察装置を提供することにある。
上記目的を達成する第1の観点に係る観察方法の発明は、
被検出物と相互作用した第1の電磁波であるパルス状のテラヘルツ波と、前記テラヘルツ波よりも波長の短いパルス状の第2の電磁波とを重ねて電気光学結晶に照射し、前記電気光学結晶との相互作用による前記第2の電磁波の偏光状態の変化を検出する被検出物の観察方法であって、
前記電気光学結晶と相互作用した前記第2の電磁波の偏光状態に変調を加え、検出される前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を小さくするように調整する調整ステップと、
前記電気光学結晶と相互作用した第2の電磁波の偏光状態に、前記調整ステップにより調整された前記変調を加え、該変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を検出する検出ステップと、
を有することを特徴とするものである。
被検出物と相互作用した第1の電磁波であるパルス状のテラヘルツ波と、前記テラヘルツ波よりも波長の短いパルス状の第2の電磁波とを重ねて電気光学結晶に照射し、前記電気光学結晶との相互作用による前記第2の電磁波の偏光状態の変化を検出する被検出物の観察方法であって、
前記電気光学結晶と相互作用した前記第2の電磁波の偏光状態に変調を加え、検出される前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を小さくするように調整する調整ステップと、
前記電気光学結晶と相互作用した第2の電磁波の偏光状態に、前記調整ステップにより調整された前記変調を加え、該変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を検出する検出ステップと、
を有することを特徴とするものである。
第2の観点に係る発明は、第1の観点に係る観察方法において、
前記検出ステップにおいて、前記調整ステップよりも、前記電気光学結晶に照射する前記第2の電磁波の強度を高くすることを特徴とするものである。
前記検出ステップにおいて、前記調整ステップよりも、前記電気光学結晶に照射する前記第2の電磁波の強度を高くすることを特徴とするものである。
第3の観点に係る発明は、第1または2の観点に係る観察方法において、
前記調整ステップにおいて、前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を記憶し、
前記検出ステップにおいて、該検出ステップにおける前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化から、前記調整ステップにおいて記憶した前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を差分することを特徴とするものである。
前記調整ステップにおいて、前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を記憶し、
前記検出ステップにおいて、該検出ステップにおける前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化から、前記調整ステップにおいて記憶した前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を差分することを特徴とするものである。
第4の観点に係る発明は、第1〜3の何れかの観点に係る観察方法において、
前記第2の電磁波の偏光状態の変化を2次元画像として取得することを特徴とするものである。
前記第2の電磁波の偏光状態の変化を2次元画像として取得することを特徴とするものである。
さらに、上記目的を達成する第5の観点に係る観察装置の発明は、
電気光学結晶と、
第1の電磁波であるパルス状のテラヘルツ波を被観察物と相互作用させて前記電気光学結晶に照射する第1の照射系と、
前記電気光学結晶に前記テラヘルツ波よりも波長の短い第2の電磁波を照射する第2の照射系と、
前記電気光学結晶と相互作用した前記第2の電磁波の偏光状態に変調を加える位相変調器と、
前記位相変調器によって前記変調を加えられた前記第2の電磁波の偏光状態の変化を検出する検出部と
を備え、
