JP2013191567A - ハイブリッド密封構造を備えた密封フィードスルー - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電力端子フィードスルー10は、ハウジング本体12と、複数の導電ピン14と、導電ピンをハウジング本体に密封し、ハウジング本体から導電ピンを電気的に絶縁する密封構造とを含んでいる。この密封構造はハウジング本体と導電ピンのうちの一方に融着される第1の材料28と、ハウジング本体と導電ピンのうちの他方に融着される第2の材料30とを含んでいる。第1及び第2の材料はハウジング本体と導電ピンの熱膨張にそれぞれ一致するように適切に選択されることができる。
【選択図】図2
Description
対応する参照符合は図面の幾つかの図面を通して対応する部分を示している。
図1を参照すると、本発明の第1の実施形態による電力端子フィードスルー10は金属ハウジング本体12と複数の導電ピン14を含んでいる。ハウジング本体12は(図4Aに示されているように)内部空間18を規定する内部表面16を含んでいる。複数の導電ピン14はハウジング本体12の中心軸Yに沿って内部空間18を通って延在している。
図5及び6を参照すると、本発明の第2の実施形態による電力端子フィードスルーは密封構造とハウジング本体を除いて第1の実施形態の構造と類似の構造を有している。
図9を参照すると、本発明の第3の実施形態によるフィードスルー70は密封構造72を除いて第2の実施形態の構造と類似した構造を含んでいる。密封構造72は第1のガラス層74と、第2のガラス層76と、第1のガラス層74と第2のガラス層76との間の重合体層78とを含んでいる。密封構造72は2つのガラス層74と76が存在するために改良されたガス浸透防止特性を有しており、導電ピン14と低い融着点を有するハウジング本体52に融着されることができる。ガラス層74と76はハウジング本体52のものに一致する熱膨張係数を有するように適切に選択されることができる。重合体層78は導電ピン14のものに一致する熱膨張係数を有するように適切に選択されることができる。
図12および13を参照すると、本発明の第4の実施形態によるフィードスルー100は第1の実施形態のものと類似の冷延鋼板から作られるハウジング本体12を有する。密封構造104は複数の導電ピン14をハウジング本体12へ密封する。密封構造104はガラス層106と複数の重合体層108を含んでいる。重合体層108はそれぞれ管状本体112と、管状本体112から垂直及び外方向に延在するフランジ部114とを有する。
図15および16を参照すると、本発明の第5の実施形態によるフィードスルー120はハウジング本体と密封構造を除いて第4の実施形態のフィードスルーに類似している。この実施形態のハウジング本体52はアルミニウムから作られる第2の実施形態のものに類似している。本発明の実施形態の密封構造124は、この実施形態のガラス層126がハウジング本体52に融着されないことを除いて第4の実施形態の密封構造104に類似している。
図17および18を参照すると、本発明の第6の実施形態によるフィードスルー140は密封構造と導電ピンを除いて第5の実施形態に類似している。密封構造144はガラス層146と、第2の管状本体148と第2の管状本体148から垂直及び内方向に延在するフランジ部149を有する重合体層とを有している。導電ピン141はパラジウムめっきされている。導電ピン141は高い融点を有するので、ガラス層146は導電ピン141に直接融着されることができ、それによって第4の実施形態の第1の管状本体を不要とする。
図19を参照すると、本発明の第7の実施形態によるフィードスルー150はハウジング本体12、導電ピン14、密封構造154を含んでいる。ハウジング本体12と導電ピン14は第1の実施形態のものに類似している。ハウジング本体12は冷延鋼材から作られる。導電ピン14は金メッキされる。密封構造154はガラス層156と、第1の重合体層158と、第2の重合体層160とを含んでいる。ガラス層156はハウジング本体12の内部空間全体を埋めている。第1の重合体層158と第2の重合体層160はハウジング本体12の下部表面162と上部表面164上にそれぞれ形成される。