前記位相変調器は、前記検出部により検出される前記第2の電磁波の偏光状態の変化を小さくするように調整可能に構成されていることを特徴とするものである。
電気光学結晶と、
第1の電磁波であるパルス状のテラヘルツ波を被観察物と相互作用させて前記電気光学結晶に照射する第1の照射系と、
前記電気光学結晶に前記テラヘルツ波よりも波長の短い第2の電磁波を照射する第2の照射系と、
前記電気光学結晶と相互作用した前記第2の電磁波の偏光状態に変調を加える位相変調器と、
前記位相変調器によって前記変調を加えられた前記第2の電磁波の偏光状態の変化を検出する検出部と
を備え、
前記位相変調器は、前記検出部により検出される前記第2の電磁波の偏光状態の変化を小さくするように調整可能に構成されていることを特徴とするものである。
第6の観点に係る発明は、第5の観点に係る観察装置において、
前記第2の照射系は、前記電気光学結晶に照射する前記第2の電磁波の強度を調整可能に構成されていることを特徴とするものである。
前記第2の照射系は、前記電気光学結晶に照射する前記第2の電磁波の強度を調整可能に構成されていることを特徴とするものである。
第7の観点に係る発明は、第5または6の観点に係る観察装置において、
前記検出部は、検出感度を調整可能に構成されていることを特徴とするものである。
前記検出部は、検出感度を調整可能に構成されていることを特徴とするものである。
第8の観点に係る発明は、第5〜7の何れかの観点に係る観察装置において、
前記位相変調器は、2次元的に位相変調が可能な空間位相変調器であり、前記検出部は、前記第2の電磁波の2次元画像を取得可能な固体撮像カメラであることを特徴とするものである。
前記位相変調器は、2次元的に位相変調が可能な空間位相変調器であり、前記検出部は、前記第2の電磁波の2次元画像を取得可能な固体撮像カメラであることを特徴とするものである。
第9の観点に係る発明は、第5〜7の何れかの観点に係る観察装置において、
前記位相変調器は、波長板により構成されることを特徴とするものである。
前記位相変調器は、波長板により構成されることを特徴とするものである。
本発明によれば、電気光学結晶と相互作用した第2の電磁波の偏光状態に変調を加え、検出される変調後の第2の電磁波の偏光状態の変化を小さくするように調整する調整ステップを設け、電気光学結晶と相互作用した第2の電磁波の偏光状態に、調整ステップにより調整された変調を加え、変調後の第2の電磁波の偏光状態の変化を検出することにより、偏光状態の変化を検出するようにしたので、被観察物に生じる微小な時間変化を、テラヘルツ波を用いて広いダイナミックレンジで観察することができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
(第1実施の形態)
図1は、本発明の第1実施の形態に係る観察装置の全体の概略構成図である。この観察装置は、フェムト秒の近赤外レーザパルスを射出するレーザ光源11と、該レーザ光源11からの近赤外レーザパルスを2つの光束に分離するビームスプリッタ12と、該ビームスプリッタ12で分離された一方の近赤外レーザパルスによりテラヘルツ波パルス(第1の電磁波)を発生するテラヘルツ波発生部13と、電気光学結晶14とを備える。さらに、観察装置は、テラヘルツ波発生部13で発生したテラヘルツ波パルスを、被観察物15を経て電気光学結晶14に照射する第1の照射系21と、ビームスプリッタ12で分離された他方の近赤外レーザパルスビーム(第2の電磁波)をプローブパルスとして電気光学結晶14に照射する第2の照射系22と、電気光学結晶14の後段に配置された空間位相変調部23(位相変調部)と、電気光学結晶14と相互作用して空間位相変調部23で変調されたプローブパルスの偏光状態を検出する検出部24と、該検出部24から得られるイメージを処理する信号処理部25とを備える。
図1は、本発明の第1実施の形態に係る観察装置の全体の概略構成図である。この観察装置は、フェムト秒の近赤外レーザパルスを射出するレーザ光源11と、該レーザ光源11からの近赤外レーザパルスを2つの光束に分離するビームスプリッタ12と、該ビームスプリッタ12で分離された一方の近赤外レーザパルスによりテラヘルツ波パルス(第1の電磁波)を発生するテラヘルツ波発生部13と、電気光学結晶14とを備える。さらに、観察装置は、テラヘルツ波発生部13で発生したテラヘルツ波パルスを、被観察物15を経て電気光学結晶14に照射する第1の照射系21と、ビームスプリッタ12で分離された他方の近赤外レーザパルスビーム(第2の電磁波)をプローブパルスとして電気光学結晶14に照射する第2の照射系22と、電気光学結晶14の後段に配置された空間位相変調部23(位相変調部)と、電気光学結晶14と相互作用して空間位相変調部23で変調されたプローブパルスの偏光状態を検出する検出部24と、該検出部24から得られるイメージを処理する信号処理部25とを備える。
テラヘルツ波発生部13は、反射ミラー31,32,33と、集光レンズ34と、テラヘルツ波発生素子35とを備える。そして、テラヘルツ波発生部13は、ビームスプリッタ12で分離された一方の近赤外レーザパルスビームを、反射ミラー31,32,33で順次反射させて、集光レンズ34によりテラヘルツ波発生素子35に集光し、これによりテラヘルツ波発生素子35からテラヘルツ波パルスを放射させる。テラヘルツ波発生素子35は、公知の非線形光学結晶や光伝導アンテナ等から構成される。なお、図1では、3枚の反射ミラー31,32,33を用いているが、光学素子のレイアウトによっては、省略あるいは適宜の枚数とすることができる。
第1の照射系21は、照射レンズ41と、結像レンズ系42とを備える。そして、第1の照射系21は、照射レンズ41によりテラヘルツ波発生素子35から放射されるテラヘルツ波パルスを被観察物15に照射し、これにより被観察物15と相互作用して該被観察物15を透過するテラヘルツ波パルスを、結像レンズ系42を経て電気光学結晶14に照射する。ここで、図の破線は結像関係を示し、被観察物15と電気光学結晶14が光学的に共役な関係にあるようにする。電気光学結晶14にテラヘルツ波パルスが入射されると、テラヘルツ波電場によるポッケルス効果によって電気光学結晶14内に複屈折が生じる。つまり、テラヘルツ波電場の振幅の分布の情報が、複屈折の分布として電気光学結晶14に書き込まれる。これにより、テラヘルツ波パルスによる被観察物15の成分分布像を、電気光学結晶14に結像させる。なお、電気光学結晶14として、ZnTe結晶やGaP結晶、LiNbO3結晶などが使用可能である。
第2の照射系22は、光路長調整光学系51と、反射ミラー52と、ビームエキスパンダ53と、1/2波長板54と、偏光板55と、ダイクロイックミラー56とを備える。なお、光路長調整光学系51は、光路を平行に折り返す2つの反射ミラーを有し、両矢印方向に移動可能に構成される。そして、第2の照射系22は、ビームスプリッタ12で分離された他方の近赤外レーザパルスであるプローブパルスを、光路長調整光学系51および反射ミラー52を経てビームエキスパンダ53に入射させ、該ビームエキスパンダ53によりビーム径を拡大し、1/2波長板54、偏光板55およびダイクロイックミラー56を経て、第1の照射系21の光軸とほぼ同軸にして電気光学結晶14に照射する。ここで、1/2波長板54と偏光板55とは第2の照射系22のプローブパルスの光量と偏光状態の調整に用いられる。即ち、偏光板55を回転させることによって任意の向きの直線偏光を作り出すことができ、また、1/2波長板54を回転させることで偏光板55から出射する光量を調整できる。
テラヘルツ波パルスが電気光学結晶14に照射された状態で、電気光学結晶14をプローブパルスが透過すれば、テラヘルツ波パルスで誘起された複屈折の分布によってプローブパルスのビーム内に偏光面の空間分布が生じる。つまり、テラヘルツ波パルスの情報がプローブパルスの偏光面の変化として読み出される。
なお、図1では、ダイクロイックミラー56は、第1の照射系21のテラヘルツ波パルスは透過させ、第2の照射系22のプローブパルスは反射させるように構成されているが、光学系のレイアウトによっては、反射と透過とが逆であってもよい。また、反射ミラー52は、光学素子のレイアウトによっては、省略あるいは適宜の枚数とすることができる。
次に、空間位相変調部23および検出部24の構成を図2を用いて説明する。空間位相変調部23は、空間位相変調器61と4つのレンズ64〜67により構成される。また、検出部は検光板62とカメラ63とを備える。電気光学結晶14と相互作用して該電気光学結晶14を透過したプローブパルスは、レンズ64、65を介して空間位相変調器61に入射し、その後、レンズ66、67、検光板62を介してカメラ63に結像される。ここで、図の破線は結像関係を示し、電気光学結晶14、空間位相変調器61およびカメラ63の受光部が光学的に共役な関係にあるようにする。