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]ハウジング本体と、
導電ピンと、
前記導電ピンを前記ハウジング本体に密封し、前記ハウジング本体と前記導電ピンとの間に電気的絶縁性を行う密封構造とを具備し、
前記密封構造は前記ハウジング本体と前記導電ピンのうちの一方に融着される第1の材料と、前記ハウジング本体と前記導電ピンのうちの他方に融着される第2の材料とを含んでいる密封フィードスルー。
[2]前記第1の材料は前記第2の材料よりも良好なガス透過防止特性を有している前記[1]に記載の密封フィードスルー。
[3]前記第2の材料は前記第1の材料よりも低い融着温度を有している前記[2]に記載の密封フィードスルー。
[4]前記ハウジング本体は第1の金属から作られ、前記第1の材料は前記第1の材料に一致する熱膨張係数を有し、第2の金属から作られる前記導電ピンは前記第2の材料に一致する熱膨張係数を有する前記[1]に記載の密封フィードスルー。
[5]前記密封構造は前記第1の材料の第1の層と、前記第2の材料の第2の層とを含み、前記第2の層は前記導電ピンに垂直な平面に沿って前記第1の層に融着されている前記[1]に記載の密封フィードスルー。
[6]さらに、第1の密封路と第2の密封路と第3の密封路を具備し、前記第1の密封路はガラスと金属の密封であり、前記第2の密封路は樹脂と金属の密封であり、前記第3の密封路は樹脂とガラスの密封である前記[5]に記載の密封フィードスルー。
[7]前記第1の密封路は前記第1の層と前記ハウジング本体との間の境界に形成され、前記第2の密封路は前記第2の層と前記導電ピンとの間の境界に形成され、前記第3の密封路は前記第1の層と前記第2の層の間の境界に形成されている前記[6]に記載の密封フィードスルー。
[8]さらに、第4の密封路が前記第2の層と前記ハウジング本体との間の境界に設けられている前記[7]に記載の密封フィードスルー。
[9]前記第1の材料はガラスであり、前記第2の材料はエポキシであり、前記ハウジング本体は鋼材から作られ、前記導電ピンは銅、銀、金の少なくとも1つを含んでいる前記[7]に記載の密封フィードスルー。
[10]前記第1の材料は前記ハウジング本体と前記導電ピンとの間に設けられた層構造を有し、前記第2の材料は前記導電ピンを囲み前記第1の材料と前記導電ピンとの間に設けられている第1の管状体を含んでいる前記[1]に記載の密封フィードスルー。
[11]前記第2の材用はさらに第1のフランジ部を含み、前記第1のフランジ部は前記第1の管状体から垂直に延在し、前記第1の材料に融着されている前記[10]に記載の密封フィードスルー。
[12]密封構造は第1の密封路と第2の密封路と第3の密封路とを含んでおり、前記第1の密封路は前記第1の材料と前記ハウジング本体との間の境界に形成され、前記第2の密封路は前記第2の材料と前記導電ピンとの間に形成され、前記第3の密封路は前記第1の材料と前記第2の材料との間に形成されている前記[11]に記載の密封フィードスルー。
[13]前記第3の密封路は前記管状体と前記第1のフランジ部との間に屈曲された部分を形成する前記[12]に記載の密封フィードスルー。
[14]前記第2の材料は前記第1の材料と前記ハウジングとの間に第2の管状体を具備している前記[10]に記載の密封フィードスルー。
[15]さらに、前記1対の第2の密封路と前記1対の第3の密封路を具備し、前記第2の密封路は樹脂と金属の密封であり、前記第3の密封路は樹脂とガラスの密封である前記[14]に記載の密封フィードスルー。
[16]前記ハウジング本体はアルミニウムで形成されている前記[15]に記載の密封フィードスルー。
[17]前記第1の材料は前記ハウジング本体と前記導電ピンとの間に設けられている層構造を有し、前記第2の材料は前記第1の材料と前記ハウジング本体との間に形成された管状体を有している前記[1]に記載の密封フィードスルー。
[18]さらに、第1の密封路と第2の密封路と第3の密封路を含んでおり、前記第1の密封路は前記第1の材料と前記導電ピンとの間の境界に形成され、前記第2の密封路は前記ハウジング本体と前記第2の材料の前記管状体との間に形成され、前記第3の密封路は前記第1の材料と前記第2の材料との間に形成されている前記[17]に記載の密封フィードスルー。