なお、空間位相変調器61は、二次元的に任意の位置で任意の位相変調が可能な位相変調素子であり、例えば、2次元配列された透過型または反射型の液晶素子を用いることができる。また、検光板62の偏光方向は図1の偏光板55による偏光方向と直交する方向に配置されており(クロスニコル配置)、カメラ63についてはCCDカメラやCMOSカメラが利用できる。
図1の信号処理部25は、カメラ63で検出した画像信号を処理するとともに、観察装置の各部を制御する。信号処理部25は、カメラ63で検出した画像信号に基づいて、空間位相変調器61を調整し、各画素の偏光状態を変調することができる。また、信号処理部25は、電気光学結晶14内で、第1の照射系21からのテラヘルツ波パルスと第2の照射系22からのプローブパルスとが時間的に重なるように、光路長調整光学系51による光路長の調整をさせることができる。さらに、信号処理部25は、カメラ63で検出した画像信号に基づいて、1/2波長板54を回転調整させ、プローブパルスの光量を変え、あるいは、カメラ63の検出感度を調整することができる。なお、信号処理部25は、例えば、CPUで構成される。
次に本実施の形態に係る観察装置を用いた、被観察物15の観察手順について説明する。図3は、図1の観察装置を用いた観察のフローを示す図である。
まず、第2の照射系22の調整(ステップS1)について説明する。はじめに、偏光板55の偏光方向を、テラヘルツ波パルス照射で誘起される電気光学結晶14の複屈折でプローブパルスの偏光状態が変化し易い方向に設定する。また、検光板62の偏光方向を偏光板55の偏光方向と直交する向き(クロスニコル配置)に設定する。そして、空間位相変調器61をプローブパルスに位相変調が生じない状態に設定する。電気光学結晶14に複屈折が生じていない状態で、検光板62に入射するプローブパルスは偏光板55で設定された直線偏光状態を維持する。このとき、カメラ63に入射するプローブパルスの強度は極めて小さい。
次に、テラヘルツ波パルスの照射により電気光学結晶14に複屈折を誘起し、それによってプローブパルスの偏光が変化すると、偏光が変化した成分が検光板62を透過し、カメラ63に結像される。この偏光の変化は電気光学結晶14の複屈折を反映しているため、カメラ63で撮像されるイメージは電気光学結晶14に入射するテラヘルツ波パルスの強度分布を表すものとなる。
テラヘルツ波パルスのパルス幅は一般的に数ピコ秒、プローブパルスのパルス幅は100フェムト秒程度であり、また、テラヘルツ波電場によって誘起される電気光学結晶14中の複屈折はテラヘルツ波パルス透過後には瞬時に消失するため、検出されるテラヘルツ波パルス電場はプローブパルスと同時に電気光学結晶14に入射する時間成分のみとなる。ここで、検出したいテラヘルツ波パルスの時間成分がプローブパルスと同時に電気光学結晶14に入射するように、光路長調整光学系51によってプローブパルスの光路長を調整しておく。即ち、カメラ63で信号を検出しながら、信号処理部25によって光路調整光学系51を調整し、テラヘルツ波パルスの所望の時間成分が検出される状態にする。例えば、カメラ63で検出されるテラヘルツ波信号が最大となるように、プローブパルスの光路長を調整する。
上述のような、第2の照射系22の調整は、観察を始める前に、被観察物を観察位置に載置しない状態で行うことも、あるいは、被観察物を載置した状態で行うことも可能である。調整は、カメラ63からの出力信号を信号処理部25で処理した結果に基づいて、信号処理部25の制御により自動で行うことも可能であるが、カメラ63からの出力イメージを確認しながら人が行っても良い。
次に、空間位相変調器61の調整を行う(ステップS2:調整ステップ)。被観察物15を観察位置に載置した状態で、1回以上所定の回数または連続的にレーザ光源11をパルス発振させ、プローブパルスの偏光状態の変化をカメラ63で検出する。カメラ63の出力信号を信号処理部25で画素ごとに分析し、空間位相変調器61をテラヘルツ波パルスによるプローブパルスの偏光状態の変化を打ち消す、あるいは、小さくするような位相変調を与えるように調整する。即ち、電気光学結晶14を透過したプローブパルスの偏光の空間分布には、被観察物15を透過したテラヘルツ波パルスの被観察物15との相互作用による強度の空間分布が反映されるが、この空間位相変調器61は、その空間分布を無くすようにプローブパルスに位相差を与える。そのようにすることで、空間位相変調器61を透過したプローブパルスの偏光状態は再び電気光学結晶14に入射する前と同様に全空間領域に渡って直線偏光となり、検光板62を透過するプローブパルスの光量は極めて小さい状態となる。即ち、プローブパルスはテラヘルツ波パルスの信号を反映しているにも関わらず、カメラ63で検出される信号値はほぼゼロとなる。この場合、プローブパルスの光量を増加させても、カメラ63の信号値はほぼゼロのままである。
次に、被観察物の観察を行う(ステップS3:検出ステップ)。空間位相変調器61の与える偏光状態の変調(位相差)を上記調整により得られた変調量に設定した状態で、レーザ光源11を繰り返しパルス発振させる。この状態で、被観察物15の状態に微小な変化が生じてプローブパルスの偏光状態が変化すると、空間位相変調器61を透過したプローブパルスの微小変化が生じた被観察物位置に対応する部分の偏光が直線偏光ではなくなり、カメラ63に入射する光強度が増加する。
このときの被観察物15の状態が変化した位置に対応する位置での、プローブパルスの信号の時間変化の例を図4に示す。カメラ63で検出されるプローブパルス信号強度は、被観察物(試料)の状態変化を反映したテラヘルツ波の変化によるもの(ΔI)だけとなる。したがって、周辺部分に比べて高いコントラストが得られる。また、その強度は、図1の1/2波長板54を利用してプローブパルスの光量を調整することで任意に調整することができ、カメラ63のダイナミックレンジの最大値まで増加させることも可能となる。即ち、被観察物15の微小な状態の変化をカメラ63のダイナミックレンジを最大限に活かして検出することができる。
例えば、前述の心筋細胞のカルシウムイオンイメージングでは、10bit階調(DR=1024)のカメラを使用した場合、その検出を行う実効的ダイナミックレンジも10bit(DR’=1024)となり、ダイナミックレンジを格段に向上することができる。
なお、上述の説明では、1/2波長板54を調整してプローブパルスの光量を増加させることができるとしたが、カメラ63の検出感度を高めることによっても、カメラ63による検出のダイナミックレンジを向上することが可能である。
また、偏光板55や検光板62の消光比、または空間位相変調器61の位相変調量によって、被観察物の状態が変化する前の状態においても、微小な強度のプローブパルスがカメラで検出される場合がある。このような場合、信号処理部によって、そのイメージをバックグラウンド信号として取得し記憶しておき、被観察物の状態が変化した際に得られるΔIのイメージからバックグラウンド信号を減算することで、よりコントラストを向上させることもできる。バックグラウンド信号は、空間位相変調器61による位相変調を調整する際に、同時に取得しておくことができる。あるいは、被観察物15を観察する際に状態変化が検出されない画像から取得したり、カメラ63の検出信号を時間平均して取得したりすることもできる。
(第2実施の形態)
図5は、第2実施の形態に係る観察装置の空間位相変調部23、および検出部24の概略構成を示す図である。本実施の形態は、第1実施の形態における空間位相変調部23の空間位相変調器61を波長板68に置き換えたものであり、その他の構成は第1実施の形態と同じである。
図5は、第2実施の形態に係る観察装置の空間位相変調部23、および検出部24の概略構成を示す図である。本実施の形態は、第1実施の形態における空間位相変調部23の空間位相変調器61を波長板68に置き換えたものであり、その他の構成は第1実施の形態と同じである。
被観察物によっては、被観察物の状態の変化が無い状態では、被観察物15を透過したテラヘルツ波パルスに強度分布が生じず、カメラ63で検出されるイメージに被観察物15のコントラストが生じないものも存在する。この場合、被観察物15の状態が変化する前の状態においては、プローブパルスの偏光状態の変化は全空間領域に渡って均一となるので、波長板68を利用することでその偏光状態を調整し、カメラ63に入射するプローブパルスの強度を極めて小さくすることができる。