[19]前記第1の密封路はガラスと金属の密封であり、前記第2の密封路は樹脂と金属の密封であり、前記第3の密封路は樹脂とガラスの密封である前記[18]に記載の密封フィードスルー。
[20]前記第1の材料は前記導電ピンと前記ハウジング本体との間に設けられ、前記第2の材料は前記ハウジング本体の下部表面上の第1の層と前記ハウジング本体の上部表面上の第2の層とを含んでいる前記[1]に記載の密封フィードスルー。
[21]さらに、前記第1の材料と前記ハウジング本体との間の境界に設けられた第1の密封路と、
前記導電ピンと前記第2の材料の前記第1の層との間、および前記導電ピンと前記第2の材料の前記第2の層との間に設けられている1対の第2の密封路と、
前記第2の材料の前記第1の層間と、前記第1の材料と前記第2の材料の前記第2の層との間に設けられている1対の第3の密封路を具備している前記[20]に記載の密封フィードスルー。
[22]前記第1の密封路はガラスと金属の密封であり、前記第2の密封濾波樹脂と金属の密封であり、前記第3の密封路はガラスと樹脂の密封である前記[21]に記載の密封フィードスルー。
[23]ハウジング本体と、
導電ピンと、
前記導電ピンを前記ハウジング本体に密封し、前記ハウジング本体と前記導電ピンとの間の電気的絶縁を行っている密封構造とを具備し、
前記密封構造は第1の材料および第2の材料と、第1の密封路と第2の密封路と第3の密封路のうちの少なくとも2つを含み、
前記第1の密封路はガラスと金属の密封であり、前記第2の密封路は樹脂と金属の密封であり、前記第3の密封路は樹脂とガラスの密封である密封フィードスルー。
[24]前記密封構造は前記導電ピンと前記第2の材料との間および前記ハウジング本体と前記第2の材料との間に設けられている第2の密封路の対を含んでいる前記[23]に記載の密封フィードスルー。
[25]前記ハウジング本体はアルミニウムから作られ、内部表面と前記内部表面から垂直に延在する水平表面とを含み、前記第2の密封路の1つは前記第2の材料と前記内部表面との間および前記第2の材料と前記水平表面との間に形成されている前記[24]に記載の密封フィードスルー。
[26]さらに、第3の材料の第3の層を具備し、前記第2の層は前記第1の層と前記第3の層との間に設けられ、前記第2の層は前記第1の層と前記第3の層に融着されている前記[25]に5記載の密封フィードスルー。
[27]前記第1の材料と前記第3の材料はガラスであり、前記第2の材料は樹脂である前記[26]に記載の密封フィードスルー。
[28]前記密封構造は1対の第2の密封路と1対の第3の密封路とを具備し、前記第2の密封路は樹脂と金属の密封であり、前記第3の密封路は樹脂とガラスの密封である前記[27]に記載の密封フィードスルー。
[29]前記第2の密封路は前記第2の層と前記ハウジング本体との間および前記第2の層と前記導電ピンとの間の境界に設けられ、前記第3の密封路は前記第1の層と前記第2の層との間及び前記第2の層と前記第3の層との間の境界に設けられる前記[28]に記載の密封フィードスルー。
[30]さらに、前記第1の層と前記第3の層の少なくとも一方と、前記ハウジング本体と前記導電ピンの少なくとも一方との間に複数の密封路を具備している前記[29]に記載の密封フィードスルー。
[31]第1の材料を少なくとも1つのダミーピンへ融着して基板を形成し、
前記ダミーピンに対応する少なくとも1つの開口を形成するため前記少なくとも1つのダミーピンを前記基板から除去し、
少なくとも1つの導電ピンを少なくとも1つの前記開口へ挿入し、
第2の材料を前記少なくとも1つの導電ピンに融着するステップを含んでいるフィードスルーの製造方法。
[32]さらに、前記基板をハウジング本体に融着するステップを含み、前記ハウジング本体は前記基板が配置されている内部空間を有している前記[31]に記載の方法。
[33]さらに、前記第1の材料と前記第2の材料の1つを前記ハウジング本体に融着するステップを含んでいる前記[31]に記載の方法。
[34]前記ハウジング本体はアルミニウムから形成されている前記[31]に記載の方法。
[35]さらに、前記第2の材料を前記第1の材料に融着するステップを含んでいる前記[31]に記載の方法。
Claims (35)
- ハウジング本体と、
導電ピンと、
前記導電ピンを前記ハウジング本体に密封し、前記ハウジング本体と前記導電ピンとの間に電気的絶縁性を行う密封構造とを具備し、
前記密封構造は前記ハウジング本体と前記導電ピンのうちの一方に融着される第1の材料と、前記ハウジング本体と前記導電ピンのうちの他方に融着される第2の材料とを含んでいる密封フィードスルー。 - 前記第1の材料は前記第2の材料よりも良好なガス透過防止特性を有している請求項1記載の密封フィードスルー。
- 前記第2の材料は前記第1の材料よりも低い融着温度を有している請求項2記載の密封フィードスルー。
- 前記ハウジング本体は第1の金属から作られ、前記第1の材料は前記第1の材料に一致する熱膨張係数を有し、第2の金属から作られる前記導電ピンは前記第2の材料に一致する熱膨張係数を有する請求項1記載の密封フィードスルー。
- 前記密封構造は前記第1の材料の第1の層と、前記第2の材料の第2の層とを含み、前記第2の層は前記導電ピンに垂直な平面に沿って前記第1の層に融着されている請求項1記載の密封フィードスルー。
- さらに、第1の密封路と第2の密封路と第3の密封路を具備し、前記第1の密封路はガラスと金属の密封であり、前記第2の密封路は重合体と金属の密封であり、前記第3の密封路は重合体とガラスの密封である請求項5記載の密封フィードスルー。
- 前記第1の密封路は前記第1の層と前記ハウジング本体との間の境界に形成され、前記第2の密封路は前記第2の層と前記導電ピンとの間の境界に形成され、前記第3の密封路は前記第1の層と前記第2の層の間の境界に形成されている請求項6記載の密封フィードスルー。
- さらに、第4の密封路が前記第2の層と前記ハウジング本体との間の境界に設けられている請求項7記載の密封フィードスルー。
- 前記第1の材料はガラスであり、前記第2の材料はエポキシであり、前記ハウジング本体は鋼材から作られ、前記導電ピンは銅、銀、金の少なくとも1つを含んでいる請求項7記載の密封フィードスルー。
- 前記第1の材料は前記ハウジング本体と前記導電ピンとの間に設けられた層構造を有し、前記第2の材料は前記導電ピンを囲み前記第1の材料と前記導電ピンとの間に設けられている第1の管状体を含んでいる請求項1記載の密封フィードスルー。
- 前記第2の材用はさらに第1のフランジ部を含み、前記第1のフランジ部は前記第1の管状体から垂直に延在し、前記第1の材料に融着されている請求項10記載の密封フィードスルー。
- 密封構造は第1の密封路と第2の密封路と第3の密封路とを含んでおり、前記第1の密封路は前記第1の材料と前記ハウジング本体との間の境界に形成され、前記第2の密封路は前記第2の材料と前記導電ピンとの間に形成され、前記第3の密封路は前記第1の材料と前記第2の材料との間に形成されている請求項11記載の密封フィードスルー。
- 前記第3の密封路は前記管状体と前記第1のフランジ部との間に屈曲された部分を形成する請求項12記載の密封フィードスルー。
- 前記第2の材料は前記第1の材料と前記ハウジングとの間に第2の管状体を具備している請求項10記載の密封フィードスルー。
- さらに、前記1対の第2の密封路と前記1対の第3の密封路を具備し、前記第2の密封路は重合体と金属の密封であり、前記第3の密封路は重合体とガラスの密封である請求項14記載の密封フィードスルー。
- 前記ハウジング本体はアルミニウムで形成されている請求項15記載の密封フィードスルー。
- 前記第1の材料は前記ハウジング本体と前記導電ピンとの間に設けられている層構造を有し、前記第2の材料は前記第1の材料と前記ハウジング本体との間に形成された管状体を有している請求項1記載の密封フィードスルー。
- さらに、第1の密封路と第2の密封路と第3の密封路を含んでおり、前記第1の密封路は前記第1の材料と前記導電ピンとの間の境界に形成され、前記第2の密封路は前記ハウジング本体と前記第2の材料の前記管状体との間に形成され、前記第3の密封路は前記第1の材料と前記第2の材料との間に形成されている請求項17記載の密封フィードスルー。