この場合、偏光の調整に波長板68を利用するため、空間位相変調素子61を利用する場合と比べてコストが安くなり、安価に装置を構成することが可能となる。なお、波長板は1/2波長板や1/4波長板を組み合わせて用いることができる。
(第3実施の形態)
図6は、本発明の第3実施の形態に係る観察装置における第1の照射系の概略構成図である。図6に示す第1の照射系21は、照射レンズ41と結像レンズ系42との間に配置された反射ミラー71および反射ミラー72を備える。そして、第1照射系21は、照射レンズ41からのテラヘルツ波パルスを反射ミラー71で反射させて、被観察物15に照射し、該被観察物15と相互作用して反射されるテラヘルツ波パルスを、反射ミラー72で反射させて結像レンズ系42に導く。その他の構成、作用については、第1実施の形態または第2実施の形態と同様である。これにより、被観察物がテラヘルツ波を透過しない場合においても、広いダイナミックレンジでその状態の変化を検知することが可能となる。
図6は、本発明の第3実施の形態に係る観察装置における第1の照射系の概略構成図である。図6に示す第1の照射系21は、照射レンズ41と結像レンズ系42との間に配置された反射ミラー71および反射ミラー72を備える。そして、第1照射系21は、照射レンズ41からのテラヘルツ波パルスを反射ミラー71で反射させて、被観察物15に照射し、該被観察物15と相互作用して反射されるテラヘルツ波パルスを、反射ミラー72で反射させて結像レンズ系42に導く。その他の構成、作用については、第1実施の形態または第2実施の形態と同様である。これにより、被観察物がテラヘルツ波を透過しない場合においても、広いダイナミックレンジでその状態の変化を検知することが可能となる。
(第4実施の形態)
図7は、本発明の第4実施の形態に係る観察装置における第1照射系の概略構成図である。図7に示す第1照射系21は、照射レンズ41と結像レンズ系42との間に配置された全反射プリズム81を備える。全反射プリズム81は、全反射面81aが被観察物15の載置面となっている。そして、第1照射系21は、照射レンズ41からのテラヘルツ波パルスを、全反射プリズム81の入射面81bから入射させて、全反射面81aで全反射させた後、射出面81cから射出させて結像レンズ系42に導く。
図7は、本発明の第4実施の形態に係る観察装置における第1照射系の概略構成図である。図7に示す第1照射系21は、照射レンズ41と結像レンズ系42との間に配置された全反射プリズム81を備える。全反射プリズム81は、全反射面81aが被観察物15の載置面となっている。そして、第1照射系21は、照射レンズ41からのテラヘルツ波パルスを、全反射プリズム81の入射面81bから入射させて、全反射面81aで全反射させた後、射出面81cから射出させて結像レンズ系42に導く。
かかる構成において、全反射面81aでテラヘルツ波パルスが全反射すると、全反射面81aからテラヘルツ波のエバネッセント波成分が発生して被観察物15に入射する。そして、被観察物15とエバネッセント波成分との相互作用により、エバネッセント波成分が被観察物15に吸収されると、全反射面81aで全反射して電気光学結晶14に入射するテラヘルツ波パルスの強度が減衰する。つまり、本実施の形態においては、全反射減衰分光法によりテラヘルツ波パルスを被観察物15と相互作用させる。
このように、エバネッセント波の吸収を検出する全反射減衰分光法を適用することで、被観察物15が水のようなテラヘルツ波を非常に強く吸収する物質の場合においても、広いダイナミックレンジでその状態の変化を検知することが可能となる。
なお、本発明は、上記実施の形態にのみ限定されるものではなく、幾多の変更または変形が可能である。たとえば、プローブパルスの検出器としてカメラを利用することを前提としていたが、フォトダイオードなど非イメージング素子による検出も可能である。この場合においては試料のリアルタイムイメージを得ることはできないが、広いダイナミックレンジで試料の状態変化を検知することは可能である。また、検出部24は、電気光学結晶14の裏面で反射されるプローブパルス(第2の電磁波)からテラヘルツ波の電場情報を取得するように構成することもできる。
11 レーザ光源
12 ビームスプリッタ
13 テラヘルツ波発生部
14 電気光学結晶
15 被観察物
21 第1の照射系
22 第2の照射系
23 空間位相変調部
24 検出部
25 信号処理部
31,32,33,52,71,72 反射ミラー
34 集光レンズ
35 テラヘルツ波発生素子
41 照射レンズ
42 結像レンズ系
51 光路長調整光学系
53 ビームエキスパンダ
54 1/2波長板
55 偏光板
56 ダイクロイックミラー
61 空間位相変調器
62 検光板
63 カメラ
64,65,66,67 レンズ
68 波長板
81 全反射プリズム
81a 全反射面
81b 入射面
81c 出射面
12 ビームスプリッタ
13 テラヘルツ波発生部
14 電気光学結晶
15 被観察物
21 第1の照射系
22 第2の照射系
23 空間位相変調部
24 検出部
25 信号処理部
31,32,33,52,71,72 反射ミラー
34 集光レンズ
35 テラヘルツ波発生素子
41 照射レンズ
42 結像レンズ系
51 光路長調整光学系
53 ビームエキスパンダ
54 1/2波長板
55 偏光板
56 ダイクロイックミラー
61 空間位相変調器
62 検光板
63 カメラ
64,65,66,67 レンズ
68 波長板
81 全反射プリズム
81a 全反射面
81b 入射面
81c 出射面
Claims (9)
- 被検出物と相互作用した第1の電磁波であるパルス状のテラヘルツ波と、前記テラヘルツ波よりも波長の短いパルス状の第2の電磁波とを重ねて電気光学結晶に照射し、前記電気光学結晶との相互作用による前記第2の電磁波の偏光状態の変化を検出する被検出物の観察方法であって、
前記電気光学結晶と相互作用した前記第2の電磁波の偏光状態に変調を加え、検出される前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を小さくするように調整する調整ステップと、
前記電気光学結晶と相互作用した第2の電磁波の偏光状態に、前記調整ステップにより調整された前記変調を加え、該変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を検出する検出ステップと、
を有する、観察方法。 - 前記検出ステップにおいて、前記調整ステップよりも、前記電気光学結晶に照射する前記第2の電磁波の強度を高くすることを特徴とする請求項1に記載の観察方法。
- 前記調整ステップにおいて、前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を記憶し、
前記検出ステップにおいて、該検出ステップにおける前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化から、前記調整ステップにおいて記憶した前記変調後の前記第2の電磁波の偏光状態の変化を差分することを特徴とする請求項1または2に記載の観察方法。 - 前記第2の電磁波の偏光状態の変化を2次元画像として取得することを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の観察方法。
- 電気光学結晶と、
第1の電磁波であるパルス状のテラヘルツ波を被検出物と相互作用させて前記電気光学結晶に照射する第1の照射系と、
前記電気光学結晶に前記テラヘルツ波よりも波長の短い第2の電磁波を照射する第2の照射系と、
前記電気光学結晶と相互作用した前記第2の電磁波の偏光状態に変調を加える位相変調器と、
前記位相変調器によって前記変調を加えられた前記第2の電磁波の偏光状態の変化を検出する検出部と
を備え、
前記位相変調器は、前記検出部により検出される前記第2の電磁波の偏光状態の変化を小さくするように調整可能に構成されていることを特徴とする観察装置。 - 前記第2の照射系は、前記電気光学結晶に照射する前記第2の電磁波の強度を調整可能に構成されていることを特徴とする請求項5に記載の観察装置。
- 前記検出部は、検出感度を調整可能に構成されていることを特徴とする請求項5または6に記載の観察装置。
- 前記位相変調器は、2次元的に位相変調が可能な空間位相変調器であり、前記検出部は、前記第2の電磁波の2次元画像を取得可能な固体撮像カメラであることを特徴とする請求項5〜7の何れか一項に記載の観察装置。
- 前記位相変調器は、波長板により構成されることを特徴とする請求項5〜7の何れか一項に記載の観察装置。
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