- 前記第1の密封路はガラスと金属の密封であり、前記第2の密封路は重合体と金属の密封であり、前記第3の密封路は重合体とガラスの密封である請求項18記載の密封フィードスルー。
- 前記第1の材料は前記導電ピンと前記ハウジング本体との間に設けられ、前記第2の材料は前記ハウジング本体の下部表面上の第1の層と前記ハウジング本体の上部表面上の第2の層とを含んでいる請求項1記載の密封フィードスルー。
- さらに、前記第1の材料と前記ハウジング本体との間の境界に設けられた第1の密封路と、
前記導電ピンと前記第2の材料の前記第1の層との間、および前記導電ピンと前記第2の材料の前記第2の層との間に設けられている1対の第2の密封路と、
前記第2の材料の前記第1の層間と、前記第1の材料と前記第2の材料の前記第2の層との間に設けられている1対の第3の密封路を具備している請求項20記載の密封フィードスルー。 - 前記第1の密封路はガラスと金属の密封であり、前記第2の密封濾波重合体と金属の密封であり、前記第3の密封路はガラスと重合体の密封である請求項21記載の密封フィードスルー。
- ハウジング本体と、
導電ピンと、
前記導電ピンを前記ハウジング本体に密封し、前記ハウジング本体と前記導電ピンとの間の電気的絶縁を行っている密封構造とを具備し、
前記密封構造は第1の材料および第2の材料と、第1の密封路と第2の密封路と第3の密封路のうちの少なくとも2つを含み、
前記第1の密封路はガラスと金属の密封であり、前記第2の密封路は重合体と金属の密封であり、前記第3の密封路は重合体とガラスの密封である密封フィードスルー。 - 前記密封構造は前記導電ピンと前記第2の材料との間および前記ハウジング本体と前記第2の材料との間に設けられている第2の密封路の対を含んでいる請求項23記載の密封フィードスルー。
- 前記ハウジング本体はアルミニウムから作られ、内部表面と前記内部表面から垂直に延在する水平表面とを含み、前記第2の密封路の1つは前記第2の材料と前記内部表面との間および前記第2の材料と前記水平表面との間に形成されている請求項24記載の密封フィードスルー。
- さらに、第3の材料の第3の層を具備し、前記第2の層は前記第1の層と前記第3の層との間に設けられ、前記第2の層は前記第1の層と前記第3の層に融着されている請求項25記載の密封フィードスルー。
- 前記第1の材料と前記第3の材料はガラスであり、前記第2の材料は重合体である請求項26記載の密封フィードスルー。
- 前記密封構造は1対の第2の密封路と1対の第3の密封路とを具備し、前記第2の密封路は重合体と金属の密封であり、前記第3の密封路は重合体とガラスの密封である請求項27記載の密封フィードスルー。
- 前記第2の密封路は前記第2の層と前記ハウジング本体との間および前記第2の層と前記導電ピンとの間の境界に設けられ、前記第3の密封路は前記第1の層と前記第2の層との間及び前記第2の層と前記第3の層との間の境界に設けられる請求項28記載の密封フィードスルー。
- さらに、前記第1の層と前記第3の層の少なくとも一方と、前記ハウジング本体と前記導電ピンの少なくとも一方との間に複数の密封路を具備している請求項29記載の密封フィードスルー。
- 第1の材料を少なくとも1つのダミーピンへ融着して基板を形成し、
前記ダミーピンに対応する少なくとも1つの開口を形成するため前記少なくとも1つのダミーピンを前記基板から除去し、
少なくとも1つの導電ピンを少なくとも1つの前記開口へ挿入し、
第2の材料を前記少なくとも1つの導電ピンに融着するステップを含んでいるフィードスルーの製造方法。 - さらに、前記基板をハウジング本体に融着するステップを含み、前記ハウジング本体は前記基板が配置されている内部空間を有している請求項31記載の方法。
- さらに、前記第1の材料と前記第2の材料の1つを前記ハウジング本体に融着するステップを含んでいる請求項31記載の方法。
- 前記ハウジング本体はアルミニウムから形成されている請求項31記載の方法。
- さらに、前記第2の材料を前記第1の材料に融着するステップを含んでいる請求項31記載の方法。
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